JP2004233109A - 多結晶シリコン基板の抵抗測定方法 - Google Patents
多結晶シリコン基板の抵抗測定方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】多結晶シリコン基板6の抵抗測定方法であって、この多結晶シリコン基板6上に四本以上のライン状の導電体7を平行に配設し、この導電体7の外側二本7a、7dに電流を流して内側の導電体7b、7c間の電位差を読み取ることによって抵抗を測定する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は多結晶シリコン基板の抵抗測定方法に関し、特に太陽電池の表面抵抗率などを測定するのに好適な多結晶シリコン基板の抵抗測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン基板の表面抵抗率や拡散層のシート抵抗を測定する方法として最も一般的に使用されているのは四探針法と呼ばれる方法である。四探針法による一般的な抵抗率測定方法を図2に示す。図2において1および4は電流用プローブ、2および3は電圧用プローブ、6はシリコン基板を示す。
【0003】
シリコン基板6上に一直線に並んだ四本のタングステンカーバイトもしくはオスミウム合金などからなる金属プローブ1〜4を一本あたり200g程度に加圧しながら外側の二本のプローブ1、4に定電流電源により電流を流し、内側の二本のプローブ2、3の間の電位差を測定することによって抵抗率ρを算出する。
【0004】
この場合、プローブ1〜4が接する位置からシリコン基板6の表面の外周端部までの距離aがプローブ1〜4間のピッチSに比して十分大きければ(a>10S)、抵抗率ρは、ρ=(V/I)・2πS〔Ω・cm〕で算出される。また、距離aは、実用上a>2Sであれば、誤差数%以内にとどまる。
【0005】
プローブ1〜4の間ピッチSは1.0mmのものが一般的であり、1.59mmのものも市販されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年太陽電池にはその製造コストの観点から単結晶シリコン基板よりも多結晶シリコン基板が多用されている。また、使用する多結晶シリコン基板も大型化している。さらに、多結晶シリコン基板は様々な面方位の結晶粒から形成されており、その粒径は1mm程度のものから数cmのものまで様々である。
【0007】
このような事情から従来の四探針抵抗測定法ではプローブ1〜4の間隔が1mmあるいは1.59mmと狭いため、多結晶シリコン基板6の全面を誤差なく測定するためには、その測定ポイントを増やす必要があった。
【0008】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、多結晶シリコン基板では抵抗測定値のばらつきが大きいため、測定点数を多く取らなければならないという従来の問題点を解消した多結晶シリコン基板の抵抗測定方法を提供することを目的とする。
【0009】
【問題点を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る多結晶シリコン基板の抵抗測定方法では、多結晶シリコン基板上に四本以上のライン状の導電体を平行に配設し、この導電体の外側二本に電流を流して内側の導電体間の電位差を読み取ることによって抵抗を測定することを特徴とする。
【0010】
上記多結晶シリコン基板の抵抗測定方法では、前記導電体は導電ゴムであったほうがよい。
【0011】
また、上記多結晶シリコン基板の抵抗測定方法では、前記導電体は熱硬化型導電性ペーストであってもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は本発明の実施形態を説明するための図である。本発明で測定される多結晶シリコン基板は、例えば鋳型内でシリコン融液の凝固する領域を徐々に移動させて全体を凝固させる一方向凝固させた鋳塊を柱状に切り出して50〜800μm程度の厚みにスライスしたものである。このような多結晶シリコン基板は様々な面方位の結晶粒が存在し、その粒径も1mm程度のものから数cmのものまで様々である。
【0013】
本発明の多結晶シリコン基板6の上に10mΩ以下程度の導電率を有する四本の導電体7(7a、7b、7c、7d)を平行に配設して外側の二本7a、7dに20mA程度の電流を流す。そのときの内側二本7b、7cの電位差を読み取ることによって抵抗を算出する。
【0014】
この場合、電流は多結晶シリコン基板6の抵抗の最も低い経路を通って流れるが、電位差を測定する2本の導電体7b、7cもライン状に形成されていることから、従来の方法では膨大なポイント数を測定しなければなかなか見つけられなかった抵抗の低い経路を通って自然と電流が流れるため、最も抵抗の低い経路での測定を行うことができる。ちなみに、従来の方法で膨大なポイント数の測定を同時に行うということも考えられるが、膨大なポイント数の測定を同時に行うととなりの測定ポイントの影響を受けことから同時には測定できない。
【0015】
このようにすることにより、多結晶シリコン基板6の広い領域の抵抗を短時間に測定することが可能になり、多結晶シリコン基板6の全面で発電する太陽電池の特性を正しく評価できる。
【0016】
結晶粒により面方位が異なるが、その面方位の違いにより、酸化速度や拡散係数が異なる。酸化速度が異なれば、拡散時のリンガラスの膜厚が変わるため、拡散ソースの量が異なる。つまり、面方位の違いにより拡散の状態はそれぞれ異なる。従来の測定方法によればそこからランダムに抽出した面の測定しかしていないことになるため、正確に基板全部の評価をするためには膨大な測定ポイントが必要になる。しかし、太陽電池は基板全面で特性を出すものであり、基板全部の粒界も含めた広範囲の抵抗値を測定した方が太陽電池として必要な真の基板の代表値に近い値になる。
【0017】
なお、より正確な測定を行うためには、多結晶シリコン基板6を用いて太陽電池素子を形成したときのフィンガー電極のパターンで測定すればよいが、簡易化を目的とする場合は、電流を流す外側の二本の導電体7a、7dの間に、電位差を測定する最低二本の導電体7b、7cを設ければよい。すなわち、例えば電位差を測定する二本の導電体7b、7cの間の中央にさらに1本の導電体を設けて内側の3本の導電体間のそれぞれの電位差を測定すれば正確性は2倍になる。
【0018】
このような導電体7としては、例えば150mm×150mm×0.3mmの多結晶シリコン基板6を測定する場合、長さ2mm×幅145mmのライン状の導電体7を基板6の端部から2.5mmのところに電流供給用の外側の2本の導電体7a、7dを配設し、さらにその内側の2.5mmのところに電位差検出用の内側の2本の導電体7b、7cを配設して測定すればよい。
【0019】
上記導電体7は導電ゴムであることが望ましい。この場合、導電ゴムからなるライン状の導電体7を多結晶シリコン基板6上に載置し、その上から同型状の金属部材(不図示)で押しつけて測定する。このようにすることにより、多結晶シリコン基板6に傷をつけることなく非破壊で広域の抵抗を測定することが可能になる。また、導電ゴムであれば柔軟性があるため多結晶シリコン基板6に密着させることが可能であり、より正確な測定が可能になる。
【0020】
このような導電ゴムとしては、導電性粒子を弾性エストラマーで結着したものなどがある。この導電性粒子には10〜1000μmの粒径を有する金、銀、銅などの金属粒子、もしくはこれらの表面に貴金属メッキを施したもの、またはポリマー粒子や無機物粒子の表面に貴金属メッキを施したものなどがある。また、弾性エストラマーには、シリコーンゴム、ウレタンゴム、ネオプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴムなどがある。この弾性エストラマー中に導電粒子を50〜95体積%程度含有させて、その硬度(JISAHs)が10〜80程度になるようにすればよい。
【0021】
また、この導電体7は熱硬化型導電性ペーストであってもよい。このような導電ペーストとしては、例えばアモルファスシリコン太陽電池で使われているような200℃以下で硬化する熱硬化型導電性ペーストやPSG(リンガラス)を含有する熱硬化型導電性ペーストを用いることができる。この熱硬化型導電性ペーストとしては、例えば分子量が900以上のエポキシ樹脂とこのエポキシ樹脂に対する重量比率が4〜10の銀粉末と、エポキシ樹脂を硬化させための例えばイミダゾール系硬化剤とを含むものなどがある。このような導電ペーストを多結晶シリコン基板6の所定箇所に平行に4本以上ライン状に塗布して150〜200℃で乾燥させて抵抗率を測定するための端子として用いる。
【0022】
このようにすることにより、導電体7と多結晶シリコン基板6は隙間なく密着するためより正確な測定を行うことが可能になる。なお、この測定は多結晶シリコン基板6の全品について行う必要はなく、抜き取り検査用の多結晶シリコン基板6に上述のような熱硬化型導電性ペーストを塗布して抵抗を測定すればよい。
【0023】
製造ラインを流れる多結晶シリコン基板6の全品を検査する場合は、平行に配設した4本以上のライン状の導電ゴム7を検査装置の当接部材(不図示)の先端に固定して多結晶シリコン基板6に順次押圧して測定することもできる。この場合、一つの多結晶シリコン基板6を90度回転させて2方向の抵抗率を測定すると、出力特性の良好な方向を判別でき、その方向にフィンガー電極(不図示)を形成できるようになる。したがって、そのウェハーに固有の特性をより効果的に引き出して高効率な太陽電池を得ることができる。
【0024】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明による多結晶シリコン基板の抵抗測定方法は、多結晶シリコン基板上に四本以上のライン状の導電体を平行に配設し、この導電体の外側二本に電流を流して内側の導電体間の電位差を読み取ることによって抵抗を測定することから、広域の抵抗を短時間に正確に測定することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る多結晶シリコン基板の抵抗測定方法を説明するための図である。
【図2】従来の多結晶シリコン基板の抵抗測定方法を示す図である。
【符号の説明】
6:多結晶シリコン基板、7(7a、7b、7c、7d):ライン状の導電体
Claims (3)
- 多結晶シリコン基板の抵抗測定方法であって、前記多結晶シリコン基板上に四本以上のライン状の導電体を平行に配設し、この導電体の外側二本に電流を流して内側の導電体間の電位差を読み取ることによって抵抗を測定することを特徴とする多結晶シリコン基板の抵抗測定方法。
- 前記導電体が導電ゴムであることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン基板の抵抗測定方法。
- 前記導電体が熱硬化型導電性ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン基板の抵抗測定方法。
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JP2003019532A JP2004233109A (ja) | 2003-01-28 | 2003-01-28 | 多結晶シリコン基板の抵抗測定方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101859720A (zh) * | 2010-04-15 | 2010-10-13 | 中山大学 | 一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法 |
JP2019100931A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | 日置電機株式会社 | 処理装置および処理方法 |
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2003
- 2003-01-28 JP JP2003019532A patent/JP2004233109A/ja active Pending
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