JP2004221087A - プラズマ発生システム - Google Patents
プラズマ発生システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004221087A JP2004221087A JP2004008354A JP2004008354A JP2004221087A JP 2004221087 A JP2004221087 A JP 2004221087A JP 2004008354 A JP2004008354 A JP 2004008354A JP 2004008354 A JP2004008354 A JP 2004008354A JP 2004221087 A JP2004221087 A JP 2004221087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- generation system
- plasma
- plasma generation
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/16—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields
- H05H1/18—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields wherein the fields oscillate at very high frequency, e.g. in the microwave range, e.g. using cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【解決手段】マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置54と、マイクロ波の波面をプラズマ処理すべき基板に対して平行な平面とする屈折装置51と、マイクロ波によって形成されるプラズマに磁場を印加してECRを発生させる電磁気装置59とを備えるプラズマ発生システムである。これにより、プラズマ生成効率を向上させて大面積基板60をエッチングできる高密度プラズマを均一に生成できる。
【選択図】 図2
Description
51 誘電体レンズ
53 波形ホーンアンテナ
54 マイクロ波発生装置
55 高周波電源
56 導波管
57 変換器
59 電磁気コイル
60 基板
65 真空チャンバー
67 基板ホルダー
Claims (11)
- マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、
前記マイクロ波の波面を変化させて平面波として進行させる屈折装置を含むチャンバーと、
前記マイクロ波により励起されるソースガスが導入される真空チャンバーと、
前記マイクロ波によって前記ソースガスにより形成されるプラズマに磁場を印加して電子サイクロトロン共鳴を発生させる電磁気装置と、を備えることを特徴とするプラズマ発生システム。 - 前記屈折装置は、誘電体レンズであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。
- 前記誘電体レンズは、アルミナよりなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。
- 前記マイクロ波発生装置は、
前記マイクロ波を発生させる高周波電源と、
前記高周波電源に連結されて前記マイクロ波を進行させる導波管と、
前記導波管の出口に位置し、前記マイクロ波を当該マイクロ波伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換器と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。 - 前記屈折装置の下部に、前記プラズマによってエッチングされる基板と、
前記基板が載置される基板ホルダーが内部に設置される真空チャンバーと、をさらに連結されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム。 - マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、
前記マイクロ波の電場を放射方向軸に垂直な平面において均一に形成させるアンテナと、
前記マイクロ波の波面を前記基板に対して平行な平面とする屈折装置を含むチャンバーと、
前記マイクロ波によってソースガスにより形成されるプラズマに磁場を印加して電子サイクロトロン共鳴を発生させる電磁気装置と、を備えることを特徴とするプラズマ発生システム。 - 前記屈折装置は、誘電体レンズであることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
- 前記誘電体レンズは、アルミナよりなることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ発生システム。
- 前記アンテナは、前記マイクロ波の放射方向に幅が広くなり、内壁には波形が形成された波形ホーンアンテナであることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
- 前記マイクロ波発生装置は、
前記マイクロ波を発生させる高周波電源と、
前記高周波電源に連結されて前記マイクロ波を進行させる導波管と、
前記導波管の出口に位置し、前記マイクロ波の当該マイクロ波伝播軸を対称軸とし断面が円対称モードとなるマイクロ波に変換する変換器と、を備えることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。 - 前記屈折装置の下部に、前記プラズマによってエッチングされる基板と、
前記基板が載置される基板ホルダーが内部に設置される真空チャンバーと、がさらに連結されることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ発生システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030002723A KR101022767B1 (ko) | 2003-01-15 | 2003-01-15 | 플라즈마 발생 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004221087A true JP2004221087A (ja) | 2004-08-05 |
JP4057541B2 JP4057541B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=32709887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004008354A Expired - Fee Related JP4057541B2 (ja) | 2003-01-15 | 2004-01-15 | プラズマ発生システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7015413B2 (ja) |
JP (1) | JP4057541B2 (ja) |
KR (1) | KR101022767B1 (ja) |
CN (1) | CN1268178C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7198541B1 (ja) | 2022-06-10 | 2023-01-04 | 株式会社ニッシン | プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7323400B2 (en) * | 2004-08-30 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Plasma processing, deposition and ALD methods |
KR20100017554A (ko) * | 2007-05-25 | 2010-02-16 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 화합물계 박막 및 그 형성 방법, 그리고 그 박막을 이용한 전자 장치 |
CN103974516B (zh) * | 2014-05-22 | 2016-08-24 | 哈尔滨工业大学 | 磁场与电场相互垂直条件下磁化等离子体中微波和等离子体相互作用装置 |
CN103983861B (zh) * | 2014-05-22 | 2017-03-22 | 哈尔滨工业大学 | 微波与等离子体相互作用装置 |
CN105657951B (zh) * | 2016-03-22 | 2018-06-12 | 东北石油大学 | 圆形波导内h11模式电磁波对等离子体的加热装置 |
CN108566717A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-21 | 合肥中科离子医学技术装备有限公司 | 采用微波垂直注入激励等离子体发生装置 |
KR20220099004A (ko) | 2021-01-05 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
CN113652674A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-16 | 佛山市思博睿科技有限公司 | 一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234526A (en) | 1991-05-24 | 1993-08-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
US5534069A (en) * | 1992-07-23 | 1996-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of treating active material |
US5445324A (en) * | 1993-01-27 | 1995-08-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Pressurized feed-injection spray-forming apparatus |
JPH1131686A (ja) * | 1997-05-14 | 1999-02-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
JP3925000B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2007-06-06 | 株式会社日立製作所 | 噴霧器及びそれを用いた分析装置 |
US20020062789A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-05-30 | Tue Nguyen | Apparatus and method for multi-layer deposition |
JP4554065B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2003006181A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | 3M Innovative Properties Company | Coated medicinal inhalation devices and components method |
-
2003
- 2003-01-15 KR KR1020030002723A patent/KR101022767B1/ko active IP Right Grant
- 2003-11-25 CN CNB2003101181928A patent/CN1268178C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-13 US US10/755,474 patent/US7015413B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-01-15 JP JP2004008354A patent/JP4057541B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7198541B1 (ja) | 2022-06-10 | 2023-01-04 | 株式会社ニッシン | プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法 |
JP2023180742A (ja) * | 2022-06-10 | 2023-12-21 | 株式会社ニッシン | プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040140778A1 (en) | 2004-07-22 |
CN1268178C (zh) | 2006-08-02 |
JP4057541B2 (ja) | 2008-03-05 |
KR101022767B1 (ko) | 2011-03-17 |
US7015413B2 (en) | 2006-03-21 |
CN1518401A (zh) | 2004-08-04 |
KR20040065644A (ko) | 2004-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8039772B2 (en) | Microwave resonance plasma generating apparatus and plasma processing system having the same | |
EP1984975B1 (en) | Method and apparatus for producing plasma | |
JP5243457B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置の天板、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US6204606B1 (en) | Slotted waveguide structure for generating plasma discharges | |
US6062163A (en) | Plasma initiating assembly | |
JP3739137B2 (ja) | プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を使用した表面処理装置 | |
JP2002280196A (ja) | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 | |
JP4057541B2 (ja) | プラズマ発生システム | |
JPH09289099A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
JPH01184922A (ja) | エッチング、アッシング及び成膜等に有用なプラズマ処理装置 | |
JPH10177994A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JP2011515030A (ja) | インピーダンス遷移部との統合マイクロ波導波管 | |
JPH09293599A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
JP3757159B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH06267863A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
Hur et al. | l: il: l: i:: t: li: lil | |
JPH09321030A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP3957565B2 (ja) | プラズマ処理装置、処理装置および処理方法 | |
JPH0653170A (ja) | Ecrプラズマエッチング装置 | |
JPH08171998A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH08246146A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
JP4486068B2 (ja) | プラズマ生成方法 | |
KR20070024204A (ko) | 마이크로웨이브 플라즈마 방전 시스템 | |
JPS61214523A (ja) | プラズマ反応処理装置 | |
JPH04120276A (ja) | 表面処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061102 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |