JP2004214290A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which has reduced the cable connecting points using a connector. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus consists of a plurality of processing units (first chemical solution processing units 8a to 8c, second chemical solution processing units 15a to 15c, developing process units 30a to 30c), a transfer mechanism, and a plurality of blocks (BARC block 2, SC block 3, and SD block 4) comprising sub-controllers (sub-controllers SC2 to SC4 or the like). The sub-controller plays the role of receiving, for the control of each control object, the signal from the sensors provided for the control object (solution leak sensors S8, S15 and S30) and transferring such signal to the corresponding controller (chemical solution controller CC or the like). Accordingly, wires and connectors for individually connecting each sensor and controller can be saved. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶デバイス等に用いるガラス基板などに対し所定の処理を行う処理ユニットを複数備える基板処理装置における配線構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の製造工程において、半導体基板やガラス基板などに種々の処理を行う基板処理装置においては、1つの処理工程を担う処理ユニットを複数備える多ユニット化、および、一の装置において異なる処理工程を連続的に行うべく異種の処理ユニットを複数備える複合化によって、スループットの向上という製造メーカーの要求に応えている。いきおい、装置自体が大型化する傾向にある。
【0003】
そうした大型化した基板処理装置を製造しこれを納入する場合、輸送手段の収容容積に限界がある関係から、装置をあらかじめいくつかの構成体に分割可能に製造して分割した状態で輸送し、納入先で組み立てることが一般的である。そうした場合の組み立て作業を効率化することを目的として、同一の処理を行う複数の処理ユニットに対する水、電力等の供給ラインの接続が容易となるように、それぞれの供給管やケーブルの接続口の集約化を図る技術がすでに開示されている。(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−198276号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図5は、従来の基板処理装置1000の制御系の一部を模式的に示す図である。図5の基板処理装置1000には、例えば、基板に対し所定の薬液処理を行ういくつかの(図5においては2つの)処理ユニットUNを備えるものなど、基板処理に係る処理ユニット等をそれぞれに備える、いくつかの(図5においては4つの)処理ブロックBLKが備わっているものとする。また、基板処理装置1000全体の制御を担うメインコントローラMC0と、各処理ブロックBLKごとに備わり、該処理ブロックBLKに備わる処理ユニットの制御を担うユニットコントローラUC0と、各処理ユニットに備わり例えば薬液の漏洩を検知する漏液センサS0からの情報に応じて薬液供給を制御する薬液コントローラCC0とが備わっている。これらのコントローラはネットワークNに接続されている。また、センサS0と薬液コントローラCC0とは信号線SL0で接続され、処理ブロックBLKの境界ではコネクタCNで接続されている。なお、説明の簡略化のために図示は省略しているが、熱処理ユニット等とこれに対応して必要なコントローラ、センサ類が備わっていてもよい。
【0006】
従来の基板処理装置1000においては、それぞれのユニットコントローラUC0および薬液コントローラCC0は、制御対象となる処理ユニット等に関する制御処理のみを行い、メインコントローラMC0がそれを統括する態様であったので、それぞれのコントローラごとに、個別に、それぞれの制御対象との間で情報伝達を行う必要があった。
【0007】
そのため、特許文献1に記載された技術を用いたとしても、それぞれのブロック(基板処理装置の構成体)間を渡って設置する必要がある配線ケーブルについては、それぞれの本数分のコネクタをケーブルが通過する各ブロックに設ける必要があった。また、全てのケーブルを個別に接続する場合よりは取り外しが容易とはいえ、装置の複合化が進むにつれ、接続を要するケーブルの本数が増加し、必要なコネクタの数および種類も必然的に増加するため、特許文献1に開示された技術のみでは、組み立て作業効率の向上や接続の信頼性の維持に限界が生じることになった。
【0008】
ケーブル長の増大は、製造コストの増加を招くことにもなった。リモートI/Oや省配線システムと呼ばれる配線本数を削減するシステム用いることで、信頼性の向上は可能であるが、コスト面では不利である。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、コネクタによるケーブル接続箇所を削減した、基板処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理を行う装置であって、少なくとも1つの処理ユニットと、前記少なくとも1つの処理ユニットに基板を搬送する搬送手段と、前記少なくとも1つの処理ユニットに設けられ、当該処理ユニットの状態を検知する少なくとも1つのセンサと、前記少なくとも1つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する部分制御手段と、をそれぞれが備える複数の部分制御単位と、前記複数の部分制御手段を制御する主制御手段と、前記少なくとも1つのセンサからの信号に応答して、当該センサの検知対象と対応した特定の制御対象について制御を行う少なくとも1つの特定制御手段と、を備え、それぞれの前記部分制御手段と、前記主制御手段と、前記少なくとも1つの特定制御手段とがネットワーク接続されており、かつ、前記少なくとも1つのセンサは、同一の前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段と電気的に接続されている、ことを特徴とする。
【0011】
また、請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記部分制御単位がそれぞれ、所定の配置関係にて隣接配置可能な収容部に収容されていることを特徴とする。
【0012】
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、前記複数の部分制御単位の少なくとも1つが、前記少なくとも1つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも1つ含むことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
<全体構成>
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置100の平面図である。基板処理装置100は、半導体基板(以下、単に「基板」という)に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を担う装置である。なお、図1には、基板処理装置100の長手方向をx軸方向とする水平面をxy平面とし、鉛直上向きをz軸とする三次元座標系を付している。
【0014】
図1に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100は、インデクサブロック(IDブロック)1と、反射防止膜処理ブロック(BARCブロック)2と、レジスト膜処理ブロック(SCブロック)3と、現像処理ブロック(SDブロック)4と、インタフェイスブロック(IFBブロック)5とから主に構成される。各ブロックには、それぞれ、目的とする処理を行うための処理ユニット等が収容されている。基板処理装置100においては、これらの5つのブロックが上記の順に隣接配置されている。また、IFBブロック5の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を担う露光装置(ステッパ)STPが、隣接して配置されている。各ブロックは、個別にフレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロックのフレームを上記の順に連結することにより、基板処理装置100が構成されている。なお、基板処理装置100においては、図示しない所定の供給手段によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、BARCブロック2内の気圧はIDブロック1内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、IDブロック1内の雰囲気がBARCブロック2に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。
【0015】
<IDブロック>
IDブロック1は、基板処理装置100の外部からの未処理の基板Wの受け入れや、逆に処理済の基板Wの外部への払い出しを担う部位である。IDブロック1には、所定枚数の基板Wを多段に収納可能なカセットCを複数個(図1においては4個)並べて載置するカセット載置台6と、カセットCから未処理の基板Wを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板W受け取って再びカセットCへと順に収納するインデクサ用搬送機構7とを備えている。
【0016】
インデクサ用搬送機構7は、カセット載置台6にY軸方向に水平移動可能な可動台7aと、可動台7a上にあって基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム7bと、保持アーム7bの先端部分の内側に突出する複数本のピン10c(図1には3個の場合を図示)とを備えている(図2参照)。保持アーム7bは、Z軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Wは、ピン10cによって水平姿勢で保持される。
【0017】
IDブロック1における基板Wの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構7が、所定のカセットCに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム7bが昇降および進退移動することにより、そのカセットCに収納されている未処理の基板Wを取り出す。保持アーム7bに基板Wを保持した状態で、インデクサ用搬送機構7が、後述する基板載置部PASS1、PASS2に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム7b上の基板Wを基板払出し用の上側の基板載置部PASS1に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部PASS2に処理済みの基板Wが載置されている場合、インデクサ用搬送機構7は、その処理済みの基板Wを保持アーム7b上に受け取って、所定のカセットCに処理済みの基板Wを収納する。以下、同様にカセットCから未処理基板Wを取り出して基板載置部PASS1に搬送するとともに、処理済み基板Wを基板載置部PASS2から受け取ってカセットCに収納するという動作を繰り返し行う。
【0018】
<BARCブロック、SCブロック、SDブロック>
図2は、基板処理装置100の正面図である。図3は、図2と同じ方向からみた場合の、熱処理部TPの配置構成を示す図である。以下、図1ないし図3に基づいて、BARCブロック2、SCブロック3、SDブロック4について説明する。
【0019】
BARCブロック2は、フォトレジスト膜の下部に、ステッパSTPにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を担う。BARCブロック2は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第1塗布処理部8と、塗布に際し必要な熱処理を行う第1熱処理部9と、第1塗布処理部8および第1熱処理部9に対して基板Wの受け渡しをする第1主搬送機構10Aとを備える。
【0020】
SCブロック3は、反射防止膜が形成された基板W上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いる。SCブロック3は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第2塗布処理部15と、塗布に際し必要な熱処理を行う第2熱処理部16と、第2塗布処理部15およぴ第2熱処理部16に対して基板Wの受け渡しをする第2主搬送機構10Bとを備える。
【0021】
SDブロック4は、ステッパSTPにおいて所定の回路パターンが露光された基板Wに対して現像処理をする機構である。SDブロック4は、現像液により現像処理を行う現像処理部30と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第3熱処理部31と、現像処理部30および第3熱処理部31に対して基板Wの受け渡しをする第3主搬送機構10Cとを備える。
【0022】
以上のBARCブロック2、SCブロック3、およびSDブロック5においては、それぞれ、第1主搬送機構10A、第2主搬送機構10B、および第3主搬送機構10C(以下、これらを「主搬送機構10」と総称する)を間に挟み、第1塗布処理部8、第2塗布処理部15、および現像処理部30(以下、これらを「薬液処理部LP」と総称する)が装置正面側に位置するように、そして、第1熱処理部9、第2熱処理部16、および第3熱処理部31(以下、これらを「熱処理部TP」と総称する)が装置背面側に位置するように配置されている。すなわち、各部においてそれぞれに所定の薬液を用いた処理を行う薬液処理部LPと、各部においてそれぞれに熱処理を担う熱処理部TPとが、主搬送機構10を介在させて離間して備わるので、熱処理部TPから薬液処理部LPへの熱的影響が抑制される。また、本発明に係る基板処理装置100においては、熱処理部TPの正面側(主搬送機構10側)に図示しない熱隔壁が設けられており、この熱隔壁によっても、薬液処理部LPへの熱的影響が回避される態様となっている。
【0023】
図2に示すように、薬液処理部LPを構成する第1塗布処理部8、第2塗布処理部15、および現像処理部30においては、いずれも、複数の処理ユニットが積層配置されている。
【0024】
第1塗布処理部8においては、3つの第1塗布処理ユニット8a〜8cが積層配置されている。第1塗布処理ユニット8a〜8cはそれぞれ、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック11、スピンチャック11上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル12などを備えている。
【0025】
同様に、第2塗布処理部15においては、3つの第2塗布処理ユニット15a〜15cが積層配置されている。第1塗布処理ユニット15a〜15cはそれぞれ、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック17、スピンチャック17上に保持された基板W上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル18などを備えている。
【0026】
さらに、現像処理部30においては、5つの現像処理ユニット30a〜30eが積層配置されている。現像処理ユニット30a〜30eはそれぞれ、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック32、スピンチャック32上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル33などを備えている。
【0027】
図3に示すように、熱処理部TPを構成する第1熱処理部9、第2熱処理部16、および第3熱処理部31においては、それぞれに、複数の処理ユニットが2列に積層配置されている。
【0028】
第1熱処理部9においては、基板Wを所定の温度にまで加熟し、当該温度に保持可能な複数の加熱プレートHP、基板Wを所定の温度にまで冷却し当該温度に保持可能な複数の冷却プレートCP、基板Wに対するレジスト膜の密着力強化のために、HMDS(へキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する複数のアドヒージョン処理ユニットAHLが処理ユニットとして備わり、それぞれが所定の位置に積層配置されている。また、下部には、熱処理部TPの各部を制御するヒータコントローラCONTが配置されている。なお、図3中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所であるとする。
【0029】
同様に、第2熱処理部16および第3熱処理部31においても、複数の加熱プレートHP、複数の冷却プレートCPなどが処理ユニットとして備わる。各処理ユニットが2列に積層配置されている点は、第1熱処理部9と同様である。なお、第3熱処理部31には、後述する基板載置部PASS7、PASS8も備わっている。
【0030】
なお、加熱プレートHPの一部は、加熱後の基板を一時的に載置するための基板仮置部19に設けられた仮置部付加熱プレートであることが好ましい。この場合、主搬送機構10は、加熱された基板Wはいったん基板仮置部19に載置され、主搬送機構10Bないし10Cは、基板仮置部にアクセスして基板を受け取ることができる。加熱プレートHPに対して直接に基板の受け渡しをしないので、主搬送機構10Bおよび10Cに対する熱的影響が最小限に抑制されるという利点がある。図1には、第2熱処理部16および第3熱処理部31に基板仮置部19が備わる態様を例示的に示している。
【0031】
次に、主搬送機構10(10A〜10C)について説明する。なお、後述するIFBブロック5に備わる第4主搬送機構10Dも同様に構成されている。
【0032】
主搬送機構10においては、基台10d上に2個の保持アーム10a、10bが上下に備わっている(ただし、図1には1個のみ図示)。保持アーム10a、10bは、略C字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン10c(図1には3個の場合を図示)によって基板Wを水平姿勢で保持することができる。保持アーム10a、10bは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Z軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。
【0033】
<IFBブロック>
IFBブロック5は、基板処理装置100と、隣接して備わるステッパSTPとの間の基板Wの受け渡しを担う。IFBブロック5は、ステッパSTPとの間で基板Wの受け渡しをするインタフェイス用搬送機構35と、フォトレジストが塗布された基板Wの周縁部を前もって露光する2つのエッジ露光ユニットEEWと、ステッパSTPが基板Wの受け入れが出来ない場合に、一時的に基板Wを収納する送り用バッファSBFと、露光後の基板Wを後段の処理部が処理できない場合に基板Wを収納する戻し用バッファRBFと、第4主搬送機構10Dとインタフェイス用搬送機構35との間で基板Wの受け渡しを行う後述する基板載置部PASS9、PASS10と、該エッジ露光ユニットEEWとSDブロック4に備わる加熱プレートHPとに隣接し、これらに対して基板Wを受け渡しする第4主搬送機構10Dと、を主として備えている。このうち、2つのEEW、戻し用RBF、基板載置部PASS9、PASS10は、上からこの順に積層配置されている。また、基板載置用送り用バッファSBFおよび戻し用バッファRBFはいずれも、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【0034】
エッジ露光ユニットEEWは、図2に示すように、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック36、スピンチャック36上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器37などを備えている。2つのエッジ露光ユニットEEWは、IFBブロック5の中央部分に積層配置されている。
【0035】
図1、図2に示すように、インタフェイス用搬送機構35は、矢印AR2に示すように水平方向(Y軸方向)に移動可能な可動台35aと、この可動台35a上にあって基板Wを保持する保持アーム35bとを備えている。保持アーム35bは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動とされている。インタフェイス用搬送機構35の水平方向に一定の可動範囲を有しており、それぞれ所定の位置で、ステッパSTP、基板載置部PASS9、PASS10、および送り用バッファSBFに対する基板Wの受け渡しを行えるようになっている。
【0036】
<基板の受け渡し>
次に、基板処理装置100における基板Wの受け渡しについて、隣接するブロック間における受け渡しを中心に説明する。図1に示すように、基板処理装置100においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁13がそれぞれ設けられている。そして、それぞれの隔壁13には、基板Wを載置するための基板載置部PASS1〜PASS6が、当該隔壁13を部分的に貫通させて、上下に2個ずつ設けられている。
【0037】
いま、IDブロック1とBARCブロック2との間には上段側から順に基板載置部PASS1、PASS2が、BARCブロック2とSCブロック3との間には同様に基板載置部PASS3、PASS4が、SCブロック3とSDブロック4との間には、同様にPASS5、PASS6、それぞれ設けられている。
【0038】
また、SDブロック4とIFBブロック5との間で基板Wを受け渡すための基板載置部PASS7およびPASS8は、SDブロック4の第3熱処理部31に設けられている(図3参照)。さらに、上述したように、IFBブロック5には基板載置部PASS9およびPASS10が備わっている。これらを総称して基板載置部PASSと称するものとする。なお、10個の基板載置部PASS1〜PASS10は、5カ所に上下2段に設けられている。
【0039】
<基板処理装置の制御>
次に基板処理装置100の制御系と、その制御方法について説明する。図4は、基板処理装置100の、特に薬液処理部LPを構成する各部についての制御系を模式的に示す図である。
【0040】
薬液処理部LPを構成する第1塗布処理部8、第2塗布処理部15、および現像処理部30がそれぞれ備わる、BARCブロック2、SCブロック3、およびSDブロック4には、それぞれに対応して、サブコントローラSC2〜SC4が備わっている。さらに、基板処理装置100には、各サブコントローラを統括制御するメインコントローラMCも備わっている。メインコントローラMCと各サブコントローラSC2〜SC4は、ネットワークNにより互いに接続されている。また、このネットワークNには、所定の供給源から対象となる処理ユニットヘの薬液供給を制御する薬液コントローラCCも接続されている。なお、IDブロック1およびIFBブロック5においても、同様にサブコントローラが存在し、それぞれにネットワークNと接続されているが、議論の簡単のためここでは省略する。
【0041】
各サブコントローラSC2〜SC4は、各ブロックに備わる処理ユニットと信号線で接続されており、この信号線を介して、各処理ユニットはサブコントローラSC〜SC4に制御される。例えば、BARCブロック2においては、第1塗布処理部8に備わる3つの第1塗布処理ユニット8a〜8cとサブコントローラSC2とが信号線SL8aにて接続されている。SCブロック3、SDブロック4においても、同様に、各処理ユニットとサブコントローラSC3ないしSC4とが、信号線SL15aないしSL30aと接続されている。なお、図2においてはSDユニットが5つ備わる場合を示しているが、図4においては図示の都合上3つのみ示している。また、図4においては図示しない搬送機構とサブコントローラとの間も、所定の信号線にて電気的に接続され、この信号線を介して搬送機構の制御が行われる。
【0042】
メインコントローラMCは、本実施の形態に係る基板処理装置100が設置される半導体製造行程の全体を管理する図示しないホストコンピュータとの間で通信可能に構成されている。基板処理装置100は、あらかじめ設定されたレシピデータに従って、メインコントローラMCおよび各サブコントローラが各部を制御することにより動作する。各ブロック内の基板処理状況は各サブコントローラを介してメインコントローラMCに集められ、さらにホストコンピュータに伝達される。これにより、各ブロックの稼働状態をホストコンピュータにおいて容易に把握できるようになっている。
【0043】
各ブロックにおいては、各サブコントローラSC2〜SC4が、レシピデータの設定に従って、搬送機構と各処理ユニットの動作を制御する。すなわち、基板処理装置100において各ブロックは、サブコントローラを部分制御手段とする部分制御単位を構成しているといえる。各サブコントローラSC2〜SC4は、それぞれに対応する基板載置部PASSにて基板Wを受け取り、所定の処理ユニットヘ順次に搬送し、所定の処理がなされた基板Wを出口となる基板載置部PASSに載置することによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。これは、各ブロックについてそれぞれ、処理ユニットあるいは基板載置部PASSから受け取った基板Wを搬送機構によってどこに搬送させるか、その際にどのようなタイミングと優先順位で搬送を実行するか、およびそれぞれの処理ユニットでどのような条件で基板Wを処理するか、についての情報をレシピデータとして与えることで実現される。基板Wの出入り口となるせいぜい4つの基板載置部PASSにおける基板Wの載置状況を参照することを除くと、隣接するブロック間における基板Wの受け渡しそのものを直接には制御対象としないので、あるブロックにおける動作が他のブロックに与える影響を小さくすることができる。よって、装置全体として制御が単純化されるとともに、レシピデータにおいて容易かつ柔軟な動作設定も可能である。
【0044】
さらに、薬液処理部LPを構成する各処理ユニットには、それぞれ、ユニット内の薬液の漏洩を検知するための漏液センサが設けられている。例えば、第1塗布処理ユニット8a〜8cには、図4に示すように、漏液センサS8がそれぞれに設けられている。同様に、第2塗布処理ユニット15a〜15c、現像処理ユニット30a〜30eにも、それぞれ、漏液センサS15、S30が設けられている。これらの漏液センサS8、S15、およびS30も、それぞれが備わるブロックに対応するサブコントローラSC2ないしSC4と、信号線SL8b、SL15b、およびSL30bにてそれぞれ電気的に接続されている。
【0045】
例えば、いずれかのブロックに備わるいずれかの処理ユニットの内部にて、処理液の漏出があった場合、該処理ユニットに備わる漏液センサにてこれ検知されると、該処理ユニットが属するサブコントローラに、漏液検知信号が伝達される。該サブコントローラは、これに応答して、例えば該処理ユニットにおける処理動作の中止、他の処理ユニットヘの処理の振り替えなどの動作を制御するともに、該検知信号をネットワークNを通じて薬液コントローラCCに転送する。薬液コントローラCCは、これに応答して、該処理ユニットヘの薬液供給の中止や全体の供給量の制限などの動作を制御する。
【0046】
すなわち、本実施の形態の場合、メインコントローラMCは主としてブロック間の基板受け渡しタイミング(スケジューリング)の調整を行い、各サブコントローラが、対応する各ブロック内における搬送機構による基板Wの受け渡しと、ブロックに含まれる処理ユニットの動作とを、その動作状況をセンサにてモニタしつつ統括して制御していることになる。
【0047】
これにより、従来のように、センサと薬液コントローラとを直接に結ぶ信号線は不要となるので、配線類およびコネクタ類を削減できるとともに、これらが占有していたスペースも不要となる。
【0048】
従来の基板処理装置の場合、新たに処理ユニット等が追加されると、制御プログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明の場合は、新たにブロックを追加しても、該ブロックに係るレシピデータを付加すればよく、隣接する既存のブロックの制御内容に影響を与えることはない。よって、ブロックの追加を容易かつ柔軟に行うことができる。例えば、SCブロック3とSDブロック44との間に、レジスト膜の厚みや線幅を検査する検査処理ユニットやブロック内の搬送を担う搬送機構とを含むブロックを追加する態様などが考えられる。また、ブロックが追加されても、ブロック間の結線作業等が煩雑になることもない。
【0049】
<変形例>
上述の例では、薬液処理部LPにおける漏液センサとサブコントローラとの接続についてのみ説明しているが、熱処理部TPも含め、各処理ユニットにおける制御に際し必要な情報を取得するセンサ類については、同様にサブコントローラとの間で信号線を設ける態様であってよい。具体的には、薬液や純水の供給量をモニタする流量センサ、ユニット内部の温度、湿度、気圧を検知する温度センサ、湿度センサ、圧力センサ、加熱プレートHPや冷却プレートCPの温度をモニタする温度センサなど、種々のセンサに対して適用が可能である。これらのセンサからの信号は、いったんサブコントローラに送られた後、ネットワークNを通じて温度コントローラ、圧力コントローラなど対応するコントローラへとさらに伝達されることになる。
【0050】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1ないし請求項3の発明によれば、センサからの検知信号は部分制御手段を通じて特定制御手段へと伝達されるので、センサと特定制御手段とを直接に結ぶ信号線を設ける必要がなく、配線およびコネクタの数を削減することができる。
【0051】
また、請求項2ないし請求項3の発明によれば、結線作業を煩雑化させることなく、基板処理装置の組み立て、あるいは収容部の増設を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板処理装置100の平面図である。
【図2】基板処理装置100の正面図である。
【図3】熱処理部TPの配置構成を示す図である。
【図4】基板処理装置100の、特に薬液処理部LPを構成する各部についての制御系を模式的に示す図である。
【図5】従来の基板処理装置の制御系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
8a〜8c 第1塗布処理ユニット
10(10A〜10D) (第1〜第4)主搬送機構
13 隔壁
15a〜15c 第2塗布処理ユニット
30a〜30e 現像処理ユニット
100 基板処理装置
AHL アドヒージョン処理ユニット
C カセット
CC 薬液コントローラ
CP 冷却プレート
EEW エッジ露光ユニット
HP 加熱プレート
N ネットワーク
PASS(PASS1〜PASS10) 基板載置部
S8、S15、S30 漏液センサ
W 基板
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wiring configuration in a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing a predetermined process on a semiconductor substrate, a glass substrate used for a liquid crystal device, or the like.
[0002]
[Prior art]
In a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal device, or the like, a substrate processing apparatus that performs various processes on a semiconductor substrate, a glass substrate, or the like is provided with a plurality of units including a plurality of processing units that perform one processing step. By combining a plurality of different types of processing units in order to continuously perform different processing steps, manufacturers are meeting the demand for improved throughput. The size of the device itself tends to increase.
[0003]
When manufacturing such large-sized substrate processing equipment and delivering it, due to the limited storage capacity of the transportation means, the equipment is manufactured in advance so that it can be divided into several components, and transported in a divided state. It is common to assemble at the delivery destination. In order to increase the efficiency of the assembly work in such a case, connect the supply pipes and cables of each supply pipe so that water and power supply lines can be easily connected to multiple processing units that perform the same processing. Techniques for consolidation have already been disclosed. (For example, refer to Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2002-198276 A
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 5 is a diagram schematically showing a part of a control system of a conventional substrate processing apparatus 1000. The substrate processing apparatus 1000 shown in FIG. 5 includes, for example, processing units related to substrate processing, such as an apparatus having several (two in FIG. 5) processing units UN for performing a predetermined chemical solution processing on a substrate. It is assumed that some (four in FIG. 5) processing blocks BLK are provided. In addition, a main controller MC0 that controls the entire substrate processing apparatus 1000, a unit controller UC0 that is provided for each processing block BLK, and controls a processing unit that is provided in the processing block BLK, and a chemical liquid that is provided for each processing unit. And a chemical liquid controller CC0 that controls the chemical liquid supply in accordance with information from the liquid leakage sensor S0 that detects the pressure. These controllers are connected to the network N. The sensor S0 and the chemical liquid controller CC0 are connected by a signal line SL0, and are connected by a connector CN at the boundary of the processing block BLK. Although illustration is omitted for simplification of description, a heat treatment unit and the like, and a controller and a sensor necessary for the heat treatment unit may be provided.
[0006]
In the conventional substrate processing apparatus 1000, each of the unit controller UC0 and the chemical liquid controller CC0 performs only control processing relating to a processing unit or the like to be controlled, and the main controller MC0 supervises the control processing. It was necessary to transmit information individually to each control object for each controller.
[0007]
For this reason, even if the technology described in Patent Document 1 is used, as for the wiring cables that need to be installed between the respective blocks (the components of the substrate processing apparatus), the cables for the respective number of connectors are required. It was necessary to provide for each passing block. Also, although it is easier to remove than connecting all cables individually, the number of cables that need to be connected increases and the number and types of connectors that need to be connected naturally increase as the integration of devices progresses Therefore, only the technique disclosed in Patent Literature 1 limits the improvement of assembly work efficiency and the maintenance of connection reliability.
[0008]
The increase in cable length has also led to an increase in manufacturing costs. By using a system called a remote I / O or a wiring saving system that reduces the number of wirings, reliability can be improved, but it is disadvantageous in cost.
[0009]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus in which the number of cable connection points by connectors is reduced.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is an apparatus for performing a predetermined process on a substrate, wherein at least one processing unit, a transport unit that transports the substrate to the at least one processing unit, A plurality of partial control units provided in one processing unit and each including at least one sensor for detecting a state of the processing unit, and partial control means for controlling the at least one processing unit and the transport unit. Main control means for controlling the plurality of partial control means, and at least one specific control for controlling a specific control target corresponding to a detection target of the sensor in response to a signal from the at least one sensor Means, each of said partial control means, said main control means, and said at least one specific control means Ttowaku are connected, and wherein the at least one sensor, said same being the portion control means electrically connected provided in partial control unit, characterized in that.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, each of the partial control units is accommodated in an accommodating portion that can be adjacently arranged in a predetermined arrangement relationship. I do.
[0012]
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, at least one of the plurality of partial control units serves as the at least one processing unit by applying a chemical solution to the substrate. It is characterized by including at least one of a processing unit for performing the used processing and a heat treatment unit for heating or cooling the substrate.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
<Overall configuration>
FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 100 includes a resist coating process, a developing process, a predetermined heat treatment associated therewith, and a chemical solution related to a photolithography process for forming a predetermined circuit pattern on a semiconductor substrate (hereinafter, simply referred to as a “substrate”). It is a device that performs processing and the like. Note that FIG. 1 has a three-dimensional coordinate system in which a horizontal plane having the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 as an x-axis direction is an xy plane, and a vertically upward direction is a z-axis.
[0014]
As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes an indexer block (ID block) 1, an antireflection film processing block (BARC block) 2, a resist film processing block (SC block) 3, , A development processing block (SD block) 4 and an interface block (IFB block) 5. Each block accommodates a processing unit or the like for performing a target process. In the substrate processing apparatus 100, these five blocks are arranged adjacent to each other in the above order. On the side of the IFB block 5, an exposure apparatus (stepper) STP that performs a process of exposing a predetermined circuit pattern to the resist film is disposed adjacently. Each block is individually assembled to a frame (frame body), and the substrate processing apparatus 100 is configured by connecting the frames of each block in the above order. In the substrate processing apparatus 100, clean air is supplied into each block in a downflow state by predetermined supply means (not shown). As a result, in each block, adverse effects on the process due to the curling of particles and the airflow can be avoided. In addition, the inside of each block is maintained at a slightly positive pressure with respect to the outside to prevent intrusion of particles and contaminants. In particular, the pressure in the BARC block 2 is set to be higher than the pressure in the ID block 1. As a result, the atmosphere in the ID block 1 does not flow into the BARC block 2, so that the processing can be performed in each processing block without being affected by the external atmosphere.
[0015]
<ID block>
The ID block 1 is a part that receives an unprocessed substrate W from outside the substrate processing apparatus 100 and conversely, pays out the processed substrate W to the outside. The ID block 1 includes a cassette mounting table 6 on which a plurality (four in FIG. 1) of cassettes C capable of storing a predetermined number of substrates W in multiple stages are arranged, and an unprocessed substrate W from the cassette C in order. An indexer transport mechanism 7 is provided for taking out the processed substrate W for subsequent processing, receiving the processed substrate W, and storing the processed substrate W again in the cassette C in order.
[0016]
The indexer transport mechanism 7 includes a movable table 7a that can move horizontally on the cassette mounting table 6 in the Y-axis direction, a holding arm 7b on the movable table 7a that holds the substrate W in a horizontal posture, and a tip of the holding arm 7b. And a plurality of pins 10c (three are shown in FIG. 1) protruding inside the portion (see FIG. 2). The holding arm 7b is provided so as to be able to move up and down in the Z-axis direction, turn in a horizontal plane, and move forward and backward in the turning radius direction. The substrate W is held in a horizontal posture by the pins 10c.
[0017]
The delivery of the substrate W in the ID block 1 will be outlined. First, the indexer transport mechanism 7 horizontally moves to a position facing a predetermined cassette C. Subsequently, as the holding arm 7b moves up and down and moves forward and backward, the unprocessed substrate W stored in the cassette C is taken out. While holding the substrate W on the holding arm 7b, the indexer transport mechanism 7 horizontally moves to a position opposing the substrate platforms PASS1 and PASS2 described later. Then, the substrate W on the holding arm 7b is placed on the upper substrate platform PASS1 for unloading the substrate. When the processed substrate W is placed on the lower substrate rest part PASS2 for returning the substrate, the indexer transport mechanism 7 receives the processed substrate W on the holding arm 7b, and The processed substrate W is stored in the cassette C. Hereinafter, an operation of similarly taking out the unprocessed substrate W from the cassette C and transporting the unprocessed substrate W to the substrate platform PASS1, and receiving the processed substrate W from the substrate platform PASS2 and storing it in the cassette C is repeated.
[0018]
<BARC block, SC block, SD block>
FIG. 2 is a front view of the substrate processing apparatus 100. FIG. 3 is a diagram illustrating an arrangement configuration of the heat treatment unit TP when viewed from the same direction as FIG. Hereinafter, the BARC block 2, the SC block 3, and the SD block 4 will be described with reference to FIGS.
[0019]
The BARC block 2 is responsible for forming an antireflection film below the photoresist film to reduce standing waves and halation generated during exposure by the stepper STP. The BARC block 2 includes a first coating processing unit 8 that performs a process of coating an antireflection film on the surface of the substrate W, a first heat processing unit 9 that performs a heat treatment required for coating, a first coating processing unit 8 and a first coating processing unit. A first main transport mechanism 10A for transferring the substrate W to and from the heat treatment unit 9;
[0020]
The SC block 3 performs a process of forming a photoresist film on the substrate W on which the antireflection film has been formed. Note that in this embodiment, a chemically amplified resist is used as the photoresist. The SC block 3 includes a second coating processing unit 15 for performing a process of coating a photoresist film, a second heat processing unit 16 for performing a heat treatment required for coating, a second coating processing unit 15 and a second heat processing unit 16. And a second main transfer mechanism 10B for transferring the substrate W to the second main transfer mechanism 10B.
[0021]
The SD block 4 is a mechanism for performing development processing on the substrate W on which a predetermined circuit pattern has been exposed in the stepper STP. The SD block 4 includes a development processing unit 30 that performs a development process using a developer, a third heat treatment unit 31 that performs a heat treatment necessary for the development process, and transfer of the substrate W to the development processing unit 30 and the third heat treatment unit 31. And a third main transport mechanism 10 </ b> C.
[0022]
In the above BARC block 2, SC block 3, and SD block 5, the first main transport mechanism 10A, the second main transport mechanism 10B, and the third main transport mechanism 10C (hereinafter, these are referred to as "main transport mechanism 10"). ) Are sandwiched between the first coating processing unit 8, the second coating processing unit 15, and the developing processing unit 30 (hereinafter, these are collectively referred to as a "chemical processing unit LP"). The first heat treatment unit 9, the second heat treatment unit 16, and the third heat treatment unit 31 (hereinafter, these are collectively referred to as "heat treatment units TP") are arranged so as to be located on the back side of the apparatus. I have. That is, a chemical solution processing unit LP for performing a process using a predetermined chemical solution in each unit and a heat treatment unit TP for performing a heat treatment in each unit are separately provided with the main transport mechanism 10 interposed therebetween. The thermal influence from the TP on the chemical processing section LP is suppressed. Further, in the substrate processing apparatus 100 according to the present invention, a thermal partition (not shown) is provided on the front side (the main transport mechanism 10 side) of the heat treatment section TP, and the thermal partition also allows heat to be applied to the chemical processing section LP. This is a mode in which the influence is avoided.
[0023]
As shown in FIG. 2, in the first coating processing unit 8, the second coating processing unit 15, and the developing processing unit 30 constituting the chemical liquid processing unit LP, a plurality of processing units are stacked and arranged.
[0024]
In the first coating processing unit 8, three first coating processing units 8a to 8c are stacked and arranged. The first coating processing units 8a to 8c are respectively a spin chuck 11 that rotates while sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, and a nozzle that supplies a coating liquid for an anti-reflection film onto the substrate W held on the spin chuck 11. 12 and the like.
[0025]
Similarly, in the second coating processing unit 15, three second coating processing units 15a to 15c are arranged in a stacked manner. The first coating processing units 15a to 15c respectively include a spin chuck 17 that rotates while sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, and a nozzle 18 that supplies a coating liquid for a resist film onto the substrate W held on the spin chuck 17. And so on.
[0026]
Further, in the development processing section 30, five development processing units 30a to 30e are stacked and arranged. Each of the development processing units 30a to 30e includes a spin chuck 32 that rotates while sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, a nozzle 33 that supplies a developing solution onto the substrate W held on the spin chuck 32, and the like.
[0027]
As shown in FIG. 3, in the first heat treatment unit 9, the second heat treatment unit 16, and the third heat treatment unit 31 configuring the heat treatment unit TP, a plurality of processing units are stacked and arranged in two rows. .
[0028]
In the first heat treatment unit 9, the substrate W is ripened to a predetermined temperature, a plurality of heating plates HP capable of maintaining the temperature, and a plurality of cooling plates capable of cooling the substrate W to a predetermined temperature and maintaining the temperature. In order to strengthen the adhesion of the resist film to the plate CP and the substrate W, a plurality of adhesion processing units AHL for heat-treating the substrate W in a vapor atmosphere of HMDS (hexamethyldisilazane) are provided as processing units, each having a predetermined position. Are arranged in layers. Further, a heater controller CONT that controls each part of the heat treatment unit TP is disposed below. In FIG. 3, it is assumed that the portions indicated by “x” are locations provided with a pipe wiring portion or secured as an empty space for adding a processing unit.
[0029]
Similarly, the second heat treatment unit 16 and the third heat treatment unit 31 also include a plurality of heating plates HP, a plurality of cooling plates CP, and the like as processing units. The point that each processing unit is stacked and arranged in two rows is similar to the first heat treatment unit 9. In addition, the third heat treatment unit 31 also includes substrate placement units PASS7 and PASS8 described below.
[0030]
In addition, it is preferable that a part of the heating plate HP is a temporary placement part additional heat plate provided in the substrate temporary placement part 19 for temporarily placing the heated substrate. In this case, in the main transport mechanism 10, the heated substrate W is temporarily placed on the substrate temporary storage unit 19, and the main transport mechanisms 10B to 10C can access the substrate temporary storage unit and receive the substrate. Since the substrate is not transferred directly to the heating plate HP, there is an advantage that the thermal influence on the main transport mechanisms 10B and 10C is minimized. FIG. 1 exemplarily shows an aspect in which the second heat treatment section 16 and the third heat treatment section 31 are provided with the substrate temporary placement section 19.
[0031]
Next, the main transport mechanism 10 (10A to 10C) will be described. The fourth main transport mechanism 10D provided in the IFB block 5 described later has the same configuration.
[0032]
In the main transport mechanism 10, two holding arms 10a and 10b are provided vertically on a base 10d (however, only one is shown in FIG. 1). Each of the holding arms 10a and 10b has a substantially C-shaped tip, and the substrate W is horizontally moved by a plurality of pins 10c (three in FIG. 1 are shown) protruding inside the tip. It can be held in a posture. The holding arms 10a and 10b are configured to be capable of turning in a horizontal plane, moving up and down in the Z-axis direction, and moving forward and backward in the turning radial direction by a drive mechanism (not shown).
[0033]
<IFB block>
The IFB block 5 transfers the substrate W between the substrate processing apparatus 100 and an adjacent stepper STP. The IFB block 5 includes an interface transport mechanism 35 for transferring the substrate W to and from the stepper STP, two edge exposure units EEW for exposing the peripheral edge of the substrate W coated with the photoresist in advance, and a stepper STP. A buffer SBF for temporarily storing the substrate W when the substrate W cannot be received, and a return buffer RBF for storing the substrate W when the subsequent processing unit cannot process the substrate W after exposure. A substrate platform PASS9, PASS10 for transferring a substrate W between the fourth main transport mechanism 10D and the interface transport mechanism 35, and a heating plate HP provided in the edge exposure unit EEW and the SD block 4. , And a fourth main transport mechanism 10 </ b> D that transfers the substrate W to these. Among them, the two EEWs, the return RBF, and the substrate platforms PASS9 and PASS10 are stacked in this order from the top. Each of the substrate mounting sending buffer SBF and the return buffer RBF includes a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages.
[0034]
As shown in FIG. 2, the edge exposure unit EEW includes a spin chuck 36 that rotates while sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, a light irradiator 37 that exposes the periphery of the substrate W held on the spin chuck 36, and the like. Have. The two edge exposure units EEW are stacked and arranged at the central portion of the IFB block 5.
[0035]
As shown in FIGS. 1 and 2, the interface transport mechanism 35 includes a movable base 35a movable in the horizontal direction (Y-axis direction) as indicated by an arrow AR2, and a substrate W on the movable base 35a. And a holding arm 35b for holding the arm. The holding arm 35b is moved up and down, turned, and moved forward and backward in the turning radial direction by a driving unit (not shown). The interface transport mechanism 35 has a constant movable range in the horizontal direction, and can transfer the substrate W to the stepper STP, the substrate platforms PASS9 and PASS10, and the sending buffer SBF at predetermined positions. It has become.
[0036]
<Delivery of board>
Next, the transfer of the substrate W in the substrate processing apparatus 100 will be described focusing on the transfer between adjacent blocks. As shown in FIG. 1, in the substrate processing apparatus 100, partition walls 13 are provided at boundaries between adjacent blocks to block the atmosphere of each other. Each of the partition walls 13 is provided with two substrate mounting portions PASS1 to PASS6 for mounting the substrate W on the upper and lower sides by partially passing through the partition wall 13.
[0037]
Now, between the ID block 1 and the BARC block 2, the substrate rests PASS 1 and PASS 2 are arranged in order from the upper side, and between the BARC block 2 and the SC block 3, the substrate rests PASS 3 and PASS 4 are similarly arranged. Similarly, PASS5 and PASS6 are provided between the SC block 3 and the SD block 4, respectively.
[0038]
Further, the substrate platforms PASS7 and PASS8 for transferring the substrate W between the SD block 4 and the IFB block 5 are provided in the third heat treatment unit 31 of the SD block 4 (see FIG. 3). Further, as described above, the IFB block 5 includes the substrate platforms PASS9 and PASS10. These are collectively referred to as a substrate platform PASS. Note that the ten substrate platforms PASS1 to PASS10 are provided at five locations in two stages, one above the other.
[0039]
<Control of substrate processing equipment>
Next, a control system of the substrate processing apparatus 100 and a control method thereof will be described. FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a control system of the substrate processing apparatus 100, particularly, each unit constituting the chemical solution processing unit LP.
[0040]
The BARC block 2, the SC block 3, and the SD block 4, which include the first coating processing unit 8, the second coating processing unit 15, and the development processing unit 30, respectively, which constitute the chemical liquid processing unit LP, correspond to each. , And sub-controllers SC2 to SC4. Further, the substrate processing apparatus 100 is also provided with a main controller MC that controls each sub-controller. The main controller MC and the sub-controllers SC2 to SC4 are connected to each other by a network N. The network N is also connected to a chemical liquid controller CC that controls the supply of a chemical liquid from a predetermined supply source to a target processing unit. The ID block 1 and the IFB block 5 also have sub-controllers, which are respectively connected to the network N, but are omitted here for simplicity of discussion.
[0041]
Each of the sub-controllers SC2 to SC4 is connected to a processing unit provided in each block via a signal line, and the processing unit is controlled by the sub-controllers SC to SC4 via this signal line. For example, in the BARC block 2, three first coating processing units 8a to 8c provided in the first coating processing unit 8 and the sub-controller SC2 are connected by a signal line SL8a. In the SC block 3 and the SD block 4, similarly, each processing unit and the sub-controllers SC3 to SC4 are connected to the signal lines SL15a to SL30a. Although FIG. 2 shows a case where five SD units are provided, FIG. 4 shows only three for convenience of illustration. In addition, a transport mechanism and a sub-controller (not shown in FIG. 4) are also electrically connected by a predetermined signal line, and the transport mechanism is controlled via the signal line.
[0042]
The main controller MC is configured to be able to communicate with a host computer (not shown) that manages the entire semiconductor manufacturing process in which the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment is installed. The substrate processing apparatus 100 operates by the main controller MC and each sub-controller controlling each unit according to preset recipe data. The substrate processing status in each block is collected by the main controller MC via each sub-controller, and further transmitted to the host computer. Thus, the operating state of each block can be easily grasped by the host computer.
[0043]
In each block, each of the sub-controllers SC2 to SC4 controls the operation of the transport mechanism and each processing unit according to the setting of the recipe data. That is, it can be said that each block in the substrate processing apparatus 100 forms a partial control unit in which the sub-controller is used as a partial control unit. Each of the sub-controllers SC2 to SC4 receives the substrate W at the corresponding substrate platform PASS, sequentially transports the substrate W to a predetermined processing unit, and outputs the substrate W subjected to predetermined processing to the substrate platform PASS serving as an outlet. , A series of controls that are completed by placing them on each other are independently performed. This means that for each block, where the substrate W received from the processing unit or the substrate platform PASS is transported by the transport mechanism, at which time and at what priority the transport is executed, and This is realized by giving information on what conditions the substrate W is processed by the processing unit as recipe data. Except for referring to the mounting state of the substrate W in at most four substrate mounting portions PASS serving as entrances and exits of the substrate W, the transfer itself of the substrate W between adjacent blocks is not directly controlled. The effect of an operation in a block on other blocks can be reduced. Therefore, the control as a whole is simplified, and easy and flexible operation settings can be made in the recipe data.
[0044]
Further, each of the processing units constituting the chemical liquid processing section LP is provided with a liquid leakage sensor for detecting leakage of the chemical liquid in the unit. For example, each of the first coating units 8a to 8c is provided with a liquid leakage sensor S8 as shown in FIG. Similarly, the second coating processing units 15a to 15c and the developing processing units 30a to 30e are also provided with liquid leakage sensors S15 and S30, respectively. These leak sensors S8, S15, and S30 are also electrically connected to the sub-controllers SC2 to SC4 corresponding to the blocks provided with the respective signal lines SL8b, SL15b, and SL30b.
[0045]
For example, if a processing liquid leaks inside any of the processing units provided in any of the blocks, when a liquid leakage sensor provided in the processing unit detects this, the sub-controller to which the processing unit belongs , A leak detection signal is transmitted. In response to this, the sub-controller controls operations such as stopping the processing operation in the processing unit and transferring the processing to another processing unit, and transfers the detection signal to the chemical liquid controller CC through the network N. . In response to this, the chemical liquid controller CC controls operations such as stopping the supply of the chemical liquid to the processing unit and limiting the total supply amount.
[0046]
That is, in the case of the present embodiment, the main controller MC mainly adjusts the board transfer timing (scheduling) between the blocks, and each sub-controller transfers the board W by the transfer mechanism in each corresponding block and transfers the board to the block. That is, the operation of the included processing unit is controlled in an integrated manner while monitoring the operation state of the processing unit with a sensor.
[0047]
This eliminates the need for a signal line directly connecting the sensor and the chemical liquid controller as in the related art, so that the number of wirings and connectors can be reduced, and the space occupied by these components is also eliminated.
[0048]
In the case of a conventional substrate processing apparatus, when a new processing unit or the like is added, it is necessary to significantly modify the control program. In the case of the present invention, even if a new block is added, It suffices to add recipe data, and does not affect the control contents of adjacent existing blocks. Therefore, blocks can be easily and flexibly added. For example, between the SC block 3 and the SD block 44, a mode may be considered in which a block including an inspection processing unit for inspecting the thickness and line width of the resist film and a transport mechanism for transporting the inside of the block is added. Further, even if the blocks are added, the work of connecting the blocks and the like does not become complicated.
[0049]
<Modification>
In the above-described example, only the connection between the liquid leak sensor and the sub-controller in the chemical liquid processing unit LP has been described. However, regarding the sensors that obtain information necessary for control in each processing unit, including the heat treatment unit TP, Similarly, the signal line may be provided between the sub-controller and the sub-controller. Specifically, a flow rate sensor that monitors the supply amount of the chemical solution or pure water, a temperature sensor that detects the temperature, humidity, and atmospheric pressure inside the unit, a humidity sensor, a pressure sensor, and the temperature of the heating plate HP and the cooling plate CP are monitored. It can be applied to various sensors such as a temperature sensor. Once the signals from these sensors are sent to the sub-controller, they are further transmitted through the network N to the corresponding controllers such as temperature controllers and pressure controllers.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the first to third aspects of the present invention, since the detection signal from the sensor is transmitted to the specific control means through the partial control means, the sensor is directly connected to the specific control means. There is no need to provide signal lines, and the number of wirings and connectors can be reduced.
[0051]
According to the second and third aspects of the present invention, it is possible to assemble the substrate processing apparatus or increase the number of storage units without complicating the connection work.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus 100.
FIG. 2 is a front view of the substrate processing apparatus 100.
FIG. 3 is a diagram showing an arrangement configuration of a heat treatment unit TP.
FIG. 4 is a diagram schematically showing a control system of the substrate processing apparatus 100, in particular, each unit constituting the chemical solution processing unit LP.
FIG. 5 is a diagram schematically showing a control system of a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
8a to 8c First coating unit
10 (10A to 10D) (first to fourth) main transport mechanisms
13 Partition wall
15a to 15c Second coating processing unit
30a-30e Development processing unit
100 substrate processing equipment
AHL Adhesion Processing Unit
C cassette
CC chemical liquid controller
CP cooling plate
EEW edge exposure unit
HP heating plate
N network
PASS (PASS1-PASS10) Substrate rest
S8, S15, S30 Liquid leakage sensor
W substrate

Claims (3)

基板に所定の処理を行う装置であって、
少なくとも1つの処理ユニットと、
前記少なくとも1つの処理ユニットに基板を搬送する搬送手段と、
前記少なくとも1つの処理ユニットに設けられ、当該処理ユニットの状態を検知する少なくとも1つのセンサと、
前記少なくとも1つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する部分制御手段と、
をそれぞれが備える複数の部分制御単位と、
前記複数の部分制御手段を制御する主制御手段と、
前記少なくとも1つのセンサからの信号に応答して、当該センサの検知対象と対応した特定の制御対象について制御を行う少なくとも1つの特定制御手段と、を備え、
それぞれの前記部分制御手段と、前記主制御手段と、前記少なくとも1つの特定制御手段とがネットワーク接続されており、
かつ、
前記少なくとも1つのセンサは、同一の前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段と電気的に接続されている、
ことを特徴とする基板処理装置。
An apparatus for performing a predetermined process on the substrate,
At least one processing unit;
Transport means for transporting the substrate to the at least one processing unit;
At least one sensor provided in the at least one processing unit, for detecting a state of the processing unit;
Partial control means for controlling the at least one processing unit and the transport means;
A plurality of partial control units each comprising
Main control means for controlling the plurality of partial control means,
In response to a signal from the at least one sensor, at least one specific control unit that controls a specific control target corresponding to the detection target of the sensor,
Each of the partial control means, the main control means, and the at least one specific control means are network-connected,
And,
The at least one sensor is electrically connected to the partial control unit provided in the same partial control unit;
A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記部分制御単位がそれぞれ、所定の配置関係にて隣接配置可能な収容部に収容されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein each of the partial control units is accommodated in an accommodating portion that can be adjacently arranged in a predetermined arrangement relationship.
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記複数の部分制御単位の少なくとも1つが、前記少なくとも1つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも1つ含むことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein:
At least one of the plurality of partial control units may include, as the at least one processing unit, at least one of a processing unit for performing processing using a chemical solution on a substrate and a heat treatment unit for heating or cooling the substrate. Characteristic substrate processing equipment.
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