JP2004228179A - テープキャリア、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【解決手段】準備として、テープ状の絶縁フィルム20の表面に、接着材21を備え、表裏両面に保護フィルムを備えるものを用意する。先ず、絶縁フィルムにビアホール23などを形成する。次に、絶縁フィルム上に保護フィルムに代えて導体層24を設ける。次いで、絶縁フィルムのビアホール内壁、およびビアホール内の導体層上に導電性被膜26を設ける。次いで、そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層27を設ける。次に、導体層の所要の個所をエッチングして回路パターンを設ける。そして、最後に、回路パターンの表面に仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【選択図】 図7
【解決手段】準備として、テープ状の絶縁フィルム20の表面に、接着材21を備え、表裏両面に保護フィルムを備えるものを用意する。先ず、絶縁フィルムにビアホール23などを形成する。次に、絶縁フィルム上に保護フィルムに代えて導体層24を設ける。次いで、絶縁フィルムのビアホール内壁、およびビアホール内の導体層上に導電性被膜26を設ける。次いで、そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層27を設ける。次に、導体層の所要の個所をエッチングして回路パターンを設ける。そして、最後に、回路パターンの表面に仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【選択図】 図7
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、可撓性を有し、IC・LSIなどの電子部品を実装して用いるテープキャリア、およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のテープキャリアの製造工程の一例を図11に示す。準備として、図11(A)に示すように、テープ状の絶縁フィルム1の表面に、接着材2を備えるものを用意する。
【0003】
先ず、図11(B)に示すように、例えば金型を用いてパンチングを行って、接着材2とともに絶縁フィルム1に、例えばスプロケットホール3、デバイスホール4、ビアホール5などを形成する。
【0004】
次に、図11(C)に示すように、例えば銅箔などを接着材2を介して絶縁フィルム1の表面にラミネートして、絶縁フィルム1上に導体層6を設ける。
【0005】
次いで、導体層6の所要の個所をエッチングして、図11(D)に示すように、回路パターン7を設ける。
【0006】
最後に、図11(E)に示すように、回路パターン7の表面に、仕上げメッキ層8を設けて、テープキャリアを得ていた。
【0007】
そのようにして得たテープキャリアの表裏を図12および図13に示す。そのテープキャリア9は、可撓性を有し、テープ状をしている。そして、テープキャリア9は、テープの長さ方向に、例えば矩形状のデバイスホール4を一定間隔毎に1列に有するとともに、円形のビアホール5を個々のデバイスホール4の周りに縦横に一定間隔毎に有していた。そのような絶縁フィルム1の表面には、図12に示すように、インナーリード10と後述するランド6を結ぶように回路パターン7を備えていた。
【0008】
また、テープキャリア9は、図13に示すように、テープキャリア9の裏面から見ると、絶縁フィルム1に形成したビアホール5を通して、回路パターン7を設けた導体層の一部をのぞかせて、テープキャリア9の端子となるランド6を備えていた。
【0009】
そして、そのようなテープキャリア9には、デバイスホール4に、IC・LSIなどの電子部品を搭載してから、その電子部品の端子と、デバイスホール4内のインナーリード10とを接続して、電子部品を実装する。
【0010】
その後、図14に示すように、テープキャリア9の裏面側に、例えば半田ボール11を、ビアホール5内にその一部を入れてランド6に接触するように設けてから、回路パターン7毎、例えば図12および図13中2点鎖線で示す位置で打ち抜いてパッケージを得ていた。
【0011】
そのようなパッケージは、そのパッケージを例えば他の回路基板(被実装物)の上に搭載してから、上述した半田ボール11を他の回路基板の端子にそれぞれ接続して、他の回路基板に実装して用いていた。
【0012】
そのようなテープキャリア9において、上述したように、例えば半田ボール11をランド6に接触するように設けるとき、半田ボール11は、もともと絶縁フィルム1との親和性が低いから、ビアホール5内の奥まで入りずらい問題があった。
【0013】
ところで、近年、電子機器の高機能化および小型化が図られている。それにより、テープキャリア9のビアホール5もファインピッチ化が求められる。そこで、ビアホール5の大きさを小さくすることが求められていた。
【0014】
しかし、ビアホール5の大きさを小さくすると、半田ボール11を設けるとき、その半田ボール11がビアホール5の入口に当たってビアホール5内の奥まで一層入りずらくなり、半田ボール11とランド6との接触が難しくなるので、半田ボール11とランド6との間でボイド等が発生して導通不良が発生する原因となり問題となっていた。
【0015】
そこで、従来のテープキャリアの中には、例えば、特許文献1に記載される技術があった。
【0016】
【特許文献1】特許第3238074号公報
特許文献1に記載されたテープキャリアを図15に示す。そのテープキャリア12は、電解メッキにより、前述したランド6の表面に金属メッキ層13を設けていた。そのようなテープキャリア12に、半田ボール11を設けるとき、金属メッキ層13により、ビアホール5の深さを浅くするので、半田ボール11を金属メッキ層13に接触しやすくして、半田ボール11と金属メッキ層13との間に発生する導通不良を防止していた。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1に記載の技術は、電解メッキの周辺効果により、絶縁フィルム1に縦横に一定間隔毎に形成したビアホール5内のそれぞれの金属メッキ層13の厚さを均一にすることが困難である、という問題があった。そして、金属メッキ層13の厚さを均一にできないと、ビアホール5の深さにばらつきが発生するので、テープキャリアに半田ボール11を設けたとき、その半田ボール11高さにばらつきが発生し、そのようなばらつきの発生により、その後、テープキャリアから回路パターン7毎に打ち抜いたパッケージを他の回路基板に実装する場合、導通不良の発生の原因となり問題となっていた。
【0018】
そこで、この発明の第1の目的は、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【0019】
この発明の第2の目的は、テープキャリアにおいて、そのテープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に発生する導通不良を防止することにある。
【0020】
この発明の第3の目的は、金属メッキ層を設ける時間を短くして、テープキャリアの生産性を向上することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
そのため、請求項1に係る発明は、上述した第1の目的を達成すべく、
テープキャリアの製造方法において、
絶縁フィルムにビアホールを形成してから、
絶縁フィルム上に導体層を設け、
その後、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする。
【0022】
請求項2に係る発明は、上述した第1の目的を達成すべく、
テープキャリアの製造方法において、
絶縁フィルム上に導体層を設けてから、
絶縁フィルムにビアホールを形成し、
その後、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする。
【0023】
請求項3に係る発明は、上述した第2の目的を達成すべく、
テープキャリアにおいて、
ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面と、ビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えることを特徴とする。
【0024】
請求項4に係る発明は、上述した第3の目的も達成すべく、
請求項3に記載のテープキャリアにおいて、
金属メッキ層の厚さが、10μm以下であることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の形態につき説明する。準備として、図1に示すように、テープ状の絶縁フィルム20の表面に、接着材21を備え、表裏両面に保護フィルム22a・22bを備えるものを用意する。
【0026】
絶縁フィルム20には、可撓性と絶縁性を有する材料、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂または液晶ポリマなどを用いる。
【0027】
先ず、例えば金型を用いてパンチングを行って、図2に示すように、接着材21・保護フィルム22a・22bとともに、絶縁フィルム20に、不図示のスプロケットホール、デバイスホール、およびビアホール23などを形成する。
【0028】
次に、表面の保護フィルム22aのみを除去してから、例えば銅箔を接着材を介して絶縁フィルムの表面にラミネートし、図3に示すように、絶縁フィルム20上に導体層24を設ける。
【0029】
そのようにして導体層24を設けるので、絶縁フィルム20の裏面から見ると、絶縁フィルム20に設けたビアホール23を通して導体層24の一部をのぞかせる。
【0030】
次いで、図4に示すように、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22上、および絶縁フィルム20のビアホール23内壁、およびビアホール23内の導体層24上に導電性被膜26を設ける。
【0031】
その導電性被膜26を設ける場合、例えば、マイクロエッチ溶液に浸漬して、図5(A)に示すように、導体層24に表面処理を行ってから、コンディショニング溶液に浸漬して、図5(B)に示すように、絶縁フィルム20のビアホール23内壁に表面処理を行い、その後、プレディプ溶液である例えばPd−Snコロイド溶液に浸漬して上述したコンディショニング溶液などを落してから、アクチベーター溶液である同じくPd−Snコロイド溶液に浸漬して、図5(C)に示すように、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22b上、絶縁フィルム20のビアホール23内壁、およびビアホール23内の導体層24上にPd−Sn被膜26Aを設け、その後、アクセレレーター溶液に浸漬して、図5(D)に示すように、SnをCu2Oに置換してPd−Cu2O被膜(非導電性被膜)26Bを設け、その後、活性化溶液に浸漬し、還元して導電性被膜26である例えばPd−Cu被膜を設けて、図5(E)に示すようにする。
【0032】
次に、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22bを除去して、図6に示すように、導電性被膜26の不要個所を除去する。
【0033】
次いで、例えばメッキ液に浸漬して、ビアホール23内壁の導電性被膜26表面と、テープキャリアの端子であるランド25となるビアホール23内の導体層24上とに金属メッキ層27を設けて、図7に示すようにする。このとき、図5(A)で示したように、マイクロエッチ溶液に浸漬して導体層24の表面状態を良好とするので、表面状態が良好な導電性被膜26を設け、それにより、導体層24上に導電性被膜26を介して設ける金属メッキ層27の表面状態を良好にできる。
【0034】
なお、その金属メッキ層27を設ける場合、金属メッキ層27の厚さが、10μm以下であることが好ましい。金属メッキ層27の厚さを10μm以上とすると、金属メッキ層27を設けるのに時間がかかるためである。よって、金属メッキ層27の厚さを限定するので、金属メッキ層27を設ける時間を短くし、テープキャリアの生産性を向上することができる。
【0035】
次に、絶縁フィルム20の表面の導体層24の所要の個所をエッチングして、例えばインナーリードとランド25とを接続する回路パターンを設ける。
【0036】
その回路パターンを設けるには、例えばフォトエッチング法を用いる。そのフォトエッチング法は、先ず、導体層24の表面にフォトレジストを塗布した後、そのフォトレジストに所望の回路パターンを露光により焼き付けてマスキング材としてから、そのマスキング材以外の個所のフォトレジストを現像にて除去する。その後、例えば塩化第二鉄などのエッチング溶液に浸漬し、マスキング材のない個所の導体層24を溶出する。すると、絶縁フィルム20の表面には、マスキング材のある個所の導体層24が残り、その後、そのマスキング材を導体層24から剥離する。これにより、導体層24を回路パターンとすることができる。
【0037】
最後に、回路パターンの表面に、仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【0038】
なお、上述には、絶縁フィルム20に接着材21を備えるものを用いて、テープキャリアを製造する例を説明した。しかし、この発明は、これに限られず、絶縁フィルム20に接着材21を備えないものを用いて、テープキャリアを製造しても良い。
【0039】
その場合、準備として、絶縁フィルム20の例えば裏面にのみ保護フィルム22bがあるものを用意する。そして、先ず、絶縁フィルム20の表面に、例えばニッケルなどの金属をスパッタリングしてから、例えば銅メッキを行い、図8に示すように、絶縁フィルム20上に導体層24を設ける。
【0040】
次に、絶縁フィルム20の裏面から例えばレーザーを照射して、保護フィルム22bとともに絶縁フィルム20を除去して、図9に示すように、絶縁フィルム20にビアホール23などを形成する。
【0041】
以下、図示省略するが、前述したのと同様にして、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22b上、絶縁フィルム20のビアホール23内壁、およびビアホール23内の導体層24上に導電性被膜を設けてから、保護フィルム22bを除去し、その後、ビアホール23内壁の導電性被膜表面と、ランド25となるビアホール23内の導体層24上とに金属メッキ層を設けてから、絶縁フィルム20の表面の導体層24を回路パターンとし、その後、その回路パターンの表面に、仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【0042】
それらのようにして得るテープキャリアは、可撓性を有し、テープ状をしており、上述した図12および図13に示すものと同様の形状をしている。また、そのテープキャリアは、ビアホール23を有する絶縁フィルム20上に導体層24を備える。さらに、テープキャリアは、導体層24の所要の個所をエッチングした回路パターンを備える。
【0043】
なお、テープキャリアが有するデバイスホールとビアホール23において、デバイスホールは、テープの長さ方向に、例えば矩形状に1列に形成し、ビアホールは、個々のデバイスホールの周りに、例えば、縦横に一定間隔毎に形成する。
【0044】
また、テープキャリアは、図7に示すように、ビアホール23内壁に導電性皮膜26を備え、その導電性被膜26表面と、ビアホール23内の導体層24上とに金属メッキ層27を備える。
【0045】
そのテープキャリアは、その後、例えばデバイスホールに、IC・LSIなどの電子部品を搭載してから、その電子部品の端子と、デバイスホール内のインナーリードとを接続して、電子部品を実装する。
【0046】
その後、図10に示すように、ランド25上で、金属メッキ層27を備えるビアホール23の入口に当てて、例えば半田ボール28を設けてから、回路パターン毎に打ち抜いて、パッケージを得る。
【0047】
ところで、上述した図12および図13に示す従来のテープキャリアにおいて、図14に示すように、ランド6に半田ボール11を設けるとき、半田ボール11がビアホール5入口の絶縁フィルム1に接触していた。
【0048】
一方、この発明によるテープキャリアは、図7に示すように、ビアホール23内壁の導電性被膜26表面と、ビアホール23内の導体層24上とに、金属メッキ層27を備える。その後、テープキャリアには、図10に示すように、その金属メッキ層27に半田ボール28を設ける。よって、半田ボール28を設けるとき、金属メッキ層27が絶縁フィルム20よりも半田ボール28との親和性が良好であるから、半田ボール28がビアホール23内に入りやすくなり、ボイド等の発生を確実に防止することができる。
【0049】
また、パッケージは、そのパッケージを被実装物である例えば他の回路基板に搭載してから、上述した半田ボール28を他の回路基板の端子にそれぞれ接続して、他の回路基板に実装して用いる。
【0050】
なお、上述において、絶縁フィルム20の表面の導体層24にのみ、回路パターンを設ける例を説明したが、この発明は、それに限られず、絶縁フィルム20の表裏両面に導体層24を備えるものを用いて、表裏両面の導体層24をそれぞれ回路パターンとしても良い。
【0051】
また、上述において、テープキャリアのランド25上の金属メッキ層27に半田ボール28を設ける例を説明したが、この発明は、それに限られず、金属メッキ層27に半田ペースト層などを設けても良い。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したとおり、請求項1および請求項2に係る発明によれば、テープキャリアの製造方法において、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けるので、テープキャリアに例えば半田ボールを設ける場合、金属メッキ層を設けたビアホール入口に当てて半田ボール高さをそろえて設けることができるので、半田ボール高さにばらつきが発生することを防止するから、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することができる。
【0053】
加えて、ビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けるので、テープキャリアと、ビアホール入口の金属メッキ層に接触して設ける半田ボール等との親和性を良好とし、半田ボール等を設ける際、ボイドの発生を防止するから、前述の効果を一層確実とすることができる。
【0054】
請求項3に係る発明によれば、テープキャリアにおいて、ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面とビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えるので、テープキャリアに例えば半田ボールを設ける場合、金属メッキ層を備えるビアホール入口に当てて半田ボール高さをそろえて設けることができるので、半田ボール高さにばらつきが発生することを防止するから、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に発生する導通不良を防止することができる。
【0055】
加えて、導電性被膜表面とビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えるので、テープキャリアと、ビアホール入口の金属メッキ層に接触して設ける半田ボール等との親和性を良好とし、半田ボール等を設ける際、ボイドの発生を防止するから、前述の効果を一層確実とすることができる。
【0056】
請求項4に係る発明によれば、金属メッキ層の厚さを限定するので、金属メッキ層を設ける時間を短くし、請求項3に記載の効果に加えて、テープキャリアの生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明によるテープキャリアの製造工程の途中における部分拡大断面図である。
【図2】同様の図である。
【図3】同様の図である。
【図4】同様の図である。
【図5】そのテープキャリアの製造工程の途中において、導電性被膜を設ける場合を製造の順番に説明する工程図である。
【図6】そのテープキャリアの製造工程の途中における部分拡大断面図である。
【図7】同様の図である。
【図8】この発明によるテープキャリアのまた別の例の製造工程において、その途中の部分拡大断面図である。
【図9】同様の図である。
【図10】そのテープキャリアに半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【図11】従来のテープキャリアを、製造の順番に説明する工程図である。
【図12】そのテープキャリアの平面図である。
【図13】そのテープキャリアの底面図である。
【図14】そのテープキャリアに半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【図15】従来のまた別のテープキャリアに、半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
20 絶縁フィルム
23 ビアホール
24 導体層
26 導電性被膜
27 金属メッキ層
【発明の属する技術分野】
この発明は、可撓性を有し、IC・LSIなどの電子部品を実装して用いるテープキャリア、およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のテープキャリアの製造工程の一例を図11に示す。準備として、図11(A)に示すように、テープ状の絶縁フィルム1の表面に、接着材2を備えるものを用意する。
【0003】
先ず、図11(B)に示すように、例えば金型を用いてパンチングを行って、接着材2とともに絶縁フィルム1に、例えばスプロケットホール3、デバイスホール4、ビアホール5などを形成する。
【0004】
次に、図11(C)に示すように、例えば銅箔などを接着材2を介して絶縁フィルム1の表面にラミネートして、絶縁フィルム1上に導体層6を設ける。
【0005】
次いで、導体層6の所要の個所をエッチングして、図11(D)に示すように、回路パターン7を設ける。
【0006】
最後に、図11(E)に示すように、回路パターン7の表面に、仕上げメッキ層8を設けて、テープキャリアを得ていた。
【0007】
そのようにして得たテープキャリアの表裏を図12および図13に示す。そのテープキャリア9は、可撓性を有し、テープ状をしている。そして、テープキャリア9は、テープの長さ方向に、例えば矩形状のデバイスホール4を一定間隔毎に1列に有するとともに、円形のビアホール5を個々のデバイスホール4の周りに縦横に一定間隔毎に有していた。そのような絶縁フィルム1の表面には、図12に示すように、インナーリード10と後述するランド6を結ぶように回路パターン7を備えていた。
【0008】
また、テープキャリア9は、図13に示すように、テープキャリア9の裏面から見ると、絶縁フィルム1に形成したビアホール5を通して、回路パターン7を設けた導体層の一部をのぞかせて、テープキャリア9の端子となるランド6を備えていた。
【0009】
そして、そのようなテープキャリア9には、デバイスホール4に、IC・LSIなどの電子部品を搭載してから、その電子部品の端子と、デバイスホール4内のインナーリード10とを接続して、電子部品を実装する。
【0010】
その後、図14に示すように、テープキャリア9の裏面側に、例えば半田ボール11を、ビアホール5内にその一部を入れてランド6に接触するように設けてから、回路パターン7毎、例えば図12および図13中2点鎖線で示す位置で打ち抜いてパッケージを得ていた。
【0011】
そのようなパッケージは、そのパッケージを例えば他の回路基板(被実装物)の上に搭載してから、上述した半田ボール11を他の回路基板の端子にそれぞれ接続して、他の回路基板に実装して用いていた。
【0012】
そのようなテープキャリア9において、上述したように、例えば半田ボール11をランド6に接触するように設けるとき、半田ボール11は、もともと絶縁フィルム1との親和性が低いから、ビアホール5内の奥まで入りずらい問題があった。
【0013】
ところで、近年、電子機器の高機能化および小型化が図られている。それにより、テープキャリア9のビアホール5もファインピッチ化が求められる。そこで、ビアホール5の大きさを小さくすることが求められていた。
【0014】
しかし、ビアホール5の大きさを小さくすると、半田ボール11を設けるとき、その半田ボール11がビアホール5の入口に当たってビアホール5内の奥まで一層入りずらくなり、半田ボール11とランド6との接触が難しくなるので、半田ボール11とランド6との間でボイド等が発生して導通不良が発生する原因となり問題となっていた。
【0015】
そこで、従来のテープキャリアの中には、例えば、特許文献1に記載される技術があった。
【0016】
【特許文献1】特許第3238074号公報
特許文献1に記載されたテープキャリアを図15に示す。そのテープキャリア12は、電解メッキにより、前述したランド6の表面に金属メッキ層13を設けていた。そのようなテープキャリア12に、半田ボール11を設けるとき、金属メッキ層13により、ビアホール5の深さを浅くするので、半田ボール11を金属メッキ層13に接触しやすくして、半田ボール11と金属メッキ層13との間に発生する導通不良を防止していた。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1に記載の技術は、電解メッキの周辺効果により、絶縁フィルム1に縦横に一定間隔毎に形成したビアホール5内のそれぞれの金属メッキ層13の厚さを均一にすることが困難である、という問題があった。そして、金属メッキ層13の厚さを均一にできないと、ビアホール5の深さにばらつきが発生するので、テープキャリアに半田ボール11を設けたとき、その半田ボール11高さにばらつきが発生し、そのようなばらつきの発生により、その後、テープキャリアから回路パターン7毎に打ち抜いたパッケージを他の回路基板に実装する場合、導通不良の発生の原因となり問題となっていた。
【0018】
そこで、この発明の第1の目的は、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【0019】
この発明の第2の目的は、テープキャリアにおいて、そのテープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に発生する導通不良を防止することにある。
【0020】
この発明の第3の目的は、金属メッキ層を設ける時間を短くして、テープキャリアの生産性を向上することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
そのため、請求項1に係る発明は、上述した第1の目的を達成すべく、
テープキャリアの製造方法において、
絶縁フィルムにビアホールを形成してから、
絶縁フィルム上に導体層を設け、
その後、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする。
【0022】
請求項2に係る発明は、上述した第1の目的を達成すべく、
テープキャリアの製造方法において、
絶縁フィルム上に導体層を設けてから、
絶縁フィルムにビアホールを形成し、
その後、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする。
【0023】
請求項3に係る発明は、上述した第2の目的を達成すべく、
テープキャリアにおいて、
ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面と、ビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えることを特徴とする。
【0024】
請求項4に係る発明は、上述した第3の目的も達成すべく、
請求項3に記載のテープキャリアにおいて、
金属メッキ層の厚さが、10μm以下であることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の形態につき説明する。準備として、図1に示すように、テープ状の絶縁フィルム20の表面に、接着材21を備え、表裏両面に保護フィルム22a・22bを備えるものを用意する。
【0026】
絶縁フィルム20には、可撓性と絶縁性を有する材料、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂または液晶ポリマなどを用いる。
【0027】
先ず、例えば金型を用いてパンチングを行って、図2に示すように、接着材21・保護フィルム22a・22bとともに、絶縁フィルム20に、不図示のスプロケットホール、デバイスホール、およびビアホール23などを形成する。
【0028】
次に、表面の保護フィルム22aのみを除去してから、例えば銅箔を接着材を介して絶縁フィルムの表面にラミネートし、図3に示すように、絶縁フィルム20上に導体層24を設ける。
【0029】
そのようにして導体層24を設けるので、絶縁フィルム20の裏面から見ると、絶縁フィルム20に設けたビアホール23を通して導体層24の一部をのぞかせる。
【0030】
次いで、図4に示すように、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22上、および絶縁フィルム20のビアホール23内壁、およびビアホール23内の導体層24上に導電性被膜26を設ける。
【0031】
その導電性被膜26を設ける場合、例えば、マイクロエッチ溶液に浸漬して、図5(A)に示すように、導体層24に表面処理を行ってから、コンディショニング溶液に浸漬して、図5(B)に示すように、絶縁フィルム20のビアホール23内壁に表面処理を行い、その後、プレディプ溶液である例えばPd−Snコロイド溶液に浸漬して上述したコンディショニング溶液などを落してから、アクチベーター溶液である同じくPd−Snコロイド溶液に浸漬して、図5(C)に示すように、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22b上、絶縁フィルム20のビアホール23内壁、およびビアホール23内の導体層24上にPd−Sn被膜26Aを設け、その後、アクセレレーター溶液に浸漬して、図5(D)に示すように、SnをCu2Oに置換してPd−Cu2O被膜(非導電性被膜)26Bを設け、その後、活性化溶液に浸漬し、還元して導電性被膜26である例えばPd−Cu被膜を設けて、図5(E)に示すようにする。
【0032】
次に、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22bを除去して、図6に示すように、導電性被膜26の不要個所を除去する。
【0033】
次いで、例えばメッキ液に浸漬して、ビアホール23内壁の導電性被膜26表面と、テープキャリアの端子であるランド25となるビアホール23内の導体層24上とに金属メッキ層27を設けて、図7に示すようにする。このとき、図5(A)で示したように、マイクロエッチ溶液に浸漬して導体層24の表面状態を良好とするので、表面状態が良好な導電性被膜26を設け、それにより、導体層24上に導電性被膜26を介して設ける金属メッキ層27の表面状態を良好にできる。
【0034】
なお、その金属メッキ層27を設ける場合、金属メッキ層27の厚さが、10μm以下であることが好ましい。金属メッキ層27の厚さを10μm以上とすると、金属メッキ層27を設けるのに時間がかかるためである。よって、金属メッキ層27の厚さを限定するので、金属メッキ層27を設ける時間を短くし、テープキャリアの生産性を向上することができる。
【0035】
次に、絶縁フィルム20の表面の導体層24の所要の個所をエッチングして、例えばインナーリードとランド25とを接続する回路パターンを設ける。
【0036】
その回路パターンを設けるには、例えばフォトエッチング法を用いる。そのフォトエッチング法は、先ず、導体層24の表面にフォトレジストを塗布した後、そのフォトレジストに所望の回路パターンを露光により焼き付けてマスキング材としてから、そのマスキング材以外の個所のフォトレジストを現像にて除去する。その後、例えば塩化第二鉄などのエッチング溶液に浸漬し、マスキング材のない個所の導体層24を溶出する。すると、絶縁フィルム20の表面には、マスキング材のある個所の導体層24が残り、その後、そのマスキング材を導体層24から剥離する。これにより、導体層24を回路パターンとすることができる。
【0037】
最後に、回路パターンの表面に、仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【0038】
なお、上述には、絶縁フィルム20に接着材21を備えるものを用いて、テープキャリアを製造する例を説明した。しかし、この発明は、これに限られず、絶縁フィルム20に接着材21を備えないものを用いて、テープキャリアを製造しても良い。
【0039】
その場合、準備として、絶縁フィルム20の例えば裏面にのみ保護フィルム22bがあるものを用意する。そして、先ず、絶縁フィルム20の表面に、例えばニッケルなどの金属をスパッタリングしてから、例えば銅メッキを行い、図8に示すように、絶縁フィルム20上に導体層24を設ける。
【0040】
次に、絶縁フィルム20の裏面から例えばレーザーを照射して、保護フィルム22bとともに絶縁フィルム20を除去して、図9に示すように、絶縁フィルム20にビアホール23などを形成する。
【0041】
以下、図示省略するが、前述したのと同様にして、絶縁フィルム20の裏面の保護フィルム22b上、絶縁フィルム20のビアホール23内壁、およびビアホール23内の導体層24上に導電性被膜を設けてから、保護フィルム22bを除去し、その後、ビアホール23内壁の導電性被膜表面と、ランド25となるビアホール23内の導体層24上とに金属メッキ層を設けてから、絶縁フィルム20の表面の導体層24を回路パターンとし、その後、その回路パターンの表面に、仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【0042】
それらのようにして得るテープキャリアは、可撓性を有し、テープ状をしており、上述した図12および図13に示すものと同様の形状をしている。また、そのテープキャリアは、ビアホール23を有する絶縁フィルム20上に導体層24を備える。さらに、テープキャリアは、導体層24の所要の個所をエッチングした回路パターンを備える。
【0043】
なお、テープキャリアが有するデバイスホールとビアホール23において、デバイスホールは、テープの長さ方向に、例えば矩形状に1列に形成し、ビアホールは、個々のデバイスホールの周りに、例えば、縦横に一定間隔毎に形成する。
【0044】
また、テープキャリアは、図7に示すように、ビアホール23内壁に導電性皮膜26を備え、その導電性被膜26表面と、ビアホール23内の導体層24上とに金属メッキ層27を備える。
【0045】
そのテープキャリアは、その後、例えばデバイスホールに、IC・LSIなどの電子部品を搭載してから、その電子部品の端子と、デバイスホール内のインナーリードとを接続して、電子部品を実装する。
【0046】
その後、図10に示すように、ランド25上で、金属メッキ層27を備えるビアホール23の入口に当てて、例えば半田ボール28を設けてから、回路パターン毎に打ち抜いて、パッケージを得る。
【0047】
ところで、上述した図12および図13に示す従来のテープキャリアにおいて、図14に示すように、ランド6に半田ボール11を設けるとき、半田ボール11がビアホール5入口の絶縁フィルム1に接触していた。
【0048】
一方、この発明によるテープキャリアは、図7に示すように、ビアホール23内壁の導電性被膜26表面と、ビアホール23内の導体層24上とに、金属メッキ層27を備える。その後、テープキャリアには、図10に示すように、その金属メッキ層27に半田ボール28を設ける。よって、半田ボール28を設けるとき、金属メッキ層27が絶縁フィルム20よりも半田ボール28との親和性が良好であるから、半田ボール28がビアホール23内に入りやすくなり、ボイド等の発生を確実に防止することができる。
【0049】
また、パッケージは、そのパッケージを被実装物である例えば他の回路基板に搭載してから、上述した半田ボール28を他の回路基板の端子にそれぞれ接続して、他の回路基板に実装して用いる。
【0050】
なお、上述において、絶縁フィルム20の表面の導体層24にのみ、回路パターンを設ける例を説明したが、この発明は、それに限られず、絶縁フィルム20の表裏両面に導体層24を備えるものを用いて、表裏両面の導体層24をそれぞれ回路パターンとしても良い。
【0051】
また、上述において、テープキャリアのランド25上の金属メッキ層27に半田ボール28を設ける例を説明したが、この発明は、それに限られず、金属メッキ層27に半田ペースト層などを設けても良い。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したとおり、請求項1および請求項2に係る発明によれば、テープキャリアの製造方法において、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けるので、テープキャリアに例えば半田ボールを設ける場合、金属メッキ層を設けたビアホール入口に当てて半田ボール高さをそろえて設けることができるので、半田ボール高さにばらつきが発生することを防止するから、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することができる。
【0053】
加えて、ビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けるので、テープキャリアと、ビアホール入口の金属メッキ層に接触して設ける半田ボール等との親和性を良好とし、半田ボール等を設ける際、ボイドの発生を防止するから、前述の効果を一層確実とすることができる。
【0054】
請求項3に係る発明によれば、テープキャリアにおいて、ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面とビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えるので、テープキャリアに例えば半田ボールを設ける場合、金属メッキ層を備えるビアホール入口に当てて半田ボール高さをそろえて設けることができるので、半田ボール高さにばらつきが発生することを防止するから、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に発生する導通不良を防止することができる。
【0055】
加えて、導電性被膜表面とビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えるので、テープキャリアと、ビアホール入口の金属メッキ層に接触して設ける半田ボール等との親和性を良好とし、半田ボール等を設ける際、ボイドの発生を防止するから、前述の効果を一層確実とすることができる。
【0056】
請求項4に係る発明によれば、金属メッキ層の厚さを限定するので、金属メッキ層を設ける時間を短くし、請求項3に記載の効果に加えて、テープキャリアの生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明によるテープキャリアの製造工程の途中における部分拡大断面図である。
【図2】同様の図である。
【図3】同様の図である。
【図4】同様の図である。
【図5】そのテープキャリアの製造工程の途中において、導電性被膜を設ける場合を製造の順番に説明する工程図である。
【図6】そのテープキャリアの製造工程の途中における部分拡大断面図である。
【図7】同様の図である。
【図8】この発明によるテープキャリアのまた別の例の製造工程において、その途中の部分拡大断面図である。
【図9】同様の図である。
【図10】そのテープキャリアに半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【図11】従来のテープキャリアを、製造の順番に説明する工程図である。
【図12】そのテープキャリアの平面図である。
【図13】そのテープキャリアの底面図である。
【図14】そのテープキャリアに半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【図15】従来のまた別のテープキャリアに、半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
20 絶縁フィルム
23 ビアホール
24 導体層
26 導電性被膜
27 金属メッキ層
Claims (4)
- 絶縁フィルムにビアホールを形成してから、
前記絶縁フィルム上に導体層を設け、
その後、前記絶縁フィルムの前記ビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の前記導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする、テープキャリアの製造方法。 - 絶縁フィルム上に導体層を設けてから、
前記絶縁フィルムにビアホールを形成し、
その後、前記絶縁フィルムの前記ビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の前記導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする、テープキャリアの製造方法。 - ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、前記ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面と、前記ビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えることを特徴とする、テープキャリア。
- 前記金属メッキ層の厚さが、10μm以下であることを特徴とする、請求項3に記載のテープキャリア。
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