JP2004235576A - 半導体集積回路 - Google Patents

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JP2004235576A JP2003024865A JP2003024865A JP2004235576A JP 2004235576 A JP2004235576 A JP 2004235576A JP 2003024865 A JP2003024865 A JP 2003024865A JP 2003024865 A JP2003024865 A JP 2003024865A JP 2004235576 A JP2004235576 A JP 2004235576A
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Abstract

【課題】半導体集積回路のチップサイズおよび外部端子数を無駄に増大させることなく、電圧降下対策を実施する。
【解決手段】調整回路は、電源の供給源に接続される主電源線、および機能毎に分割された複数の回路ブロックの第1電源端子にそれぞれ接続される副電源線に接続される。調整回路は、回路ブロックの動作状態に応じて、回路ブロック毎に主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整する。これにより、電源線の配線幅を無駄に太くすることなく、あるいは外部電源端子を無駄に追加することなく、各回路ブロックに最適な電流量を供給できる。すなわち、チップサイズや外部端子数を無駄に増大させることなく、電圧降下対策を実施できる。換言すれば、製品コストを低減できる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路内の複数の回路ブロックに電源電流を効率よく供給する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路において、外部から供給された電源電圧が低下する電圧降下は、回路ブロックの動作(スイッチング)による電力消費や電源線の配線抵抗などにより生じる。特に、回路ブロックの中心部では、電圧降下が顕著になる。電圧降下が著しい場合、回路ブロックが誤動作することがある。
また、近年、半導体集積回路において、デバイス構造の微細化や低消費電力化に伴い、電源電圧は低くなってきている。このため、電源電圧に対する電圧降下値の割合が増大し、電圧降下が深刻な問題になってきている。
【0003】
一般に、電圧降下の影響を小さくするため、電源の強化が実施されている。例えば、回路ブロックを囲むリング形状の主電源線の内側に副電源線(幹線および支線)が敷設された半導体集積回路において、主電源線および副電源線の配線幅を太くする、あるいは外部電源端子を追加することにより、回路ブロックに供給される電流量を増加させている。
【0004】
また、電圧降下対策の別の手法として、昇圧回路によって回路ブロックに供給される電源電圧を昇圧させることにより、電圧降下を相対的に軽減させる手法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【特許文献1】
特開2002―313929号公報 (図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、回路ブロックの配置および配線制約は、電源線の配線幅を太くすることで厳しくなる。配置および配線の自由度が低下することで、回路ブロックのレイアウト面積は増大する。このため、半導体集積回路のチップサイズは増大してしまう。この結果、製品コストは増大し、コスト競争力を失ってしまう。また、外部電源端子を追加するために、端子数の多いパッケージを採用する場合も、製品コストが増大してしまう。
【0006】
一方、従来の電圧降下対策は、半導体集積回路を構成する全ての回路ブロックの全体が常に動作することを前提に実施される。しかしながら、実際の半導体集積回路において、全ての回路ブロックの全体が常に動作することは少ないため、前述の電圧降下対策は過剰な対策となる。すなわち、チップサイズおよび外部端子数が無駄に増大してしまう。このため、製品コストが無駄に増大してしまう。
【0007】
本発明の目的は、半導体集積回路において、チップサイズおよび外部端子数を無駄に増大させることなく、電圧降下対策を実施することにある。
本発明の別の目的は、半導体集積回路の製品コストを低減することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の半導体集積回路では、調整回路は、電源の供給源に接続される主電源線、および機能毎に分割された複数の回路ブロックの第1電源端子にそれぞれ接続される副電源線に接続される。調整回路は、回路ブロックの動作状態に応じて、回路ブロック毎に主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整する。これにより、電源線の配線幅を無駄に太くすることなく、あるいは外部電源端子を無駄に追加することなく、各回路ブロックに最適な電流量を供給できる。すなわち、チップサイズや外部端子数を無駄に増大させることなく、電圧降下対策を実施できる。換言すれば、製品コストを低減できる。
【0009】
請求項2の半導体集積回路では、検知回路は、回路ブロックが消費する電流量をそれぞれ検知する。調整回路は、検知回路の検知結果に応じて、回路ブロック毎に主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整する。各回路ブロックが消費する電流量を直接検知することで、主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を高い精度で調整できる。
【0010】
請求項3の半導体集積回路では、調整回路は、外部信号端子を介して供給される複数の外部制御信号に応じて、回路ブロック毎に主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整する。外部信号端子を設けることで、主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を外部から直接調整できる。
請求項4の半導体集積回路では、調整回路は、主電源線および副電源線の間に並列接続される複数のスイッチを有する。オンするスイッチの数は、回路ブロックの動作状態に応じて変更される。このため、主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を回路ブロックの動作状態に応じて微調整できる。
【0011】
請求項5の半導体集積回路では、各回路ブロックは、副電源線が接続される第1電源端子とは別に、主電源線が直接接続される第2電源端子を有する。第2電源端子が、常に電流を消費しかつ動作状態に応じて消費する電流量が変化する回路ブロックに設けられることで、回路ブロックの動作状態に拘わらず主電源線から回路ブロックに所定量の電流が常に供給される。このため、調整回路は、回路ブロックの動作状態に応じて増加する消費電流量のみを調整すればよい。この結果、調整回路の回路規模を低減できる。この結果、調整回路の搭載に伴うチップサイズの増加を抑制できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。図中の斜線で示す線は、電源線を示している。また、図中の太線で示す矢印は、複数ビットで構成される信号を示している。
図1は、本発明の半導体集積回路の第1の実施形態を示している。この実施形態は、請求項1、請求項2、請求項4および請求項5に対応している。
半導体集積回路チップ10は、機能毎に分割された回路ブロックBLK0〜BLK4、RAM0〜RAM2、主電源線ML、それぞれ8本からなる副電源線SL0(SL00〜SL07)、SL1(SL10〜SL17)、調整回路12および検知回路14を有している。
【0013】
主電源線MLは、電源の供給源である外部電源端子EPP(EPP0〜EPP3)および回路ブロックBLK0〜BLK4、RAM0〜RAM2、調整回路12、検知回路14に接続されている。なお、図中、主電源線MLにおいて、回路ブロックBLK2〜BLK4、RAM0〜RAM2および検知回路14に接続される部分は、簡単のため省略している。
【0014】
副電源線SL0、SL1は、回路ブロックBLK0、BLK1の第1電源端子BPP10、BPP11(後述)にそれぞれ接続されている。
回路ブロックBLK0は、内部の電圧降下を検知する電圧降下検知回路14aを有している。電圧降下検知回路14aは、回路ブロックBLK0内の電源電圧の降下量(電圧降下値)に応じた論理値を示す複数ビットの電圧降下検知信号DR0を検知回路14に出力する。
【0015】
回路ブロックBLK1は、内部の電圧降下を検知する電圧降下検知回路14bを有している。電圧降下検知回路14bは、回路ブロックBLK1内の電源電圧の降下量(電圧降下値)に応じた論理値を示す複数ビットの電圧降下検知信号DR1を検知回路14に出力する。
なお、この実施形態では、回路ブロックBLK0、BLK1は、互いに連携して動作し、回路ブロックBLK0、BLK1の消費電流量は、同時に最大になることはない。例えば、回路ブロックBLK0、BLK1は、それぞれタイマ、DMAC(ダイレクトメモリアクセスコントローラ)として機能する。回路ブロックBLK0(タイマ)は、所定の周期で回路ブロックBLK1(DMAC)にデータ転送を要求する。回路ブロックBLK1(DMAC)は、回路ブロックBLK0(タイマ)からのデータ転送の要求を受ける度に、回路ブロックRAM0から回路ブロックRAM1へ所望のデータを転送する。このため、回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値は、同時に最大になることはない。すなわち、電圧降下検知信号DR0、DR1が示す値は、同時に最大になることはない。また、回路ブロックBLK0、BLK1は、常に電流を消費し、かつ動作状態に応じて消費する電流量が変化する。
【0016】
検知回路14は、電圧降下検知信号DR0、DR1を受信し、回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値をそれぞれ検知することで、回路ブロックBLK0、BLK1に不足している電流量をそれぞれ認識する。検知回路14は、電圧降下検知信号DR0、DR1が示す値にそれぞれ対応する8ビットの電流量調整信号ADJ0、ADJ1を調整回路12に出力する。検知回路14は、電圧降下検知信号DR0、DR1が示す電圧降下値が大きいほど、電流量調整信号ADJ0、ADJ1において”論理1”に固定するビット数を増加させる。
【0017】
調整回路12は、電流量調整信号ADJ0、ADJ1に応じて、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を調整する。電流量調整信号ADJ0、ADJ1は、それぞれ回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値(不足している電流量)に応じて出力されるため、調整回路12は、電圧降下値の大きい回路ブロック(回路ブロックBLK0、BLK1の少なくともいずれか)に供給される電流量を増加させる。なお、調整回路12の詳細については、図3で説明する。
【0018】
図2は、第1の実施形態における要部を示している。
回路ブロックBLK0は、第1電源端子BPP10(BPP100〜BPP117)および第2電源端子BPP20(BPP200〜BPP207)を有している。第1電源端子BPP10(BPP100〜BPP107)は、対応する副電源線SL0(SL00〜SL07)にそれぞれ接続されている。第2電源端子BPP20(BPP200〜BPP207)は、主電源線MLに直接接続されている。
【0019】
回路ブロックBLK1は、第1電源端子BPP11(BPP110〜BPP117)および第2電源端子BPP21(BPP210〜BPP217)を有している。第1電源端子BPP11(BPP110〜BPP117)は、対応する副電源線SL1(SL10〜SL17)にそれぞれ接続されている。第2電源端子BPP212(BPP210〜BPP217)は、主電源線MLに直接接続されている。
【0020】
回路ブロックBLK0、BLK1に第2電源端子BPP20、BPP21をそれぞれ設けることで、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に拘わらず主電源線MLから回路ブロックBLK0、BLK1に所定量の電流がそれぞれ供給される。このため、調整回路12は、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に応じて増加する消費電流量のみを調整すればよい。この結果、調整回路12の回路規模が低減される。
【0021】
図3は、第1の実施形態における調整回路12の一例を示している。
調整回路12は、主電源線MLおよび副電源線SL0(SL00〜SL07)の間に並列接続されるスイッチS10(S100〜S107)と、主電源線MLおよび副電源線SL1(SL10〜SL17)の間に並列接続されるスイッチS11(S110〜S117)とを有している。
【0022】
スイッチS10、S11のうちオンするスイッチの数は、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態を示す電圧降下値に応じて変更される。例えば、スイッチS10は、図1に示した検知回路14から出力される電流量調整信号ADJ0の対応するビットが”論理1”であるときオンし、電流量調整信号ADJ0が”論理0”であるときオフする。スイッチS11は、電流量調整信号ADJ1の対応するビットが”論理1”であるときオンし、電流量調整信号ADJ1が”論理0”であるときオフする。このため、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量は、回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値に応じて微調整される。
【0023】
回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値が同時に最大になることはないので、スイッチS10、S11が全て同時にオンすることはない。このため、従来の電圧降下対策のように、スイッチS10、S11が全て同時にオンした状態(最大消費電流量が回路ブロックBLK0、BLK1に供給される状態)に合わせて、主電源線MLの配線幅を太くしたり、外部電源端子EPPを追加したりする必要はない。
【0024】
また、スイッチS10、S11のうちオンするスイッチの数が回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値に応じて調整されるため、回路ブロックBLK0、BLK1に余分な電源電流が供給されることが防止される。すなわち、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に応じて、主電源線MLに供給される電源電流は最適に回路ブロックBLK0、BLK1に振り分けられる。このため、主電源線MLの配線幅を無駄に太くする、あるいは外部電源端子EPPを無駄に追加することを回避できる。
【0025】
以上、第1の実施形態では、次の効果が得られる。
スイッチS10、S11のうちオンするスイッチの数は、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に応じて変更される。このため、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を微調整できる。換言すれば、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に応じて、主電源線MLに供給される電源電流を最適に回路ブロックBLK0、BLK1に振り分けることができる。従って、回路ブロックBLK0、BLK1に余分な電源電流が供給されることを防止できる。この結果、主電源線MLの配線幅を最小限にでき、外部電源端子EPPの数も最小限にできる。すなわち、チップサイズや外部端子数を無駄に増大させることなく、電圧降下対策を実施できる。
【0026】
回路ブロックBLK0、BLK1内の電圧降下値を直接検知することで、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を高い精度で調整できる。
回路ブロックBLK0、BLK1に第2電源端子BPP20、BPP21をそれぞれ設けることで、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に拘わらず主電源線MLから回路ブロックBLK0、BLK1に所定量の電流が常に供給される。このため、調整回路12は、回路ブロックBLK0、BLK1の動作状態に応じて増加する消費電流量のみを調整すればよい。この結果、調整回路12の回路規模を低減できる。
【0027】
図4は、本発明の半導体集積回路の第2の実施形態を示している。この実施形態は、請求項1、請求項3、請求項4および請求項5に対応している。なお、第1の実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
半導体集積回路チップ20は、第1の実施形態の回路ブロックBLK2、BLK3および検知回路14に代えて、回路ブロックBLK5を有し、第1の実施形態の調整回路12に代えて、調整回路22を有している。その他の構成は、第1の実施形態と同一である。
【0028】
外部制御信号EXEN0は、外部信号端子ESP0を介して供給され、回路ブロックBLK0を動作させるときに活性化される(例えば、”論理1”に固定される)。回路ブロックBLK0は、外部制御信号EXEN0の立ち上がりエッジに同期して動作を開始し、外部制御信号EXEN0の立ち下がりエッジに同期して動作を停止する。すなわち、回路ブロックBLK0が消費する電流量は、外部制御信号EXEN0の立ち上がりエッジに同期して増加し、外部制御信号EXEN0が”論理1”である期間所定の範囲で変化し、外部制御信号EXEN0の立ち下がりエッジに同期して減少する。
【0029】
外部制御信号EXEN1は、外部信号端子ESP1を介して供給され、回路ブロックBLK1を動作させるときに活性化される(例えば、”論理1”に固定される)。回路ブロックBLK1は、外部制御信号EXEN1の立ち上がりエッジに同期して動作を開始し、外部制御信号EXEN1の立ち下がりエッジに同期して動作を停止する。すなわち、回路ブロックBLK1が消費する電流量は、外部制御信号EXEN1の立ち上がりエッジに同期して増加し、外部制御信号EXEN1が”論理1”である期間所定の範囲で変化し、外部制御信号EXEN1の立ち下がりエッジに同期して減少する。なお、この実施形態でも、第1の実施形態と同様に、回路ブロックBLK0、BLK1は、互いに連携して動作し、回路ブロックBLK0、BLK1の消費電流量は、同時に最大になることはない。また、回路ブロックBLK0、BLK1は、常に電流を消費し、かつ動作状態に応じて消費する電流量が変化する。
【0030】
調整回路22は、外部制御信号EXEN0が活性化されたとき(”論理1”であるとき)に、回路ブロックBLK0に供給される電流量を増加させる。調整回路22は、外部制御信号EXEN1が活性化されたとき(”論理1”であるとき)に、回路ブロックBLK1に供給される電流量を増加させる。
図5は、第2の実施形態における調整回路22の一例を示している。
【0031】
調整回路22は、主電源線MLを副電源線SL0、SL1に接続するスイッチ回路S2(S20〜S27)を有している。スイッチ回路S20〜S27の構成および動作は同様であるため、スイッチ回路S20についてのみ説明する。
スイッチ回路S20は、nMOSトランジスタからなるスイッチT00、T01、T10、T11を有している。
【0032】
スイッチT00、T01は、主電源線MLおよび副電源線SL00に接続されている。スイッチT00は、図4に示した外部信号端子ESP0から供給される外部制御信号EXEN0が”論理1”であるときオンし、外部制御信号EXEN0が”論理0”であるときオフする。スイッチT01は、図4に示した外部信号端子ESP1から供給される外部制御信号EXEN1が”論理0”であるときオンし、外部制御信号EXEN1が”論理1”であるときオフする。スイッチT10、T11は、主電源線MLおよび副電源線SL10に接続されている。スイッチT10は、外部制御信号EXEN1が”論理1”であるときオンし、外部制御信号EXEN1が”論理0”であるときオフする。スイッチT11は、外部制御信号EXEN0が”論理0”であるときオンし、外部制御信号EXEN0が”論理1”であるときオフする。
【0033】
以上の構成により、スイッチ回路S2(S20〜S27)は、外部制御信号EXEN0、EXEN1がそれぞれ”論理1”、”論理0”であるときに、主電源線MLから副電源線SL0のみに電流を供給する。この結果、回路ブロックBLK0に供給される電流量は、回路ブロックBLK0が動作するときに増加する。スイッチ回路S2(S20〜S27)は、外部制御信号EXEN0、EXEN1がそれぞれ”論理0”、”論理1”であるときに、主電源線MLから副電源線SL1のみに電流を供給する。この結果、回路ブロックBLK1に供給される電流量は、回路ブロックBLK1が動作するときに増加する。スイッチ回路S2(S20〜S27)は、外部制御信号EXEN0、EXEN1が共に”論理1”であるときに、主電源線MLから副電源線SL0、SL1に電流を均等に供給する。この結果、回路ブロックBLK0、BLK1に供給される電流量は、回路ブロックBLK0、BLK1が共に動作するときに等しく増加する。
【0034】
以上、第2の実施形態では、第1の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、回路ブロックBLK0、BLK1をそれぞれ動作させる外部制御信号EXEN0、EXEN1を利用することで、複雑な回路を用いることなく、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を容易に調整できる。
回路ブロックBLK0、BLK1の動作を直接制御する信号(外部制御信号EXEN0、EXEN1)を利用するため、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を回路ブロックBLK0、BLK1の動作に合わせて調整できる。
【0035】
外部信号端子ESP0、ESP1により、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を外部から直接調整できる。
図6は、本発明の半導体集積回路の第3の実施形態を示している。この実施形態は、請求項1、請求項4および請求項5に対応している。なお、第1および第2の実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【0036】
半導体集積回路チップ30は、第2の実施形態の回路ブロックBLK4に代えて、回路ブロックCTL(CPU等の制御回路)を有し、第2の実施形態の調整回路22に代えて、調整回路32を有している。その他の構成は、第2の実施形態と同一である。
回路ブロックCTLは、回路ブロックBLK0、BLK1の動作をそれぞれ制御する内部制御信号INTEN0、INTEN1を出力する。
【0037】
内部制御信号INTEN0は、回路ブロックBLK0を動作させるときに活性化される(例えば、”論理1”に固定される)。回路ブロックBLK0は、内部制御信号INTEN0の立ち上がりエッジに同期して動作を開始し、内部制御信号INTEN0の立ち下がりエッジに同期して動作を停止する。すなわち、回路ブロックBLK0が消費する電流量は、内部制御信号INTEN0の立ち上がりエッジに同期して増加し、内部制御信号INTEN0が”論理1”である期間所定の範囲で変化し、内部制御信号INTEN0の立ち下がりエッジに同期して減少する。
【0038】
内部制御信号INTEN1は、回路ブロックBLK1を動作させるときに活性化される(例えば、”論理1”に固定される)。回路ブロックBLK1は、内部制御信号INTEN1の立ち上がりエッジに同期して動作を開始し、内部制御信号INTEN1の立ち下がりエッジに同期して動作を停止する。すなわち、回路ブロックBLK1が消費する電流量は、内部制御信号INTEN1の立ち上がりエッジに同期して増加し、内部制御信号INTEN1が”論理1”である期間所定の範囲で変化し、内部制御信号INTEN1の立ち下がりエッジに同期して減少する。なお、この実施形態でも、第2の実施形態と同様に、回路ブロックBLK0、BLK1は、互いに連携して動作し、回路ブロックBLK0、BLK1の消費電流量は、同時に最大になることはない。また、回路ブロックBLK0、BLK1は、常に電流を消費し、かつ動作状態に応じて消費する電流量が変化する。
【0039】
調整回路32は、内部制御信号INTEN0が活性化されたとき(”論理1”であるとき)に、回路ブロックBLK0に供給される電流量を増加させる。調整回路32は、内部制御信号INTEN2が活性化されたとき(”論理1”であるとき)に、回路ブロックBLK2に供給される電流量を増加させる。
図7は、第3の実施形態における調整回路32の一例を示している。
【0040】
調整回路32は、主電源線MLおよび副電源線SL0(SL00〜SL07)の間に並列接続されるスイッチS30(S300〜S307)と、主電源線MLおよび副電源線SL1(SL10〜SL17)の間に並列接続されるスイッチS31(S310〜S317)とを有している。
スイッチS30は、図6に示した回路ブロックCTLから供給される内部制御信号INTEN0が”論理1”であるときにオンし、内部制御信号INTEN0が”論理0”であるときにオフする。このため、内部制御信号INTEN0が”論理1”であるときに、主電源線MLから副電源線SL0へ電流が供給される。この結果、回路ブロックBLK0に供給される電流量は、回路ブロックBLK0の動作に合わせて調整される。
【0041】
スイッチS31は、図6に示した回路ブロックCTLから供給される内部制御信号INTEN1が”論理1”であるときにオンし、内部制御信号INTEN1が”論理0”であるときにオフする。このため、内部制御信号INTEN1が”論理1”であるときに、主電源線MLから副電源線SL1へ電流が供給される。この結果、回路ブロックBLK1に供給される電流量は、回路ブロックBLK1の動作に合わせて調整される。
【0042】
内部制御信号INTEN0、INTEN1が共に”論理1”であるとき、スイッチS30、S31は全てオンし、主電源線MLに供給される電源電流は、回路ブロックBLK0、BLK1に均等に分配される。内部制御信号INTEN0、INTEN1が共に”論理0”であるとき、回路ブロックBLK0、BLK1は、スタンバイ状態である。このとき、回路ブロックBLK0、BLK1には、それぞれ第2電源端子BPP20、BPP21(図2)のみを介して電源電流が供給される。
【0043】
以上、第3の実施形態では、第1および第2の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、回路ブロックCTLから出力される内部制御信号INTEN0、INTEN1を利用することで、専用の外部信号端子を形成することなく、主電源線MLから副電源線SL0、SL1にそれぞれ供給される電流量を容易に調整できる。
なお、第1〜3の実施形態では、回路ブロックBLK0(または回路ブロックBLK1)は、常に電流を消費し、主電源線MLに直接接続される第2電源端子BPP20(または第2電源端子BPP21)を有している例について述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。例えば、動作時のみに電流を消費する回路ブロックBLK0(または回路ブロックBLK1)では、第2電源端子BPP20(または第2電源端子BPP21)は不要である。
【0044】
以上の実施形態において説明した発明を整理して、付記として開示する。
(付記1) 機能毎に分割された複数の回路ブロックと、
電源の供給源に接続される主電源線と、
前記回路ブロックの第1電源端子にそれぞれ接続される複数の副電源線と、
前記主電源線を前記副電源線に接続するとともに、前記回路ブロックの動作状態に応じて、前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整する調整回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
【0045】
(付記2) 付記1記載の半導体集積回路において、
前記回路ブロックが消費する電流量をそれぞれ検知する検知回路を備え、
前記調整回路は、前記検知回路の検知結果に応じて、前記回路ブロック毎に前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整することを特徴とする半導体集積回路。
【0046】
(付記3) 付記2記載の半導体集積回路において、
前記検知回路は、前記回路ブロック内の電圧降下値をそれぞれ検知することで、前記回路ブロックに不足している電流量をそれぞれ認識し、
前記調整回路は、電圧降下値の大きい回路ブロックに供給される電流量を増加させることを特徴とする半導体集積回路。
【0047】
(付記4) 付記3記載の半導体集積回路において、
前記検知回路は、前記電圧降下値にそれぞれ対応する複数の電流量調整信号を出力し、
前記調整回路は、前記電流量調整信号に応じて、前記回路ブロック毎に前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整することを特徴とする半導体集積回路。
【0048】
(付記5) 付記4記載の半導体集積回路において、
前記各回路ブロックは、内部の電圧降下を検知する電圧降下検知回路を備え、前記電圧降下検知回路は、内部の電圧降下を検知したときに、電圧降下検知信号を前記電圧降下値として前記検知回路に出力することを特徴とする半導体集積回路。
【0049】
(付記6) 付記1記載の半導体集積回路において、
前記調整回路は、外部信号端子を介して供給される複数の外部制御信号に応じて、前記回路ブロック毎に前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整することを特徴とする半導体集積回路。
(付記7) 付記6記載の半導体集積回路において、
前記外部制御信号は、前記回路ブロックを動作させるときにそれぞれ活性化され、
前記調整回路は、前記外部制御信号が活性化されたときに、その外部制御信号に対応する回路ブロックに供給される電流量を増加させることを特徴とする半導体集積回路。
【0050】
(付記8) 付記1記載の半導体集積回路において、
前記調整回路は、前記主電源線および前記副電源線の間に並列接続される複数のスイッチを備え、
前記スイッチのうちオンするスイッチの数は、前記回路ブロックの動作状態に応じて変更されることを特徴とする半導体集積回路。
【0051】
(付記9) 付記1記載の半導体集積回路において、
前記各回路ブロックは、前記主電源線が直接接続される第2電源端子を備えていることを特徴とする半導体集積回路。
(付記10) 付記1記載の半導体集積回路において、
前記回路ブロックの動作をそれぞれ制御する複数の内部制御信号を出力する制御回路を備え、
前記調整回路は、前記内部制御信号に応じて、前記回路ブロック毎に前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整することを特徴とする半導体集積回路。
【0052】
(付記11) 付記10記載の半導体集積回路において、
前記内部制御信号は、前記回路ブロックを動作させるときにそれぞれ活性化され、
前記調整回路は、前記内部制御信号が活性化されたときに、その内部制御信号に対応する回路ブロックに供給される電流量を増加させることを特徴とする半導体集積回路。
【0053】
以上、本発明について詳細に説明してきたが、前述の実施形態およびその変形例は発明の一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。本発明を逸脱しない範囲で変形可能であることは明らかである。
【0054】
【発明の効果】
請求項1の半導体集積回路では、電源線の配線幅を無駄に太くすることなく、あるいは外部電源端子を無駄に追加することなく、各回路ブロックに最適な電流量を供給できる。すなわち、チップサイズや外部端子数を無駄に増大させることなく、電圧降下対策を実施できる。換言すれば、製品コストを低減できる。
請求項2の半導体集積回路では、主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を高い精度で調整できる。
【0055】
請求項3の半導体集積回路では、主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を外部から直接調整できる。
請求項4の半導体集積回路では、主電源線から副電源線にそれぞれ供給される電流量を回路ブロックの動作状態に応じて微調整できる。
請求項5の半導体集積回路では、回路ブロックが常に電流を消費し、かつ動作状態に応じて消費する電流量が変化する場合、調整回路の回路規模を低減できる。この結果、調整回路の搭載に伴うチップサイズの増加を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路の第1の実施形態を示す説明図である。
【図2】第1の実施形態の要部を示す説明図である。
【図3】第1の実施形態における調整回路の一例を示す説明図である。
【図4】本発明の半導体集積回路の第2の実施形態を示す説明図である。
【図5】第2の実施形態における調整回路の一例を示す説明図である。
【図6】本発明の半導体集積回路の第3の実施形態を示す説明図である。
【図7】第3の実施形態における調整回路の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
10、20、30 半導体集積回路
12、22、32 調整回路
14 検知回路
14a、14b 電圧降下検知回路
BLK0〜5、RAM0〜2、CTL 回路ブロック
ML 主電源線
SL0、SL00〜07、SL1、SL10〜17 副電源線
ADJ0、ADJ1 電流量調整信号
DR0、DR1 電圧降下検知信号
EXEN0、EXEN1 外部制御信号
INTEN0、INTEN1 内部制御信号
EPP0〜3 外部電源端子
ESP0、ESP1 外部信号端子
BPP100〜107、BPP110〜117 第1電源端子
BPP200〜207、BPP210〜217 第2電源端子
S100〜107、S110〜117、S300〜307、S310〜317 スイッチ
S20〜27 スイッチ回路
T00、T01、T10、T11 スイッチ

Claims (5)

  1. 機能毎に分割された複数の回路ブロックと、
    電源の供給源に接続される主電源線と、
    前記回路ブロックの第1電源端子にそれぞれ接続される複数の副電源線と、
    前記主電源線を前記副電源線に接続するとともに、前記回路ブロックの動作状態に応じて、前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整する調整回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
  2. 請求項1記載の半導体集積回路において、
    前記回路ブロックが消費する電流量をそれぞれ検知する検知回路を備え、
    前記調整回路は、前記検知回路の検知結果に応じて、前記回路ブロック毎に前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整することを特徴とする半導体集積回路。
  3. 請求項1記載の半導体集積回路において、
    前記調整回路は、外部信号端子を介して供給される複数の外部制御信号に応じて、前記回路ブロック毎に前記主電源線から前記副電源線にそれぞれ供給される電流量を調整することを特徴とする半導体集積回路。
  4. 請求項1記載の半導体集積回路において、
    前記調整回路は、前記主電源線および前記副電源線の間に並列接続される複数のスイッチを備え、
    前記スイッチのうちオンするスイッチの数は、前記回路ブロックの動作状態に応じて変更されることを特徴とする半導体集積回路。
  5. 請求項1記載の半導体集積回路において、
    前記各回路ブロックは、前記主電源線が直接接続される第2電源端子を備えていることを特徴とする半導体集積回路。
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