JP2004214713A

JP2004214713A - マイクロ波集積回路装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2004214713A
Application number: JP2002378258A
Authority: JP
Inventors: Hideki Takasu; 英樹高須
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-12-26
Filing date: 2002-12-26
Publication date: 2004-07-29

Abstract

【課題】サスペンデッドストリップ線路を配置するマイクロ波集積回路装置の製造性を向上すると共に、マイクロ波集積回路装置の性能を一層向上すること。
【解決手段】シャーシ１３の支持部１４に支持されるサスペンデッドストリップ線路１１を備えたマイクロ波集積回路装置１０において、前記サスペンデッドストリップ線路１１は、誘電体基板１５の中央部に配置されるストリップ導体１２と、このストリップ導体１２と共平面上に配置される接地導体１７とによりコプレーナ線路１８を形成する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サスペンデッドストリップ線路を集積回路の伝送線路に適用した技術に係るもので、特に信号線路系の信号特性を良好にしたマイクロ波集積回路装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
サスペンデッドストリップ線路に関わる信号線路系の信号特性を良好にし得るものとして、サスペンデッドストリップ線路を平面型のサスペンデッドストリップ線路サポータを介して空間的に保持したマイクロ波集積回路装置がある。
【０００３】
このマイクロ波集積回路装置は、信号出力を低損失に抑える特性を有するもので、例えば、ミリ波等の高周波領域まで多用されているサスペンデッドストリップ線路への使用例が特許文献１に開示されている。
【０００４】
このマイクロ波集積回路装置は、図３に示されるように、テレビジョン送信機等に用いられる合成器に関し、特にサスペンデッドストリップ線路型合成器に関するもので、シャーシ１上に所要の間隔を置いてサスペンデッドストリップ線路２を配設したものであり、このサスペンデッドストリップ線路２の支持を行なうために絶縁材料で形成された一対の絶縁体支持部３でサスペンデッドストリップ線路２の両辺を支持している。
【０００５】
この絶縁体支持部３はボルト・ナット４によりシャーシ１上に固定される。
【０００６】
このようにシャーシ１上に所要の間隔を置いてサスペンデッドストリップ線路２を配設する構成とすることにより、両絶縁体支持部３間に電界を集中させることにより、サスペンデッドストリップ線路２に要請される、例えば高インピーダンス特性の特性確保を可能としていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−２１８７０９号公報（第２頁左欄［従来の技術］の項並びに図３（シャーシ１上に、両絶縁体支持部３を介してサスペンデッドストリップ線路２を配置した構成））
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマイクロ波集積回路装置は、両絶縁体支持部間に電界を集中させる必要から別個の絶縁体部材からなる絶縁体支持部を用いざるを得ないこと、また、絶縁体支持部の固定位置を調整しながらボルト・ナットにて個々に締め付け固定しなければならないという、固定作業上の制約があった。
【０００９】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、サスペンデッドストリップ線路の支持部の材料選定や支持部の固定作業に関わる制約を不要とすると同時にサスペンデッドストリップ線路のより一層の通信特性確保を可能としたマイクロ波集積回路装置を得ることを主な目的とする。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、製造が容易であり、かつ性能の安定したマイクロ波集積回路装置の製造方法を得ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明によれば、シャーシに設けられる支持部に支持されるサスペンデッドストリップ線路を備えたマイクロ波集積回路装置において、前記サスペンデッドストリップ線路は、誘電体基板の中央部に配置されるストリップ導体と、このストリップ導体と共平面上に配置される接地導体とによりコプレーナ線路を形成したことを特徴とするマイクロ波集積回路装置を提供する。また、上記の目的を達成するために、本発明によれば、サスペンデッドストリップ線路をシャーシ側に設けられる支持部に支持させて形成するマイクロ波集積回路装置の製造方法において、前記サスペンデッドストリップ線路のストリップ導体と共平面上に接地導体を配置してコプレーナ線路を形成することを特徴とするマイクロ波集積回路装置の製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明のマイクロ波集積回路装置およびその製造方法に係る実施の形態を添付図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態であるマイクロ波集積回路装置の概要を示す。
【００１４】
このマイクロ波集積回路装置１０は、例えばミリ波等の高周波領域において使用されるモノリシックマイクロ波集積回路装置等のマイクロ波集積回路装置であって、アンプやフィルタ等のパッシブ系マイクロ波集積回路装置として採用するに適するものである。
【００１５】
また、このマイクロ波集積回路装置１０には、サスペンデッドストリップ線路１１が備えられ、このサスペンデッドストリップ線路１１を構成するストリップ導体１２が通信電極として良好な伝送特性が得られるものである。
【００１６】
このマイクロ波集積回路装置１０は、金属製の導電性薄板で形成されるシャーシ１３内に、その両側壁中央部の対向位置に一部を切り起こして支持部１４，１４が形成される。
【００１７】
この支持部（支持部）１４，１４は、シャーシ１３の側面より突出幅ｃをもって突出しており、この両支持部１４，１４間に懸架されるようにサスペンデッドストリップ線路１１を載置した構成である。
【００１８】
このサスペンデッドストリップ線路１１は、誘電体基板１５，この誘電体基板１５の中央部に配置した信号線路となるストリップ導体１２，このストリップ導体１６の両側部において、誘電体基板１５上のストリップ導体１２と共平面上に配置される接地導体１７，１７とより構成される。
【００１９】
この接地導体１７，１７は、それぞれ横幅ｄ１およびｄ２を有するもので、シャーシ１３の側面に接触した状態でストリップ導体１２と共平面上に配置している。
【００２０】
接地導体１７，１７は、それぞれ横幅ｄ１およびｄ２を取ることにより、ストリップ導体１２との間で、間隙ｔ１およびｔ２が共平面状に形成され、ストリップ導体１２と誘電体基板１５上との間で発生する磁界ｂによる通信特性の劣化の原因を解消するコプレーナ線路１８が形成されるようになっている。
【００２１】
シャーシ１３の支持部１４，１４の突出幅ｃは、接地導体１７，１７の横幅ｄ１およびｄ２との間に、両支持部１４，１４の突出幅ｃとは、ｃ．ｄ１，ｄ２の関係がある。
【００２２】
また、誘電体基板１５上に配置されるストリップ導体１２および接地導体１７は、図２に示されるように、縦方向にｌ寸法を有して整列した構成である。
【００２３】
従って、ストリップ導体１２は、接地側の支持部１４，１４より、接地導体１７，１７がより近接位置にあるため、後述する磁界ｂの影響が極小したコプレーナ線路１８が形成される。
【００２４】
このコプレーナ線路１８の形成に伴い、誘電体基板１５上の間隙ｔ１およびｔ２の間隙の部位に発生する電界ａを減少化あるいは極小化する作用がなされる。
【００２５】
このコプレーナ線路１８の形成により、サスペンデッドストリップ線路１１として良好で低損失の伝送特性が得られるようになる。
【００２６】
次に、マイクロ波集積回路装置導体１０の作用について説明する。
【００２７】
マイクロ波集積回路装置導体１０のサスペンデッドストリップ線路１１における信号の伝送に伴い発生する電界ａは、コプレーナ線路１８の特性により低減化され、電界ａの影響で起生する磁界が極小化される。
【００２８】
この磁界ｂの極小化により、サスペンデッドストリップ線路１１として良好で低損失の伝送特性が得られる。
【００２９】
また、マイクロ波集積回路装置１０の製造にあたっては、第１のステップとして、誘電体基板１５上の中央部にストリップ導体１２を、また横幅ｄ１およびｄ２を有する接地導体１７，１７をシャーシ１３側に接地されるよう配置する。
【００３０】
また、第２のステップとして、シャーシ１３の側面に形成する支持部１４，１４は、シャーシ１３の側面の一部を切り起こし、ほぼ同じ高さ位置になるよう形成する。
【００３１】
この切り起こしの際、支持部１４，１４の横幅ｃは、接地導体１７，１７の横幅ｄ１，ｄ２の範囲内とする。
【００３２】
更に、第３のステップとして、この支持部１４，１４にサスペンデッドストリップ線路１１を載架して保持する。
【００３３】
このように第１〜３のステップにより、マイクロ波集積回路装置１０が組立てられる。
【００３４】
この組立てられたマイクロ波集積回路装置１０は、サスペンデッドストリップ線路１１自体の電界集中の防止化作用に加えて、コプレーナ線路１８による電界集中の極小化作用により、ストリップ導体１２が通信電極として良好な伝送特性が得られる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、サスペンデッドマイクロストリップ線路およびコプレーナ線路による特性を利用したマイクロ波集積回路装置として、製造性がよい上に、性能がより安定し且つ向上し得るようにしたマイクロ波集積回路装置およびその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態であるマイクロ波集積回路装置の概要を示す断面図。
【図２】本発明の実施形態であるマイクロ波集積回路装置のサスペンデッドストリップ線路の平面図。
【図３】従来のマイクロ波集積回路装置におけるサスペンデッドストリップ線路を支持部により支持された状態を示し、（ａ）は要部の概略斜視図、（ｂ）はその側面図。
【符号の説明】
１０マイクロ波集積回路装置
１１サスペンデッドストリップ線路
１２ストリップ導体
１３シャーシ
１４支持部
１５誘電体基板
１７接地導体
１８コプレーナ線路
ａ電界
ｂ磁界

Claims

シャーシの支持部に支持されるサスペンデッドストリップ線路を備えたマイクロ波集積回路装置において、
前記サスペンデッドストリップ線路は、誘電体基板の中央部に配置されるストリップ導体と、
このストリップ導体と共平面上に配置される接地導体とによりコプレーナ線路を形成したことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。
前記サスペンデッドストリップ線路の支持部は、前記シャーシ側壁部より一体的に突出させて形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波集積回路装置。
サスペンデッドストリップ線路をシャーシ側の支持部に支持させて形成するマイクロ波集積回路装置の製造方法において、
前記サスペンデッドストリップ線路のストリップ導体と共平面上に接地導体を配置してコプレーナ線路を形成することを特徴とするマイクロ波集積回路装置の製造方法。
前記サスペンデッドストリップ線路を支持するシャーシの支持部を、前記シャーシ側壁部より一体的に突出させて形成することを特徴とする請求項３記載のマイクロ波集積回路装置の製造方法。