JP2004235405A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】InPエッチング時に、下地InGaAsで電極を形成させる工程において、従来、HCI溶液を用いてInPエッチングを実施していたが、近年の素子寸法の微細化に伴いウェットエッチングではエッチング形状不均一による電気特性のバラツキが大きく、面内均一性の向上および基板処理間均一性が課題であった。
【解決手段】燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。
【選択図】 図1
【解決手段】燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマを用いたドライエッチング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、通信用の高周波デバイスはガリウム砒素(GaAs)基板を用いて、アルミニウムガリウム砒素(AlGaAs)とGaAsを組み合わせたヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)高速電子移動度トランジスタ(HEMT)が実用化されている。無線通信分野の革新的な技術の発展に伴い、ミリメータ波を用いた超高速広帯域通信網に対する需要が増加しており、28GHz‘Ka−band’を用いて半径2.7km内で、同時に音声、画像会議、デジタル信号を1.3GHz帯域幅により伝送するLMDS(Local Multipoint Distribution Services)は、その一例である。
【0003】
しかし、このような超高速広帯域通信網を構築するためには、この周波数帯域で動作する超高周波素子の開発、素子の小型化及び高性能化が非常に重要であるため、GaAsよりも移動度が大きいインジウムガリウム砒素(InGaAs)が次世代の高速デバイスとして用いられようとしている。InGaAsとの結晶欠陥を少なくするためには格子定数が近い燐化インジウム(InP)が有効である。
【0004】
以下に従来技術の説明を行う。まず初めに、ウェットエッチングの従来例を説明する。図5のように第1層目のInPのエッチングは基板14をエッチング槽15の塩化水素水溶液16に入れエッチングされている。塩化水素水溶液16によるエッチングでは、図6のように第2層目の砒化インジウムガリウム層18でエッチングが止まり、高選択比エッチングが可能である。
【0005】
次にドライエッチングの従来例を説明する。
【0006】
図1にドライエッチング装置の構成図を示す。真空容器1の上部に誘電板5を介して誘導結合コイル4が設置されており、真空容器1内の電極7上に基板6を載置し、ガス導入口14から真空容器1内に塩化水素ガスを導入しつつ、圧力コントローラー10で所定の圧力に制御し、真空容器1内にプラズマを発生させ、電極7上に載置された基板6、または基板6上の膜がエッチングされる。ここで、基板6上の膜は第1層目には燐化インジウム17、第1層目の直下に第2層目の砒化インジウムガリウム18薄膜が堆積している燐化インジウム基板6である。
【0007】
プラズマ発生には、高周波電源より誘導結合コイル4に高周波電力を印加し、プラズマを発生させる。真空容器1内のプラズマに存在しているイオンの引き込みのため、下部電極7に高周波電力を印加している。
【0008】
燐化インジウムのエッチングには、従来からメタンガスと水素ガスの混合ガスが用いられている。
【0009】
特許文献1から3に記載された発明では、本願の材料が異なるが、砒化インジウムアルミニウムをドライエッチングし、砒化インジウムガリウムでエッチングストップするために、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスにレーザーを照射または電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いて、エッチングを促進させている。
【0010】
【特許文献1】
特開平10−32176号公報
【特許文献2】
特開平7−63383号公報
【特許文献3】
特開平6−333883号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第1層目の燐化インジウム17のエッチングで図6のような等方性のエッチングとなるため、マスク寸法に対しての誤差が大きく、また、燐化インジウム17の形状が基板面内で大きくばらつくため、ウェハ面内のチップ取れ数が少なく、安定していない。特開2001−284365に半導体素子のサブミクロンゲート電極の製造方法に関し、特に、自己整合が可能である。非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法に関するものがあるが、ウェットエッチングのためエッチングレートのバラツキの解消にならない。
【0012】
また、ドライエッチングにおいても燐化インジウムのエッチングはできるが、砒化インジウムガリウムのエッチングレートは速く、砒化インジウムガリウムもエッチングされ、電極が形成されない。また、特許文献1から3に記載された発明では、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウムのドライエッチングを対象としているため、燐化インジウムのドライエッチングは不可能である。
【0013】
そこで本発明では、ウェットエッチングからドライエッチングへの工程変更し、微細化加工および面内ばらつきを抑制させるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施形態は、第1層が燐化インジウムであり、前記第1層の下層に砒化インジウムガリウムの第2層を有した基板を真空容器内の下部電極に載置し、前記真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気しながら、所定の圧力に調圧することで、真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板をエッチングするに際して、真空容器内に導入するガスが塩素原子と酸素原子を含むガスであることを特徴とする。
【0015】
好適には、誘導結合方式プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、VHFプラズマ源等の高密度プラズマ源を利用してプラズマを発生させることが望ましい。
【0016】
また、好適には設定圧力が1Pa以下であることが望ましい。さらに、真空容器内に導入する酸素が全ガス流量の5乃至30%以下であることが適当である。
【0017】
好適には、真空容器内に導入するフッ素原子を含むガスが全ガス流量の10%以下であることが望ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。図1に実験で用いたエッチング装置の構成図を示す。
【0019】
真空容器1の上部に誘電板5を介して誘導結合コイル4が設置されており、真空容器1内の電極7上に基板6を載置し、ガス導入口14から真空容器1内に塩化水素ガスを導入しつつ、圧力コントローラー10で所定の圧力に制御し、真空容器1内にプラズマを発生させ、電極7上に載置された基板6、または基板6上の膜がエッチングされる。ここで、基板6上の膜は第1層目には燐化インジウム17、第1層目の直下に第2層目の砒化インジウムガリウム18薄膜が堆積している燐化インジウム基板6である。
【0020】
プラズマ発生には、高周波電源より誘導結合コイル4に高周波電力を印加し、プラズマを発生させる。真空容器1内のプラズマに存在しているイオンの引き込みのため、下部電極7に高周波電力を印加している。
【0021】
このとき、塩素と酸素の混合ガスを導入すると、第1層目の燐化インジウム17のエッチングが進んでいく。第1層目の燐化インジウム17薄膜がエッチングされると第2層目の砒化インジウムガリウム18層が表れる。砒化インジウムガリウム18のエッチング速度が燐化インジウム17のエッチング速度より遅くなり、選択エッチングが可能となる。
【0022】
図3に燐化インジウムのエッチング速度、砒化インジウムガリウムのエッチング速度、燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比の酸素ガス流量依存性を示している。酸素流量を増加させると、燐化インジウムおよび砒化インジウムガリウムのエッチング速度が低下する。燐化インジウムのエッチング速度よりも砒化インジウムガリウムのエッチング速度の低下が著しいため燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比が向上し、電極形成が可能になる。
【0023】
塩素ガスに添加する酸素ガス流量は総流量に対して5乃至30%が有効である。
【0024】
また、塩素ガスおよび酸素ガスを含むエッチングガスにフッ素を導入することで、燐化インジウム17のエッチング速度よりも砒化インジウムガリウム18のエッチング速度がさらに遅くなる(図4)。実施例では四フッ化炭素を使用した。ここで、フッ素を含むガスは全ガス流量に対して0乃至10%が有効である。
【0025】
また、実施例で発生する反応生成物の蒸気圧が高いため、高真空が必要であるため、真空容器1内の圧力は1Pa以下が適当である。
【0026】
ここで、プラズマ源を発生させる手段として、誘導結合方式プラズマ源について説明したが、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、VHFプラズマ源等の高密度プラズマ源を利用しても同等の性能が得られる。
【0027】
【発明の効果】
以上のように、塩素原子および酸素原子を含むガスを用いることによって、燐化インジウム対砒化インジウムガリウムの選択比が向上し、さらに面内のバラツキおよび基板間のバラツキを抑制することができ、素子の微細化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いたドライエッチング装置の模式図
【図2】本発明で用いたドライエッチング装置でエッチングした燐化インジウムのエッチング形状を示す図
【図3】本発明で実施した燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比の酸素流量依存性を示す図
【図4】本発明で実施した燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比の四フッ化炭素流量依存性を示す図
【図5】従来から用いられている塩化水素水溶液でのウェットエッチングを示す図
【図6】従来の手法でエッチングした燐化インジウムのエッチング形状を示す図
【符号の説明】
1 真空容器
2 誘導結合コイル印加用高周波電源
3 誘導結合コイル用マッチングBOX
4 誘導結合コイル
5 誘電板(石英板)
6 基板
7 下部電極
8 下部電極用高周波電源
9 下部電極印加用高周波電源
10 圧力コントローラー
11 ターボ分子ポンプ
12a Cl2ボンベ
12b O2ボンベ
14 基板
15 エッチング槽
16 塩化水素水溶液
17 第1層燐化インジウム
18 第2層砒化インジウムガリウム
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマを用いたドライエッチング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、通信用の高周波デバイスはガリウム砒素(GaAs)基板を用いて、アルミニウムガリウム砒素(AlGaAs)とGaAsを組み合わせたヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)高速電子移動度トランジスタ(HEMT)が実用化されている。無線通信分野の革新的な技術の発展に伴い、ミリメータ波を用いた超高速広帯域通信網に対する需要が増加しており、28GHz‘Ka−band’を用いて半径2.7km内で、同時に音声、画像会議、デジタル信号を1.3GHz帯域幅により伝送するLMDS(Local Multipoint Distribution Services)は、その一例である。
【0003】
しかし、このような超高速広帯域通信網を構築するためには、この周波数帯域で動作する超高周波素子の開発、素子の小型化及び高性能化が非常に重要であるため、GaAsよりも移動度が大きいインジウムガリウム砒素(InGaAs)が次世代の高速デバイスとして用いられようとしている。InGaAsとの結晶欠陥を少なくするためには格子定数が近い燐化インジウム(InP)が有効である。
【0004】
以下に従来技術の説明を行う。まず初めに、ウェットエッチングの従来例を説明する。図5のように第1層目のInPのエッチングは基板14をエッチング槽15の塩化水素水溶液16に入れエッチングされている。塩化水素水溶液16によるエッチングでは、図6のように第2層目の砒化インジウムガリウム層18でエッチングが止まり、高選択比エッチングが可能である。
【0005】
次にドライエッチングの従来例を説明する。
【0006】
図1にドライエッチング装置の構成図を示す。真空容器1の上部に誘電板5を介して誘導結合コイル4が設置されており、真空容器1内の電極7上に基板6を載置し、ガス導入口14から真空容器1内に塩化水素ガスを導入しつつ、圧力コントローラー10で所定の圧力に制御し、真空容器1内にプラズマを発生させ、電極7上に載置された基板6、または基板6上の膜がエッチングされる。ここで、基板6上の膜は第1層目には燐化インジウム17、第1層目の直下に第2層目の砒化インジウムガリウム18薄膜が堆積している燐化インジウム基板6である。
【0007】
プラズマ発生には、高周波電源より誘導結合コイル4に高周波電力を印加し、プラズマを発生させる。真空容器1内のプラズマに存在しているイオンの引き込みのため、下部電極7に高周波電力を印加している。
【0008】
燐化インジウムのエッチングには、従来からメタンガスと水素ガスの混合ガスが用いられている。
【0009】
特許文献1から3に記載された発明では、本願の材料が異なるが、砒化インジウムアルミニウムをドライエッチングし、砒化インジウムガリウムでエッチングストップするために、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスにレーザーを照射または電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いて、エッチングを促進させている。
【0010】
【特許文献1】
特開平10−32176号公報
【特許文献2】
特開平7−63383号公報
【特許文献3】
特開平6−333883号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第1層目の燐化インジウム17のエッチングで図6のような等方性のエッチングとなるため、マスク寸法に対しての誤差が大きく、また、燐化インジウム17の形状が基板面内で大きくばらつくため、ウェハ面内のチップ取れ数が少なく、安定していない。特開2001−284365に半導体素子のサブミクロンゲート電極の製造方法に関し、特に、自己整合が可能である。非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法に関するものがあるが、ウェットエッチングのためエッチングレートのバラツキの解消にならない。
【0012】
また、ドライエッチングにおいても燐化インジウムのエッチングはできるが、砒化インジウムガリウムのエッチングレートは速く、砒化インジウムガリウムもエッチングされ、電極が形成されない。また、特許文献1から3に記載された発明では、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウムのドライエッチングを対象としているため、燐化インジウムのドライエッチングは不可能である。
【0013】
そこで本発明では、ウェットエッチングからドライエッチングへの工程変更し、微細化加工および面内ばらつきを抑制させるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施形態は、第1層が燐化インジウムであり、前記第1層の下層に砒化インジウムガリウムの第2層を有した基板を真空容器内の下部電極に載置し、前記真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気しながら、所定の圧力に調圧することで、真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板をエッチングするに際して、真空容器内に導入するガスが塩素原子と酸素原子を含むガスであることを特徴とする。
【0015】
好適には、誘導結合方式プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、VHFプラズマ源等の高密度プラズマ源を利用してプラズマを発生させることが望ましい。
【0016】
また、好適には設定圧力が1Pa以下であることが望ましい。さらに、真空容器内に導入する酸素が全ガス流量の5乃至30%以下であることが適当である。
【0017】
好適には、真空容器内に導入するフッ素原子を含むガスが全ガス流量の10%以下であることが望ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。図1に実験で用いたエッチング装置の構成図を示す。
【0019】
真空容器1の上部に誘電板5を介して誘導結合コイル4が設置されており、真空容器1内の電極7上に基板6を載置し、ガス導入口14から真空容器1内に塩化水素ガスを導入しつつ、圧力コントローラー10で所定の圧力に制御し、真空容器1内にプラズマを発生させ、電極7上に載置された基板6、または基板6上の膜がエッチングされる。ここで、基板6上の膜は第1層目には燐化インジウム17、第1層目の直下に第2層目の砒化インジウムガリウム18薄膜が堆積している燐化インジウム基板6である。
【0020】
プラズマ発生には、高周波電源より誘導結合コイル4に高周波電力を印加し、プラズマを発生させる。真空容器1内のプラズマに存在しているイオンの引き込みのため、下部電極7に高周波電力を印加している。
【0021】
このとき、塩素と酸素の混合ガスを導入すると、第1層目の燐化インジウム17のエッチングが進んでいく。第1層目の燐化インジウム17薄膜がエッチングされると第2層目の砒化インジウムガリウム18層が表れる。砒化インジウムガリウム18のエッチング速度が燐化インジウム17のエッチング速度より遅くなり、選択エッチングが可能となる。
【0022】
図3に燐化インジウムのエッチング速度、砒化インジウムガリウムのエッチング速度、燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比の酸素ガス流量依存性を示している。酸素流量を増加させると、燐化インジウムおよび砒化インジウムガリウムのエッチング速度が低下する。燐化インジウムのエッチング速度よりも砒化インジウムガリウムのエッチング速度の低下が著しいため燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比が向上し、電極形成が可能になる。
【0023】
塩素ガスに添加する酸素ガス流量は総流量に対して5乃至30%が有効である。
【0024】
また、塩素ガスおよび酸素ガスを含むエッチングガスにフッ素を導入することで、燐化インジウム17のエッチング速度よりも砒化インジウムガリウム18のエッチング速度がさらに遅くなる(図4)。実施例では四フッ化炭素を使用した。ここで、フッ素を含むガスは全ガス流量に対して0乃至10%が有効である。
【0025】
また、実施例で発生する反応生成物の蒸気圧が高いため、高真空が必要であるため、真空容器1内の圧力は1Pa以下が適当である。
【0026】
ここで、プラズマ源を発生させる手段として、誘導結合方式プラズマ源について説明したが、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、VHFプラズマ源等の高密度プラズマ源を利用しても同等の性能が得られる。
【0027】
【発明の効果】
以上のように、塩素原子および酸素原子を含むガスを用いることによって、燐化インジウム対砒化インジウムガリウムの選択比が向上し、さらに面内のバラツキおよび基板間のバラツキを抑制することができ、素子の微細化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いたドライエッチング装置の模式図
【図2】本発明で用いたドライエッチング装置でエッチングした燐化インジウムのエッチング形状を示す図
【図3】本発明で実施した燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比の酸素流量依存性を示す図
【図4】本発明で実施した燐化インジウムと砒化インジウムガリウムの選択比の四フッ化炭素流量依存性を示す図
【図5】従来から用いられている塩化水素水溶液でのウェットエッチングを示す図
【図6】従来の手法でエッチングした燐化インジウムのエッチング形状を示す図
【符号の説明】
1 真空容器
2 誘導結合コイル印加用高周波電源
3 誘導結合コイル用マッチングBOX
4 誘導結合コイル
5 誘電板(石英板)
6 基板
7 下部電極
8 下部電極用高周波電源
9 下部電極印加用高周波電源
10 圧力コントローラー
11 ターボ分子ポンプ
12a Cl2ボンベ
12b O2ボンベ
14 基板
15 エッチング槽
16 塩化水素水溶液
17 第1層燐化インジウム
18 第2層砒化インジウムガリウム
Claims (6)
- 第1層が燐化インジウムであり、前記第1層の下層に砒化インジウムガリウムの第2層を有した基板を真空容器内の下部電極に載置し、前記真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気しながら、所定の圧力に調圧することで、真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板をエッチングするに際して、真空容器内に導入するガスが塩素原子と酸素原子を含むガスであることを特徴とするドライエッチング方法。
- 第1層が燐化インジウムであり、前記第1層の下層に砒化インジウムガリウムの第2層を有した基板を真空容器内の下部電極に載置し、前記真空容器内に塩素原子と酸素原子を含むガスを供給しつつ真空容器内を排気しながら、所定の圧力に調圧することで、真空容器内にプラズマを発生させ、前記被エッチング基板をエッチングするに際して、前記ガスにフッ素原子を含むガスを添加することを特徴とするドライエッチング方法。
- 誘導結合方式プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、VHFプラズマ源のプラズマ源を利用してプラズマを発生させることを特徴とする請求項1または2記載のドライエッチング方法。
- 設定圧力が1Pa以下であることを特徴とする請求項1または2記載のドライエッチング方法。
- 真空容器内に導入する酸素が、全ガス流量の5乃至30%以下であることを特徴とする請求項1または2記載のドライエッチング方法。
- 真空容器内に導入するフッ素原子を含むガスが、全ガス流量の10%以下であることを特徴とする請求項2記載のドライエッチング方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003021826A JP2004235405A (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003021826A JP2004235405A (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004235405A true JP2004235405A (ja) | 2004-08-19 |
Family
ID=32951057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003021826A Pending JP2004235405A (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004235405A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017183632A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線受光素子とその製造方法、ガスセンサ |
JP2017183633A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線受光素子とその製造方法、ガスセンサ |
-
2003
- 2003-01-30 JP JP2003021826A patent/JP2004235405A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017183632A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線受光素子とその製造方法、ガスセンサ |
JP2017183633A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線受光素子とその製造方法、ガスセンサ |
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