JP2004170744A - 配向膜形成方法、配向膜形成装置、液晶パネル、液晶プロジェクタおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い配向膜を量産性良く形成することが可能な配向膜形成方法、配向膜形成装置、液晶パネル、液晶プロジェクタおよび電子機器を提供する。
【解決手段】基板９上に配向膜を形成する方法であって、ターゲット５から放出されるスパッタ粒子が一方向から斜めに基板９に入射するようにスパッタリングを実施する。これにより、基板９に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶パネルの配向膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の一般的な液晶パネルは、２枚の電極付基板間に液晶の配向を制御する配向膜と液晶が封入された構成を有している。ここで、配向膜は、配向膜に直接接する液晶分子の配向方向を揃える機能と、液晶分子の起きあがる方向を規制するチルト角を液晶分子に持たせる機能とを果たすもので、液晶パネルを構成する上で重要な役割を担っているものである。このような配向膜の形成に際しては、従来、一般的に有機材料（主としてポリイミド）をスピンあるいは印刷で基板上に塗布した後に焼成し、さらにレーヨン、ナイロンなどの等の布で擦ること（ラビング）により形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３１８３８２号公報（５頁〜６頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の配向膜形成方法には、以下に示す問題点があった。
（１）配向膜は有機物であるため、例えば液晶プロジェクターのように高出力光源を備えた機器に用いた場合、光エネルギーにより有機物がダメージを受けて配向不良を生じる。特に、プロジェクタの小型化および高輝度化を図った場合には、液晶パネルに入射する光の単位面積当りのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱でさらにその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性を低下させてしまう。
（２）ラビング後には不要なキズ、配塵が生じ、表示特性、歩留まりに悪影響を与える。
【０００５】
このように、有機膜で構成されている配向膜は、液晶パネルが組み込まれる各種機器の耐光性および耐熱性に関する信頼性を損ねる大きな原因となっており、また、その配向膜形成に際しての量産性に問題があった。
【０００６】
上記のような有機物を用いた場合の問題点を解消すべく、有機物を用いない配向膜として、酸化シリコン等の斜方蒸着による配向膜形成が提案されている。しかしながら、蒸着はもともと最大でも２０Å／秒と成膜レートが遅いことに加え、斜方蒸着では、基板に対して６０゜〜８０゜と非常に傾いた方向から成膜しなければならないことから、実用的な成膜レート及び膜厚分布を得ることが難しかった。このため、現在でも本格的な量産化には至っておらず、研究開発の域を脱していない。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みなされたもので、信頼性の高い配向膜を量産性良く形成することが可能な配向膜形成方法、配向膜形成装置、液晶パネル、液晶プロジェクタおよび電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る配向膜形成方法は、基板上に配向膜を形成する方法であって、ターゲットから放出されるスパッタ粒子が一方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施し、基板に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成するものである。本発明によれば、スパッタリングにより無機材料からなる配向膜を形成できるので、信頼性の高い配向膜を量産性良く形成することが可能となる。
【０００９】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、スパッタリングが、柱状構造の基板に対する傾斜角が所望の角度となるように最適化された成膜条件に従って実施されてなるものである。本発明によれば、最適化された成膜条件に従ってスパッタリングを実施することにより所望の傾斜角を有する柱状構造が形成され、よって、液晶分子に所望のチルト角を与える配向膜を形成することができる。
【００１０】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、成膜条件が、ターゲットと基板との位置関係、ターゲットに印加する投入パワーおよび成膜圧力を規定したものである。本発明によれば、ターゲットと基板との位置関係、ターゲットに印加する投入パワーおよび成膜圧力により成膜条件を規定できる。
【００１１】
さらに、本発明に係る配向膜形成方法は、ターゲットと基板との間に、開口を有する遮蔽板を設けたものである。本発明によれば、ターゲットから放出されるスパッタ粒子の基板への入射角が遮蔽板により制限され、配向性の良い配向膜を形成することが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、基板をターゲットの近傍で搬送しながらスパッタリングを実施して配向膜を形成するものである。本発明によれば、更に量産性の良い配向膜形成が可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、スパッタリングが、対向ターゲット式スパッタリングであるものである。本発明によれば、スパッタリングに対向ターゲット式スパッタリングを採用できる。
【００１４】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、スパッタリングが、イオンビームスパッタリングであるものである。本発明によれば、スパッタリングにイオンビームスパッタリングを採用できる。
【００１５】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、スパッタリングは反応性スパッタリングであるものである。本発明によれば、スパッタリングに反応性スパッタリングを採用できる。
【００１６】
また、本発明に係る配向膜形成方法は、配向膜がＳｉＯ２を材料として構成するようにしたものである。本発明によれば、無機材料としてＳｉＯ２を材料とした配向膜を形成できる。
【００１７】
本発明に係る配向膜形成装置は、上記の何れかの配向膜形成方法により基板上に配向膜を形成するものである。本発明によれば、信頼性の高い配向膜を量産性良く形成することが可能な配向膜形成装置を得ることが可能となる。
【００１８】
本発明に係る液晶パネルは、上記の何れかの配向膜形成方法により形成された配向膜を備えてなるものである。本発明によれば、信頼性が高く量産性に優れた液晶パネルを得ることができる。
【００１９】
本発明に係る液晶プロジェクタは、上記の液晶パネルを有してなるものである。本発明によれば、高温化に起因する性能低下、投写画像の画質悪化を防止することができ、良好な投写画像を提供できる信頼性の高い液晶プロジェクタを得ることができる。
【００２０】
本発明に係る電子機器は、上記の液晶パネルを有してなるものである。本発明によれば、高温化に起因する性能低下、表示画像の画質悪化を防止することができ、良好な画像表示が行える信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は実施の形態１の配向膜形成方法が適用された配向膜形成装置を示す図である。
本実施の形態１の配向膜形成装置１は、公知のスパッタリング装置（ここでは、対向ターゲット式スパッタリング装置）が組み込まれた構成を成しており、スパッタ法を用いて無機材料からなる配向膜を形成するものである。以下、配向膜形成装置１の構成を説明する。
図において、３は、内部を真空状態に維持可能な真空チャンバーで、この真空チャンバー３内に２枚のターゲット５が離間されて対向配置されている。ターゲット５には直流電源７が接続されており、また、ターゲット５の背面側にはそれぞれ互いに異なる磁極（図示せず）が対向するように配置され、ターゲット５間に磁界が発生するようになっている。
【００２２】
真空チャンバー３においてターゲット５の下方には排気口１３が設けられ、該排気口１３には真空排気装置１５が接続されて真空チャンバー３内を排気できるようになっている。また、真空チャンバー３には、放電ガスを導入する図示しない放電ガス導入口が設けられている。さらに、真空チャンバー３において後述の基板ホルダー１１の下方には、真空チャンバー３内に反応ガスを導入するための反応ガス導入口１７が設けられ、基板９近傍に反応ガスを供給するようになっている。
【００２３】
ターゲット５の側方には、配向膜形成対象の基板９を保持するための基板ホルダー１１が設けられている。この基板ホルダー１１は、断面Ｖ字状に構成され、２面の外面それぞれに一対の押さえ板（図示せず）を有しており、２枚の基板９を、それぞれ各ターゲット５に対して同じ傾斜角となるように傾けて保持している。また、基板ホルダー１１は紙面に直交する方向に移動可能に構成されており、本実施の形態１の配向膜形成装置１では、基板９をターゲット５の近傍で搬送しながら連続的に成膜するインライン式の装置構成となっている。なお、基板９上にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等から成る透明電極が形成されているが、図１および後述の各図においてはその図示を省略している。
【００２４】
以下、図１に示した配向膜形成装置１におけるスパッタリングの動作概略について説明する。なお、本実施の形態１では、ターゲット５にシリコンを用い、真空チャンバー３内に放電ガスとしてのアルゴンガスおよび反応ガスとしての酸素ガスを導入して反応性スパッタリングによりＳｉＯ２の配向膜を形成する場合を例に説明する。
【００２５】
まず、真空排気装置１５により真空チャンバー３内を２×１０^−４Ｐａ程度まで排気し、その後、図示しない放電ガス導入口から１×１０^−１Ｐａ程度までアルゴンガスを導入する。そして、直流電源７に、投入パワー（電力）を投入してターゲット５間にプラズマを発生させ、基板９近傍に向けて反応ガス導入口１７から酸素ガスを導入する。これにより、ターゲット５間において、プラスに帯電しプラズマ化したアルゴンイオンが、マイナス極にあるターゲット５に衝突してターゲット５からスパッタ粒子が飛び出し、酸素ガスと反応して基板９に堆積する。なお、真空チャンバー３内は、内部に導入するガス量と排気量との制御により所定の成膜圧力に維持されている。
【００２６】
本発明は、スパッタ法を用いて無機物の配向膜を形成するものであることは上記した通りであるが、更に詳しくは、ターゲット５から放出されるスパッタ粒子が、一方向から斜めに基板９に入射するようにスパッタリングを実施することで、基板９に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成するものである。
【００２７】
ここで、スパッタリングにおいては、ターゲット５に印加する投入パワーを増大させると、ターゲット５のある一点から放出されるスパッタ粒子が、通常の投入パワー印加時と比べて一方向に揃って出射されることが知られている。次の図に、通常の投入パワーによる場合と、投入パワーを増大させた場合それぞれのスパッタ粒子の放出分布を示す。
【００２８】
図２は、スパッタ粒子の放出分布を示す図で、（ａ）が通常のスパッタリングにおける投入パワーによる場合、（ｂ）が投入パワーを通常よりも増大させた場合を示している。
アルゴンイオン（Ａｒ^＋ ）がターゲット５に衝突したときにターゲット５のある一点から放出されるスパッタ粒子の放出分布は、（ａ）に示すように、真上方向へ飛ぶ確率が一番高く、水平方向への飛散が０となる円を描くような分布となり、その円の軌跡がｃｏｓθ となるような分布となる。これに対し、投入パワーを増大させた場合には、（ｂ）に示すように、真上に飛ぶ確率が低下し、左右それぞれの斜め方向に飛ぶ確率が増大するハート型の放出分布を描くようになる。このように、投入パワーを増大させると、通常の投入パワー時と比べてスパッタ粒子の放出方向の方向性を揃えることができる。本発明はこの仕組みを利用してスパッタ粒子を一方向から斜めに基板９上に入射させるものである。
【００２９】
ところで、このように投入パワー増大によりスパッタ粒子の放出方向が揃うのは、あくまでもターゲット５のある１点に着目した場合である。よって、ターゲット５の表面全体から放出された全スパッタ粒子で考えると、各スパッタ粒子の方向性は混在していることになる。しかし、ターゲット５から放出されて実際に基板９上に到達するスパッタ粒子は、ターゲット５表面のうちの基板側端部から放出されたスパッタ粒子であり、すなわち一部領域から放出されたスパッタ粒子である。このため、一方向の方向性を持ったスパッタ粒子が基板９に到達すると考えて良く、よって、投入パワー増大により基板９に対して一方向からスパッタ粒子を入射させることが可能となる。
【００３０】
しかし、このように投入パワー増大により方向性を制御しても、真空チャンバー３内には複数の気体分子が存在しているため、基板９に到達するまでの間にスパッタ粒子が真空チャンバー３内の気体分子と衝突（散乱）を繰り返し、方向がランダムになってしまう。従って、真空チャンバー３内の気体分子との衝突によるスパッタ粒子の散乱を低減させる対策が必要となる。
【００３１】
この衝突によるスパッタ粒子の散乱の低減は、真空チャンバー３内の気体分子を低減させることにより対応でき、すなわち成膜圧力の設定を低くすることで実現可能である。よって、成膜圧力を必要最低限に設定して真空チャンバー３内の気体分子を極力減小させ、スパッタ粒子の散乱を低減する。これによりターゲット５から放出されたスパッタ粒子の投入パワー制御による方向性を基板９に到達するまで維持することが可能となる。
【００３２】
以上説明したように、投入パワー及び成膜圧力の設定次第で、スパッタ粒子を一方向の方向性を持たせた状態で基板９に到達させることが可能となる。
【００３３】
次に、スパッタ粒子が基板９上に到達し堆積して配向膜が形成されるまでの過程について図を用いて説明する。
【００３４】
図３はスパッタ粒子の堆積の様子を示した模式図である。
（ａ）一方向の方向性を有するスパッタ粒子が図示矢印方向から入射角θ１で基板９に入射し、（ｂ）に示すように基板９上に堆積して一層目を形成する。ここで、一層目の各スパッタ粒子２１ａは、基板９上に間隔３０を空けて堆積される。次に基板９に入射されるスパッタ粒子２１ｂは、一層目の各スパッタ粒子２１と略同一方向（図示点線矢印）から入射するために、各間隔３０部分が陰となって当該部分には堆積せず、（ｃ）に示すように一層目のスパッタ粒子２１ａ上に堆積する。そして、（ｄ）に示すように順次スパッタ粒子が積層され、最終的には（ｅ）に示すように基板９に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜２１が形成される。
【００３５】
図４は上記の方法により形成された配向膜を有する基板間に液晶を封入して液晶パネルを構成した際の、本発明の配向膜による液晶分子の配向状態を模式的に示した図で、液晶分子２３が配向膜２１の柱状構造の傾斜角θ２に依存した方向に配向していることが示されている。
【００３６】
このように、配向膜２１の柱状構造の基板９に対する傾斜角θ２は、液晶分子のチルト角に大きな影響を与えることから非常に重要である。よって、この傾斜角θ２がチルト角に応じた所望の角度となるように基板９の配置位置を調整しながら投入パワーや成膜圧力を変えて予め実験が行われ、柱状構造が傾斜角θ２で成長する最適な成膜条件が求められる。そして、このように所望の傾斜角θ２に応じて最適化された成膜条件（すなわち、基板９の配置位置（ターゲット５と基板９との位置関係）、投入パワーおよび成膜圧力）に従ってスパッタリングを実施することにより、図３に示したように所望の傾斜角で結晶成長した複数の柱状構造でなる配向膜２１が基板９上に形成される。
【００３７】
以上のようにして形成された配向膜２１は、無機物であるＳｉＯ２で構成されているため、従来の有機物で構成した配向膜に比べ、耐熱性の高い配向膜とすることができる。また、スパッタリングで形成するようにしているので、従来の蒸着による方法に比べて成膜レートを格段に上昇でき、生産効率を高めることが可能となる。なお、このスパッタリングとしては、成膜レートが数十Å／ｓｅｃと高いことで知られる金属ターゲットによる反応性スパッタを用いているため、生産効率は非常に高いものとなる。
【００３８】
また、本実施の形態１では、基板９をターゲット５の近傍で搬送しながらスパッタ粒子を基板９上に堆積させて連続的に成膜を行ういわゆるインライン式の装置構成を採用しているため、量産性の良い配向膜形成が可能となる。
【００３９】
また、本発明の配向膜形成方法によれば、成膜終了時に、既に配向性を有する薄膜が形成されることになるため、従来のラビング処理等の配向処理が不要となる。よって、当然ながらラビングに伴うキズ、異物等の不良の発生が皆無となり、これにより高品質の配向膜を低コストで形成することが可能となる。
【００４０】
さらに、本実施の形態１のように対向ターゲット式スパッタリングを用いた場合には、基板９をターゲット５間のプラズマ領域の外に配置するため、荷電粒子（本実施の形態１ではアルゴンイオン）の基板９表面への衝突を避けることができ、よって、基板９表面の損傷や、配向膜としての膜質悪化などの不都合が発生せず、良好な配向膜の形成が可能となる。
【００４１】
実施の形態２．
図５は、本実施の形態２の配向膜形成方法が適用された配向膜形成装置を示す図、図６は本実施の形態２の詳細説明図で、ターゲット５から放出されたスパッタ粒子が基板９に向かう様子を模式的に示した図である。なお、図６において上部側ターゲット５については図示省略している。また、図５および図６において図１と同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００４２】
上記実施の形態１では、予め実験により求められた成膜条件に従ってスパッタリングを実施することにより、スパッタ粒子を所望の入射角θ１で基板９に入射させるとしているが、実際には、上記成膜条件でスパッタリングを実施しても、入射角θ１の制御が不十分な場合がある。そこで、本実施の形態２では、ターゲット５と基板９との間に、開口２５ａを有する遮蔽板２５を設け、ターゲット５から放出されるスパッタ粒子の基板９への入射角を規制する。かかる構成により、ターゲット５から放出されて基板９へと向かうスパッタ粒子２６ａ〜２６ｇのうち、ターゲット５の基端側端部から放出されて一方向の方向性を有するスパッタ粒子群２７ｂが開口２５ａを通過して基板９上に堆積し、一方、その他の領域から放出されて各スパッタ粒子の方向性が混在するスパッタ粒子群２７ａが遮断される。これにより、基板９に入射するスパッタ粒子の入射角が規制され、配向性の良好な配向膜を形成することが可能となる。
【００４３】
また、一般的に基板９表面におけるターゲット側端部は、それ以外の表面領域に比べてターゲット５から放出されたスパッタ粒子が多く到達することから膜厚が厚くなるが、遮蔽板２５の開口形状を工夫することにより膜厚分布のばらつきを補正することも可能となる。
【００４４】
このように、本実施の形態２によれば、上記実施の形態１とほぼ同様の作用効果が得られるとともに、スリット２５により、良好な配向膜形成に不要なスパッタ粒子が遮断されるので、配向性の良好な配向膜を形成することが可能となる。
【００４５】
なお、上記各実施の形態では、スパッタリングとして対向ターゲット式スパッタリングを用いた場合を例示して説明したが、この方法に限られたものではなく、例えばイオンビームスパッタリングでも良く、要するに基板９へのスパッタ粒子の入射方向を一方向に制御可能なスパッタ法であればよい。
【００４６】
また、上記各実施の形態では、金属ターゲット５（本例ではシリコン）を用いて直流電源７によりプラズマを発生させ、不活性ガス（本例ではアルゴン）と酸素分子を有するガス中でスパッタを行う反応性スパッタの場合を例に説明したが、絶縁物ターゲットを用いて高周波電源によりプラズマを発生させ、不活性ガス中で行うスパッタ法を採用してもよい。
【００４７】
また、配向膜をＳｉＯ２で形成する場合を例に説明したが、他に例えばＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＩＴＯで形成してもよく、これらのスパッタ膜形成に際しては、そのスパッタ膜に応じたターゲットおよびガスを採用して形成される。
【００４８】
以上のような利点を有する配向膜形成方法は、液晶パネルの配向膜形成に際して利用され、この場合、量産性に優れ、価格面および信頼性の面で有効な液晶パネルを得ることができる。よって、この液晶パネルを、近年、低価格化および高輝度化が強く要望されている液晶プロジェクタに適用した場合にも同様に量産性に優れ、価格面および信頼性の面で優れた利点を有する液晶プロジェクタを提供することが可能となる。
【００４９】
図７は、本発明の配向膜形成方法によって形成された配向膜を有する液晶パネルを組み込んだ液晶プロジェクタの光学系構成を示す概略平面図である。
【００５０】
図７に示すように、液晶プロジェクタ２００は、例えばメタルハライドランプ等の高輝度ランプで構成される光源２１０と、光源２１０からの光を反射する反射鏡２２０と、反射鏡２２０からの反射光の照度分布を均一化し、かつ、偏光方向が揃った状態で液晶パネル２６０に入射させるための照明光学系２３０と、この照明光学系２３０から出射される光束Ｗを、赤、緑、青の各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂに分離すると共に赤色光束Ｒおよび緑色光束Ｇをそれぞれ対応する液晶パネル２６０に導く色光分離光学系２４０と、色光分離光学系２４０によって分離された各色光束のうち、光路の長い青色光束Ｂを対応する液晶パネル２６０に導くリレー光学系２５０と、本発明の配向膜形成方法によって形成された配向膜を有する液晶パネル２６０と、液晶パネル２６０から出射された各色光束を合成するクロスダイクロイックプリズム２７０と、合成された光束を投写面２８０上に拡大投写する投写レンズ２９０とを備えている。
【００５１】
照明光学系２３０は、第一レンズアレイ２３１と、第二レンズアレイ２３２と、偏光変換素子２３３と、重畳レンズ２３４とを備えており、光源２１０から発せられた光を第一レンズアレイ２３１によって複数の部分光束に分割し、その部分光束のそれぞれを第二レンズアレイ２３２および偏光変換素子２３３を介して重畳レンズ２３４に入射させ、入射された複数の部分光束のそれぞれを、重畳レンズ２３４によって液晶パネル２６０上に重畳して照射するもので、このように重畳照明することにより液晶パネル２６０を均一に照明するようにしたものである。
【００５２】
色光分離光学系２４０は、青緑反射ダイクロイックミラー２４１と緑反射ダイクロイックミラー２４２と、反射鏡２４３とを備えている。青緑反射ダイクロイックミラー２４１は、照明光学系２３０からの照明光の赤色光成分を透過させるとともに、青色光成分と緑色成分とを反射する。透過した赤色光束Ｒは、反射鏡２４３で反射されて、対応する液晶パネルに達する。一方、青緑反射ダイクロイックミラー２４１で反射された青色光束Ｂと緑色光束Ｇのうち、緑色光束Ｇは緑反射ダイクロイックミラー２４２によって反射され、対応する液晶パネルに達する。一方、青色光束Ｂは、緑反射ダイクロイックミラー２４２も透過してリレー光学系２５０へと入射する。
【００５３】
リレー光学系２５０は、青色光束Ｂを対応する液晶パネル２６０に導く光路中に設けられ、青色光束Ｂをその強度を維持したまま液晶パネル２６０まで導くものであり、第二リレーレンズ２５３に集光する第一リレーレンズ２５１と、反射鏡２５２と、第二リレーレンズ２５３と、反射鏡２５４と、コンデンサーレンズ２５５とを備えている。
【００５４】
３枚の液晶パネル２６０は、入射した光を、与えられた画像情報（画像信号）に従ってそれぞれの色光を変調し、それぞれの色成分の画像を形成する光変調手段としての機能を有するもので、いわゆる電気光学装置に相当するものである。なお、これら３つの液晶パネル２６０の入射側と出射側には図示しない偏光板が設けられており、所定の偏光光のみが液晶パネル２６０の入射側の偏光板を透過し、変調される。
【００５５】
変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム２７０に入射して合成され、合成された光は投写レンズ２９０によって投写面２８０上に投写される。
【００５６】
このように構成された液晶プロジェクタ２００においては、本発明の配向膜形成方法によって形成された配向膜を用いた液晶パネル２６０が備えられているため、高温化に起因する性能低下、投写画像の画質悪化を防止でき、良好な投写画像を提供できる信頼性の高い液晶プロジェクタとすることができる。
【００５７】
また、このような液晶プロジェクタの他、本発明の配向膜形成方法により形成した配向膜を用いた液晶パネルを有する電子機器も同様に、高温化に起因する性能低下、表示画像の画質悪化を防止することができ、良好な画像表示が行える信頼性の高い電子機器とすることができる。ここで言う電子機器とは、例えばノート型パソコンや、デスクトップ型パソコンのディスプレイの他、ＰＤＡなどの携帯情報端末などが該当する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の配向膜形成方法が適用された配向膜形成装置を示す図である。
【図２】スパッタ粒子の放出分布を示す図である。
【図３】スパッタ粒子の堆積の様子を示した模式図である。
【図４】本発明の配向膜による液晶分子の配向状態を模式的に示した図である。
【図５】実施の形態２の配向膜形成方法が適用された配向膜形成装置を示す図である。
【図６】実施の形態２の詳細説明図である。
【図７】本発明の配向膜を備えた液晶プロジェクタの構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 配向膜形成装置、５ ターゲット、９ 基板、２１ 配向膜、２１ａ，２１ｂ スパッタ粒子、２５ 遮蔽板、２５ａ 開口

Claims (13)

1. 基板上に配向膜を形成する方法であって、
   ターゲットから放出されるスパッタ粒子が一方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施し、基板に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成することを特徴とする配向膜形成方法。
2. 前記スパッタリングは、前記柱状構造の基板に対する傾斜角が所望の角度となるように最適化された成膜条件に従って実施されてなることを特徴とする請求項１記載の配向膜形成方法。
3. 前記成膜条件は、ターゲットと基板との位置関係、ターゲットに印加する投入パワーおよび成膜圧力を規定したものであることを特徴とする請求項２記載の配向膜形成方法。
4. ターゲットと基板との間に、開口を有する遮蔽板を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の配向膜形成方法。
5. 前記基板をターゲットの近傍で搬送しながら前記スパッタリングを実施して配向膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の配向膜形成方法。
6. 前記スパッタリングは、対向ターゲット式スパッタリングであることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の配向膜形成方法。
7. 前記スパッタリングは、イオンビームスパッタリングであることを特徴とする請求項１記載の配向膜形成方法。
8. 前記スパッタリングは反応性スパッタリングであることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れかに記載の配向膜形成方法。
9. 前記配向膜はＳｉＯ２を材料として構成されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れかに記載の配向膜形成方法。
10. 請求項１乃至請求項９の何れかに記載の配向膜形成方法により基板上に配向膜を形成することを特徴とする配向膜形成装置。
11. 請求項１乃至請求項９の何れかに記載の配向膜形成方法により形成された配向膜を備えてなることを特徴とする液晶パネル。
12. 請求項１１の液晶パネルを有してなることを特徴とする液晶プロジェクタ。
13. 請求項１１の液晶パネルを有してなることを特徴とする電子機器。

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