JP2004219280A - 異物検査装置、および異物検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン付き基板の異物検査において、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができる異物検査装置を提供する。
【解決手段】被検査基板1の表面に対してほぼ平行となる軸を光軸として、被検査基板1の表面に対してS偏光のビームを照明部3により照射する。ラインセンサ6は、受光角β1が鋭角で、かつ、前記ビームとの差角が30°以内となる光軸にて、反射光、散乱光、および回折光中の被検査基板1の表面に対してP偏光の成分を検出する。ラインセンサ8は、受光角β2が仰角で、かつ、前記ビームとの差角がほぼ0°となる光軸にて、反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出する。そして、ラインセンサ6および8より得た検出結果を演算し、パターンからの回折光の影響を除去して異物の存在を判定する。
【選択図】 図1
【解決手段】被検査基板1の表面に対してほぼ平行となる軸を光軸として、被検査基板1の表面に対してS偏光のビームを照明部3により照射する。ラインセンサ6は、受光角β1が鋭角で、かつ、前記ビームとの差角が30°以内となる光軸にて、反射光、散乱光、および回折光中の被検査基板1の表面に対してP偏光の成分を検出する。ラインセンサ8は、受光角β2が仰角で、かつ、前記ビームとの差角がほぼ0°となる光軸にて、反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出する。そして、ラインセンサ6および8より得た検出結果を演算し、パターンからの回折光の影響を除去して異物の存在を判定する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査対象の検査面に存在する異物を検出するための異物検査装置および異物検査方法に関し、主として半導体製造工程および液晶ディスプレイ製造工程におけるパターン付き基板の異物検査に用いる異物検査装置、および異物検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体ウェハは、シリコンウェハの表面にトランジスタや配線などの微細なパターンが形成されているが、このようなパターン付き基板の表面に異物が付着すると製品の品質が劣化することになるので、異物を検出するための検査を行う必要がある。
【0003】
パターン付き基板の異物検査は、検査対象であるパターン付き基板の表面(検査面)にビームを照射し、異物により発生する散乱光を検出することによって行われるが、ここで重要となるのは、異物により発生する散乱光とパターンにより発生する反射光および回折光との弁別である。そのため、従来は図4に示す構成により、ノイズ光である反射光および回折光を受光し難くして、異物の検出を行っていた。
【0004】
図4は従来の異物検査装置の構成の概略を示す図である。この異物検査装置は、ノイズ光である反射光および回折光を受光し難くするために、異物により発生する散乱光とパターンにより発生する反射光および回折光の偏光の特性を利用している。すなわち、検査面に対してS偏光の光を照射すると、散乱光は検査面に対してP偏光となるのに対し、反射光および回折光はS偏光のままであることから、検査面に対してS偏光の光(ビーム)を照射するようにし、かつ受光系側に検査面に対してP偏光の光を透過する偏光フィルタを設置している。さらに、散乱光の光強度は前方と後方で強く、回折光の光強度は後方ほど弱くなることから後方受光方式を採用している。また、P偏光成分の光を透過する偏光フィルタはS偏光成分の光を完全に遮光できず、光強度が強いほど透過するS偏光成分の光量も増加することになる。そのため、具体的には、以下に説明する構成としている。
【0005】
図4において、1は検査対象である被検査基板、2は検出すべき異物であり、かつ照明系の焦点面でもある。3は照明部であり、レーザ光源と、レーザ光源からの光を平行光化し検査面である被検査基板1の表面が焦点面となるようにライン状に結像する照射系レンズと、被検査基板1の表面に対してS偏光の光を透過する偏光フィルタとからなる。この照明系の光軸(照明部3の光軸)は、被検査基板1の表面に対してほぼ平行、すなわち小さな角(照明角α)でもって交わるように設定されている。具体的には被検査基板1の表面に対して1°〜5°となる角でもって交わるように設定するのが好適である。照明角αが大きくなると、アルミ配線などの反射率の大きいパターンからの反射光および回折光の光強度が強くなるためである。
【0006】
また、検出部は、被検査基板1の表面に対してP偏光の光を透過する偏光フィルタ4と、照明系レンズの焦点面を前側の焦点面とする受光系レンズ5と、この受光系レンズ5の結像面に配置されたラインセンサ6からなる。ラインセンサ6は受光した光を光電変換し、図示しない判定部へ出力する。該判定部は、該検出部による検出結果から異物の存在を判定する。この受光系の光軸(検出部の光軸)は、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β)が鋭角となり、かつ、照明系の光軸との差角が30°以内となるように設定する。
【0007】
続いて、受光角βを鋭角とする理由について、図5を用いて説明する。図5は、受光角βをパラメータとしたときの、検出部にて受光される(ラインセンサ6が受光する)異物からの散乱光(異物からの検出光)の光量と、パターンからの反射光および回折光(パターンからの検出光)の光量を示す図である。図5に示すように、受光角βは、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比が大きくなる90°未満であることが望ましく、特に30°以下であるとなおよい。
【0008】
従来は、以上のような構成とすることにより、ノイズ光である反射光および回折光を受光し難くして、異物からの検出光の光量をパターンからの検出光の光量より著しく向上させ、異物を検出していた(例えば、特許文献1参照。)。
【0009】
パターン付き基板の異物検査においては、品質劣化防止のため、パターンルールと同程度のサイズの異物を検出することが要求されるが、近年、パターンルールの微細化により検出が要求される異物のサイズもますます微小になってきている。例えば、パターンルールが0.13μmルールの基板の下では、0.1μm程度の異物の検出が要求されることになる。
【0010】
しかしながら、このパターンルールの微細化にともない、上記従来の異物検査装置によっても上記S/N比が低下するという問題が生じてきた。以下、この理由について説明する。
【0011】
図6は回折光の発生の様子を示している。図6に示すように回折角はパターンピッチに反比例するため、パターンルールが微細になりパターンピッチが小さくなると光強度の強い低次の回折光が後方に設置した検出部へ入りやすくなる。一方、パターンルールの微細化が進むほど、検出が要求される異物のサイズが微小となるが、異物のサイズが微小となるほど散乱光の光強度は弱くなる。そのため、パターンルールの微細化が進むほど、検出部にて受光されるパターンからの検出光の光量が増加し、異物からの検出光の光量が減少することになり、上記S/N比が低下する。
【0012】
なお、別の従来例として、パターンの繰り返し性を利用して、パターンにより発生する反射光および回折光を光学的に除去するものがある。しかしながら、この方法では、繰り返し性を利用しているが故に、半導体記憶装置のようなパターンが繰り返される基板には有効であるが、CPUやシステムLSIなどのパターンの繰り返されない基板には効果がない。
【0013】
【特許文献1】
特許第3140664号明細書
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑み、検査面とのなす角が仰角で、かつ、照明系の光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出した結果と、従来の検出部における検出結果を演算することにより、微細なパターンにより発生する回折光の影響を除去し、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができ、かつ、パターンの繰り返されない基板における異物検査を可能とする異物検査装置、および異物検査方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1記載の異物検査装置は、検査対象の検査面に対してほぼ平行な軸を光軸とするように配置され、前記検査対象の検査面に対してS偏光のビームを照射する照明部と、検査面とのなす角が鋭角で、かつ、前記照明部の光軸との差角が30°以内となる光軸にて、前記照明部が照射するビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光中の検査面に対してP偏光の成分を検出する第1の検出部と、検査面とのなす角が仰角で、かつ、前記照明部の光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、前記照明部が照射するビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出する第2の検出部と、前記第1の検出部および前記第2の検出部により得られた検出結果を演算し異物の存在を判定する判定部と、を備えていることを特徴とする。
【0016】
本発明の請求項2記載の異物検査方法は、検査対象の検査面に対してS偏光のビームを前記検査対象の検査面に対してほぼ平行な軸が光軸となるように照射し、検査面とのなす角が鋭角で、かつ、前記ビームの光軸との差角が30°以内となる光軸にて、前記ビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光中の検査面に対してP偏光の成分を検出するとともに、検査面とのなす角が仰角で、かつ、前記ビームの光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、前記ビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出し、これらの検出結果を演算して異物の存在を判定することを特徴とする。
【0017】
以上により、本発明によれば、微細なパターンにより発生する回折光の影響を除去し、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができるので、微細なパターンからなるパターン付き基板においても異物検査が可能となり、かつ、パターンの繰り返されない基板においても異物検査が可能となる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る異物検査装置について、図面を参照しながら説明する。なお、ここで示す実施の形態はあくまでも一例であって、必ずしも以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で変形しても良い。
【0019】
図1は本実施の形態における異物検査装置の構成の概略を示す図である。図1において、1は検査対象物である被検査基板、2は検出すべき異物であり、かつ照明系の焦点面でもある。3は照明部であり、レーザ光源と、レーザ光源からの光を平行光化し検査面である被検査基板1の表面が焦点面となるようにライン状に結像する照射系レンズと、被検査基板1の表面に対してS偏光の光を透過する偏光フィルタとからなる。この照明系の光軸(照明部3の光軸)は、被検査基板1の表面に対してほぼ平行、すなわち小さな角(照明角α)でもって交わるように設定されている。上述したように、具体的には被検査基板1の表面に対して1°〜5°となる角でもって交わるように設定するのが好適である。ここでは、約2°に設定している。
【0020】
また、第1の検出部は、被検査基板1の表面に対してP偏光の光を透過する偏光フィルタ4と、照明系レンズの焦点面を前側の焦点面とする第1の受光系レンズ5と、この第1の受光系レンズ5の結像面に配置されたラインセンサ6からなる。ラインセンサ6は受光した光を光電変換し、図示しない判定部へ出力する。
【0021】
この第1の受光系の光軸(第1の検出部の光軸)は、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β1)が鋭角となるように設定する。上述したように、受光角β1は、特に30°以下とするのが望ましく、ここでは約30°となるように設定されている。また、照明系の光軸との差角は30°以内となるように設定する。
【0022】
第1の受光系レンズ5の開口角はその光軸を中心とする開口角であり、異物により発生する散乱光を効率良く受光するために、ここでは紙紙面水平方向、紙面垂直方向ともに17.5°(θ1)に設定している。
【0023】
一方、第2の検出部は、照明系レンズの焦点面を前側の焦点面とする第2の受光系レンズ7と、この第2の受光系レンズ7の結像面に配置されたラインセンサ8からなる。ラインセンサ6は受光した光を光電変換し、上記判定部へ出力する。
【0024】
第2の受光系の光軸(第2の検出部の光軸)は、パターンにより発生する回折光を効率良く受光するために、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β2)が仰角となり、かつ、照明系の光軸との差角がほぼ0°となるように設定する。ここでは、受光角β2は90°に設定されている。
【0025】
第2の受光系レンズ7の開口角はその光軸を中心とする開口角であり、パターンにより発生する回折光を効率良く受光するために、ここでは紙面水平方向に20°(θ2)、紙面垂直方向に1°に設定している。
【0026】
以上のように構成された異物検査装置の異物検査方法に係る動作について説明する。まず、検査対象である被検査基板1の表面(検査面)に対してS偏光のビームを照明系3から照射する。このビームはライン状で被検査基板1の表面に対しほぼ平行に照射される。この照明系3からのラインビームが照射する領域の表面に異物やパターンが存在すると、散乱光や反射光、回折光が発生し、その光の一部が第1および第2の受光系レンズ5および7により集光され、ラインセンサ6および8に結像し、ラインセンサ6および8により光電変換される。上記判定部は、これら第1および第2の検出部により得られた検出結果を演算し、異物の存在を判定する。被検査基板1は図示しない移動テーブル上に載置されており、主走査と副走査により全面にわたり検査される。
【0027】
続いて、第2の受光系レンズ7の形状について図2を用いて詳しく説明する。図2(a)は第2の受光系レンズの形状を説明するための図であり、21は第2の受光系レンズ、22は照明系の光軸のベクトルとの方位角(差角)が0°を表す線である。23は図1における第2の受光系レンズの紙面垂直方向の巾を表してる。この巾は、上述したように、第2の受光系レンズの紙面垂直方向の開口角が1°となるように形成されている。24は図1における第2の受光系レンズの紙面水平方向の巾を表している。この巾は、上述したように、第2の受光系レンズの紙面水平方向の開口角θ2が20°となるように形成されている。
【0028】
なお、参考のために図2(b)に第1の受光系レンズの形状を示す。25は第1の受光系レンズである。第1の受光系レンズの形状は、上述したように、開口角θ1が、紙面水平方向、垂直方向ともに17.5°となるように形成されている。
【0029】
第2の受光系レンズの形状をこのように細長い形状とした理由について図3を用いて説明する。図3(a)は、第2の受光系レンズ31に回折光32、33、34が入光されている様子を示している。なお、参考のために図3(b)に第2の受光系レンズ35に散乱光36が入光されている様子を示す。
【0030】
異物にラインビームが照射されると広い分布を有する散乱光が発生する。一方、パターンにラインビームが照射されると反射光の他に回折光が発生する。回折光は、照明系の光軸のベクトルとの方位角(差角)が0°の平面に沿って、ピーキーな分布を持つ。そこで、パターンにより発生する回折光を効率良く受光し、異物により発生する散乱光を受光し難くするために、第2の受光系レンズの形状をこのような細長い形状にし、また第2の受光系の光軸を、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β2)が仰角となり、かつ、照明系の光軸との差角がほぼ0°となるようにする。さらに、第2の受光系が第1の受光系と干渉しないようにする必要がある。そのため受光角β2は、70°から110°の範囲で設定するのが好適である。
【0031】
なお、第1の受光系の役割は、異物からの散乱光をできるだけ効率良く受光することにあるため、通常の円形の形状としている(図3(b)参照。)。
続いて、第1の検出部と第2の検出部の検出結果から、異物の存在を判定する判定方法について説明する。上記判定部は、第1の検出部の検出結果(ラインセンサ6により受光した光を光電変換した結果)から第2の検出部の検出結果(ラインセンサ8により受光した光を光電変換した結果)を引き算し、この引き算の結果が所定のしきい値をこえたとき、異物と判定する。
【0032】
第2の検出部では、散乱光、反射光、回折光のすべての成分を検出することになるが、このように引き算を行っても有効に判定できる理由を図5と図6を用いて説明する。ここでは、説明を簡単にするために、ラインセンサ6が受光した光の光量からラインセンサ8が受光した光の光量を引き算し、残りの光量が所定量をこえたとき、異物と判定するものとする。
【0033】
異物により発生する散乱光は、図5のグラフ中の△で表されるように、受光角30°と90°を比較すると、受光角30°における光量の方が大である。従って、引き算を行っても、ラインセンサ6が受光した光量のうち、異物により発生する散乱光の光量はそれほど減少しない。一方、パターンにより発生する回折光の光量は、図6に示すように、次数が増えるほど低下する。従って、受光角30°と90°を比較すると、受光角90°における光量の方が大となる。従って、引き算をすることにより、ラインセンサ6が受光した光量のうち、パターンにより発生する回折光の光量は確実に除去される。
【0034】
このようにパターンにより発生する回折光の影響を除去することができるので、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができる。
【0035】
なお、本実施の形態では、照明系に固定のライン状の照明、受光系にラインセンサを用いたが、照明系にレーザースキャニング照明、受光系にフォトマル等の点受光系を用いても良い。
【0036】
【発明の効果】
以上により、本発明によれば、微細なパターンにより発生する回折光の影響を除去し、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができるので、微細なパターンからなるパターン付き基板においても異物検査が可能となり、かつ、パターンの繰り返されない基板においても異物検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による実施の形態における異物検査装置の構成の概略を示す図
【図2】本発明による実施の形態における異物検査装置の受光系レンズの形状を説明するための図
【図3】本発明による実施の形態における異物検査装置の受光系レンズの形状の理由を説明するための図
【図4】従来の異物検査装置の構成の概略を示す図
【図5】受光系(第1の受光系)に受光される光量を示す図
【図6】回折光の発生の様子を示す図
【符号の説明】
1 被検査基板
2 異物
3 照明部
4 偏光フィルタ
5 受光系レンズ(第1の受光系レンズ)
6 ラインセンサ
7 第2の受光系レンズ
8 ラインセンサ
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査対象の検査面に存在する異物を検出するための異物検査装置および異物検査方法に関し、主として半導体製造工程および液晶ディスプレイ製造工程におけるパターン付き基板の異物検査に用いる異物検査装置、および異物検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体ウェハは、シリコンウェハの表面にトランジスタや配線などの微細なパターンが形成されているが、このようなパターン付き基板の表面に異物が付着すると製品の品質が劣化することになるので、異物を検出するための検査を行う必要がある。
【0003】
パターン付き基板の異物検査は、検査対象であるパターン付き基板の表面(検査面)にビームを照射し、異物により発生する散乱光を検出することによって行われるが、ここで重要となるのは、異物により発生する散乱光とパターンにより発生する反射光および回折光との弁別である。そのため、従来は図4に示す構成により、ノイズ光である反射光および回折光を受光し難くして、異物の検出を行っていた。
【0004】
図4は従来の異物検査装置の構成の概略を示す図である。この異物検査装置は、ノイズ光である反射光および回折光を受光し難くするために、異物により発生する散乱光とパターンにより発生する反射光および回折光の偏光の特性を利用している。すなわち、検査面に対してS偏光の光を照射すると、散乱光は検査面に対してP偏光となるのに対し、反射光および回折光はS偏光のままであることから、検査面に対してS偏光の光(ビーム)を照射するようにし、かつ受光系側に検査面に対してP偏光の光を透過する偏光フィルタを設置している。さらに、散乱光の光強度は前方と後方で強く、回折光の光強度は後方ほど弱くなることから後方受光方式を採用している。また、P偏光成分の光を透過する偏光フィルタはS偏光成分の光を完全に遮光できず、光強度が強いほど透過するS偏光成分の光量も増加することになる。そのため、具体的には、以下に説明する構成としている。
【0005】
図4において、1は検査対象である被検査基板、2は検出すべき異物であり、かつ照明系の焦点面でもある。3は照明部であり、レーザ光源と、レーザ光源からの光を平行光化し検査面である被検査基板1の表面が焦点面となるようにライン状に結像する照射系レンズと、被検査基板1の表面に対してS偏光の光を透過する偏光フィルタとからなる。この照明系の光軸(照明部3の光軸)は、被検査基板1の表面に対してほぼ平行、すなわち小さな角(照明角α)でもって交わるように設定されている。具体的には被検査基板1の表面に対して1°〜5°となる角でもって交わるように設定するのが好適である。照明角αが大きくなると、アルミ配線などの反射率の大きいパターンからの反射光および回折光の光強度が強くなるためである。
【0006】
また、検出部は、被検査基板1の表面に対してP偏光の光を透過する偏光フィルタ4と、照明系レンズの焦点面を前側の焦点面とする受光系レンズ5と、この受光系レンズ5の結像面に配置されたラインセンサ6からなる。ラインセンサ6は受光した光を光電変換し、図示しない判定部へ出力する。該判定部は、該検出部による検出結果から異物の存在を判定する。この受光系の光軸(検出部の光軸)は、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β)が鋭角となり、かつ、照明系の光軸との差角が30°以内となるように設定する。
【0007】
続いて、受光角βを鋭角とする理由について、図5を用いて説明する。図5は、受光角βをパラメータとしたときの、検出部にて受光される(ラインセンサ6が受光する)異物からの散乱光(異物からの検出光)の光量と、パターンからの反射光および回折光(パターンからの検出光)の光量を示す図である。図5に示すように、受光角βは、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比が大きくなる90°未満であることが望ましく、特に30°以下であるとなおよい。
【0008】
従来は、以上のような構成とすることにより、ノイズ光である反射光および回折光を受光し難くして、異物からの検出光の光量をパターンからの検出光の光量より著しく向上させ、異物を検出していた(例えば、特許文献1参照。)。
【0009】
パターン付き基板の異物検査においては、品質劣化防止のため、パターンルールと同程度のサイズの異物を検出することが要求されるが、近年、パターンルールの微細化により検出が要求される異物のサイズもますます微小になってきている。例えば、パターンルールが0.13μmルールの基板の下では、0.1μm程度の異物の検出が要求されることになる。
【0010】
しかしながら、このパターンルールの微細化にともない、上記従来の異物検査装置によっても上記S/N比が低下するという問題が生じてきた。以下、この理由について説明する。
【0011】
図6は回折光の発生の様子を示している。図6に示すように回折角はパターンピッチに反比例するため、パターンルールが微細になりパターンピッチが小さくなると光強度の強い低次の回折光が後方に設置した検出部へ入りやすくなる。一方、パターンルールの微細化が進むほど、検出が要求される異物のサイズが微小となるが、異物のサイズが微小となるほど散乱光の光強度は弱くなる。そのため、パターンルールの微細化が進むほど、検出部にて受光されるパターンからの検出光の光量が増加し、異物からの検出光の光量が減少することになり、上記S/N比が低下する。
【0012】
なお、別の従来例として、パターンの繰り返し性を利用して、パターンにより発生する反射光および回折光を光学的に除去するものがある。しかしながら、この方法では、繰り返し性を利用しているが故に、半導体記憶装置のようなパターンが繰り返される基板には有効であるが、CPUやシステムLSIなどのパターンの繰り返されない基板には効果がない。
【0013】
【特許文献1】
特許第3140664号明細書
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑み、検査面とのなす角が仰角で、かつ、照明系の光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出した結果と、従来の検出部における検出結果を演算することにより、微細なパターンにより発生する回折光の影響を除去し、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができ、かつ、パターンの繰り返されない基板における異物検査を可能とする異物検査装置、および異物検査方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1記載の異物検査装置は、検査対象の検査面に対してほぼ平行な軸を光軸とするように配置され、前記検査対象の検査面に対してS偏光のビームを照射する照明部と、検査面とのなす角が鋭角で、かつ、前記照明部の光軸との差角が30°以内となる光軸にて、前記照明部が照射するビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光中の検査面に対してP偏光の成分を検出する第1の検出部と、検査面とのなす角が仰角で、かつ、前記照明部の光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、前記照明部が照射するビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出する第2の検出部と、前記第1の検出部および前記第2の検出部により得られた検出結果を演算し異物の存在を判定する判定部と、を備えていることを特徴とする。
【0016】
本発明の請求項2記載の異物検査方法は、検査対象の検査面に対してS偏光のビームを前記検査対象の検査面に対してほぼ平行な軸が光軸となるように照射し、検査面とのなす角が鋭角で、かつ、前記ビームの光軸との差角が30°以内となる光軸にて、前記ビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光中の検査面に対してP偏光の成分を検出するとともに、検査面とのなす角が仰角で、かつ、前記ビームの光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、前記ビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出し、これらの検出結果を演算して異物の存在を判定することを特徴とする。
【0017】
以上により、本発明によれば、微細なパターンにより発生する回折光の影響を除去し、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができるので、微細なパターンからなるパターン付き基板においても異物検査が可能となり、かつ、パターンの繰り返されない基板においても異物検査が可能となる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る異物検査装置について、図面を参照しながら説明する。なお、ここで示す実施の形態はあくまでも一例であって、必ずしも以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で変形しても良い。
【0019】
図1は本実施の形態における異物検査装置の構成の概略を示す図である。図1において、1は検査対象物である被検査基板、2は検出すべき異物であり、かつ照明系の焦点面でもある。3は照明部であり、レーザ光源と、レーザ光源からの光を平行光化し検査面である被検査基板1の表面が焦点面となるようにライン状に結像する照射系レンズと、被検査基板1の表面に対してS偏光の光を透過する偏光フィルタとからなる。この照明系の光軸(照明部3の光軸)は、被検査基板1の表面に対してほぼ平行、すなわち小さな角(照明角α)でもって交わるように設定されている。上述したように、具体的には被検査基板1の表面に対して1°〜5°となる角でもって交わるように設定するのが好適である。ここでは、約2°に設定している。
【0020】
また、第1の検出部は、被検査基板1の表面に対してP偏光の光を透過する偏光フィルタ4と、照明系レンズの焦点面を前側の焦点面とする第1の受光系レンズ5と、この第1の受光系レンズ5の結像面に配置されたラインセンサ6からなる。ラインセンサ6は受光した光を光電変換し、図示しない判定部へ出力する。
【0021】
この第1の受光系の光軸(第1の検出部の光軸)は、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β1)が鋭角となるように設定する。上述したように、受光角β1は、特に30°以下とするのが望ましく、ここでは約30°となるように設定されている。また、照明系の光軸との差角は30°以内となるように設定する。
【0022】
第1の受光系レンズ5の開口角はその光軸を中心とする開口角であり、異物により発生する散乱光を効率良く受光するために、ここでは紙紙面水平方向、紙面垂直方向ともに17.5°(θ1)に設定している。
【0023】
一方、第2の検出部は、照明系レンズの焦点面を前側の焦点面とする第2の受光系レンズ7と、この第2の受光系レンズ7の結像面に配置されたラインセンサ8からなる。ラインセンサ6は受光した光を光電変換し、上記判定部へ出力する。
【0024】
第2の受光系の光軸(第2の検出部の光軸)は、パターンにより発生する回折光を効率良く受光するために、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β2)が仰角となり、かつ、照明系の光軸との差角がほぼ0°となるように設定する。ここでは、受光角β2は90°に設定されている。
【0025】
第2の受光系レンズ7の開口角はその光軸を中心とする開口角であり、パターンにより発生する回折光を効率良く受光するために、ここでは紙面水平方向に20°(θ2)、紙面垂直方向に1°に設定している。
【0026】
以上のように構成された異物検査装置の異物検査方法に係る動作について説明する。まず、検査対象である被検査基板1の表面(検査面)に対してS偏光のビームを照明系3から照射する。このビームはライン状で被検査基板1の表面に対しほぼ平行に照射される。この照明系3からのラインビームが照射する領域の表面に異物やパターンが存在すると、散乱光や反射光、回折光が発生し、その光の一部が第1および第2の受光系レンズ5および7により集光され、ラインセンサ6および8に結像し、ラインセンサ6および8により光電変換される。上記判定部は、これら第1および第2の検出部により得られた検出結果を演算し、異物の存在を判定する。被検査基板1は図示しない移動テーブル上に載置されており、主走査と副走査により全面にわたり検査される。
【0027】
続いて、第2の受光系レンズ7の形状について図2を用いて詳しく説明する。図2(a)は第2の受光系レンズの形状を説明するための図であり、21は第2の受光系レンズ、22は照明系の光軸のベクトルとの方位角(差角)が0°を表す線である。23は図1における第2の受光系レンズの紙面垂直方向の巾を表してる。この巾は、上述したように、第2の受光系レンズの紙面垂直方向の開口角が1°となるように形成されている。24は図1における第2の受光系レンズの紙面水平方向の巾を表している。この巾は、上述したように、第2の受光系レンズの紙面水平方向の開口角θ2が20°となるように形成されている。
【0028】
なお、参考のために図2(b)に第1の受光系レンズの形状を示す。25は第1の受光系レンズである。第1の受光系レンズの形状は、上述したように、開口角θ1が、紙面水平方向、垂直方向ともに17.5°となるように形成されている。
【0029】
第2の受光系レンズの形状をこのように細長い形状とした理由について図3を用いて説明する。図3(a)は、第2の受光系レンズ31に回折光32、33、34が入光されている様子を示している。なお、参考のために図3(b)に第2の受光系レンズ35に散乱光36が入光されている様子を示す。
【0030】
異物にラインビームが照射されると広い分布を有する散乱光が発生する。一方、パターンにラインビームが照射されると反射光の他に回折光が発生する。回折光は、照明系の光軸のベクトルとの方位角(差角)が0°の平面に沿って、ピーキーな分布を持つ。そこで、パターンにより発生する回折光を効率良く受光し、異物により発生する散乱光を受光し難くするために、第2の受光系レンズの形状をこのような細長い形状にし、また第2の受光系の光軸を、被検査基板1の表面とのなす角(受光角β2)が仰角となり、かつ、照明系の光軸との差角がほぼ0°となるようにする。さらに、第2の受光系が第1の受光系と干渉しないようにする必要がある。そのため受光角β2は、70°から110°の範囲で設定するのが好適である。
【0031】
なお、第1の受光系の役割は、異物からの散乱光をできるだけ効率良く受光することにあるため、通常の円形の形状としている(図3(b)参照。)。
続いて、第1の検出部と第2の検出部の検出結果から、異物の存在を判定する判定方法について説明する。上記判定部は、第1の検出部の検出結果(ラインセンサ6により受光した光を光電変換した結果)から第2の検出部の検出結果(ラインセンサ8により受光した光を光電変換した結果)を引き算し、この引き算の結果が所定のしきい値をこえたとき、異物と判定する。
【0032】
第2の検出部では、散乱光、反射光、回折光のすべての成分を検出することになるが、このように引き算を行っても有効に判定できる理由を図5と図6を用いて説明する。ここでは、説明を簡単にするために、ラインセンサ6が受光した光の光量からラインセンサ8が受光した光の光量を引き算し、残りの光量が所定量をこえたとき、異物と判定するものとする。
【0033】
異物により発生する散乱光は、図5のグラフ中の△で表されるように、受光角30°と90°を比較すると、受光角30°における光量の方が大である。従って、引き算を行っても、ラインセンサ6が受光した光量のうち、異物により発生する散乱光の光量はそれほど減少しない。一方、パターンにより発生する回折光の光量は、図6に示すように、次数が増えるほど低下する。従って、受光角30°と90°を比較すると、受光角90°における光量の方が大となる。従って、引き算をすることにより、ラインセンサ6が受光した光量のうち、パターンにより発生する回折光の光量は確実に除去される。
【0034】
このようにパターンにより発生する回折光の影響を除去することができるので、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができる。
【0035】
なお、本実施の形態では、照明系に固定のライン状の照明、受光系にラインセンサを用いたが、照明系にレーザースキャニング照明、受光系にフォトマル等の点受光系を用いても良い。
【0036】
【発明の効果】
以上により、本発明によれば、微細なパターンにより発生する回折光の影響を除去し、異物からの検出光の光量をS、パターンからの検出光の光量をNとしたときのS/N比を向上させることができるので、微細なパターンからなるパターン付き基板においても異物検査が可能となり、かつ、パターンの繰り返されない基板においても異物検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による実施の形態における異物検査装置の構成の概略を示す図
【図2】本発明による実施の形態における異物検査装置の受光系レンズの形状を説明するための図
【図3】本発明による実施の形態における異物検査装置の受光系レンズの形状の理由を説明するための図
【図4】従来の異物検査装置の構成の概略を示す図
【図5】受光系(第1の受光系)に受光される光量を示す図
【図6】回折光の発生の様子を示す図
【符号の説明】
1 被検査基板
2 異物
3 照明部
4 偏光フィルタ
5 受光系レンズ(第1の受光系レンズ)
6 ラインセンサ
7 第2の受光系レンズ
8 ラインセンサ
Claims (2)
- 検査対象の検査面に対してほぼ平行な軸を光軸とするように配置され、前記検査対象の検査面に対してS偏光のビームを照射する照明部と、検査面とのなす角が鋭角で、かつ、前記照明部の光軸との差角が30°以内となる光軸にて、前記照明部が照射するビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光中の検査面に対してP偏光の成分を検出する第1の検出部と、検査面とのなす角が仰角で、かつ、前記照明部の光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、前記照明部が照射するビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出する第2の検出部と、前記第1の検出部および前記第2の検出部により得られた検出結果を演算し異物の存在を判定する判定部と、を備えていることを特徴とする異物検査装置。
- 検査対象の検査面に対してS偏光のビームを前記検査対象の検査面に対してほぼ平行な軸が光軸となるように照射し、検査面とのなす角が鋭角で、かつ、前記ビームの光軸との差角が30°以内となる光軸にて、前記ビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光中の検査面に対してP偏光の成分を検出するとともに、検査面とのなす角が仰角で、かつ、前記ビームの光軸との差角がほぼ0°となる光軸にて、前記ビームによって発生する反射光、散乱光、および回折光のすべての成分を検出し、これらの検出結果を演算して異物の存在を判定することを特徴とする異物検査方法。
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JP2003007706A JP2004219280A (ja) | 2003-01-16 | 2003-01-16 | 異物検査装置、および異物検査方法 |
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JP2015008241A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-15 | レーザーテック株式会社 | ビア形状測定装置及びビア検査装置 |
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- 2003-01-16 JP JP2003007706A patent/JP2004219280A/ja active Pending
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