JP2004189537A - アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶及びその製造方法 - Google Patents

アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004189537A
JP2004189537A JP2002359147A JP2002359147A JP2004189537A JP 2004189537 A JP2004189537 A JP 2004189537A JP 2002359147 A JP2002359147 A JP 2002359147A JP 2002359147 A JP2002359147 A JP 2002359147A JP 2004189537 A JP2004189537 A JP 2004189537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
coo
bulk single
producing
bulk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002359147A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4092398B2 (ja
Inventor
Junji Akimoto
順二 秋本
Yasuhiko Takahashi
靖彦 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2002359147A priority Critical patent/JP4092398B2/ja
Publication of JP2004189537A publication Critical patent/JP2004189537A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4092398B2 publication Critical patent/JP4092398B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

【課題】優れた電池特性ならびに熱電変換性能を有し、有用な、層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリのバルク状単結晶、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ACoO粉末を筒状の容器中に収納し、酸素ガス中又は大気中で融点以上の温度に加熱して溶融し、ACoOの溶融域を徐々に移動させることにより単結晶を育成して、単結晶の縦、横、及び高さがそれぞれ少なくとも1mm以上である化学式ACoOで示される化合物のバルク状単結晶を得る。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱電変換材料およびリチウムイオン二次電池材料等として有用な、新規なアルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、リチウム電池材料として実用化されているコバルト酸リチウムは、多結晶体を使用するものである。しかしながら、薄膜電池、マイクロ電池、全固体型リチウム電池等を構成する材料としては、単結晶性の材料がエネルギー密度、並びに固体中の拡散の観点から好ましく、単結晶膜作製技術とともに単結晶育成技術の確立が必要となる。
一方、熱電材料として注目されているコバルト酸ナトリウムについても、単結晶を用いた場合に熱電変換特性が向上することが知られており、単結晶育成技術の確立が必要となる。
これら層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリの単結晶育成技術に関しては、これまでにフラックス法を適用して、微小で薄片状の単結晶を合成した例があるにすぎず、リチウム電池材料や熱電変換材料等として使用可能な層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリのバルク状単結晶を得るための、単結晶育成技術の確立が求められていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、優れた電池特性ならびに熱電変換性能を有し、有用な、層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリのバルク状単結晶、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は鋭意検討した結果、コバルト酸アルカリの単結晶が溶融法によってバルク状単結晶として育成できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明はつぎのような構成を有するものである。
1.化学式ACoO(0<x≦1,A=Li又はNa)で示される化合物のバルク状単結晶。
2.単結晶の縦、横、及び高さがそれぞれ少なくとも1mm以上であることを特徴とする1に記載の単結晶。
3.ACoO粉末を融点以上の温度に加熱して溶融し、その後冷却することを特徴とする1又は2に記載のバルク状単結晶の製造方法。
4.加熱雰囲気が酸素ガス中又は大気中であることを特徴とする3に記載のバルク状単結晶の製造方法。
5.ACoO粉末を筒状の容器中に収納し、ACoOの溶融域を徐々に移動させることにより単結晶を育成することを特徴とする3又は4に記載のバルク状単結晶の製造方法。
6.筒状の容器がアルミナ(Al)、マグネシア(MgO)、ジルコニア(ZrO)又は白金(Pt)により構成されたものであることを特徴とする5に記載のバルク状単結晶の製造方法。
7.筒状の容器を局部的に加熱することを特徴とする3〜6のいずれかに記載のバルク状単結晶の製造方法。
8.ハロゲンランプ又はレーザー光源による単結晶育成装置を使用して加熱することを特徴とする7に記載のバルク状単結晶の製造方法。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明では、ACoO粉末を原料として、高温の保持容器に入れ、加熱により充分に溶融させた後に冷却する、溶融結晶育成法により、ACoOのバルク状単結晶を得る。この溶融結晶育成法としては、ゾーンメルティング(Zone
Melting)、ブリッジマン法(Bridgeman Method)等が挙げられる。
すなわち、出発原料をアルミナ、マグネシア、ジルコニア等のセラミックス製容器、或いは白金等の容器に入れ、酸素ガス雰囲気中又は大気中で、加熱温度1300℃以上に保持して充分に溶融したのを確認した後に、冷却することによってバルク状の単結晶が得られる。この単結晶の育成には、汎用の大型単結晶育成装置を使用することができる。
【0006】
得られたバルク状の単結晶は、SEM−EDXによる形態観察、化学分析及びX線回折等により、その組成及び結晶構造を確認することができる。
単結晶の化学組成としては、アルミナ製の容器を使用した場合には、化学式ACoOのコバルトの一部がアルミニウムで置換された単結晶が得られるが、本発明のバルク状単結晶は、このようなものも包含するものである。
【0007】
単結晶の形状やサイズは、製造条件によって異なるものとなるが、通常は1mm角程度の直方体として得ることができ、最大では5mmφ×3mm程度のバルク状のものとして得ることができる。
従来のフラックス法では、LiCoOやNaCoO粉末とそれぞれの融剤となるLiCl又はNaClを混合し、比較的低温で加熱した後に徐冷することによって単結晶を得るものであり、薄い単結晶は得られるものの、バルク状の単結晶を製造することはできなかった。
本発明のACoOのバルク状単結晶は、汎用の大型単結晶育成装置を使用して、工業的に有利な溶融結晶育成法により製造することができるものであり、大型化及び結晶方位の制御が容易であることから、リチウム電池材料及び熱電変換材料として実用的価値の高い材料である。
【0008】
つぎに、図に基づいて本発明のACoOのバルク状単結晶を製造する装置について説明する。
図1は、本発明のバルク状単結晶の製造装置の1例を示す模式図である。この装置1は、アルミナ、マグネシア、ジルコニア又は白金により構成された筒状の容器2を内部に収納したクォーツチューブ3、クォーツチューブ3の周囲を覆うように設けられた楕円状反射鏡4を有する。クォーツチューブ3には、酸素ガス導入口5及び酸素ガス排出口6、ならびに容器2を上下に移動可能に保持する保持手段7が設けられている。また、楕円状反射鏡4には、容器2に赤外線を照射して加熱するためのハロゲンランプ8が設置されている。ハロゲンランプに代えて、レーザー光源を使用してもよい。
【0009】
この装置1を使用して、本発明のACoOのバルク状単結晶を製造するには、容器2内部に原料となるACoO粉末11を収納した後に、酸素ガス導入口5からクォーツチューブ3内に酸素ガスを導入し、ハロゲンランプ8により赤外線を照射してACoO粉末11を加熱溶融する。
加熱溶融されたACoO粉末11からは、はじめにACoOの多結晶が生成するが、容器2を保持手段7によりクォーツチューブ3内で上下に移動させて、多結晶の溶融域12を徐々に上下に移動させることにより、単結晶を育成する。加熱温度を1300℃以上に保持し、ACoOが充分に溶融したのを確認した後に冷却すると、バルク状の単結晶が得られる。
【0010】
【実施例】
つぎに、実施例により本発明をさらに説明するが、以下の具体例は本発明を限定するものではない。
(実施例1)
図1の構成を有するハロゲンランプ8を有する赤外線集光加熱単結晶育成装置((株)クリスタルシステム製、四楕円鏡)を使用し、純度99.9%以上のLiCoO粉末(粒径は数ミクロン程度)を片封じの白金チューブ製容器2内に充填し、容器2の先端を炉の最高温度域にセットした。雰囲気ガスとして酸素ガスを毎分3リットルの流速で流しながら、ハロゲンランプ出力で最高温度を制御しつつ加熱し、試料を溶融させた後、容器2を毎時3〜10mmの速度で高温部を通過させることによって、単結晶を育成した。得られた黒色の単結晶は、最大で3x2x2mm程度の大きさを有していた。
【0011】
実施例1で得られた、縦、横及び高さがそれぞれ2mm程度のバルク状単結晶の実体顕微鏡写真を図2に示す。なお、図2において図中の1目盛りが1mmに相当する。
また、SEM−EDX(日本電子製JSM−5400使用)による化学分析により、単結晶中に容器2を構成する元素の混入がないことを確認した。得られたEDXスペクトル(加速電圧20kv、測定時間100秒)を図3に示す。
さらに、四軸型X線回折装置(理学電機製AFC−7S、Mo管球X線使用)を用いて三方晶系、空間群R−3mの層状岩塩型の結晶構造であることを確認した。2θ(Mo)=20〜30°の有意の強度を持つ25反射について四軸角を精密測定し、最小二乗法によって決定された格子定数は、六方格子で表現すると次の通りであった。
a=2.8159±0.0007(Å)
c=14.0543±0.0010(Å)
【0012】
(実施例2)
実施例1において、白金チューブ製容器2に代えてアルミナ(JIS規格SSA−S)チューブ製容器2を使用した以外は、実施例1と同様にしてLiCoO単結晶を育成した。得られた単結晶の大きさは、実施例1と同様に2mm角程度のバルク状単結晶であった。
実施例2で得られた、アルミナチューブ壁面に成長した単結晶群の走査型電子顕微鏡写真を図4に示す。また、SEM−EDX(日本電子製JSM−5400使用)による化学分析により、単結晶中に容器2を構成する元素であるアルミニウムの混入を確認した。得られたEDXスペクトル(加速電圧20kv、測定時間100秒)を図5に示す。
さらに、四軸型X線回折装置(理学電機製AFC−7S、Mo管球X線使用)を用いて単結晶X線構造解析を行った結果、最終の信頼度因子(R値)3%で、三方晶系、空間群R−3mの層状岩塩型の結晶構造と、正確な化学組成がLiAl0.32Co0.68であることを確認した。2θ(Mo)=20〜30°の有意の強度を持つ25反射について四軸角を精密測定し、最小二乗法によって決定された格子定数は、六方格子で表現すると次の通りであった。
a=2.8056±0.0011(Å)
c=14.1079±0.0015(Å)
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のバルク状単結晶の製造装置の1例を示す模式図である。
【図2】実施例1で得られたバルク状単結晶の実体顕微鏡写真である。
【図3】実施例1で得られたバルク状単結晶のEDXスペクトルである。
【図4】実施例2で得られたバルク状単結晶の走査型電子顕微鏡写真である。
【図5】実施例2で得られたバルク状単結晶のEDXスペクトルである。
【符号の説明】
1 バルク状単結晶の製造装置
2 筒状の容器
3 クォーツチューブ
4 楕円状反射鏡
5 酸素ガス導入口
6 酸素ガス排出口
7 保持手段
8 ハロゲンランプ
11 LiCoO粉末
12 溶融域

Claims (8)

  1. 化学式ACoO(0<x≦1,A=Li又はNa)で示される化合物のバルク状単結晶。
  2. 単結晶の縦、横、及び高さがそれぞれ少なくとも1mm以上であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶。
  3. CoO粉末を融点以上の温度に加熱して溶融し、その後冷却することを特徴とする請求項1又は2に記載のバルク状単結晶の製造方法。
  4. 加熱雰囲気が酸素ガス中又は大気中であることを特徴とする請求項3に記載のバルク状単結晶の製造方法。
  5. CoO粉末を筒状の容器中に収納し、ACoOの溶融域を徐々に移動させることにより単結晶を育成することを特徴とする請求項3又は4に記載のバルク状単結晶の製造方法。
  6. 筒状の容器がアルミナ(Al)、マグネシア(MgO)、ジルコニア(ZrO)又は白金(Pt)により構成されたものであることを特徴とする請求項5に記載のバルク状単結晶の製造方法。
  7. 筒状の容器を局部的に加熱することを特徴とする請求項3〜6のいずれかに記載のバルク状単結晶の製造方法。
  8. ハロゲンランプ又はレーザー光源による単結晶育成装置を使用して加熱することを特徴とする請求項7に記載のバルク状単結晶の製造方法。
JP2002359147A 2002-12-11 2002-12-11 アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶 Expired - Lifetime JP4092398B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002359147A JP4092398B2 (ja) 2002-12-11 2002-12-11 アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002359147A JP4092398B2 (ja) 2002-12-11 2002-12-11 アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007211727A Division JP4911617B2 (ja) 2007-08-15 2007-08-15 アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004189537A true JP2004189537A (ja) 2004-07-08
JP4092398B2 JP4092398B2 (ja) 2008-05-28

Family

ID=32758628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002359147A Expired - Lifetime JP4092398B2 (ja) 2002-12-11 2002-12-11 アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4092398B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009234846A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Gs Yuasa Corporation コバルト化合物、アルカリ電池及びアルカリ蓄電池用正極の製造方法
JP2012233665A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 加熱用容器、局所加熱装置および加熱方法
WO2018003386A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置および単結晶製造方法
WO2020239147A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Univerzita Karlova Method of growing a homogeneous single crystal under steady state conditions and a device for carrying out the method
US11326270B2 (en) 2018-03-29 2022-05-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009234846A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Gs Yuasa Corporation コバルト化合物、アルカリ電池及びアルカリ蓄電池用正極の製造方法
JP2012233665A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 加熱用容器、局所加熱装置および加熱方法
WO2018003386A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置および単結晶製造方法
CN107849732A (zh) * 2016-06-29 2018-03-27 株式会社水晶系统 单晶制造装置和单晶制造方法
JPWO2018003386A1 (ja) * 2016-06-29 2018-07-05 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置および単結晶製造方法
CN107849732B (zh) * 2016-06-29 2020-09-18 株式会社水晶系统 单晶制造装置和单晶制造方法
US10829869B2 (en) 2016-06-29 2020-11-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method
US11326270B2 (en) 2018-03-29 2022-05-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method
WO2020239147A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Univerzita Karlova Method of growing a homogeneous single crystal under steady state conditions and a device for carrying out the method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4092398B2 (ja) 2008-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Puotinen et al. The crystal structure of MoTe2
CN105047809B (zh) SnSe基热电材料及其制备方法
JP2018125207A (ja) ガーネット型酸化物固体電解質の製造方法
WO2010009597A1 (zh) 掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件
Jin et al. Size Control of α‐Al2O3 Platelets Synthesized in Molten Na2SO4 Flux
Drisko et al. Crystallization of hollow mesoporous silica nanoparticles
CN100425743C (zh) 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
CN106796825B (zh) 锂离子传导性晶体及全固体锂离子二次电池
CN113046822A (zh) 氟硼酸铝铷非线性光学晶体及其制备方法和用途
JP4092398B2 (ja) アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶
CN110607556A (zh) 一种晶体材料、其制备生长方法及其在非线性光学中的应用
JP2015038030A (ja) リチウムイオン伝導性酸化物の単結晶及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイス
WO2005054550A1 (ja) 人工コランダム結晶
Kuo et al. Synthesis of nanocrystalline lithium niobate powders via a fast chemical route
JP4911617B2 (ja) アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶の製造方法
CN108130595A (zh) 一种气氛控制制备氧化铝晶须的方法
JP3867136B2 (ja) ナトリウムコバルト酸化物の単結晶及びその製造方法
Dabkowski et al. Growth and properties of single crystals of relaxor PZN–PT materials obtained from high-temperature solution
GB2417243A (en) Complex oxide having p-type thermoelectric characteristics
JPH09328395A (ja) セシウム・リチウム・ボレート系結晶
JP4619946B2 (ja) ボレート系結晶の製造方法とレーザー発振装置
JP3987925B2 (ja) 多元系遷移金属複合酸化物単結晶の製造方法
CN109868502A (zh) 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法
JP2002234796A (ja) コバルト酸リチウム合成法及び単結晶育成法
CN114635178B (zh) 化合物低温相九硼酸锂锶和低温相九硼酸锂锶非线性光学晶体及制备方法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040818

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070402

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070815

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070817

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071023

TRDD Decision of grant or rejection written
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20071221

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4092398

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term