JP2001005003A - 反射型液晶表示デバイスの作製方法 - Google Patents
反射型液晶表示デバイスの作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な画像表示を行うことができる反射型液
晶表示デバイスの作製方法を提供する。 【解決手段】 斜方蒸着法を用いて、予めマトリクス状
に画素電極２が形成された基板１上に第１配向膜３を形
成し、一方、透明電極基板６上に第２配向膜５を形成し
た後、所定の間隔を有し、基板１と透明電極基板６とを
第１配向膜３と第２配向膜５とが互いに対向するように
して貼り合わせ、この間隔に液晶層４を注入して作製す
る反射型液晶表示デバイス７の作製方法において、第１
配向膜３は、画素電極２の第１の配列方向を斜方蒸着す
る方向に合わせて配向膜材を蒸着した後、次に前記第１
の配列方向と直交する第２の配列方向を斜方蒸着する方
向に合わせて前記配向膜材を蒸着形成する。
晶表示デバイスの作製方法を提供する。 【解決手段】 斜方蒸着法を用いて、予めマトリクス状
に画素電極２が形成された基板１上に第１配向膜３を形
成し、一方、透明電極基板６上に第２配向膜５を形成し
た後、所定の間隔を有し、基板１と透明電極基板６とを
第１配向膜３と第２配向膜５とが互いに対向するように
して貼り合わせ、この間隔に液晶層４を注入して作製す
る反射型液晶表示デバイス７の作製方法において、第１
配向膜３は、画素電極２の第１の配列方向を斜方蒸着す
る方向に合わせて配向膜材を蒸着した後、次に前記第１
の配列方向と直交する第２の配列方向を斜方蒸着する方
向に合わせて前記配向膜材を蒸着形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大画面ディスプレ
イ用液晶プロジェクタに用いられる反射型液晶表示デバ
イスの作製方法に関するものである。
イ用液晶プロジェクタに用いられる反射型液晶表示デバ
イスの作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、透過型や反射型の液晶表示デ
バイスを用いた投射型表示装置が知られている。透過型
液晶表示デバイスは、液晶を駆動する駆動回路及び配線
が液晶パネルの面内にあって、液晶パネルの表示領域全
面に対する光変調に係わる画素領域の占める割合（以
下、開口率という）が低い。透過型液晶表示デバイス
は、画素数が増し（高解像度）画素密度が上がると、開
口率が低下するので、この透過型液晶表示デバイスを搭
載した液晶プロジェクタでは高輝度な表示映像を得るこ
とが困難であった。そこで近年、高輝度、高解像度の液
晶プロジェクタとして反射型液晶表示デバイスを用いた
液晶プロジェクタが開発され実用化している。
バイスを用いた投射型表示装置が知られている。透過型
液晶表示デバイスは、液晶を駆動する駆動回路及び配線
が液晶パネルの面内にあって、液晶パネルの表示領域全
面に対する光変調に係わる画素領域の占める割合（以
下、開口率という）が低い。透過型液晶表示デバイス
は、画素数が増し（高解像度）画素密度が上がると、開
口率が低下するので、この透過型液晶表示デバイスを搭
載した液晶プロジェクタでは高輝度な表示映像を得るこ
とが困難であった。そこで近年、高輝度、高解像度の液
晶プロジェクタとして反射型液晶表示デバイスを用いた
液晶プロジェクタが開発され実用化している。
【０００３】このような反射型液晶表示デバイス１６の
概略構成について図４を用いて説明する。図４は、一般
的な反射型液晶表示デバイスを示す断面図である。図４
に示すように、基板１上には、画素電極２がマトリクス
状に配列され、この画素電極２上に第１配向膜３Ａが形
成されている。一方、透明電極基板６上には、第２配向
膜５が形成されている。更に、所定の間隙を有して第１
配向膜３Ａと第２配向膜５とが対向配置するようにし
て、基板１と透明電極基板６とが貼り合わされ、この間
隙には液晶層５が注入され、封止されている。なお、画
素電極２の下部にはこの画素電極２を駆動する図示しな
い駆動回路が設けられている。
概略構成について図４を用いて説明する。図４は、一般
的な反射型液晶表示デバイスを示す断面図である。図４
に示すように、基板１上には、画素電極２がマトリクス
状に配列され、この画素電極２上に第１配向膜３Ａが形
成されている。一方、透明電極基板６上には、第２配向
膜５が形成されている。更に、所定の間隙を有して第１
配向膜３Ａと第２配向膜５とが対向配置するようにし
て、基板１と透明電極基板６とが貼り合わされ、この間
隙には液晶層５が注入され、封止されている。なお、画
素電極２の下部にはこの画素電極２を駆動する図示しな
い駆動回路が設けられている。
【０００４】次に、反射型液晶表示デバイス１６の作製
方法について説明する。まず始めに、特開平５-２０３
９５８号公報に開示されているように斜方蒸着法により
予め画素電極２がマトリクス状に形成されている基板１
を傾けた状態で、イオンビームを照射しながらＳｉＯ2
膜を蒸着して、画素電極上に第１配向膜３Ａを形成す
る。一方、透明電極基板６上にも同様にしてＳｉＯ2膜
を蒸着して第２配向膜５を形成する。この後、所定の間
隙を有し、第１配向膜３Ａと第２配向膜５とが対向配置
するようにして、基板１と透明電極基板６とを貼り合わ
せる。更に、この間隙に液晶層５を注入した後封止して
反射型液晶表示デバイス１６を得る。
方法について説明する。まず始めに、特開平５-２０３
９５８号公報に開示されているように斜方蒸着法により
予め画素電極２がマトリクス状に形成されている基板１
を傾けた状態で、イオンビームを照射しながらＳｉＯ2
膜を蒸着して、画素電極上に第１配向膜３Ａを形成す
る。一方、透明電極基板６上にも同様にしてＳｉＯ2膜
を蒸着して第２配向膜５を形成する。この後、所定の間
隙を有し、第１配向膜３Ａと第２配向膜５とが対向配置
するようにして、基板１と透明電極基板６とを貼り合わ
せる。更に、この間隙に液晶層５を注入した後封止して
反射型液晶表示デバイス１６を得る。
【０００５】次に、反射型液晶表示デバイス１６用いた
一般的な投射型表示装置について図５を用いて説明す
る。図５は、一般的な投射型表示装置を示す概略図であ
る。図５中、反射型液晶表示デバイスの構成として、説
明に必要な基板１と、画素電極２と、液晶層５及び透明
電極基板６のみを示し、その他を省略した。図５に示す
ように、この投射型表示装置は、不定偏光の読み出し光
を出射する光源１７と、前記読み出し光のうちＳ偏光成
分（もしくはＰ偏光成分）を選択的に透過させる入射側
偏光板１８と、Ｓ偏光成分（もしくはＰ偏光成分）を反
射し、前記Ｓ偏光成分（もしくはＰ偏光成分）と直交す
るＰ偏光成分（もしくはＳ偏光成分）を透過するハーフ
ミラー１９と、前記反射されたＳ偏光成分（もしくはＰ
偏光成分）を画像情報に応じて液晶層５で光変調してＰ
偏光成分（もしくはＳ偏光成分）にした後、画素電極２
で反射させて、再び液晶層５で光変調し、透明ガラス板
６側から出射する反射型液晶表示デバイス１６と、反射
型液晶表示デバイス１６から出射したＰ偏光成分（もし
くはＳ偏光成分）をハーフミラー１９に再入射させた
後、Ｐ偏光成分（もしくはＳ偏光成分）を通過させる出
射側偏光板２０と、このＰ偏光成分による画像をスクリ
ーン２２上に拡大投影するレンズ２１とからなる。
一般的な投射型表示装置について図５を用いて説明す
る。図５は、一般的な投射型表示装置を示す概略図であ
る。図５中、反射型液晶表示デバイスの構成として、説
明に必要な基板１と、画素電極２と、液晶層５及び透明
電極基板６のみを示し、その他を省略した。図５に示す
ように、この投射型表示装置は、不定偏光の読み出し光
を出射する光源１７と、前記読み出し光のうちＳ偏光成
分（もしくはＰ偏光成分）を選択的に透過させる入射側
偏光板１８と、Ｓ偏光成分（もしくはＰ偏光成分）を反
射し、前記Ｓ偏光成分（もしくはＰ偏光成分）と直交す
るＰ偏光成分（もしくはＳ偏光成分）を透過するハーフ
ミラー１９と、前記反射されたＳ偏光成分（もしくはＰ
偏光成分）を画像情報に応じて液晶層５で光変調してＰ
偏光成分（もしくはＳ偏光成分）にした後、画素電極２
で反射させて、再び液晶層５で光変調し、透明ガラス板
６側から出射する反射型液晶表示デバイス１６と、反射
型液晶表示デバイス１６から出射したＰ偏光成分（もし
くはＳ偏光成分）をハーフミラー１９に再入射させた
後、Ｐ偏光成分（もしくはＳ偏光成分）を通過させる出
射側偏光板２０と、このＰ偏光成分による画像をスクリ
ーン２２上に拡大投影するレンズ２１とからなる。
【０００６】次に、この投射型表示装置の作用について
説明する。光源１７から出射された不定偏光の読み出し
光を入射側偏光板１８に入射させて、Ｓ偏光成分（もし
くはＰ偏光成分）を選択的に透過させた後、ハーフミラ
ー１９に入射させ、このハーフミラー１９により、Ｓ偏
光成分（Ｐ偏光成分）を反射し、このＳ偏光成分（もし
くはＰ偏光成分）を反射型液晶表示デバイス１６に入射
させる。この際、反射型液晶表示デバイス１６の画素電
極２は図示しない駆動回路により駆動させておく。前記
Ｓ偏光成分（もしくはＰ偏光成分）は、反射型液晶表示
デバイス１６の液晶層５において、画像情報に基づきＰ
偏光成分（もしくはＳ偏光成分）に光変調される。
説明する。光源１７から出射された不定偏光の読み出し
光を入射側偏光板１８に入射させて、Ｓ偏光成分（もし
くはＰ偏光成分）を選択的に透過させた後、ハーフミラ
ー１９に入射させ、このハーフミラー１９により、Ｓ偏
光成分（Ｐ偏光成分）を反射し、このＳ偏光成分（もし
くはＰ偏光成分）を反射型液晶表示デバイス１６に入射
させる。この際、反射型液晶表示デバイス１６の画素電
極２は図示しない駆動回路により駆動させておく。前記
Ｓ偏光成分（もしくはＰ偏光成分）は、反射型液晶表示
デバイス１６の液晶層５において、画像情報に基づきＰ
偏光成分（もしくはＳ偏光成分）に光変調される。
【０００７】この後、この画像情報を含むＰ偏光成分
（もしくはＳ偏光成分）を反射型液晶表示デバイス１６
の画素電極２で反射させた後、再び液晶層５で光変調
し、反射型液晶表示デバイス１６の透明電極基板６側か
ら出射させ、再度ハーフミラー１９に入射させた後、更
に、出射側偏光板２０を通過させてＰ偏光成分による画
像をレンズ２１によりスクリーン２２上に拡大投影す
る。
（もしくはＳ偏光成分）を反射型液晶表示デバイス１６
の画素電極２で反射させた後、再び液晶層５で光変調
し、反射型液晶表示デバイス１６の透明電極基板６側か
ら出射させ、再度ハーフミラー１９に入射させた後、更
に、出射側偏光板２０を通過させてＰ偏光成分による画
像をレンズ２１によりスクリーン２２上に拡大投影す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
反射型液晶表示デバイス１６の作製方法は、以下の問題
点があった。図６に示すように、ＳｉＯ2を一方向から
（図６中では左上方から）斜方蒸着して基板1及び画素
電極２上にＳｉＯ2膜を形成すると、画素電極２間には
間隙２Ａが形成されているので、斜方蒸着される方向と
対向する画素電極２の側面Ａには前記ＳｉＯ2膜が形成
されるが、斜方蒸着の影となる画素電極２の側面Ｂと画
素電極２間の間隙２Ａから露出した基板１には、画素電
極２の厚さ又は間隙２Ａの幅によって、前記ＳｉＯ2膜
が形成されない場合がある。
反射型液晶表示デバイス１６の作製方法は、以下の問題
点があった。図６に示すように、ＳｉＯ2を一方向から
（図６中では左上方から）斜方蒸着して基板1及び画素
電極２上にＳｉＯ2膜を形成すると、画素電極２間には
間隙２Ａが形成されているので、斜方蒸着される方向と
対向する画素電極２の側面Ａには前記ＳｉＯ2膜が形成
されるが、斜方蒸着の影となる画素電極２の側面Ｂと画
素電極２間の間隙２Ａから露出した基板１には、画素電
極２の厚さ又は間隙２Ａの幅によって、前記ＳｉＯ2膜
が形成されない場合がある。
【０００９】通常、液晶分子は配向膜の配向方向に沿っ
て配向するが、前記ＳｉＯ2膜が形成されない部分に接
触する液晶層５の液晶分子の配向は不安定になる。この
ため、前記のようにＳｉＯ2膜が形成されない部分があ
ると、わずかな表面形状の変化によりこの上に形成され
た液晶層５の配向ムラを生じる。前記ＳｉＯ2膜のムラ
がひどい場合には、第１配向膜３Ａ上で正常に配向され
ている液晶層５の液晶分子にまで影響を及ぼし、より大
きな配向乱れを生じることがある。このため、スクリー
ン上に投影される表示画像には不規則な明るさムラを生
じ、画質の低下を生じていた。
て配向するが、前記ＳｉＯ2膜が形成されない部分に接
触する液晶層５の液晶分子の配向は不安定になる。この
ため、前記のようにＳｉＯ2膜が形成されない部分があ
ると、わずかな表面形状の変化によりこの上に形成され
た液晶層５の配向ムラを生じる。前記ＳｉＯ2膜のムラ
がひどい場合には、第１配向膜３Ａ上で正常に配向され
ている液晶層５の液晶分子にまで影響を及ぼし、より大
きな配向乱れを生じることがある。このため、スクリー
ン上に投影される表示画像には不規則な明るさムラを生
じ、画質の低下を生じていた。
【００１０】この問題を解消するために、画素電極２間
の間隙２Ａを埋めて画素電極２と間隙２Ａ間に平坦膜を
形成して平坦化し、この平坦化膜上に第１配向膜３Ａを
形成することが考えられた。この方法では、基板１と画
素電極２との段差を解消するために前記平坦化膜を厚く
形成する必要があるので、反射型液晶表示デバイス１６
を駆動する際の電圧損失を生じるといった問題があっ
た。また、前記平坦化膜を形成の際に未反応生成物や反
応生成物等のゴミが発生しやすくなるので、このゴミが
形成中の平坦化膜に取り込まれ平坦化膜にディフェクト
を生じ、反射型液晶表示デバイス１６の製造歩留まりが
低下するといった問題があった。そこで、本発明は上記
問題に鑑みて成されたものであり、良好な画像表示を行
うことができる反射型液晶表示デバイスの作製方法を提
供することを目的とする。
の間隙２Ａを埋めて画素電極２と間隙２Ａ間に平坦膜を
形成して平坦化し、この平坦化膜上に第１配向膜３Ａを
形成することが考えられた。この方法では、基板１と画
素電極２との段差を解消するために前記平坦化膜を厚く
形成する必要があるので、反射型液晶表示デバイス１６
を駆動する際の電圧損失を生じるといった問題があっ
た。また、前記平坦化膜を形成の際に未反応生成物や反
応生成物等のゴミが発生しやすくなるので、このゴミが
形成中の平坦化膜に取り込まれ平坦化膜にディフェクト
を生じ、反射型液晶表示デバイス１６の製造歩留まりが
低下するといった問題があった。そこで、本発明は上記
問題に鑑みて成されたものであり、良好な画像表示を行
うことができる反射型液晶表示デバイスの作製方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
デバイスの作製方法は、斜方蒸着法を用いて、予めマト
リクス状に画素電極が形成された基板上に第１配向膜を
形成し、一方、透明電極基板上に第２配向膜を形成した
後、所定の間隙を有し、前記基板と前記透明電極基板と
を前記第１配向膜と前記第２配向膜とが互いに対向する
ようにして貼り合わせ、この間隙に液晶層を注入して作
製する反射型液晶表示デバイスの作製方法において、前
記第１配向膜は、前記画素電極の第１の配列方向を斜方
蒸着する方向に合わせて配向膜材を蒸着して１層目配向
膜を形成した後、次に前記第１の配列方向と異なる第２
の配列方向を斜方蒸着する方向に合わせて前記配向膜材
を蒸着して２層目配向膜を形成したことを特徴とする。
デバイスの作製方法は、斜方蒸着法を用いて、予めマト
リクス状に画素電極が形成された基板上に第１配向膜を
形成し、一方、透明電極基板上に第２配向膜を形成した
後、所定の間隙を有し、前記基板と前記透明電極基板と
を前記第１配向膜と前記第２配向膜とが互いに対向する
ようにして貼り合わせ、この間隙に液晶層を注入して作
製する反射型液晶表示デバイスの作製方法において、前
記第１配向膜は、前記画素電極の第１の配列方向を斜方
蒸着する方向に合わせて配向膜材を蒸着して１層目配向
膜を形成した後、次に前記第１の配列方向と異なる第２
の配列方向を斜方蒸着する方向に合わせて前記配向膜材
を蒸着して２層目配向膜を形成したことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の反射型液晶表
示デバイスの作製方法について図１乃至図３を用いて以
下に説明する。図１は、本発明の反射型液晶表示デバイ
スの作製方法における第１配向膜を形成するために用い
られる斜方蒸着装置を示す概略図である。図２は、本発
明の反射型液晶表示デバイスの作製方法における配向膜
の形成方法を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＭＭ断面図である。図３は、本発明の実施形態
により作製された反射型液晶表示デバイスを示す断面図
である。従来例と同一構成には同一符号を付し、その説
明を省略する。
示デバイスの作製方法について図１乃至図３を用いて以
下に説明する。図１は、本発明の反射型液晶表示デバイ
スの作製方法における第１配向膜を形成するために用い
られる斜方蒸着装置を示す概略図である。図２は、本発
明の反射型液晶表示デバイスの作製方法における配向膜
の形成方法を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＭＭ断面図である。図３は、本発明の実施形態
により作製された反射型液晶表示デバイスを示す断面図
である。従来例と同一構成には同一符号を付し、その説
明を省略する。
【００１３】以下に、この反射型液晶表示デバイス７を
作製する本発明の作製方法について説明する。まず始め
に、本発明の反射型液晶表示デバイスの作製方法で用い
られる配向膜を形成するための斜方蒸着装置について図
１を用いて説明する。図１に示すように、斜方蒸着装置
８は、真空容器９と、この真空容器９内に配置されたＳ
ｉＯ2からなる蒸着源を収納した蒸着るつぼ１０と、蒸
着るつぼ１０の上方に配置された基板ホルダー１１と、
この蒸着るつぼ１０に隣接して配置され、基板１を照射
するイオンガン１２と、この真空容器９の側壁に蒸着源
の蒸発レート及び基板1上に積層されるＳｉＯ2の厚さを
監視するための膜厚モニタ１３と、蒸着るつぼ１０と基
板ホルダー１１との間に設けられたシャッター１４とか
らなる。また、真空容器９内を真空にするための排気ポ
ンプ１５が備えられている。斜方蒸着する際には、基板
ホルダー１１は、この基板ホルダー１１の法線が蒸発る
つぼ１０と基板ホルダー１１とを結ぶ線とのなす角θが
５０°〜８０°になるように傾けられている。ここで
は、この角θは、７０°とする。
作製する本発明の作製方法について説明する。まず始め
に、本発明の反射型液晶表示デバイスの作製方法で用い
られる配向膜を形成するための斜方蒸着装置について図
１を用いて説明する。図１に示すように、斜方蒸着装置
８は、真空容器９と、この真空容器９内に配置されたＳ
ｉＯ2からなる蒸着源を収納した蒸着るつぼ１０と、蒸
着るつぼ１０の上方に配置された基板ホルダー１１と、
この蒸着るつぼ１０に隣接して配置され、基板１を照射
するイオンガン１２と、この真空容器９の側壁に蒸着源
の蒸発レート及び基板1上に積層されるＳｉＯ2の厚さを
監視するための膜厚モニタ１３と、蒸着るつぼ１０と基
板ホルダー１１との間に設けられたシャッター１４とか
らなる。また、真空容器９内を真空にするための排気ポ
ンプ１５が備えられている。斜方蒸着する際には、基板
ホルダー１１は、この基板ホルダー１１の法線が蒸発る
つぼ１０と基板ホルダー１１とを結ぶ線とのなす角θが
５０°〜８０°になるように傾けられている。ここで
は、この角θは、７０°とする。
【００１４】次に、本発明の反射型液晶表示デバイス７
の作製方法について説明する。真空容器９内の基板ホル
ダー１１に予めマトリクス状に画素電極２が形成されて
いる基板１を画素電極２が蒸着るつぼ１０に対向するよ
うに固定し、蒸着るつぼ１０内に蒸発源（ここでは、Ｓ
ｉＯ2）を収納する。この時、シャッター１４は閉じて
おく。ここで、基板ホルダー１１上に形成された画素電
極２は第１の配列方向と、この第１の配列方向に直交す
る第２の配列方向とでマトリクス状に配置されている。
この際、図２に示すように、画素電極２の第１の配列方
向を斜方蒸着する方向に合わせる。この後、排気ポンプ
１５を用いて真空容器９内を真空にする。真空容器９内
が所定の真空度に達したら、図示しない電子ビームで蒸
発源を加熱し、十分な蒸発レートにした状態でシャッタ
ー１４を開くと共に、イオンガン１２から基板１に酸素
イオンを照射しながら画素電極２上及び画素電極２間の
間隙２Ａから露出した基板１上にＳｉＯ2を蒸着する。
こうして、第１の配列方向に１層目配向膜３1を形成す
る。
の作製方法について説明する。真空容器９内の基板ホル
ダー１１に予めマトリクス状に画素電極２が形成されて
いる基板１を画素電極２が蒸着るつぼ１０に対向するよ
うに固定し、蒸着るつぼ１０内に蒸発源（ここでは、Ｓ
ｉＯ2）を収納する。この時、シャッター１４は閉じて
おく。ここで、基板ホルダー１１上に形成された画素電
極２は第１の配列方向と、この第１の配列方向に直交す
る第２の配列方向とでマトリクス状に配置されている。
この際、図２に示すように、画素電極２の第１の配列方
向を斜方蒸着する方向に合わせる。この後、排気ポンプ
１５を用いて真空容器９内を真空にする。真空容器９内
が所定の真空度に達したら、図示しない電子ビームで蒸
発源を加熱し、十分な蒸発レートにした状態でシャッタ
ー１４を開くと共に、イオンガン１２から基板１に酸素
イオンを照射しながら画素電極２上及び画素電極２間の
間隙２Ａから露出した基板１上にＳｉＯ2を蒸着する。
こうして、第１の配列方向に１層目配向膜３1を形成す
る。
【００１５】次に、同一基板面内で基板１を９０°回転
して、第１の配列方向と直交する第２の配列方向を斜方
蒸着する方向に合わせる。この後、前記したと同様に、
基板１の画素電極２上及び画素電極２間の間隙２Ａから
露出した基板１上にＳｉＯ2を蒸着する。こうして、第
２の配列方向に２層目配向膜３2を形成する。この結
果、第１配向層３は１層目配向膜３1と２層目配向膜３2
とからなる。なお、１層目配向膜３1及び２層目配向膜
３2の厚さ及び蒸発レートは膜厚モニタ１３で監視す
る。次に、従来技術と同様にして、透明電極基板６上に
ＳｉＯ2膜を蒸着して第２配向膜５を形成し、所定の間
隙を有し、基板１の第１配向膜３と透明電極基板６の第
２配向膜５とを対向配置させるようにして、基板１と透
明電極基板６とを貼り合わせ、この間隙に液晶層４を注
入した後、封止して図３に示す反射型液晶表示デバイス
７を得る。
して、第１の配列方向と直交する第２の配列方向を斜方
蒸着する方向に合わせる。この後、前記したと同様に、
基板１の画素電極２上及び画素電極２間の間隙２Ａから
露出した基板１上にＳｉＯ2を蒸着する。こうして、第
２の配列方向に２層目配向膜３2を形成する。この結
果、第１配向層３は１層目配向膜３1と２層目配向膜３2
とからなる。なお、１層目配向膜３1及び２層目配向膜
３2の厚さ及び蒸発レートは膜厚モニタ１３で監視す
る。次に、従来技術と同様にして、透明電極基板６上に
ＳｉＯ2膜を蒸着して第２配向膜５を形成し、所定の間
隙を有し、基板１の第１配向膜３と透明電極基板６の第
２配向膜５とを対向配置させるようにして、基板１と透
明電極基板６とを貼り合わせ、この間隙に液晶層４を注
入した後、封止して図３に示す反射型液晶表示デバイス
７を得る。
【００１６】本発明の実施形態によれば、斜方蒸着法を
用いて、予めマトリクス状に画素電極２が形成された基
板１を画素電極２の第１の配列方向を斜方蒸着する方向
に合わせてＳｉＯ2膜を蒸着した後、画素電極２の第１
の配列方向と直交する第２の配列方向を斜方蒸着する方
向に合わせてＳｉＯ2膜を蒸着するので、全ての画素電
極２間の間隙２Ａから露出した基板１上にＳｉＯ2膜が
形成されることから液晶層５の配向ムラが解消され、ス
クリーン２２上に投影された画像中に間隙２Ａに関わる
明るさのムラが発生せず、良好な画像表示を行うことが
できる。
用いて、予めマトリクス状に画素電極２が形成された基
板１を画素電極２の第１の配列方向を斜方蒸着する方向
に合わせてＳｉＯ2膜を蒸着した後、画素電極２の第１
の配列方向と直交する第２の配列方向を斜方蒸着する方
向に合わせてＳｉＯ2膜を蒸着するので、全ての画素電
極２間の間隙２Ａから露出した基板１上にＳｉＯ2膜が
形成されることから液晶層５の配向ムラが解消され、ス
クリーン２２上に投影された画像中に間隙２Ａに関わる
明るさのムラが発生せず、良好な画像表示を行うことが
できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の反射型液晶表示デバイスの作製
方法によれば、第１配向膜は、画素電極の第１の配列方
向を斜方蒸着する方向に合わせて配向膜材を蒸着した
後、次に前記第１の配列方向と異なる第２の配列方向を
斜方蒸着する方向に合わせて前記配向膜材を蒸着形成す
るので、全ての画素電極間の間隙から露出した基板上に
配向膜材が形成されることから液晶層の配向ムラが解消
され、スクリーン上に投影された画像中に前記間隙に関
わる明るさのムラが発生せず、良好な画像表示を行うこ
とができる。
方法によれば、第１配向膜は、画素電極の第１の配列方
向を斜方蒸着する方向に合わせて配向膜材を蒸着した
後、次に前記第１の配列方向と異なる第２の配列方向を
斜方蒸着する方向に合わせて前記配向膜材を蒸着形成す
るので、全ての画素電極間の間隙から露出した基板上に
配向膜材が形成されることから液晶層の配向ムラが解消
され、スクリーン上に投影された画像中に前記間隙に関
わる明るさのムラが発生せず、良好な画像表示を行うこ
とができる。
【図１】本発明の実施形態の反射型液晶表示デバイスの
作製方法における配向膜を形成するために用いられる斜
方蒸着装置を示す概略図である。
作製方法における配向膜を形成するために用いられる斜
方蒸着装置を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態の反射型液晶表示デバイスの
作製方法における第１配向膜の形成方向を示す図であ
る。
作製方法における第１配向膜の形成方向を示す図であ
る。
【図３】本発明の実施形態により作製された反射型液晶
表示デバイスを示す断面図である。
表示デバイスを示す断面図である。
【図４】一般的な反射型液晶表示デバイスを示す断面図
である。
である。
【図５】一般的な投射型表示装置を示す概略図である。
【図６】第１配向膜を形成する様子を示す画素電極近傍
の拡大した図である。
の拡大した図である。
１…基板、２…画素電極、３…第１配向膜、４…液晶
層、５…第２配向膜、６…透明電極基板、７…反射型液
晶表示デバイス、８…斜方蒸着装置、９…真空容器、１
０…蒸着るつぼ、１１…基板ホルダー、１２…イオンガ
ン、１３…膜厚モニタ、１４…シャッター、１５…排気
ポンプ、３1…１層目配向膜、３2…２層目配向膜
層、５…第２配向膜、６…透明電極基板、７…反射型液
晶表示デバイス、８…斜方蒸着装置、９…真空容器、１
０…蒸着るつぼ、１１…基板ホルダー、１２…イオンガ
ン、１３…膜厚モニタ、１４…シャッター、１５…排気
ポンプ、３1…１層目配向膜、３2…２層目配向膜
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA13 EA15 FA10 FA18 FA20 HA03 HA21 HA22 HA24 JA05 KA11 LA04 MA04 2H090 HB03Y HC18 HC20 HD14 JB02 KA05 LA12 LA20 MA04 MA07 MB06 5C058 AA06 AB01 BA35 5C094 AA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EB02 5G435 AA02 BB12 BB16 BB17 CC12 DD02 DD04 EE33 FF01 FF05 GG02 GG09 GG28 KK05
Claims (1)
- 【請求項１】斜方蒸着法を用いて、予めマトリクス状に
画素電極が形成された基板上に第１配向膜を形成し、一
方、透明電極基板上に第２配向膜を形成した後、所定の
間隙を有し、前記基板と前記透明電極基板とを前記第１
配向膜と前記第２配向膜とが互いに対向するようにして
貼り合わせ、この間隙に液晶層を注入して作製する反射
型液晶表示デバイスの作製方法において、 前記第１配向膜は、前記画素電極の第１の配列方向を斜
方蒸着する方向に合わせて配向膜材を蒸着して１層目配
向膜を形成した後、次に前記第１の配列方向と異なる第
２の配列方向を斜方蒸着する方向に合わせて前記配向膜
材を蒸着して２層目配向膜を形成したことを特徴とする
反射型液晶表示デバイスの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17226899A JP2001005003A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 反射型液晶表示デバイスの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17226899A JP2001005003A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 反射型液晶表示デバイスの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001005003A true JP2001005003A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15938763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17226899A Pending JP2001005003A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 反射型液晶表示デバイスの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001005003A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1513004A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-09 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and liquid crystal display unit |
| EP1515182A2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-16 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| JP2007155950A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクタ |
| JP2010078997A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-06-18 JP JP17226899A patent/JP2001005003A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1513004A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-09 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and liquid crystal display unit |
| US7193671B2 (en) | 2003-09-02 | 2007-03-20 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device having obliquely evaporated alignment film on vertically evaporated film, method of manufacturing the same, and vertically aligned liquid crystal display unit |
| KR101150652B1 (ko) | 2003-09-02 | 2012-05-25 | 소니 주식회사 | 반사형 액정 표시 소자 및 그 제조 방법, 및 액정 표시 장치 |
| EP1515182A2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-16 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| EP1515182A3 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-23 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US7227604B2 (en) | 2003-09-11 | 2007-06-05 | Sony Corporation | Reflective liquid crystal display device having first and second obliquely evaporated alignment films, for preventing burn-in |
| JP2007155950A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクタ |
| JP4736759B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクタ |
| JP2010078997A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
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