JP2004193627A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 層間絶縁膜を構成する有機シロキサンを主成分とする有機絶縁膜2に形成された溝や孔等のような凹部4内に導体膜を埋め込むことで埋込配線構造を構成する半導体集積回路装置の製造方法において、有機絶縁膜2上にフォトレジスト膜3を形成した後、そのフォトレジスト膜3をエッチングマスクとして有機絶縁膜2に溝や孔等のような凹部4を形成する際に、その凹部4の底部に異常形状が形成されるのを抑制するために、CF系のガス/N2/Arガスを用いたプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部4を形成した。
【選択図】 図6
Description
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、パターニングされたマスキング層を形成する工程;
(c)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜に対してプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第1の絶縁膜に第1の凹部を形成する工程。
項2.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ガス雰囲気の最大のガス成分はアルゴンガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項3.前記項1または2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ガス雰囲気は酸素ガスを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項4.前記項1または2記載の半導体集積回路装置において、前記ガス雰囲気は酸素ガスを実質的に含まないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、第1の有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記第1の有機シロキサンと比較して、炭素含有量が低い第2の有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程。
項6.前記項5記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜に比較して、膜厚が厚いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項7.前記項5または6記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して、炭素含有量が50%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項8.前記項5または6記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して、炭素含有量が100%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、パターニングされたマスキング層を形成する工程;
(c)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび異常形状が実質的に発生しない程度に酸素ガスを含むガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜に対してプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第1の絶縁膜に第1の凹部を形成する工程。
項10.前記項9記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記フロロカーボンガスに対する前記酸素ガスの比を1.0以下としたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項11.前記項9記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記フロロカーボンガスに対する前記酸素ガスの比を0.9以下としたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項12.前記項9記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記フロロカーボンガスに対する前記酸素ガスの比を0.8以下としたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を構成する第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を構成する有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、第1のガス雰囲気中において、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成する工程;
(e)前記第1の凹部が形成された状態で、第2のガス雰囲気中において、前記第1のプラズマエッチング処理に比較して、前記第1の絶縁膜に対する前記第2の絶縁膜のエッチング選択比が相対的に大きい条件下において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第2のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
項14.前記項13記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)の終了時には、前記第2の絶縁膜の初期の厚さと比較して、前記凹部底面の前記第2の絶縁膜の厚さは30%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項15.前記項13記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)の終了時には、前記第2の絶縁膜の初期の厚さと比較して、前記凹部底面の前記第2の絶縁膜の厚さは20%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項16.前記項13記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)の終了時には、前記凹部底面の前記第2の絶縁膜の厚さは15%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項17.前記項13、14、15または16項記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路チップの第1主面上に設けられ、第1の有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜;
(b)前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の有機シロキサンと比較して、炭素含有量が低い第2の有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜。
項19.前記項18記載の半導体集積回路装置において、前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜に比較して、膜厚が厚いことを特徴とする半導体集積回路装置。
項20.前記項18または19記載の半導体集積回路装置において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して、炭素含有量が50%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置。
項21.前記項18または19記載の半導体集積回路装置において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して、炭素含有量が100%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置。
(a)半導体集積回路チップの第1主面上に設けられ、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物からなり、第1の開口を有する第1のシリコン窒化膜;
(b)前記第1のシリコン窒化膜上に設けられ、前記第1のシリコン窒化膜よりも誘電率が小さい第1の有機シロキサンを主成分とし、前記第1の開口に連結した第2の開口を有する第2の絶縁膜;
(c)前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記第1のシリコン窒化膜よりも誘電率が小さい絶縁膜を主な構成膜とし、前記第2の開口に連結し前記第1の開口とともに第1のスルーホールを形成する第3の開口およびそれに連結した第1の配線埋込溝を有するとともに、前記第2の絶縁膜よりも厚い第1の層間絶縁膜;
(d)前記第1のスルーホールの底面および内側面並びに前記第1の配線埋込溝の底面および内側面を覆うように設けられた第1の導電性バリア層;
(e)前記第1の導電性バリア層が設けられた前記第1のスルーホール内および前記第1の配線埋込溝内に埋め込まれた銅を主成分とする第1の配線領域。
項23.前記項22記載の半導体集積回路装置において、前記第2の絶縁膜は、前記第1のシリコン窒化膜よりも厚いことを特徴とする半導体集積回路装置。
項24.前記項23記載の半導体集積回路装置において、前記第1の層間絶縁膜は、前記第1の有機シロキサンと比較して炭素数が少ない第2の有機シロキサンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を構成する第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成するための有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
項26.前記項25記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項27.前記項25または26記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のガス雰囲気の最大のガス成分はアルゴンガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項28.前記項25、26または27記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のガス雰囲気は酸素ガスを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項29.前記項25、26または27記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のガス雰囲気は酸素ガスを実質的に含まないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線の層間絶縁膜を形成し、第1の有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成し、前記第1の絶縁膜よりも膜厚が薄い、前記第1の有機シロキサンとは成分が異なる第2の有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンを含むエッチングガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
項31.前記項30記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜に比較して膜厚が厚いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項32.前記項30または31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して炭素含有量が50%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項33.前記項30または31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して炭素含有量が100%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項34.前記項30または31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)における前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対するエッチング選択比は4以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
項35.前記項30または31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)における前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対するエッチング選択比は5以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を構成する第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を構成する有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、第1のガス雰囲気中において、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成する工程;
(e)前記第1の凹部が形成された状態で、第2のガス雰囲気中において、前記第1のプラズマエッチング処理に比較して、前記第1の絶縁膜に対する前記第2の絶縁膜のエッチング選択比が相対的に大きい条件下で、前記第2の絶縁膜に対して第2のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
項37.前記項36記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を形成するための第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成するための有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
項39.前記項38記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線の層間絶縁膜を構成し、第1の有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を構成し、前記第1の絶縁膜よりも膜厚が薄い、前記第1の有機シロキサンとは成分が異なる第2の有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(d)前記マスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部を形成する工程と、
(e)前記凹部から露出する第1の絶縁膜を除去する工程と、
(f)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(e)前記(d)工程後の前記第2の絶縁膜上および前記開口部から露出する第1の有機絶縁膜上に、有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第2の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(g)前記マスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜および前記開口部を有する第2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1、第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部を形成する工程と、
(h)前記凹部から露出する第1の絶縁膜を除去する工程と、
(i)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第2の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1の絶縁膜および第1、第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第2の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1、第2の絶縁膜を除去する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(d)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(e)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第1の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
(h)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第2の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第3の絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第3の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(g)前記(f)工程後の前記第3の絶縁膜および第2の有機絶縁膜上に、第1のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第3の絶縁膜をエッチングマスクとし、かつ、前記第1,2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1,2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1、第2の絶縁膜を除去する工程と、
(k)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(d)前記マスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度に酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部を形成する工程と、
(e)前記凹部から露出する第1の絶縁膜を除去する工程と、
(f)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(e)前記(d)工程後の前記第2の絶縁膜上および前記開口部から露出する第1の有機絶縁膜上に、有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第2の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(g)前記マスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜および前記開口部を有する第2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1、第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部を形成する工程と、
(h)前記凹部から露出する第1の絶縁膜を除去する工程と、
(i)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第2の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1の絶縁膜および第1、第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第2の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1、第2の絶縁膜を除去する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(d)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(e)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第1の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
(h)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第2の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第3の絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第3の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(g)前記(f)工程後の前記第3の絶縁膜および第2の有機絶縁膜上に、第1のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第3の絶縁膜をエッチングマスクとし、かつ、前記第1,2の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第1,2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび異常形状が発生しない程度の酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1、第2の絶縁膜を除去する工程と、
(k)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の有機絶縁膜上に、前記第1の有機絶縁膜よりも炭素含有量が相対的に少ない有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第2の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(d)前記マスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方を含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部を形成する工程と、
(e)前記凹部から露出する前記第1の有機絶縁膜を除去する工程と、
(f)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の有機絶縁膜上に、前記第1の有機絶縁膜よりも炭素含有量が相対的に少ない有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第2の有機絶縁膜上に、前記第2の有機絶縁膜よりも炭素含有率の多い第3の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第3の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(e)前記(d)工程後の前記第3の有機絶縁膜上および前記開口部から露出する第2の有機絶縁膜上に、前記第3の有機絶縁膜よりも炭素含有量の少ない有機シロキサンを主成分とする第4の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第4の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(g)前記マスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の有機絶縁膜および前記開口部を有する第3の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2、第4の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部を形成する工程と、
(h)前記凹部から露出する第1の有機絶縁膜を除去する工程と、
(i)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の有機絶縁膜上に、第1の有機絶縁膜よりも炭素含有量の少ない有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第2の有機絶縁膜上に、前記第2の有機絶縁膜よりも炭素含有量の多い第3の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第3の有機絶縁膜上に、第3の有機絶縁膜よりも炭素含有量の少ない有機シロキサンを主成分とする第4の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第4の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2、第3、第4の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第4の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第3の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第4の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1、第2の凹部から露出する第1の有機絶縁膜を除去する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の有機絶縁膜上に、第1の有機絶縁膜よりも炭素含有量が少ない有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第2の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(d)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第1の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(e)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第2の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1の有機絶縁膜を除去する工程と、
(h)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の有機絶縁膜上に、第1の有機絶縁膜よりも炭素含有量が少ない有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第2の有機絶縁膜上に、第2の有機絶縁膜よりも炭素含有量が多い有機シロキサンを主成分とする第3の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第3の有機絶縁膜上に、第3の有機絶縁膜よりも炭素含有量の少ない有機シロキサンを主成分とする第4の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第4の有機絶縁膜上に、第4の有機絶縁膜よりも炭素含有量が多い有機シロキサンを主成分とする第5の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第5の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(g)前記(f)工程後の前記第4、第5の有機絶縁膜上に、第1のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとし、かつ、前記第3の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第4の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第1の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第5の絶縁膜をエッチングマスクとし、かつ、前記第1、3の有機絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2、第4の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素または窒素の少なくとも一方のガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより第2の凹部を形成する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1の有機絶縁膜を除去する工程と、
(k)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(d)前記マスキング層をエッチングマスクとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより、前記第1の絶縁膜が露出する凹部を形成する工程と、
(e)前記凹部から露出する第1の絶縁膜を除去する工程と、
(f)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有し、前記(d)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第1の有機絶縁膜の途中の厚さ位置までをエッチング除去した後、前記第1の絶縁膜に対する前記第1の有機絶縁膜のエッチング選択比が前記形状優先条件に比べて大きい高選択比条件とすることにより、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして残りの前記第1の有機絶縁膜をエッチング除去して前記凹部を形成するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(e)前記(d)工程後の前記第2の絶縁膜上および前記開口部から露出する第1の有機絶縁膜上に、有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第2の有機絶縁膜上にマスキング層を形成する工程と、
(g)前記マスキング層をエッチングマスクとして、前記第1、第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第1の絶縁膜が露出する凹部を形成する工程と、
(h)前記凹部から露出する第1の絶縁膜を除去する工程と、
(i)前記凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有し、前記(g)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第2の絶縁膜の途中の厚さ位置までをエッチング除去した後、前記第1、第2の絶縁膜に対する前記第1,2の有機絶縁膜のエッチング選択比が前記形状優先条件に比べて大きい高選択比条件とすることにより、前記第1、第2の絶縁膜をエッチングストッパとして前記第1、第2の有機絶縁膜をエッチング除去して前記凹部を形成するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第2の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第1の絶縁膜および第1、第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第1の絶縁膜が露出する第1の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第2の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第1、第2の絶縁膜が露出する第2の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1、第2の絶縁膜を除去する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有し、前記(f)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第1の有機絶縁膜の厚さ方向の途中の位置までエッチング除去した後、前記第1、第2の絶縁膜に対する前記第1、2の有機絶縁膜のエッチング選択比が前記形状優先条件に比べて大きい高選択比条件とすることにより、前記第1、第2の絶縁膜をエッチングストッパとして残りの前記第1の有機絶縁膜をエッチング除去して前記第1の凹部を形成し、
前記(h)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第2の有機絶縁膜の厚さ方向の途中の位置までエッチング除去した後、前記第1、第2の絶縁膜に対する前記第1、2の有機絶縁膜のエッチング選択比が前記形状優先条件に比べて大きい高選択比条件とすることにより、前記第1、第2の絶縁膜をエッチングストッパとして残りの前記第2の有機絶縁膜をエッチング除去して前記第2の凹部を形成するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に第1のマスキング層を形成する工程と、
(d)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第1の絶縁膜が露出する第1の凹部を形成する工程と、
(e)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第1の有機絶縁膜上に第2のマスキング層を形成する工程と、
(f)前記第2のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第1の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第1の有機絶縁膜が露出する第2の凹部を形成する工程と、
(g)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
(h)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有し、前記(d)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第1の有機絶縁膜の厚さ方向の途中の位置までエッチング除去した後、前記第1の絶縁膜に対する前記第1の有機絶縁膜のエッチング選択比が前記形状優先条件に比べて大きい高選択比条件とすることにより、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして残りの前記第1の有機絶縁膜をエッチング除去することにより前記第1の凹部を形成し、前記(f)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第2の凹部を形成するものである。
(b)前記第1の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第1の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(c)前記第1の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第2の絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記第2の絶縁膜上に有機シロキサンを主成分とする第2の有機絶縁膜を堆積する工程と、
(e)前記第2の有機絶縁膜上に、エッチングストッパ機能を有する第3の絶縁膜を堆積する工程と、
(f)前記第3の絶縁膜に凹部形成用の開口部を形成する工程と、
(g)前記(f)工程後の前記第3の絶縁膜および第2の有機絶縁膜上に、第1のマスキング層を形成する工程と、
(h)前記第1のマスキング層をエッチングマスクとして、前記第2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第2の絶縁膜が露出する第1の凹部を形成する工程と、
(i)前記第1のマスキング層を除去した後、前記第3の絶縁膜をエッチングマスクとして、前記第1、2の有機絶縁膜に対し、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマドライエッチング処理を施すことにより前記第2の絶縁膜の露出する第2の凹部を形成する工程と、
(j)前記第1、第2の凹部から露出する前記第1、第2の絶縁膜を除去する工程と、
(k)前記第1、第2の凹部内に導体膜を埋め込む工程とを有し、前記(h)工程に際しては、形状優先条件でエッチング処理を施すことにより前記第2の有機絶縁膜の厚さ方向の途中の位置までエッチング除去した後、前記第2の絶縁膜に対する前記第2の有機絶縁膜のエッチング選択比が前記形状優先条件に比べて大きい高選択比条件とすることにより、前記第2の絶縁膜をエッチングストッパとして残りの前記第2の有機絶縁膜をエッチング除去することにより前記第1の凹部をするものである。
項61.本発明は、前記41項〜50項または前記56項〜前記60項のいずれか1項の第1の絶縁膜および第1の絶縁膜が窒化シリコンからなるものである。
本実施の形態1は、有機シロキサンを主成分とする絶縁膜(以下、有機絶縁膜ともいう)に対して、フロロカーボンガスおよび窒素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマエッチング処理を施すことにより、その絶縁膜に配線形成用の溝や孔等のような凹部を形成する工程を有する本発明の技術思想を具体的に説明するものである。
(1).有機絶縁膜2,2a〜2cに溝や孔等のような凹部4を形成する際に、その凹部4の底面外周にサブトレンチ55が形成されてしまうのを抑制することが可能となる。
(2).上記(1)により、半導体集積回路装置を構成する配線層における不良の発生率を低減できる。したがって、半導体集積回路装置の信頼性および歩留まりを向上させることが可能となる。
(3).上記(1)により、有機絶縁膜2,2a〜2cにアスペクト比が高い溝や孔等のような凹部4を形成することが可能となる。
(4).上記(3)により、半導体集積回路装置を構成する配線の微細化が可能となり、半導体集積回路装置の高集積化が可能となる。
(5).有機絶縁膜2,2a〜2cに溝や孔等の凹部4を形成する際に、窒化シリコン膜からなる絶縁膜1,1a〜1kに対するエッチング選択比を高くできる。したがって、凹部4の形成時に絶縁膜1,1a〜1kの突き抜けの不具合を抑制することが可能となる。
(6).上記(5)により、絶縁膜1,1a〜1kを薄くすることができるので、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を下げることができる。したがって、半導体集積回路装置の動作速度を向上させることが可能となる。
本実施の形態2は、前記実施の形態1の変形例を説明するものであって、本発明の技術思想を前記実施の形態1で説明したデュアルダマシン法とは別のデュアルダマシン法に適用した場合について説明するものである。本実施の形態2の半導体集積回路装置の製造方法を図37〜図42により説明する。なお、図37〜図42の各図において、(a)は図14の半導体集積回路装置の製造工程中における要部平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態3は、前記実施の形態1、2の変形例を説明するものであって、本発明の技術思想を前記実施の形態1、2で説明したデュアルダマシン法とは別のデュアルダマシン法に適用した場合について説明するものである。本実施の形態3の半導体集積回路装置の製造方法を図43〜図50により説明する。なお、図43〜図50の各図において、(a)は図14の半導体集積回路装置の製造工程中における要部平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態4は、前記実施の形態1の変形例を説明するものであって、層間絶縁膜の中間層に、窒化シリコン膜からなりエッチングストッパとして機能する絶縁膜を設けないで埋込配線を形成するデュアルダマシン法に本発明の技術思想を適用した場合について説明するものである。本実施の形態4の半導体集積回路装置の製造方法を図51〜図59により説明する。なお、図51〜図59の各図において、(a)は半導体集積回路装置の製造工程中における要部平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態5は、本発明の他の技術思想を説明するものであって、有機絶縁膜に対して、フロロカーボンガスおよび酸素ガスを含むガス雰囲気中においてプラズマエッチング処理を施すことにより、その有機絶縁膜に配線形成用の溝や孔等のような凹部を形成する際に、そのエッチング処理中にエッチング条件を変えて複数段階に分けて処理を行うものである。
(1).有機絶縁膜2,2a〜2cに溝や孔等のような凹部4を形成する際に、その凹部4の底面にサブトレンチが形成されないように、あるいは形成されても許容値の範囲を越えないように、その凹部4を形成することが可能となる。
(2).上記(1)により、半導体集積回路装置を構成する配線層における不良の発生率を低減できる。したがって、半導体集積回路装置の信頼性および歩留まりを向上させることが可能となる。
(3).上記(1)により、有機絶縁膜2,2a〜2cにアスペクト比が高い溝や孔等のような凹部4を形成することが可能となる。
(4).上記(3)により、半導体集積回路装置を構成する配線の微細化が可能となり、半導体集積回路装置の高集積化が可能となる。
(5).有機絶縁膜2,2a〜2cに溝や孔等のような凹部4を形成する際に、2回目のエッチング処理では高選択比条件でエッチング処理を行うので、窒化シリコン膜からなる絶縁膜1,1a〜1kに対するエッチング選択比を確保した状態でのエッチング処理が可能である。したがって、凹部4の形成時に絶縁膜1,1a〜1kの突き抜けの不具合を抑制することが可能となる。
(6).上記(5)により、絶縁膜1,1a〜1kを薄くすることができるので、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を下げることができる。したがって、半導体集積回路装置の動作速度を向上させることが可能となる。
(7).上記(1) 〜(6) の効果を従来からの環境、例えばエッチング装置やガス種を変えずに得ることが可能となる。
本実施の形態6は、前記実施の形態5の変形例を説明するものであって、上記半導体集積回路装置の配線を前記実施の形態5で説明したデュアルダマシン法とは別のデュアルダマシン法で形成する場合における本願発明の技術思想の適用例を説明するものである。以下、本実施の形態6の半導体集積回路装置の製造方法を図71〜図78により説明する。なお、図71〜図78の各図において、(a)は図14の半導体集積回路装置の製造工程中における要部平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態7は、前記実施の形態5の変形例を説明するものであって、上記半導体集積回路装置の配線を前記実施の形態5、6で説明したデュアルダマシン法とはさらに他のデュアルダマシン法で形成する場合における本願発明の技術思想の適用例を説明するものである。以下、本実施の形態7の半導体集積回路装置の製造方法を図79〜図84により説明する。なお、図79〜図84の各図において、(a)は図14の半導体集積回路装置の製造工程中における要部平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態8は、前記実施の形態5の変形例を説明するものであって上記半導体集積回路装置の配線を前記実施の形態5〜7で説明したデュアルダマシン法とはさらに他のデュアルダマシン法で形成する場合における本願発明の技術思想の適用例を説明するものである。以下、本実施の形態8の半導体集積回路装置の製造方法を図85〜図90により説明する。なお、図85〜図90の各図において、(a)は図14の半導体集積回路装置の製造工程中における要部平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態9は、本発明の他の技術思想を説明するものであって、前記有機絶縁膜のエッチング形状(前記凹部の形状)を、処理ガス中の酸素の流量とCF系のガスの流量との比を適当な値にすることで制御するものである。
本実施の形態10は、前記実施の形態9の変形例を説明するものであって、前記高周波電力密度の範囲を前記実施の形態9に示した範囲よりも小さくした場合を説明するものである。
本実施の形態11は、前記実施の形態9,10で説明した発明を、半導体集積回路装置の配線の形成方法に具体的に適用した場合を説明するものである。なお、本実施の形態11は、前記実施の形態1(シングルダマシン法)とエッチング条件以外は同じなので、本実施の形態11の説明においては、前記実施の形態1と異なる箇所を抜き出して説明する。まず、図17のスルーホール4b1および図23の配線形成用の溝4a1の形成のためのエッチング条件は、次の通りである。すなわち、エッチング装置は、前記実施の形態1と同様に、例えば平行平板型狭電極RIE装置を用い、処理時の処理室内の圧力は、例えば4.0Pa程度、処理ガスは、例えばC4F8/O2/Arを用い、その流量比は、例えば25/10/400sccm程度、高周波電力密度は、例えば0.6W/cm2程度である。ただし、上記した有機絶縁膜に対するエッチング処理時の条件は、上記したものに限定されるものではなく、前記実施の形態9、10に記述した範囲内において種々変更可能である。このような本実施の形態11においても前記実施の形態5と同様の効果を得ることが可能となる。
本実施の形態12は、前記実施の形態9,10で説明した発明を、半導体集積回路装置の配線形成方法(デュアルダマシン法)に適用した場合を説明するものである。なお、本実施の形態12の説明で用いる図93〜図96の(a)は、図14の半導体集積回路装置の製造工程中の要部平面図であり、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態13は、前記実施の形態9,10で説明した発明を、半導体集積回路装置の配線の形成方法に具体的に適用した場合を説明するものであって、前記実施の形態12とは異なるデュアルダマシン法を用いた配線形成方法を説明するものである。なお、本実施の形態13は、前記実施の形態2(デュアルダマシン法)とエッチング条件以外は同じで良いので、本実施の形態13の説明においては、前記実施の形態2と異なる箇所を抜き出して説明する。
本実施の形態14は、前記実施の形態9,10で説明した発明を半導体集積回路装置の配線の形成方法に適用した場合を説明するものであって、前記実施の形態12、13とは異なるデュアルダマシン法を説明するものである。なお、本実施の形態14の説明で用いる図97〜図101の(a)は、図14の半導体集積回路装置の製造工程中の要部平面図であり、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
本実施の形態15は、前記実施の形態9,10で説明した発明を、半導体集積回路装置の配線の形成方法に適用した場合を説明するものであって、前記実施の形態14とはさらに異なるデュアルダマシン法を説明するものである。なお、本実施の形態15は、前記実施の形態4(デュアルダマシン法)とエッチング条件以外は同じなので、本実施の形態15の説明においては、前記実施の形態4と異なる箇所を抜き出して説明する。
本実施の形態16は、本発明のさらに他の技術思想を説明するものであって、層間絶縁膜を構成する有機絶縁膜に溝や孔等のような凹部を形成する際にエッチングストッパとして用いた絶縁膜を、層間絶縁膜を構成する有機絶縁膜よりも有機量(炭素の含有量)の多い有機絶縁膜によって構成するものである。
(1).エッチングストッパとして誘電率の低い新有機絶縁膜を用いることにより、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を下げることが可能となる。
また、前記実施の形態16で説明した本発明の技術思想を、例えば前記実施の形態7のデュアルダマシン法に適用した場合は次の通りである。
(1).有機シロキサンを主成分とする絶縁膜に溝や孔等のような凹部をエッチング処理によって形成する際に、その凹部の底面外周に異常形状(サブトレンチ)が形成されてしまうのを抑制または防止することが可能となる。
(2).有機シロキサンを主成分とする絶縁膜に溝や孔等のような凹部をエッチング処理によって形成する際に、エッチングストッパとして機能する窒化シリコン膜に対してエッチング選択比を確保しつつ、かつ、凹部の底に異常形状が生じるのを抑制または防止した状態で、凹部を形成することが可能となる。
(3).上記(1),(2)により、半導体集積回路装置を構成する配線層における不良の発生率を低減できる。したがって、半導体集積回路装置の信頼性および歩留まりを向上させることが可能となる。
(4).上記(1),(2),(3)により、有機シロキサンを主成分とする絶縁膜にアスペクト比の高い溝や孔等のような凹部を形成することが可能となる。
(5).上記(4) により、半導体集積回路装置を構成する配線の微細化が可能となり、半導体集積回路装置の高集積化が可能となる。
(6).有機シロキサンを主成分とする絶縁膜に溝や孔等のような凹部を形成する際に、エッチングストッパとして機能する窒化シリコン膜に対するエッチング選択比を高くできる。このため、凹部の形成時に、その窒化シリコン膜の突き抜けの不具合を抑制することができる。したがって、エッチングストッパとして機能する窒化シリコン膜を薄くすることが可能となる。
(7).有機シロキサンを主成分とする絶縁膜であっても含まれる炭素の量によってエッチング選択比を変えることができる。したがって、誘電率の低い有機シロキサンを主成分とする絶縁膜をエッチングストッパとして使用することが可能となる。
(8).上記(6),(7)により、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を下げることができる。したがって、半導体集積回路装置の動作速度を向上させることが可能となる。
1d1,1f1 窒化シリコン膜
1A,1B 絶縁膜
・ 2a〜2d 有機絶縁膜
2A,2B 有機絶縁膜
3,3a,3b フォトレジスト膜
3c,3d フォトレジスト膜(マスキング層)
4 凹部
4A 凹部
4a,4a1〜4a7 溝(凹部)
4b 孔(凹部)
4b1,4b2 スルーホール(孔、凹部)
4b3〜4b9 スルーホール(凹部)
5,5a〜5d 絶縁膜
6 RIE装置
6a エッチングチャンバ
6b 下部電極
6c 第1の高周波電源
6d 上部電極
6e 第2の高周波電極
6f ガス導入系
6g シャワープレート
7 半導体ウエハ(半導体集積回路基板)
7s 半導体基板(半導体集積回路基板)
8 エッチング装置
8a エッチングチャンバ
8b 下部電極
8c 第1の高周波電源
8d ICPコイル
8e 第2の高周波電源
8f ガス導入系
9 エッチング装置
9a エッチングチャンバ
9b 下部電極
9c 第1の高周波電源
9d アンテナ
9e 第2の高周波電源
9f UHF電源
9g 電磁石
9h シャワープレート
10N nウエル
10P pウエル
11 分離部
12 ゲート絶縁膜
13 ゲート電極
14 サイドウォール
15a 半導体領域
15b シリサイド層
16a 半導体領域
16b シリサイド層
17a〜17k,17m,17n,17p 層間絶縁膜
18L1 第1層配線
18L2 第2層配線(埋込配線)
18L3 第3層配線(埋込配線)
18L4 第4層配線(埋込配線)
18L5 第5層配線(埋込配線)
18L6 第6層配線(埋込配線)
18L7 第7層配線
18PL1〜18PL10 接続部(埋込配線)
19 コンタクトホール(凹部)
20 導体膜
21a〜21g 反射防止膜
22 絶縁膜
23 開口部
50 絶縁膜
51 有機絶縁膜
52 フォトレジスト膜
53 凹部
53a 溝
53b 孔
54 堆積物
55 サブトレンチ(溝)
56 絶縁膜
Qp pチャネル型のMIS・FET
Qn nチャネル型のMIS・FET
Claims (16)
- 以下の工程を含み、埋込配線を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を構成する第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成するための有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のガス雰囲気の最大のガス成分はアルゴンガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項3記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のガス雰囲気は酸素ガスを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項3記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のガス雰囲気は酸素ガスを実質的に含まないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を含み、埋込配線を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線の層間絶縁膜を形成し、第1の有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成し、前記第1の絶縁膜よりも膜厚が薄い、前記第1の有機シロキサンとは成分が異なる第2の有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンを含むエッチングガス及び窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜に比較して膜厚が厚いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して炭素含有量が50%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に比較して炭素含有量が100%以上多いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)における前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対するエッチング選択比は4以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)における前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対するエッチング選択比は5以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を含み、配線層間の相互接続のためのプラグ領域と埋込配線メタルを一度に埋め込むデュアルダマシン型の埋込配線を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を構成する第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を構成する有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、第1のガス雰囲気中において、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成する工程;
(e)前記第1の凹部が形成された状態で、第2のガス雰囲気中において、前記第1のプラズマエッチング処理に比較して、前記第1の絶縁膜に対する前記第2の絶縁膜のエッチング選択比が相対的に大きい条件下で、前記第2の絶縁膜に対して第2のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。 - 請求項12記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を含み、配線層間の相互接続のためのプラグ領域と埋込配線メタルを一度に埋め込むデュアルダマシン型の埋込配線を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を形成するための第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成するための有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。 - 請求項14記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は窒化シリコンを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を含み、配線層間の相互接続のためのプラグ領域と埋込配線とを形成するための導体膜を一度に埋め込むデュアルダマシン型の埋込配線を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線の層間絶縁膜を構成し、第1の有機シロキサンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を構成し、前記第1の絶縁膜よりも膜厚が薄い、前記第1の有機シロキサンとは成分が異なる第2の有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程;
(c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程;
(d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガス及び窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004049195A JP4173454B2 (ja) | 1999-06-24 | 2004-02-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17808099 | 1999-06-24 | ||
JP2004049195A JP4173454B2 (ja) | 1999-06-24 | 2004-02-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001505055A Division JP4173307B2 (ja) | 1999-06-24 | 2000-06-21 | 半導体集積回路の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008040978A Division JP4881895B2 (ja) | 1999-06-24 | 2008-02-22 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004193627A true JP2004193627A (ja) | 2004-07-08 |
JP4173454B2 JP4173454B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=32774097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004049195A Expired - Lifetime JP4173454B2 (ja) | 1999-06-24 | 2004-02-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4173454B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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---|---|
JP4173454B2 (ja) | 2008-10-29 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |