JP2019128192A

JP2019128192A - 位置検出装置

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Publication number: JP2019128192A
Application number: JP2018008648A
Authority: JP
Inventors: 直希磯部; Naoki Isobe
Original assignee: Tokai Rika Co Ltd
Current assignee: Tokai Rika Co Ltd
Priority date: 2018-01-23
Filing date: 2018-01-23
Publication date: 2019-08-01

Abstract

【課題】磁気センサの占有面積を抑制することができる位置検出装置を提供する。【解決手段】位置検出装置１は、磁場７の方向の変化に応じて検出信号Ｓ１を出力する磁気センサ３と、第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２へと一体となって直線的に移動し、磁気センサ３に作用する磁場７を共同して生成する第１の磁石５及び第２の磁石６と、検出信号Ｓ１をＨｉとＬｏとに分けるしきい値Ｔｈを有し、ＨｉとＬｏの切替順に基づいて第１の位置Ｐ１、第１の位置Ｐ１と第２の位置Ｐ２の間のＨｉとＬｏの複数の切替位置、及び第２の位置Ｐ２を判定する制御部８と、を備えて概略構成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、位置検出装置に関する。

従来の技術として、可動部材に固定された磁石と、ロック位置とアンロック位置に対応する位置にそれぞれ配置されて磁石の磁力を検出する複数の磁気検出素子と、該磁気検出素子の検出結果に応じて電動モータを制御する制御手段と、を備えた電動ステアリングロック装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

この電動ステアリングロック装置は、ロック部材がアンロック位置に移動したときにＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる第１の磁気検出素子、及びＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる第２の磁気検出素子と、ロック部材がロック位置に移動したときにＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる第３の磁気検出素子と、を有している。この第１の磁気検出素子〜第３の磁気検出素子は、第２の磁気検出素子、第１の磁気検出素子及び第３の磁気検出素子の順で並んで配置され、両端に配置された磁気検出素子間の距離は、磁石の移動距離（ストローク）より長くなっている。

特開２０１２−２５２６９号公報

しかし従来の電動ステアリングロック装置は、両端に配置された磁気検出素子間の距離が磁石のストロークよりも長いので、磁石のストロークと比較して磁気検出素子の占有面積が大きい問題がある。

従って本発明の目的は、磁気センサの占有面積を抑制することができる位置検出装置を提供することにある。

本発明の一態様は、磁場の方向の変化に応じて検出信号を出力する磁気センサと、第１の位置から第２の位置へと一体となって直線的に移動し、磁気センサに作用する磁場を共同して生成する第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部と、検出信号をＨｉとＬｏとに分けるしきい値を有し、ＨｉとＬｏの切替順に基づいて第１の位置、第１の位置と第２の位置の間のＨｉとＬｏの複数の切替位置、及び第２の位置を判定する判定部と、を備えた位置検出装置を提供する。

本発明によれば、磁気センサの占有面積を抑制することができる。

図１（ａ）は、実施の形態に係る位置検出装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、ストローク位置と検出信号の関係の一例を示すグラフである。図２（ａ）は、実施の形態に係る位置検出装置のブロック図の一例であり、図２（ｂ）は、磁気センサと第１の磁石及び第２の磁石の位置関係の一例を説明するための上面図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）は、実施の形態に係る位置検出装置の動作の一例を説明するための概略図である。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、実施の形態に係る位置検出装置の動作の一例を説明するための概略図である。図５（ａ）は、実施の形態に係る位置検出装置の動作の一例を説明するための概略図であり、図５（ｂ）は、変形例に係る位置検出装置の磁気センサと第１の磁石及び第２の磁石の位置関係の一例を説明するための上面図である。

（実施の形態の要約）
実施の形態に係る位置検出装置は、磁場の方向の変化に応じて検出信号を出力する磁気センサと、第１の位置から第２の位置へと一体となって直線的に移動し、磁気センサに作用する磁場を共同して生成する第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部と、検出信号をＨｉとＬｏとに分けるしきい値を有し、ＨｉとＬｏの切替順に基づいて第１の位置、第１の位置と第２の位置の間のＨｉとＬｏの複数の切替位置、及び第２の位置を判定する判定部と、を備えて概略構成されている。

この位置検出装置は、第１の磁場生成部、第２の磁場生成部及び磁気センサによって４つの位置を検出することができるので、複数の磁気センサを用いて位置を検出する場合と比べて、磁気センサの占有面積を抑制することができる。

[実施の形態]
（位置検出装置１の概要）
図１（ａ）は、実施の形態に係る位置検出装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、ストローク位置と検出信号の関係の一例を示すグラフである。図２（ａ）は、実施の形態に係る位置検出装置のブロック図の一例であり、図２（ｂ）は、磁気センサと第１の磁石及び第２の磁石の位置関係の一例を説明するための上面図である。図１（ｂ）は、横軸がストローク位置であり、縦軸が電圧である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また図２（ａ）では、主な信号や情報の流れを矢印で示している。

位置検出装置１は、例えば、図１（ａ）〜図２（ｂ）に示すように、磁場７の方向の変化に応じて検出信号Ｓ_１を出力する磁気センサ３と、第１の位置Ｐ_１から第２の位置Ｐ_２へと一体となって直線的に移動し、磁気センサ３に作用する磁場７を共同して生成する第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部と、検出信号Ｓ_１をＨｉとＬｏとに分けるしきい値Ｔｈを有し、ＨｉとＬｏの切替順に基づいて第１の位置Ｐ_１、第１の位置Ｐ_１と第２の位置Ｐ_２の間のＨｉとＬｏの複数の切替位置、及び第２の位置Ｐ_２を判定する判定部としての制御部８と、を備えて概略構成されている。

本実施の形態の第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部は、第１の磁石５及び第２の磁石６であるがこれに限定されず、少なくとも一方が電磁石であっても良い。また第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部は、一次元的な移動が可能な移動体に配置される。そして第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部は、この移動体を介して一体に移動する。なお変形例として第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部は、別体として構成されても良いし、Ｕ字形状の磁石の対向する脚部として構成されても良い。

なお第１の磁石５及び第２の磁石６の位置は、一例として、第１の磁石５及び第２の磁石６の中点であるものとするがこれに限定されない。また複数の切替位置は、例えば、図１（ｂ）に示す位置Ｐ_ａ及び位置Ｐ_ｂである。

位置検出装置１は、一例として、車両のステアリングロック装置のロックバーのロック位置とアンロック位置を検出するものとして用いられるがこれに限定されない。上述の移動体は、このロックバーである。つまり第１の磁石５及び第２の磁石６は、位置検出装置１がステアリングロック装置を構成する場合、ロックバーに配置される。

（磁気センサ３の構成）
磁気センサ３は、例えば、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４を備えている。この磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４は、基板１０に形成されている。磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４は、例えば、Ｎｉ、Ｆｅなどの強磁性金属を主成分とする合金の薄膜として形成されている。

図２（ｂ）は、磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４の配置の一例を示している。図２（ｂ）に示す斜線の方向は、磁場ベクトル７０の方向の変化によって磁気抵抗が変化する、磁気抵抗素子の感磁部と並行となる方向を示している。この磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４は、９０°ずつ回転させて対称となる形状を有している。

磁気センサ３は、例えば、図２（ａ）に示すように、ブリッジ回路３０が形成されている。このブリッジ回路３０の磁気抵抗素子Ｒ_１と磁気抵抗素子Ｒ_２の接続点であるノード３ａは、図２（ａ）に示すように、電源電圧Ｖ_ＣＣに電気的に接続される。磁気抵抗素子Ｒ_３と磁気抵抗素子Ｒ_４の接続点であるノード３ｃは、ＧＮＤと電気的に接続される。

磁気抵抗素子Ｒ_１と磁気抵抗素子Ｒ_３は、ハーフブリッジ回路を形成する。このハーフブリッジ回路は、磁気抵抗素子Ｒ_１と磁気抵抗素子Ｒ_３のノード３ｂにおける中点電位Ｖ_２を出力する。この中点電位Ｖ_２は、オペアンプＯＰの反転入力端子（−側）に入力する。

また磁気抵抗素子Ｒ_２と磁気抵抗素子Ｒ_４は、ハーフブリッジ回路を形成する。このハーフブリッジ回路は、磁気抵抗素子Ｒ_２と磁気抵抗素子Ｒ_４のノード３ｄにおける中点電位Ｖ_１を出力する。この中点電位Ｖ_１は、オペアンプＯＰの非反転入力端子（＋側）に入力する。このオペアンプＯＰは、非反転入力端子に入力した中点電位Ｖ_１と、反転入力端子に入力した中点電位Ｖ_２と、を差動増幅した検出信号Ｓ_１を制御部８に出力する。

この検出信号Ｓ_１は、一例として、図１（ｂ）に点線で示すように、約１周期分の正弦波となる。具体的には、磁気センサ３は、図２（ｂ）に示す磁場ベクトル７０が半回転すると、一例として、図１（ａ）に示す検出信号Ｓ_１を出力する。

検出信号Ｓ１は、例えば、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、第１の位置Ｐ_１を基準とすると、しきい値Ｔｈに基づいてＬｏ、Ｈｉ、Ｌｏ、Ｈｉの順に分かれる信号である。

この磁気センサ３は、例えば、図２（ｂ）に示すように、第１の磁石５及び第２の磁石６を磁気センサ３を含む平面に投影して形成された領域が第１の磁石５及び第２の磁石６の移動によって形成する移動領域９の外に配置されている。

この磁気センサ３を含む平面とは、例えば、図２（ｂ）の紙面、言い換えるなら基板１０の表面を延長した平面である。また投影して形成された領域とは、図２（ｂ）の紙面に図示された第１の磁石５及び第２の磁石６の領域である。

移動領域９は、例えば、図２（ｂ）の紙面において右肩上がりの斜線で示すように、第１の磁石５及び第２の磁石６の移動に伴って当該領域が移動方向に沿って形成する領域である。磁気センサ３は、図２（ｂ）に示す移動領域９には配置されず、離れた位置に配置される。言い換えるなら、磁気センサ３は、第１の磁石５及び第２の磁石６の直下には配置されない。これは、磁気センサ３に作用する磁場ベクトル７０の方向を制御するためである。

（第１の磁石５及び第２の磁石６の構成）
第１の磁石５及び第２の磁石６は、例えば、四角柱形状を有し、そのサイズが同じである。第１の磁石５は、例えば、図１（ａ）に示すように、磁気センサ３側が第１の磁極（Ｓ極）に着磁されている。第２の磁石６は、例えば、図１（ａ）に示すように、磁気センサ３側が第１の磁極（Ｓ極）と異なる第２の磁極（Ｎ極）に着磁されている。なお変形例として着磁は、第１の磁極がＮ極、第２の磁極がＳ極であっても良い。また他の変形例として第１の磁石５及び第２の磁石６は、円柱形状であっても良い。

第１の磁石５及び第２の磁石６は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石を所望の形状に成形したもの、又はフェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と合成樹脂材料とを混合して所望の形状に成形したものである。本実施の形態の第１の磁石５及び第２の磁石６は、一例として、永久磁石である。

第１の磁石５及び第２の磁石６は、例えば、図１（ａ）に示すように、距離Ｄ離れて配置されている。また第１の位置Ｐ_１及び第２の位置Ｐ_２は、距離ｄ離れている。この距離Ｄと距離ｄとは、一例として、同じ距離である。なお第１の位置Ｐ_１及び第２の位置Ｐ_２の距離ｄ、つまり第１の磁石５及び第２の磁石６のストロークは、一例として、ステアリングロック装置に用いる場合、７ｍｍ程度である。

磁気センサ３に作用する磁場７は、第２の磁石６のＮ極から湧き出して第１の磁石５のＳ極に吸い込まれる。磁気センサ３には、例えば、図２（ｂ）に示す磁場ベクトル７０が作用する。この磁場ベクトル７０は、例えば、第１の磁石５及び第２の磁石６の第１の位置Ｐ_１から第２の位置Ｐ_２に向かう移動において、図２（ｂ）の紙面の時計回りに回転する。また磁場ベクトル７０は、第１の磁石５及び第２の磁石６の第２の位置Ｐ_２から第１の位置Ｐ_１に向かう移動において、反時計回りに回転する。なお図２（ｂ）、後述する図３（ａ）〜図５（ｂ）は、上面図であるので上部の磁極を図示している。従って磁気センサ３に対向する磁極は、図示された磁極の逆の磁極である。

（制御部８の構成）
制御部８は、例えば、記憶されたプログラムに従って、取得したデータに演算、加工などを行うＣＰＵ（Central Processing Unit）、半導体メモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）などから構成されるマイクロコンピュータである。このＲＯＭには、例えば、制御部８が動作するためのプログラムと、しきい値Ｔｈと、履歴情報８０と、が格納されている。

磁気センサ３から出力される検出信号Ｓ_１は、例えば、図１（ｂ）に示す点線の信号となる。制御部８は、しきい値Ｔｈによって検出信号Ｓ_１をＨｉとＬｏを分ける。図１（ｂ）に示す実線は、検出信号Ｓ_１をしきい値Ｔｈによって分けたＨｉとＬｏを示している。なおしきい値Ｔｈは、例えば、電圧値として設定される。

第１の磁石５及び第２の磁石６が、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第１の位置Ｐ_１から第２の位置Ｐ_２まで移動するように構成された場合、ＨｉからＬｏ、ＬｏからＨｉと切り替わるポイントは、境界位置Ｃｈ_１〜境界位置Ｃｈ_３の三カ所存在する。制御部８は、境界位置Ｃｈ_１〜境界位置Ｃｈ_３に基づいて四カ所の位置を検出することができる。

具体的には、検出信号Ｓ_１は、例えば、図１（ｂ）に示すように、しきい値Ｔｈによって第１の範囲８１〜第４の範囲８４に分けることができる。

第１の範囲８１は、初期位置Ｐ_Ｓから最初の境界位置Ｃｈ_１までの範囲であり、検出信号Ｓ_１がＬｏとなる。本実施の形態の第１の位置Ｐ_１は、初期位置Ｐ_Ｓである。

第２の範囲８２は、境界位置Ｃｈ_１から境界位置Ｃｈ_２までの範囲であり、検出信号Ｓ_１がＨｉとなる。

第３の範囲８３は、境界位置Ｃｈ_２から境界位置Ｃｈ_３までの範囲であり、検出信号Ｓ_１がＬｏとなる。

第４の範囲８４は、境界位置Ｃｈ_３から終端位置Ｐ_Ｅまでの範囲であり、検出信号Ｓ_１がＨｉとなる。本実施の形態の第２の位置Ｐ_２は、終端位置Ｐ_Ｅである。つまり第１の磁石５及び第２の磁石６は、一例として、初期位置Ｐ_Ｓから終端位置Ｐ_Ｅまで移動する。制御部８は、Ｈｉ及びＬｏの履歴情報８０を作成して記憶している。

制御部８は、判定した第１の磁石５及び第２の磁石６の位置の情報を含む位置情報Ｓ_２を生成して出力する。位置検出装置１が、例えば、ステアリングロック装置に搭載された場合、ステアリングロック装置の制御部は、この位置情報Ｓ_２に基づいてモータなどの駆動部を制御してロックバーを駆動する。

以下に本実施の形態の位置検出装置１の動作の一例について図３（ａ）〜図５（ａ）を参照しながら説明する。ここでは、初期位置Ｐ_Ｓから終端位置Ｐ_Ｅまで第１の磁石５及び第２の磁石６を移動させた場合について説明するが終端位置Ｐ_Ｅから初期位置Ｐ_Ｓまでの移動は、初期位置Ｐ_Ｓから終端位置Ｐ_Ｅまでの移動の逆の道程を辿る。

（動作）
図３（ａ）〜図３（ｃ）、図４（ａ）〜図４（ｃ）及び図５（ａ）は、実施の形態に係る位置検出装置の動作の一例を説明するための概略図である。

制御部８は、第１の磁石５及び第２の磁石６が初期位置Ｐ_Ｓ（第１の位置Ｐ_１）に位置するか確認する。制御部８は、第１の磁石５及び第２の磁石６が初期位置Ｐ_Ｓに位置すると判定した場合、判定結果に基づいて位置情報Ｓ_２を出力する。

なお制御部８は、一定時間Ｈｉ又はＬｏが継続している場合、第１の磁石５及び第２の磁石６が第２の範囲８２又は第３の範囲８３に位置するとして第１の位置Ｐ_１又は第２の位置Ｐ_２に移動させる制御を行う。位置検出装置１がステアリングロック装置に搭載された場合、駆動部を駆動させて第１の位置Ｐ_１又は第２の位置Ｐ_２に移動させる。

第１の磁石５及び第２の磁石６が初期位置Ｐ_Ｓに位置する場合、例えば、図１（ｂ）及び図３（ａ）に示すように、磁場ベクトル７０が右下斜めの方向となり、検出信号Ｓ_１がＬｏとなる。この際、第１の磁石５及び第２の磁石６は、第１の範囲８１に位置している。

次に第１の磁石５及び第２の磁石６が終端位置Ｐ_Ｅに向かって移動すると、例えば、図１（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、境界位置Ｃｈ_１に到達する。この境界位置Ｃｈ_１では、磁場ベクトル７０が磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４の感磁部に対して４５°となる、つまり全ての磁気抵抗値が同値となる。

続いて第１の磁石５及び第２の磁石６が移動すると、例えば、図１（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、第２の範囲８２に移動して磁場ベクトル７０が左下斜めの方向となり、検出信号Ｓ_１がＬｏからＨｉに切り替わる。

制御部８は、初期位置Ｐ_Ｓに位置した第１の状態８１（Ｌｏ）から第２の範囲８２（Ｈｉ）に状態が遷移したので、履歴情報８０に基づいて第１の磁石５及び第２の磁石６が位置Ｐ_ａに位置すると判定する。制御部８は、判定結果に基づいて位置情報Ｓ_２を出力する。なお位置Ｐ_ａは、第２の範囲８２内の位置、つまり境界位置Ｃｈ_１と境界位置Ｃｈ_２の間の位置となる。

続いて第１の磁石５及び第２の磁石６が移動すると、例えば、図１（ｂ）及び図４（ａ）に示すように、境界位置Ｃｈ_２に到達する。この境界位置Ｃｈ_２では、磁場ベクトル７０が磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４の感磁部に対して４５°となって全ての磁気抵抗値が同値となる。

続いて第１の磁石５及び第２の磁石６が移動すると、例えば、図１（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、第３の範囲８３に移動して磁場ベクトル７０が左上斜めの方向となり、検出信号Ｓ_１がＨｉからＬｏに切り替わる。

制御部８は、第２の範囲８２（Ｈｉ）から第３の範囲８３（Ｌｏ）に状態が遷移したので、履歴情報８０に基づいて第１の磁石５及び第２の磁石６が位置Ｐ_ｂに位置すると判定する。制御部８は、判定結果に基づいて位置情報Ｓ_２を出力する。なお位置Ｐ_ｂは、第３の範囲８３内の位置、つまり境界位置Ｃｈ_２と境界位置Ｃｈ_３の間の位置となる。

続いて第１の磁石５及び第２の磁石６が移動すると、例えば、図１（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、境界位置Ｃｈ_３に到達する。この境界位置Ｃｈ_３では、磁場ベクトル７０が磁気抵抗素子Ｒ_１〜磁気抵抗素子Ｒ_４の感磁部に対して４５°となって全ての磁気抵抗値が同値となる。

続いて第１の磁石５及び第２の磁石６が移動すると、例えば、図１（ｂ）及び図５（ａ）に示すように、第４の範囲８４に移動して磁場ベクトル７０が右上斜めの方向となり、検出信号Ｓ_１がＬｏからＨｉに切り替わる。

制御部８は、第３の範囲８３（Ｌｏ）から第４の状態８４（Ｈｉ）に状態が遷移したので、履歴情報８０に基づいて第１の磁石５及び第２の磁石６が終端位置Ｐ_Ｅ（第２の位置Ｐ_２）に位置すると判定する。制御部８は、判定結果に基づいて位置情報Ｓ_２を出力する。

・磁極が反対となる変形例について
図５（ｂ）は、変形例に係る位置検出装置の磁気センサと第１の磁石及び第２の磁石の位置関係の一例を説明するための上面図である。

この変形例では、第１の磁石５は、例えば、図５（ｂ）に示すように、磁気センサ３側が第１の磁極（Ｎ極）に着磁されている。また第２の磁石６は、例えば、図５（ｂ）に示すように、磁気センサ３側が第１の磁極（Ｎ極）と異なる第２の磁極（Ｓ極）に着磁されている。

磁場ベクトル７０は、例えば、図５（ｂ）に示すように、第１の磁石５及び第２の磁石６の移動に応じて時計回りに回転する。従って検出信号Ｓ_１が初期位置Ｐ_Ｓから終端位置Ｐ_Ｅに移動するに応じてＬｏ、Ｈｉ、Ｌｏ、Ｈｉと切り替わるので、制御部８は、実施の形態と同様に４つの位置を検出することができる。

（実施の形態の効果）
本実施の形態に係る位置検出装置１は、磁気センサ３の占有面積を抑制することができる。具体的には、位置検出装置は、２つの磁石（第１の磁石５及び第２の磁石６）と１つの磁気センサによって４つの位置を検出することができるので、磁石のストロークよりも長い距離離して複数の磁気センサを配置する場合と比べて、磁気センサの占有面積を抑制することができる。

位置検出装置１は、１つの磁気センサ３のみを使用するので、磁石のストロークよりも長い距離離して複数の磁気センサを配置する場合と比べて、基板１０が小さくなり、小型化が容易となる。また位置検出装置１は、小型化が容易であるので、配置の自由度が高い。

以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…位置検出装置、３…磁気センサ、３ａ〜３ｄ…ノード、５…第１の磁石、６…第２の磁石、７…磁場、８…制御部、９…移動領域、１０…基板、３０…ブリッジ回路、７０…磁場ベクトル、８０…履歴情報、８１〜８４…第１の範囲〜第４の範囲、Ｃｈ_１〜Ｃｈ_３…境界位置、Ｐ_１…第１の位置、Ｐ_２…第２の位置、Ｐ_Ｅ…終端位置、Ｐ_Ｓ…初期位置、Ｐ_ａ…位置、Ｐ_ｂ…位置、Ｒ_１〜Ｒ_４…磁気抵抗素子

Claims

磁場の方向の変化に応じて検出信号を出力する磁気センサと、
第１の位置から第２の位置へと一体となって直線的に移動し、前記磁気センサに作用する前記磁場を共同して生成する第１の磁場生成部及び第２の磁場生成部と、
前記検出信号をＨｉとＬｏとに分けるしきい値を有し、前記Ｈｉと前記Ｌｏの切替順に基づいて前記第１の位置、前記第１の位置と前記第２の位置の間の前記Ｈｉと前記Ｌｏの複数の切替位置、及び前記第２の位置を判定する判定部と、
を備えた位置検出装置。
前記第１の磁場生成部は、前記磁気センサ側が第１の磁極に着磁され、
前記第２の磁場生成部は、前記磁気センサ側が前記第１の磁極と異なる第２の磁極に着磁された、
請求項１に記載の位置検出装置。
前記磁気センサは、前記第１の磁場生成部及び前記第２の磁場生成部を前記磁気センサを含む平面に投影して形成された領域が前記第１の磁場生成部及び前記第２の磁場生成部の移動によって形成する移動領域の外に配置される、
請求項１又は２に記載の位置検出装置。