JP2004221087A - プラズマ発生システム - Google Patents

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Abstract

【課題】大面積の基板に対しても均一に分布したエッチングプロファイルが得られるプラズマ発生システムを提供する。
【解決手段】マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置54と、マイクロ波の波面をプラズマ処理すべき基板に対して平行な平面とする屈折装置51と、マイクロ波によって形成されるプラズマに磁場を印加してECRを発生させる電磁気装置59とを備えるプラズマ発生システムである。これにより、プラズマ生成効率を向上させて大面積基板60をエッチングできる高密度プラズマを均一に生成できる。
【選択図】 図2

Description

本発明はプラズマ発生システムに係り、さらに詳細には高密度プラズマを均一に発生させるプラズマ発生システムに関する。
図1は、従来の電子サイクロトロン共鳴(ECR:Electron Cyclotron Resonance)プラズマ装置を簡略に示す構成図である。
図1を参照すれば、処理室11内の上部にシャワープレート13が設置されており、シャワープレート13を通じてプラズマガスとなるソースガスが基板10に噴射される。基板10は、基板ホルダー17に載置され、基板ホルダー17には高周波電源29から100kHzないし15MHzに至る高周波バイアスがマッチング回路27を通じて印加される。
前記ソースガスは、ガス引入口19を通じて処理室11に流入され、高周波電源によって生成された300MHzないし1GHzのUHF(Ultra High Frequency)の電磁波は、チューナー21によりマッチング調節された後に導波管23を通過して処理室11に導入されて処理室11内でプラズマ化されエッチングガスとして利用できるようになる。電磁波は、処理室11の最上部に位置する石英ウィンドー15によって所定モードに共鳴される。
高効率放電のために磁場発生用のソレノイドコイル25を処理室11の周辺に配置し、0ガウスないし360ガウス範囲の磁場がシャワープレート13の直下に位置するようにコイル電流を制御することによってECRを発生させて電子密度が1011個/cm3以上の高密度プラズマを形成させる。すなわち、エッチングガスとなるソースガスをガス引入口19を通じて流入させた後に電磁波と磁場とを通じて高密度プラズマに形成して基板10をエッチングする。基板ホルダー17に連結されたマッチング回路27は、エッチング工程の実行中に基板10の温度を適切に調節し、処理室11に連結されたポンプ28にエッチング工程で使用された後のガスを外部に排出する。
しかし、従来のECRプラズマ装置は、図示されたように石英ウィンドー15が位置している、処理室11の入口が狭くて大面積の基板10にプラズマエッチングを実行する場合、狭い面積でだけエッチングが発生するので、基板10上のエッチングプロファイルが不均一になる短所を有する。大面積の基板10のエッチングのために、特許文献1では導波管をホーン状に形成しているが、導波管を通過したマイクロ波には放射広がりを生じるので、断面全体にわたって均一なマイクロ波の場が得られず、大面積基板に対してプラズマ密度を均一に形成できない欠点を有する。
米国特許第5,234,526号公報
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものとして、大面積の基板に対しても均一に分布したエッチングプロファイルを得られるように均一化した高密度プラズマを生成できるプラズマ発生システムを提供することである。
前記課題を達成するために、本発明はマイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、前記マイクロ波の波面を変化させその伝播軸に対して平面波として進行させる屈折装置を含むチャンバーと、前記マイクロ波によって形成されるプラズマに磁場を印加してECRを発生させる電磁気装置と、を備えることを特徴とするプラズマ発生システムを提供する。
前記屈折装置は、誘電体レンズであり、前記誘電体レンズはアルミナよりなることが望ましい。
前記マイクロ波発生装置は、前記マイクロ波を発生させる高周波電源と、前記高周波電源に連結されて前記マイクロ波を進行させる導波管と、前記導波管の出口に位置し、前記マイクロ波をその伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換と、を備える。
前記屈折装置の下部に前記プラズマによってエッチングされる基板と、前記基板が載置される基板ホルダーが内部に設置される真空チャンバーをさらに連結することが望ましい。
前記課題を達成するために本発明はまた、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、前記マイクロ波の電場を放射方向軸に垂直な平面において均一に形成させるアンテナと、前記マイクロ波の波面を変化させその伝播軸に対して平面波として進行させる屈折装置を含むチャンバーと、前記マイクロ波によってソースガスにより形成されるプラズマに磁場を印加してECRを発生させる電磁気装置と、を備えることを特徴とするプラズマ発生システムを提供する。
前記屈折装置は、誘電体レンズであり、前記誘電体レンズはアルミナよりなることが望ましい。
前記アンテナは、前記マイクロ波の進行方向に対して幅が広く、内壁には波形が形成された波形ホーンアンテナとすることができる。波形ホーンの表面はマイクロ波の伝播空間とは異なり、伝播路が当該波形ホーンの表面に沿って蛇行しているため、波形ホーンの表面の見かけ上のマイクロ波の伝播は空間中のマイクロ波の伝播より遅延することになる。この効果により、当該マイク波は当該波形ホーンアンテナを伝播する間に伝播方向に垂直な平面において均一な電場を保持しつつ、その放射方向に垂直な面内に広がることとなる。ただし、この放射広がりを示すマイクロ波の波面は放射方向に対して凸型の曲面となる。
前記マイクロ波発生装置は、前記マイクロ波を発生させる高周波電源と、前記高周波電源に連結されて前記マイクロ波を進行させる導波管と、前記導波管の出口に位置してその伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換器と、を備える。
前記屈折装置の下部に、前記プラズマによってエッチングされる基板と、前記基板が載置される基板ホルダーが内部に設置される真空チャンバーと、がさらに連結されることが望ましい。
本発明の実施例によるプラズマ発生システムは、誘電体レンズを備えてマイクロ波の進行状態を変化させて大面積の基板上のエッチングプロファイルが均一の分布となるようにプラズマ生成密度を均一にできる。また、波形ホーンアンテナを備えてマイクロ波の電場の分布をその放射方向軸に垂直な平面において均一に形成でき、主ローブを広げ、かつ副ローブを狭めてマイクロ波の進行方向に対する無用な発散を防ぎ必要な分布範囲における強度を強めてプラズマ生成効率を向上させる長所を有する。
以下、本発明の実施例によるプラズマ発生システムを図面を参照して詳細に説明する。
図2は、本発明の実施例によるプラズマ発生システムを簡略に示す断面図である。
図2を参照すれば、本発明の実施例によるプラズマ発生システムは、マイクロ波発生装置54と、マイクロ波変換チャンバー50と、プラズマによるエッチングを発生させる真空チャンバー65と、よりなる。
マイクロ波発生装置54は、300MHzないし1GHz程度範囲を有するUHF台マイクロ波を発生させる高周波電源55と、前記マイクロ波を進行させる導波管56と、導波管56の出口に連結されて前記マイクロ波をその伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換器57と、を備える。
マイクロ波変換チャンバー50は、大面積の基板にプラズマエッチングを実施できるようにマイクロ波の放射方向に対して幅が次第に広くなるホーン状よりなる。マイクロ波変換チャンバー50の入口にマイクロ波が入射する。
マイクロ波変換チャンバー50はホーン状よりなるチャンバーの構造を有するため、マイクロ波には放射広がりを生じる。またそのホーン内面は波形表面とされている。マイクロ波変換チャンバー50と真空チャンバー65間に誘電体レンズ51を備えているため、マイクロ波の放射方向を変化させずに基板60の表面に対して波面が平行となる平面波に形成することによって誘電体レンズ51を通過したマイクロ波の波面が基板60に平行となるよう進行させることができる。すなわち、マイクロ波変換チャンバーにおいて波形表面の遅延効果により波面が放射方向に対して凸型の曲面となったマイクロ波の波面を、当該球面誘電体レンズ51により平面としかつ均一なマイクロ波の電場を得るものである。球面誘電体レンズ51は、アルミナ(Al23)のような絶縁物質で形成することができる。誘電体レンズ51の材料、屈折率または曲率は、生成されるマイクロ波の波長と放射方向に対する放射広がりの角度とによって適切に形成されうる。ここで、誘電体レンズ51の代わりにマイクロ波の波面を変化させうる他の手段も使用できることはもちろんである。
マイクロ波変換チャンバー50には誘電体レンズ51の上部に波形ホーンアンテナ53を図示されたように設置してマイクロ波の電場を放射方向軸に垂直な平面において均一に形成させることが望ましい。波形ホーンアンテナ53は、マイクロ波の放射方向に幅が広くなり、内壁に多数の波形が形成されたアンテナ構造の特性によってマイクロ波の放射方向は変化させずに電場だけを放射方向軸に垂直な平面において均一に分布させて電場の強度分布を均一にする特性を有する。また、マイクロ波の強度分布においては、進行方向に形成される主ローブを強化させ、主ローブの両側に形成される副ローブを弱化させることによって発生するプラズマの密度を高めうる。
真空チャンバー65は、内部に基板ホルダー67と基板ホルダー67に載置される基板60とを備える。真空チャンバー65の外部には、磁場を印加する電磁気装置として電磁気コイル59が設けられる。
プラズマガスの電子及び正イオンは、所定方向に回転して進行し、電子及び正イオンの磁場による回転周波数とマイクロ波の周波数と一致する時に発生するECRを利用して水素、窒素、アルゴンのような気体分子を高密度プラズマに形成できる。
図面を参照すれば、真空チャンバー65の内部に導入されるマイクロ波は、真空チャンバー65の内部に流入されるソースガスをプラズマに形成させ、電磁気コイル59によって印加される磁場は、プラズマガス内の電子を加速させてECRによる高密度プラズマを形成する。本発明の実施例によるプラズマ発生システムは、誘電体レンズ51を利用してマイクロ波を大面積の基板60に対して波面が平行となる平面波として進行させることによってプラズマ密度分布を均一に形成する。また、望ましくは、波形ホーンアンテナ53をさらに備えて電場を電場の放射方向軸に垂直な平面で強度分布を均一にして従来のECRによって発生する電子密度よりさらに高密度のプラズマを発生させうる。ここで、真空チャンバー65の内部には必要によってスパッタガンのような装置をさらに設けてプラズマエッチングを実施できる。
前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それは発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施例の例示として解釈されなければならない。
例えば、当業者なら、本発明の技術的思想によって多様なエッチング装置に更に本発明を適用できる。したがって、本発明の範囲は、説明された実施例によって決定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されなければならない。
本発明は、誘電体レンズ及び望ましくは波形ホーンアンテナを備える高密度の均一したプラズマを生成できるプラズマ発生システムに関するものであり、例えば、300mm LCDのような大面積の基板を使用する素子に効果的に適用可能である。
従来のECRプラズマ装置を簡略に示す構成図である。 本発明の実施例によるプラズマ発生システムを簡略に示す断面図である。
符号の説明
50 マイクロ波変換チャンバー
51 誘電体レンズ
53 波形ホーンアンテナ
54 マイクロ波発生装置
55 高周波電源
56 導波管
57 変換器
59 電磁気コイル
60 基板
65 真空チャンバー
67 基板ホルダー

Claims (11)

  1. マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、
    前記マイクロ波の波面を変化させて平面波として進行させる屈折装置を含むチャンバーと、
    前記マイクロ波により励起されるソースガスが導入される真空チャンバーと、
    前記マイクロ波によって前記ソースガスにより形成されるプラズマに磁場を印加して電子サイクロトロン共鳴を発生させる電磁気装置と、を備えることを特徴とするプラズマ発生システム。
  2. 前記屈折装置は、誘電体レンズであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。
  3. 前記誘電体レンズは、アルミナよりなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。
  4. 前記マイクロ波発生装置は、
    前記マイクロ波を発生させる高周波電源と、
    前記高周波電源に連結されて前記マイクロ波を進行させる導波管と、
    前記導波管の出口に位置し、前記マイクロ波を当該マイクロ波伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換器と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。
  5. 前記屈折装置の下部に、前記プラズマによってエッチングされる基板と、
    前記基板が載置される基板ホルダーが内部に設置される真空チャンバーと、をさらに連結されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。
  6. マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、
    前記マイクロ波の電場を放射方向軸に垂直な平面において均一に形成させるアンテナと、
    前記マイクロ波の波面を前記基板に対して平行な平面とする屈折装置を含むチャンバーと、
    前記マイクロ波によってソースガスにより形成されるプラズマに磁場を印加して電子サイクロトロン共鳴を発生させる電磁気装置と、を備えることを特徴とするプラズマ発生システム。
  7. 前記屈折装置は、誘電体レンズであることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
  8. 前記誘電体レンズは、アルミナよりなることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ発生システム。
  9. 前記アンテナは、前記マイクロ波の放射方向に幅が広くなり、内壁には波形が形成された波形ホーンアンテナであることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
  10. 前記マイクロ波発生装置は、
    前記マイクロ波を発生させる高周波電源と、
    前記高周波電源に連結されて前記マイクロ波を進行させる導波管と、
    前記導波管の出口に位置し、前記マイクロ波の当該マイクロ波伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換器と、を備えることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
  11. 前記屈折装置の下部に、前記プラズマによってエッチングされる基板と、
    前記基板が載置される基板ホルダーが内部に設置される真空チャンバーと、がさらに連結されることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7198541B1 (ja) 2022-06-10 2023-01-04 株式会社ニッシン プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323400B2 (en) * 2004-08-30 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Plasma processing, deposition and ALD methods
KR20100017554A (ko) * 2007-05-25 2010-02-16 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 화합물계 박막 및 그 형성 방법, 그리고 그 박막을 이용한 전자 장치
CN103974516B (zh) * 2014-05-22 2016-08-24 哈尔滨工业大学 磁场与电场相互垂直条件下磁化等离子体中微波和等离子体相互作用装置
CN103983861B (zh) * 2014-05-22 2017-03-22 哈尔滨工业大学 微波与等离子体相互作用装置
CN105657951B (zh) * 2016-03-22 2018-06-12 东北石油大学 圆形波导内h11模式电磁波对等离子体的加热装置
CN108566717A (zh) * 2018-06-29 2018-09-21 合肥中科离子医学技术装备有限公司 采用微波垂直注入激励等离子体发生装置
KR20220099004A (ko) 2021-01-05 2022-07-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치
CN113652674A (zh) * 2021-09-07 2021-11-16 佛山市思博睿科技有限公司 一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234526A (en) 1991-05-24 1993-08-10 Lam Research Corporation Window for microwave plasma processing device
US5534069A (en) * 1992-07-23 1996-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Method of treating active material
US5445324A (en) * 1993-01-27 1995-08-29 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Pressurized feed-injection spray-forming apparatus
JPH1131686A (ja) * 1997-05-14 1999-02-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法及びその装置
JP3925000B2 (ja) * 1999-09-06 2007-06-06 株式会社日立製作所 噴霧器及びそれを用いた分析装置
US20020062789A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Tue Nguyen Apparatus and method for multi-layer deposition
JP4554065B2 (ja) * 2000-12-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2003006181A1 (en) * 2001-07-10 2003-01-23 3M Innovative Properties Company Coated medicinal inhalation devices and components method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7198541B1 (ja) 2022-06-10 2023-01-04 株式会社ニッシン プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法
JP2023180742A (ja) * 2022-06-10 2023-12-21 株式会社ニッシン プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法

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Publication number Publication date
US20040140778A1 (en) 2004-07-22
CN1268178C (zh) 2006-08-02
JP4057541B2 (ja) 2008-03-05
KR101022767B1 (ko) 2011-03-17
US7015413B2 (en) 2006-03-21
CN1518401A (zh) 2004-08-04
KR20040065644A (ko) 2004-07-23

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