JP2004219191A - 磁気センサ及び無接点スイッチ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】周方向半々ずつがそれぞれN極及びS極としたリング状の磁石16の円孔16aに磁気検出素子17を配置した。磁石16はリング状とされているため、円孔16a内の磁束は、X軸方向へ向かう磁束のみとなる。従って、磁気検出素子17がX軸方向へ向けてずれて配置されても、磁気検出素子17の検出面17aにかかる磁束密度のバラツキは少ない。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気センサ及び無接点スイッチに係り、詳しくは磁束密度の変化を検出する磁気検出素子を備えた磁気センサ及び無接点スイッチに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、有接点スイッチとして車両のシフト装置に設けられ、シフトレバーがニュートラル位置に位置しているか否かを検出するものが知られている。この有接点スイッチは、シフトレバーの根本を収容するハウジングに対して有接点スイッチの本体部を固定している。同有接点スイッチは、シフトレバーがニュートラル位置に位置する際に、シフトレバー自身或いはシフトレバーに付属したアクチュエータにより、前記本体部に設けられたスイッチ部を押圧する構成としている。このような、有接点スイッチの例として、特許文献1のものや、図9に示すようなプランジャ式の有接点スイッチが知られている。即ち、プランジャ式の有接点スイッチ101は本体部102から突出状態のプランジャ(スイッチ部)103を備えている。プランジャ103は、A矢印方向に移動するアクチュエータ104に押圧されて本体部102内へ後退(B矢印方向へ移動)することにより、前記本体部102内の対向接点105をON作動するように構成されている。
【0003】
ところで、前記アクチュエータ104がプランジャ103を本体部102内へ後退させる際には、プランジャ103を突出方向へ向けて付勢する付勢バネ106の付勢力に抗して操作を行うため、操作力の軽減のために無接点スイッチが提案されている。
【0004】
図10〜図14は、無接点スイッチの例を示している。図10に示すように、無接点スイッチ111は、円筒状をなすハウジング112と、GMR(巨大磁気抵抗素子)からなる磁気検出素子113と、同磁気検出素子113へバイアス磁界を付与する一対の磁石114,115とを備えている。前記一対の磁石114,115は、互いに対向するようにハウジング112の内周面に固定されている。前記両磁石114,115において、互いに対向する対向面114a,115aは互いに平行とされている。前記磁気検出素子113と、一対の磁石114,115とから磁気センサGが構成されている。
【0005】
以下、図11に示すように、磁石114,115における互いに対向する方向をX軸方向といい、そのX軸方向に直交する方向をY軸方向という。
ところで、図10及び図11に示すように、前記両磁石114,115は、上面、下面、及び2つの側面をそれぞれ備えている。前記両磁石114,115において、第1の側面は前記対向面114a,115aであり、第2の側面は前記ハウジング112の内周面に沿うように形成された湾曲面114b,115bである。即ち、図11に示すように、前記磁石114,115は、その中央からY軸方向の両側へかけて厚さが薄くなるように形成されている。
【0006】
図10に示すように、前記磁石114は上半分がN極、下半分がS極とされ、前記磁石115は上半分がS極、下半分がN極とされている。前記両磁石114,115の間には、前記磁気検出素子113が配置され、同磁気検出素子113は図示しない固定部材によりハウジング112に対して固定されている。前記磁気検出素子113は、ハウジング112の下面よりも僅かに(例えば0.5mm)上方に位置するように配置されている。
【0007】
そして、前記磁気検出素子113に対して磁性体からなるアクチュエータ116が対向する(図13参照)か、非対向となる(図12参照)かにより、前記両磁石114,115間に存在する磁束Zの方向が変化すると共に磁気検出素子113の検出面113aにかかる磁束密度も変化する。
【0008】
このようにアクチュエータ116が磁気検出素子113に対向するか非対向となるかにより、磁気検出素子113は、磁束密度の大きさに応じた検出信号をコンパレータ117へ出力する。コンパレータ117は、その検出信号を所定の閾値と比較してON/OFF信号を出力する。
【0009】
【特許文献1】
特開平9−97549号公報(段落番号「0010」、第2図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図11は、アクチュエータ116が対向位置及び非対向位置の両位置に位置する際において、両磁石114,115間に存在する磁束Zの向きを示した図である。図11に示すように、前記無接点スイッチ111においては、磁石114の対向面114aから磁石115の対向面115aへ発せられる磁束Z(以下、磁束Zaという)を有している。この磁束Zaは、前記対向面114aから前記対向面115aへ向けて直線的に発せられるものは少なく、大部分は湾曲して発せられる。特に、磁石114,115におけるY軸方向両端側から発せられる磁束Zaほど湾曲するようにして発せられる。
【0011】
また、図12は磁気検出素子113に対してアクチュエータ116が離間した状態、即ち、アクチュエータ116が非対向位置に位置した状態を示した図である。図12に示すように、磁石114の上面から両磁石114,115間を通過して磁石114の下面へ向かう磁束Z(以下、磁束Zbという)や、磁石115の下面から両磁石114,115間を通過して磁石115の上面へ向かう磁束Z(以下、磁束Zcという)も有している。さらに、図12に示すように、磁石114の上面から両磁石114,115間に進入して磁石115の上面へ向かう磁束Z(以下、磁束Zd)や、磁石115の下面から両磁石114,115間に進入して磁石114の下面へ向かう磁束Z(以下、磁束Zeという)も有している。このように、アクチュエータとの「非対向状態」においては、両磁石114,115間に、図11に示す磁束Za及び図12に示す磁束Zb,Zc,Zd,Zeが存在している。
【0012】
一方、図13は磁気検出素子113に対してアクチュエータ116が近接した状態、即ち、アクチュエータ116が対向位置に位置した状態を示した図である。図13に示すように、磁石114の対向面114aから発せられた磁束Z(以下、磁束Zfという)は、アクチュエータ116に近づくように湾曲して磁石115の対向面115aへ向かう。対向面114aにおいて、アクチュエータ116に近い側の部位から発せられる磁束Zfは、アクチュエータ116に遠い側の部位から発せられる磁束Zfよりも湾曲している。また、磁束Zfの一部はアクチュエータ116内を通過している。このように、「対向状態」においては、両磁石114,115間に、図11に示す磁束Za及び図13に示す磁束Zfが存在している。
【0013】
このように、両磁石114,115間には様々な方向へ向かう磁束が発生しているため、両磁石114,115に対して磁気検出素子113を配置する位置がずれると、磁気検出素子113の検出面113aにかかる磁束密度の大きさが大幅に変わってしまうという問題があった。
【0014】
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は磁気検出素子と磁石との相対位置がずれていても磁気検出素子にかかる磁束密度のバラツキを少なくできる磁気センサ及び無接点スイッチを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、周方向半々ずつがそれぞれN極及びS極とされると共に貫通孔を有するリング状の磁石と、前記磁石の前記貫通孔内に配置されると共に検出する磁束密度の大きさに応じた検出信号を出力する磁気検出素子とを備えたことを要旨とする。
【0016】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の磁気センサにおいて、前記磁石と前記磁気検出素子との離間距離を保持する保持手段を備えたことを要旨とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の磁気センサにおいて、前記磁気検出素子は、前記磁石の軸心に対して直交するように配置された検出面を備え、前記磁気検出素子を固定した非磁性体からなるリードフレームを備え、前記リードフレームは前記磁気検出素子を配置する配置部と、前記配置部に対して一体的に連結された導出部とを備え、前記配置部は前記貫通孔内に配置され、前記導出部は前記磁石の前記貫通孔から導出され、前記リードフレームと前記磁気検出素子と前記磁石とが前記保持手段にて離間距離を保持されていることを要旨とする。
【0017】
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項に記載の磁気センサにおいて、前記磁気検出素子から前記検出信号を入力すると共にその検出信号を二値化する二値化手段を備えたことを要旨とする。
【0018】
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の磁気センサと、前記磁気検出素子に対して、近接離間自在に設けられてその近接離間動作により前記貫通孔内の磁束密度の変化を生じさせるアクチュエータとを備えたことを要旨とする。
【0019】
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の無接点スイッチにおいて、前記磁気検出素子に対して前記アクチュエータが対向する対向位置と対向しない非対向位置との間を移動可能に設けられることにより、前記磁気検出素子に対して前記アクチュエータが近接離間自在とされていることを要旨とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した磁気センサ及び無接点スイッチの一実施形態を図1〜図6に従って説明する。
【0021】
図1に示すように、本実施形態の無接点スイッチ11は、ねじ込み部12aを有する本体部12と、同ねじ込み部12aの先端(図1におけるねじ込み部12aの下端)と対向する鋼鉄製のアクチュエータ13とを備えている。
【0022】
なお、前記鋼鉄は磁性体であり、本明細書においては、磁性体とは強磁性体のことをいう。
前記本体部12は、前記ねじ込み部12aと、ナット部12bとを備えている。前記ナット部12bはスパナ等を用いてねじ込み部12aを被ねじ込み部へねじ込むためのものである。図1において、センサ取付部30の雌ネジ孔31に対して、前記本体部12のねじ込み部12aがねじ込み固定されている。
【0023】
図2に示すように、前記ねじ込み部12aは、円筒状をなすハウジング15と、リング状をなす磁石16と、磁気検出素子17と、リードフレーム18と、回路基板20とを備えている。前記磁気検出素子17は、GMR(巨大磁気抵抗素子)を検出面17aに備えている。前記磁石16は前記磁気検出素子17に対してバイアス磁界を付与する。前記磁石16と、磁気検出素子17とにより、磁気センサPが構成されている。また、前記回路基板20には、二値化手段としてのコンパレータが設けられている。前記ハウジング15は鋼鉄からなり、その外周には雄ネジ部15aが形成されている。前記ハウジング15内において、アクチュエータ13と対向する側の端部(以下、下端部という)には、ハウジング15の内周面に対して前記磁石16の外周面が固定されている。
【0024】
図2及び図3に示すように、前記磁石16はリング状とされていることにより貫通孔としての真円をなす円孔16aを備えており、同磁石16は周方向半々ずつがそれぞれN極及びS極とされている。なお、図3においては、説明の便宜上、リードフレーム18、後述するポッティング樹脂19、及び回路基板20の図示を省略している。図2〜図5においては、磁石16の左半分がN極とされ、右半分がS極とされている。以下、図3に示す前記磁石16におけるN極とS極との境界面を境界面fという。前記磁石16の円孔16a内において、磁石16のN極部位からS極部位へ向けて発せられる磁束Mは前記境界面fに対して直交すると共にほぼ直線状態とされている。
【0025】
図2に示すように、前記ハウジング15内には、磁気検出素子17及び回路基板20を固定したリードフレーム18が保持手段としてのポッティング樹脂19にて埋設されている。即ち、前記磁気検出素子17、回路基板20、及び前記リードフレーム18は、ポッティング樹脂19を介してハウジング15に対して固定されている。前記ポッティング樹脂19により、磁気検出素子17と磁石16間の離間距離が保持されている。前記ポッティング樹脂19は例えばエポキシ系、ウレタン系等の二液混合硬化型樹脂であり、絶縁性を有する。なお、前記リードフレーム18の上部はポッティング樹脂19に埋設されていない。図2に示すように、前記ハウジング15の下端面(先端面)、磁石16の下端面、ポッティング樹脂19の下端面は面一とされている。
【0026】
前記リードフレーム18は断面L字状をなすように形成され、同リードフレーム18は配置部18aと、前記配置部18aの一端部に対して一体的に連結された導出部18bとを備えている。前記配置部18aと前記導出部18bとは互いに直交するように形成されている。前記配置部18aには前記アクチュエータ13と対向可能な配置面H1を備え、前記導出部18bには配置面H2を備えている。前記リードフレーム18は板状をなす銅板を折り曲げて断面L字状をなすように形成されており、リードフレーム18を折り曲げ形成する前においては、前記配置部18aの配置面H1と、前記導出部18bの配置面H2とが同一面とされている。
【0027】
なお、銅は非磁性体であり、本明細書においては、非磁性体とは常磁性体及び反磁性体のことをいう。
図2に示すように、前記配置部18aの配置面H1には前記磁気検出素子17が固定され、前記配置部18a及び前記磁気検出素子17は、前記磁石16の円孔16a内に配置されている。前記磁気検出素子17の検出面17aは、磁石16の軸心Oに対して直交するように配置され、同検出面17aのX軸方向における中心が、前記磁石16の軸心Oと一致するように配置されている。
【0028】
なお、ここでいうX軸方向とは、前記軸心Oに対して直交する方向のことをいう。本実施形態では、X軸方向は図2における左右方向である。
前記検出面17aとポッティング樹脂19の下端面との距離D1は、0.5mmとされている。磁気検出素子17は、その検出面17aにて磁束密度を検出し、その磁束密度の大きさに応じた検出信号を出力するように構成されている。また、前記導出部18bは、中央よりも上方側(ねじ込み部12aにおける基端側)が、前記円孔16aから導出されている。前記導出部18bにおける円孔16aから導出されている部位の配置面H2には、回路基板20が固定されている。前記回路基板20に設けられたコンパレータは前記磁気検出素子17と電気的に接続され、磁気検出素子17から出力される検出信号を処理するように構成されている。前記アクチュエータ13は、X軸方向へ向けて往復動可能に構成されている。以下、前記アクチュエータ13の往復動により、そのアクチュエータ13が、磁気検出素子17の検出面17aに対向する際の位置を対向位置(図5参照)という。また、前記アクチュエータ13の往復動により、そのアクチュエータ13が、磁気検出素子17の検出面17aに対して対向していない際の位置を非対向位置(図4参照)という。
【0029】
図5に示すように、前記アクチュエータ13が対向位置に位置している際には、アクチュエータ13に一部の磁束が吸収される。そのため、アクチュエータ13が対向位置(図5参照)に位置している際と、非対向位置(図4参照)に位置している際とでは、前者の方が磁気検出素子17の検出面17aにかかる磁束密度の大きさが小さくなる。
【0030】
コンパレータは閾値未満の磁束密度に相当する検出信号を入力するとON信号を出力し、閾値以上の磁束密度に相当する検出信号を入力するとOFF信号を出力するように構成されている。即ち、コンパレータは磁気検出素子17から入力した検出信号を二値化する。
【0031】
詳しく述べると、アクチュエータ13が対向位置に位置している状態では、前記コンパレータは、磁気検出素子17から検出信号を入力するとON信号を出力するように構成されている。アクチュエータ13が非対向位置に位置している状態では、前記コンパレータは、磁気検出素子17から検出信号を入力するとOFF信号を出力するように構成されている。
【0032】
次に、本実施形態のように構成された無接点スイッチ11の作用について説明する。
図3は、アクチュエータ13が対向位置及び非対向位置の両位置に位置する際における円孔16a内の磁束Mの向きを示した図である。図3に示すように、磁石16の円孔16a内において、磁石16のN極部位からS極部位へ向けて発せられる磁束Mは、図11に示す従来技術の無接点スイッチ111における両磁石114,115が協働して発する磁束Zaと比して湾曲していない。
【0033】
図4は磁気検出素子17に対してアクチュエータ13が離間した状態、即ち、アクチュエータ13が非対向位置に位置した状態を示した図である。なお、図4及び後述する図5においては、説明の便宜上、ハウジング15、リードフレーム18、ポッティング樹脂19、及び回路基板20の図示を省略している。図4に示すように、本実施形態の磁石16の円孔16a内において、磁石16のN極部位からS極部位へ向けて発せられる複数の磁束Mは、図12に示す従来技術の無接点スイッチ111における両磁石114,115が協働して発する磁束Zb,Zc,Zd,Zeと比して乱れていない。即ち、図4に示すように、本実施形態の磁石16において、円孔16a内の複数の磁束Mは、境界面f(図3参照)に対して直交するように磁石16のN極部位からS極部位へ発せられている。
【0034】
一方、図5は磁気検出素子17に対してアクチュエータ13が近接した状態、即ち、アクチュエータ13が対向位置に位置した状態を示した図である。図5に示すように、本実施形態の磁石16の円孔16a内において、複数の磁束Mのうちアクチュエータ13側に近い磁束M(以下、磁束Maという)が磁石16のN極部位から発せられてアクチュエータ13に近づくように湾曲して磁石16のS極部位へ到達する。また、磁束Maはアクチュエータ13に吸収されて磁路を形成する。
【0035】
次に、無接点スイッチ11の磁気センサPと、従来技術における無接点スイッチ111の磁気センサGとの比較を図6及び図14に基づいて説明する。なお、図6は無接点スイッチ11(磁気センサP)のシミュレーション実験(数値解析による実験)のデータであり、図14は無接点スイッチ111(磁気センサG)のシミュレーション実験(数値解析による実験)のデータである。
【0036】
図6は、上記無接点スイッチ11において、磁気検出素子17の配置位置の変更、及び磁気検出素子17とアクチュエータ13との距離の変更による磁気検出素子17の検出面17aに加わる磁束密度の変化を計測したものである。図6は、横軸に磁気検出素子17のX軸方向における配置ずれX(mm)を示し、縦軸に磁気検出素子17の検出面17aが検出する磁束密度(T)(テスラ)を示している。横軸において、磁気検出素子17のX軸方向の中心が磁石16の軸心Oと一致している際の磁気検出素子17の位置を基準である0mmとしている。
【0037】
そして、図6の横軸におけるプラス値は、図2における磁気検出素子17が磁石16のS極側へずれた際のずれ量を示している。また、図6の横軸におけるマイナス値は、図6における磁気検出素子17が磁石16のN極側へずれた際のずれ量を示している。また、図6において、特性線I1は、アクチュエータ13が非対向位置に位置する際の特性を示している。図6において、特性線I2,I3,I4,I5は、アクチュエータ13が対向位置に位置する状態で、かつ磁気検出素子17とアクチュエータ13との距離D2(図2参照)がそれぞれ3.5mm、2.5mm、1.5mm、0.5mmの際の特性を示している。図6に示すように、磁気検出素子17の配置ずれXが、例えば±1mmや、±2mmであっても、配置ずれ0mmと比して磁束密度は大きく異なることはない。
【0038】
一方、図14は、従来技術の無接点スイッチ111において、磁気検出素子113の配置位置の変更、及び磁気検出素子113とアクチュエータ116との距離の変更による磁気検出素子113の検出面113aに加わる磁束密度の変化を示したものである。なお、従来技術のシミュレーション実験は、図6に示す本実施形態のシミュレーション実験と同一機器により磁束密度及び配置ずれを測定した。
【0039】
図14において、横軸に前記磁気検出素子113のX軸方向における配置ずれX’(mm)を示し、縦軸に磁気検出素子113の検出面113aが検出する磁束密度(T)(テスラ)を示している。横軸において、磁気検出素子113のX軸方向の中心がハウジング112の軸心120と一致している際の磁気検出素子113の位置を基準である0mmとしている。そして、図14の横軸におけるプラス値は、図10における磁気検出素子113が対向面115a側へずれた際のずれ量を示している。また、図14の横軸におけるマイナス値は、図10における磁気検出素子113が対向面114a側へずれた際のずれ量を示している。
【0040】
また、図14において、特性線L1は、アクチュエータ116が非対向位置に位置する際の特性を示している。図14において、特性線L2,L3,L4,L5は、アクチュエータ116が対向位置に位置する状態で、かつ磁気検出素子113とアクチュエータ116との距離K(図10参照)がそれぞれ3.5mm、2.5mm、1.5mm、0.5mmの際の特性を示している。図14に示すように、磁気検出素子113の配置ずれX’が、例えば±1mmや、±2mmの場合、配置ずれ0mmと比して磁束密度は大きく異なる。
【0041】
従って、図6に示す特性線I1,I2,I3,I4は、図14に示す特性線L1,L2,L3,L4に比して配置ずれによるバラツキがそれぞれ小さくなる。ところで、前記無接点スイッチ11の構成において、コンパレータの閾値を0.027(T)に設定し、磁気検出素子17と、対向位置に位置するアクチュエータ13との距離D2が1.5mmなるように設定すると以下に示すような作用を奏する。即ち、この無接点スイッチ11は、アクチュエータ13が非対向位置に位置する際には図6に示す前記特性線I1の特性に相当し、アクチュエータ13が対向位置に位置する際には図6に示す前記特性線I4の特性に相当する。このように構成すると、図6から分かるように無接点スイッチ11は、磁気検出素子17における配置ずれXの値が±2mmとなってもなおON/OFF検出を正確に行える。
【0042】
一方、従来技術の無接点スイッチ111の構成において、コンパレータ117の閾値を0.016(T)に設定し、磁気検出素子113と、対向位置に位置するアクチュエータ116との距離Kが1.5mmなるように設定すると以下に示すような作用を奏する。即ち、この無接点スイッチ111は、アクチュエータ116が非対向位置に位置する際には図14に示す前記特性線L1の特性に相当し、アクチュエータ116が対向位置に位置する際には図14に示す前記特性線L4の特性に相当する。このように構成すると、図14から分かるように無接点スイッチ111は、配置ずれX’の値が±0.6mm以上となると、アクチュエータ116が対向位置に位置していても非対向位置に位置していてもOFF信号しか出力せず、ON/OFF検出を行うことができなくなってしまうという問題がある。
【0043】
従って、本実施形態の無接点スイッチ11によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)本実施形態では、周方向半々ずつがそれぞれN極及びS極としたリング状の磁石16の円孔16a内に磁気検出素子17を配置した。そして、磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を近接離間させることによる、同円孔16a内の磁束Mの方向の変化を磁気検出素子17の検出面17aにて検出するようにした。そして、磁気検出素子17は、検出した磁束密度の大きさに応じて検出信号を回路基板20へ出力し、回路基板20は、入力した検出信号に基づいてON信号またはOFF信号を出力するようにした。前記磁石16はリング状とされているため、図3に示す磁石16の円孔16a内の磁束Mは、図11に示す従来技術の無接点スイッチ111における磁束Zaに比して湾曲していない。そのため、磁気検出素子17がX軸方向へ向けてずれて配置されても、磁気検出素子17の検出面17aにかかる磁束Mの向きが変化することはほとんどない。従って、磁気検出素子17と磁石16との相対位置がずれていても磁気検出素子17の検出面17aにかかる磁束密度のバラツキを少なくできる。また、本実施形態の無接点スイッチ11は、従来技術の無接点スイッチ111に比して磁気検出素子を配置する位置がずれてもON/OFF検出を好適に行うことができる。
【0044】
(2)本実施形態では、磁石16と磁気検出素子17とをポッティング樹脂19にて固定した。従って、磁石16と磁気検出素子17との相対位置を確実に維持することができる。
【0045】
(3)本実施形態では、断面L字状をなすと共に銅板からなるリードフレーム18を備え、同リードフレーム18は、配置部18aと配置部18aに対して一体的に連結された導出部18bとを備えた。リードフレーム18の配置部18aに対して磁気検出素子17を固定し、その配置部18aと磁気検出素子17とを磁石16の円孔16a内に配置した。リードフレーム18の導出部18bは、前記円孔16aから導出するようにした。そして、リードフレーム18と磁気検出素子17と磁石16とをポッティング樹脂19にて固定した。従って、磁気検出素子17をポッティング樹脂19に埋設する際に、前記リードフレーム18の上部(導出部18bの上部)を固定しながら磁気検出素子17をポッティング樹脂19に埋設することにより、磁気検出素子17の配置位置がずれることがない。
【0046】
(4)本実施形態では、アクチュエータ13をX軸方向へ向けて往復動可能に構成した。そして、磁気検出素子17に対して、アクチュエータ13を対向させたり非対向させたりすることにより、無接点スイッチ11のON/OFF検出を実現させるようにした。従って、無接点スイッチ11は、X軸方向へ向けて往復動する被検出体に対してアクチュエータ13を固定することにより、その被検出体の往復動に基づいてON/OFF検出を行うことができる。
【0047】
(5)本実施形態では、円筒状をなすハウジング15内に磁石16、磁気検出素子17、回路基板20、及びリードフレーム18を配置した。そして、ハウジング15の外周には雄ネジ部15aを形成した。従って、図1に示すように、センサ取付部30の雌ネジ孔31に対して、無接点スイッチ11の雄ネジ部15aをねじ込むことにより、そのセンサ取付部30に対して無接点スイッチ11を容易に固定することができる。
【0048】
(6)本実施形態では、リードフレーム18を銅にて形成した。従って、磁石16の円孔16a内の磁束Mの向きがリードフレーム18により乱されることなく、磁気検出素子17は磁束Mの向きを好適に検出することができる。
【0049】
(7)本実施形態では、断面L字状をなすリードフレーム18において、配置部18aの配置面H1に磁気検出素子17を固定し、導出部18bの配置面H2に回路基板20を固定した。このリードフレーム18は、折り曲げ形成する前である板状をなすリードフレーム18の配置面H1,H2に対して、磁気検出素子17及び回路基板20をそれぞれ固定した後、リードフレーム18を折り曲げて断面L字状に形成する。従って、板状をなすリードフレーム18の一面側に対して磁気検出素子17及び回路基板20を固定した後、リードフレーム18を断面L字状をなすように折り曲げることにより、リードフレーム18に対する磁気検出素子17及び回路基板20の固定と、リードフレーム18の形成とを容易に行うことができる。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態は以下のような他の実施形態に変更して具体化してもよい。
【0050】
・前記実施形態では、磁石16の円孔16aは真円をなすように形成していたが、貫通孔である円孔16aを楕円をなすように形成してもよい。
・前記実施形態では、アクチュエータ13を鋼鉄にて形成していたが、ニッケルや、コバルトなどの磁性体金属にて形成してもよい。
【0051】
・前記実施形態では、リードフレーム18を銅にて形成していたが、アルミニウム、銀、アンチモン、金などの非磁性体金属にて形成してもよい。
・前記実施形態では、ハウジング15の外周に雄ネジ部15aを形成していたが、その雄ネジ部15aを省略してもよい。
【0052】
・前記実施形態では、ハウジング15を円筒状に形成していた。これに限らず、図7に示すように、ハウジング15を四角筒状に形成し、そのハウジング15内に前記磁石16、磁気検出素子17及び回路基板20が固定されたリードフレーム18を配置し、ポッティング樹脂19を充填するようにしてもよい。この場合、ポッティング樹脂19により、ハウジング15と、磁石16と、リードフレーム18とが互いに固定される。
【0053】
・前記実施形態では、ハウジング15内に磁石16及び磁気検出素子17を配置し、ポッティング樹脂19にて磁石16と磁気検出素子17とを固定していた。これに限らず、前記ハウジング15を省略し、磁石16と磁気検出素子17とをポッティング樹脂19にて固定するようにして無接点スイッチ11を構成してもよい。
【0054】
・前記実施形態では、ポッティング樹脂19により磁気検出素子17と磁石16との相対位置を固定していた。これに限らず、保持手段としての接着剤により、磁気検出素子17と磁石16との相対位置を固定してもよい。また、保持手段としての図示しない固定部材を介して、磁気検出素子17と磁石16との相対位置を固定するようにしてもよい。
【0055】
・前記実施形態では、アクチュエータ13をX軸方向へ向けて往復動可能に構成することにより磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を近接離間自在とし、この結果、無接点スイッチ11のON/OFF検出を実現させていた。これに限らず、磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を近接離間自在とすることができる動作をするのであれば、アクチュエータ13をどのようにでも動作可能に構成してもよい。
【0056】
・前記実施形態では、磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を対向させたり非対向とさせたりすることにより、無接点スイッチ11のON/OFF検出を実現させていた。これに限らず、磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を常に対向させた状態とし、前記磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を近づけることにより近接状態とし、前記磁気検出素子17に対してアクチュエータ13を離れさせることにより離間状態とするように無接点スイッチ11を構成してもよい。
【0057】
・前記実施形態では、巨大磁気抵抗素子(GMR)からなる磁気検出素子17を用いて無接点スイッチ11を構成していた。これに限らず、図8に示すホール素子からなる磁気検出素子40を用いて無接点スイッチ11を構成してもよい。この場合、無接点スイッチ11の磁気検出素子40は、その検出面が前記境界面f(図3参照)に対して平行となるように配置する。この場合、磁気検出素子40及び磁石16にて磁気センサPが構成されている。このように構成しても、磁気検出素子17を備えた無接点スイッチ11と同様の作用及び効果を得ることができる。
【0058】
次に、上記実施形態及び他の実施形態から把握できる技術的思想について以下に追記する。
(イ)前記磁気検出素子、前記リードフレーム、及び前記磁石は、円筒状をなすハウジング内に設けられ、前記ハウジングの外周には雄ネジ部を備えていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の磁気センサ。
【0059】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、磁気検出素子と磁石との相対位置がずれていても磁気検出素子にかかる磁束密度のバラツキを少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態における無接点スイッチの正面図。
【図2】本実施形態におけるねじ込み部の断面図。
【図3】本実施形態におけるハウジング、磁石、磁気検出素子の配置関係を示す平面図。
【図4】本実施形態における磁気検出素子に対してアクチュエータが離間した状態を示す説明図。
【図5】本実施形態における磁気検出素子に対してアクチュエータが近接した状態を示す説明図。
【図6】本実施形態における磁気検出素子の配置ずれと磁束密度との関係を示す特性図。
【図7】他の実施形態における無接点スイッチの平面図。
【図8】他の実施形態におけるねじ込み部の断面図。
【図9】従来技術における有接点スイッチの部分断面正面図。
【図10】従来技術における無接点スイッチの部分断面正面図。
【図11】従来技術におけるハウジング、磁石、磁気検出素子の配置関係を示す平面図。
【図12】従来技術における磁気検出素子に対してアクチュエータが離間した状態を示す説明図。
【図13】従来技術における磁気検出素子に対してアクチュエータが近接した状態を示す説明図。
【図14】従来技術における磁気検出素子の配置ずれと磁束密度との関係を示す特性図。
【符号の説明】
11…無接点スイッチ、13…アクチュエータ、16…磁石、
16a…貫通孔としての円孔、17,40…磁気検出素子、
17a…検出面、19…保持手段としてのポッティング樹脂、
18…リードフレーム、18a…配置部、18b…導出部、
M,Ma…磁束、O…軸心、P…磁気センサ。
Claims (6)
- 周方向半々ずつがそれぞれN極及びS極とされると共に貫通孔を有するリング状の磁石と、
前記磁石の前記貫通孔内に配置されると共に検出する磁束密度の大きさに応じた検出信号を出力する磁気検出素子と
を備えたことを特徴とする磁気センサ。 - 前記磁石と前記磁気検出素子との離間距離を保持する保持手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記磁気検出素子は、前記磁石の軸心に対して直交するように配置された検出面を備え、
前記磁気検出素子を固定した非磁性体からなるリードフレームを備え、
前記リードフレームは前記磁気検出素子を配置する配置部と、前記配置部に対して一体的に連結された導出部とを備え、
前記配置部は前記貫通孔内に配置され、
前記導出部は前記磁石の前記貫通孔から導出され、
前記リードフレームと前記磁気検出素子と前記磁石とが前記保持手段にて離間距離を保持されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気センサ。 - 前記磁気検出素子から前記検出信号を入力すると共にその検出信号を二値化する二値化手段と備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の磁気センサと、
前記磁気検出素子に対して、近接離間自在に設けられてその近接離間動作により前記貫通孔内の磁束密度の変化を生じさせるアクチュエータと
を備えたことを特徴とする無接点スイッチ。 - 前記磁気検出素子に対して前記アクチュエータが対向する対向位置と対向しない非対向位置との間を移動可能に設けられることにより、前記磁気検出素子に対して前記アクチュエータが近接離間自在とされていることを特徴とする請求項5に記載の無接点スイッチ。
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