JP2004193331A - コモンモードフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

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一三 小林
Hisao Tomonari
寿緒 友成
Hiroyuki Uemura
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Abstract

【課題】高周波特性が良好で、特性インピーダンスを適切値に設定でき、小型で安価なコモンモードフィルタを提供する。
【解決手段】棒状磁気コア1の巻芯部外面に基部樹脂絶縁層10を設け、該基部樹脂絶縁層10の上に螺旋状の1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13を順次設けてあり、前記1次及び2次導体層11,13がそれぞれ外部電極21を有するか又は外部電極21に接続している。また、巻芯部3の外周に、外装樹脂絶縁カバー30を設けて上面を平坦面としている。前記樹脂絶縁層10,12の誘電率は2.0〜3.0である。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気コアに導体パターンを施したEMCフィルタ等のコモンモードフィルタに係り、特にIEEE1394やUSB2.0等の高速通信用に好適で、磁気コアに導体層と樹脂絶縁層を好適に積層形成してなる、高周波特性が良いコモンモードフィルタ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種のフィルタとしては、下記特許文献1に示されるように、棒状のフェライトコア表層部にガラス含浸層を設け、その全面に導体膜を形成した後、レーザを照射して導体膜の一部を除去して、ノーマルモードやコモンモードのインダクタとするものが知られていた。
【0003】
また、特許文献2、特許文献3、特許文献4に示されるように、棒状の磁気又は誘電体コアに絶縁層又は軟磁性層を挟んで2つの螺旋状導電体層を形成することにより、コモンモードチョークコイルとしていた。
【0004】
【特許文献1】特開2000−243629号公報
【特許文献2】特開2001−102222号公報
【特許文献3】特開2001−189216号公報
【特許文献4】特開2001−189225号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1の場合、磁気コアを用いるときに、コモンモードフィルタの高周波特性(とくに差動信号についての遮断周波数)に限界があった。この場合、それぞれ磁気コアに2つの螺旋状コイルを周回させてコモンモードフィルタとしているが、特性インピーダンスを例えば90Ωや100Ωに調整することが困難であった。つまり、水平方向のコイルパターン間の線間容量等、コイルパターン間で相互に影響し合うため、特性インピーダンスを調整する場合、考慮するパラメータが多く複雑となる。
【0006】
特許文献2、特許文献3及び特許文献4においては、絶縁層又は軟磁性層を挟んで2つの螺旋状導電体層を形成してコモンモードフィルタとしているが、下層の螺旋状導電体層が磁気コア外周面に密着しており、磁気コアを用いた場合、コモンモードフィルタの高周波特性(遮断周波数)に限界があった。
【0007】
本発明は、上記の点に鑑み、高周波特性が良好で、特性インピーダンスを適切値に設定でき、小型で安価なコモンモードフィルタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項1の発明に係るコモンモードフィルタは、棒状磁気コアの表面に基部樹脂絶縁層を設け、該基部樹脂絶縁層の上に螺旋状の1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を設けてあり、前記1次及び2次導体層がそれぞれ外部電極を有するか又は外部電極に接続していることを特徴としている。
【0010】
本願請求項2の発明に係るコモンモードフィルタは、請求項1において、前記樹脂絶縁層の誘電率を2.0〜3.0としたことを特徴としている。
【0011】
本願請求項3の発明に係るコモンモードフィルタは、請求項1又は2において、前記棒状磁気コアは両端部よりも細く形成された巻芯部を有し、前記巻芯部の外周に前記基部樹脂絶縁層、1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層が形成されていることを特徴としている。
【0012】
本願請求項4の発明に係るコモンモードフィルタは、請求項3において、前記巻芯部の外周に、前記基部樹脂絶縁層、1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を覆う外装樹脂絶縁カバーを設け、該外装樹脂絶縁カバーの上面を平坦面としたことを特徴としている。
【0013】
本願請求項5の発明に係るコモンモードフィルタは、請求項3において、前記1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層の螺旋状部分相互間に空間を残して、前記棒状磁気コアの両端部間に外側面が平坦な外装樹脂絶縁カバーを設けたことを特徴としている。
【0014】
本願請求項6の発明に係るコモンモードフィルタの製造方法は、棒状磁気コアの表面に基部樹脂絶縁層を形成し、該基部樹脂絶縁層の上に1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を順次形成した後、少なくとも前記1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を螺旋状に残すようにレーザトリミング、切削加工又はウォータジェットにより溝加工することを特徴としている。
【0015】
本願請求項7の発明に係るコモンモードフィルタの製造方法は、請求項6において、前記溝加工の後、前記1次及び2次導体層にそれぞれ接続するように外部電極を形成することを特徴としている。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るコモンモードフィルタ及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【0017】
図1は本発明の第1の実施の形態であってコモンモードフィルタを示す正断面図(図2のI−I断面図)、図2は外観の斜視図、図3は外装樹脂及び外部電極処理前の斜視図、及び図4は第1の実施の形態におけるコモンモードフィルタの等価回路図である。
【0018】
これらの図において、1はフェライト等の棒状磁気コアであり、両側の四角柱状端部2よりも細く形成された巻芯部3を両端部間に有し、例えば外形寸法は長さ4.5mm×幅3.1mm×高さ2.0mmである。この棒状磁気コア1の表面に基部樹脂絶縁層10をコーティングで設け、その上に1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13を順次積層形成している。巻芯部3の外周に位置する基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13は螺旋状に形成されており、螺旋状に巻芯部3を周回する1次及び2次導体層11,13は図4の等価回路図における相互に結合した一対のコイルをなす。なお、基部樹脂絶縁層10は上層の1次導体層11等と同じ螺旋状であってもよいし、コア1全面を覆っていても良い。
【0019】
前記導体層11,13は銅、ニッケル等の良導体金属であり、絶縁層10,12上にそれぞれ厚さ4μm程度にめっき(無電解めっき、又は無電解めっき及び電気めっき)、蒸着、スパッタ、CVD等の乾式薄膜技術等で成膜される。また、前記樹脂絶縁層10,12は、厚さ20μm程度にコーティングで形成され、低誘電率樹脂(例えば、フッ素樹脂(商品名:テフロン)、エポキシ、ポリイミド等)からなり、誘電率が2〜3であることが好ましい。誘電率が3を超えると線間容量が増大して高周波特性が低下するきらいがあり、誘電率を2未満とすることは実際上使用可能な樹脂材料を見いだすのが困難となる。
【0020】
その後、外装樹脂絶縁カバー30を棒状磁気コア1の周囲に設け、巻芯部3の周囲に設けられた螺旋状の基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13を絶縁被覆する。このとき、外装樹脂絶縁カバー30は少なくとも上面が平坦面となるようにエポキシ等の樹脂を印刷形成する。この理由は、電子部品装着機の吸着ノズルで吸着可能なチップ部品とするためである。
【0021】
前記1次導体層11及び2次導体層13はそれぞれ棒状磁気コア1の両側の端部2に延長しており、図2に示すように、1次導体層11に接続する一対の外部電極20及び2次導体層13に接続する一対の外部電極21が棒状磁気コア1の端部2に形成される。つまり、外部電極20,21の一方のものは、棒状磁気コア1の一方の端部2に、外部電極20,21の他方のものは、棒状磁気コア1の他方の端部2にそれぞれ配置されている。なお、前記外部電極20と1次導体層11との接続は端部2上の中間樹脂絶縁層12、2次導体層13及び外装樹脂カバー30の一部をエッチング等で除去してから外部電極20を形成することで行うことができ、前記外部電極21と2次導体層13との接続は前記外装樹脂絶縁カバー30の一部をエッチング等で除去してから外部電極21を形成することで行うことができる。外部電極21の材質はニッケル、錫等であり、めっき法で形成する。あるいはニッケル下地上に錫めっきする等の電極構成でもよい。また、1次導体層11、2次導体層13と外部電極21との接続はめっき又は導電性ペーストで行えばよい。
【0022】
実際の製造に際しては、棒状磁気コア1の全表面に基部樹脂絶縁層10を設け、その上に1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13を全表面にわたり順次積層形成した後、図3のように、基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13を螺旋状に残すようにレーザトリミング、切削加工又はウォータジェットにより溝加工を施し、溝40を棒状磁気コア1の巻芯部3に形成する。これにより、図1のように巻芯部3の外周を螺旋状に周回する基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13からなる多層構造体が得られる。そして、少なくとも上面が平坦面となるように外装樹脂絶縁カバー30を設け、その後、図2のように外部電極20,21をそれぞれ一対ずつ形成する。完成品の寸法は例えば、長さ4.5mm×幅3.2mm×高さ3.2mm〜長さ1.6mm×幅0.8mm×高さ0.8mm程度である。
【0023】
図5はSdd21特性(ディファレンシャルモードについての減衰特性)の周波数特性であって、磁気コア1と1次導体層11との間に基部樹脂絶縁層10が有る第1の実施の形態の場合を曲線▲1▼で、基部樹脂絶縁層が無い場合を比較例として曲線▲2▼で示す。第1の実施の形態の曲線▲1▼における3dB減衰点である遮断周波数fc1は、曲線▲2▼の3dB減衰点である遮断周波数fc2よりも遙かに高い方に移行している。
【0024】
この第1の実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【0025】
(1) 特にIEEE1394やUSB2.0等の高速通信用に好適で、前記高速通信に要求されるコモンモードフィルタの高周波特性(遮断周波数)を例えば1GHz以上とすることが出来るばかりでなく、特性インピーダンスも例えば客先が要求する90Ωや100Ω等のコモンモードフィルタに調整することが可能である。その理由は、1次の導体層11を基部樹脂絶縁層10と中間樹脂絶縁層12とでサンドイッチしているからであり、導体層11,13の容量成分を小さく抑えることができる。また、樹脂絶縁層10,12の誘電率や厚さ及び導体層11,13の幅及び厚さを適切に設定することにより、特性インピーダンスを90Ωや100Ω等に容易に作ることが出来る(水平方向の導体層パターン間の容量等は実質的に無視できるため、特性インピーダンスを調整する際に考慮すべきパラメータは少なくて済む)。その場合、前記樹脂絶縁層10,12の樹脂誘電率は2〜3程度と低い方が、特性インピーダンスの調整がさらに容易で、しかも薄く小型にすることが出来る。
【0026】
(2) 棒状磁気コア1として両側の四角柱状端部よりも細く形成された巻芯部3を有するものを用い、巻芯部3の外周に螺旋状に基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12及び2次導体層13を形成した後、外装樹脂絶縁カバー30を棒状磁気コア1の周囲に設けて少なくとも上面が平坦面となるように形成している。これにより、電子部品装着機の吸着ノズルで吸着可能な小型のチップ部品とすることができる。
【0027】
図6は本発明の第2の実施の形態であってコモンモードフィルタを示す正断面図(図7のV−V断面図)、図7は外観の斜視図及び図8は外装樹脂及び外部電極処理前の斜視図である。この場合、磁気コア1の巻芯部3には螺旋状に基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12、2次導体層13が形成されており、さらに2次導体層13の上側に導体層保護のために外部樹脂絶縁層14が設けられている。このため、外装樹脂カバー31は巻芯部3の周囲を樹脂封止する必要はなくなり、外装樹脂カバー31として上下面が平坦面となっている板状のもの(LCP、フェノール等の成形樹脂)を用い、コア1に接着している。そして、基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12、2次導体層13及び外部樹脂絶縁層14の螺旋状部分の周囲に空間を残すように(少なくとも螺旋状部分相互間の空間を残すように)、外装樹脂カバー31は棒状磁気コア1の四角柱状端部2の上面間に固着されている(図示のように、コア1の端部2が外部樹脂絶縁層14で覆われている上から外装樹脂カバー31を固着しても良い)。なお、外部電極20と1次導体層11との接続は端部2上の中間樹脂絶縁層12、2次導体層13及び外部樹脂絶縁層14の一部をエッチング等で除去してから外部電極20を形成することで行うことができ、前記外部電極21と2次導体層13との接続は前記外部樹脂絶縁層14の一部をエッチング等で除去してから外部電極21を形成することで行うことができる。その他の構成及び製造過程は前述の第1の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
【0028】
この第2の実施の形態によれば、外装樹脂カバー31を構成する樹脂が1次導体層11や2次導体層13の螺旋状部分に近接しないため、その樹脂の誘電率による線間容量の増大を回避でき、ひいては高周波特性を改善でき、好ましい。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。
【0029】
図9は本発明の第3の実施の形態であってコモンモードフィルタを示す正断面図である。この場合、外装樹脂カバー32は上面が平坦面となっている板状であり、基部樹脂絶縁層10、1次導体層11、中間樹脂絶縁層12、2次導体層13及び外部樹脂絶縁層14の螺旋状部分相互間に空間を残すように、棒状磁気コア1の四角柱状端部2の上面間に固着されている。その他の構成及び製造過程は前述の第2の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
【0030】
この第3の実施の形態によれば、外装樹脂カバー32を構成する樹脂が1次導体層11や2次導体層13の螺旋状部分相互間に入り込まないため、その樹脂の誘電率による線間容量の増大を回避でき、ひいては高周波特性を改善できるので、好ましい。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。
【0031】
なお、棒状磁気コア形状は、鍔部が無い平坦形状、端部電極部は角柱状で、中央部の巻芯部断面が丸や楕円等となっていても良い。また、棒状磁気コアの全体断面が多角形(八角形等)の平坦又は鍔付き形状でも良い。
【0032】
また、1次及び2次導体層端部が、そのまま外部電極を形成しても良い。また、外装樹脂絶縁カバーは省略することも可能である。
【0033】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高周波特性が良好で、特性インピーダンスを適切値に設定でき、小型で安価なコモンモードフィルタを実現することができる。特にIEEE1394やUSB2.0等の高速通信用に好適で、前記高速通信に要求されるコモンモードフィルタの高周波特性(遮断周波数)を例えば1GHz以上とすることが出来るばかりでなく、特性インピーダンスも例えば客先が要求する90Ωや100Ω等のコモンモードフィルタに調整することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態におけるコモンモードフィルタを示す正断面図(図2のI−I断面図)である。
【図2】同じくコモンモードフィルタの外観を示す斜視図である。
【図3】第1の実施の形態における外装樹脂及び外部電極処理前の斜視図である。
【図4】第1の実施の形態のコモンモードフィルタの等価回路図である。
【図5】第1の実施の形態と基部樹脂絶縁層の無い比較例の場合の遮断周波数を対比して示す伝送特性Sdd21の周波数特性図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態におけるコモンモードフィルタを示す正断面図(図7のV−V断面図)である。
【図7】同じくコモンモードフィルタの外観を示す斜視図である。
【図8】第2の実施の形態における外装樹脂及び外部電極処理前の斜視図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態におけるコモンモードフィルタを示す正断面図である。
【符号の説明】
1 棒状磁気コア
2 端部
3 巻芯部
10 基部樹脂絶縁層
11 1次導体層
12 中間樹脂絶縁層
13 2次導体層
14 外部樹脂絶縁層
20,21 外部電極
30,31,32 外装樹脂絶縁カバー

Claims (7)

  1. 棒状磁気コアの表面に基部樹脂絶縁層を設け、該基部樹脂絶縁層の上に螺旋状の1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を設けてあり、前記1次及び2次導体層がそれぞれ外部電極を有するか又は外部電極に接続していることを特徴とするコモンモードフィルタ。
  2. 前記樹脂絶縁層の誘電率を2.0〜3.0とした請求項1記載のコモンモードフィルタ。
  3. 前記棒状磁気コアは両端部よりも細く形成された巻芯部を有し、前記巻芯部の外周に前記基部樹脂絶縁層、1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層が形成されている請求項1又は2記載のコモンモードフィルタ。
  4. 前記巻芯部の外周に、前記基部樹脂絶縁層、1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を覆う外装樹脂絶縁カバーを設け、該外装樹脂絶縁カバーの上面を平坦面とした請求項3記載のコモンモードフィルタ。
  5. 前記1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層の螺旋状部分相互間に空間を残して、前記棒状磁気コアの両端部間に外側面が平坦な外装樹脂絶縁カバーを設けている請求項3記載のコモンモードフィルタ。
  6. 棒状磁気コアの表面に基部樹脂絶縁層を形成し、該基部樹脂絶縁層の上に1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を順次形成した後、少なくとも前記1次導体層、中間樹脂絶縁層及び2次導体層を螺旋状に残すようにレーザトリミング、切削加工又はウォータジェットにより溝加工することを特徴とするコモンモードフィルタの製造方法。
  7. 前記溝加工の後、前記1次及び2次導体層にそれぞれ接続するように外部電極を形成する請求項6記載のコモンモードフィルタの製造方法。
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