JP2004163857A - 液晶素子の製造方法及び液晶高分子フィルム - Google Patents

液晶素子の製造方法及び液晶高分子フィルム Download PDF

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山口  留美子
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Abstract

【課題】大面積を配向処理が簡単で、製造時間を短縮、量産化が容易な液晶素子の製法及び液晶高分子フィルムを提供する。
【解決手段】配向膜(PVCi膜)2を有するPVCi基板3を作製する。該膜2にラビング処理を施し、ラビングされた該膜2の液晶配向の容易軸を、ラビング方向と垂直とする。該膜2に無偏光紫外線5を、フォトマスク4を介して5分間照射する。次に、対向基板6に、ポリイミド:PIを塗布し、加熱、ラビングされたPI膜7の液晶配向の容易軸が、ラビング方向と平行になるような、PI基板8を用いる。2枚の基板3,8の容易軸が垂直となるようにラビング方向を平行に組合わせ、2枚の基板3,8間にスペーサを分散させ液晶を封入しセルを作製する。紫外線5の照射部は液晶9が約87度ねじれたTN配向11となり、紫外線5の非照射部では、ねじれ角0°のホモジニアス配向12となる液晶セルが作製される。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶素子の製造方法及び液晶高分子フィルムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶分子の長軸の平均方向をダイレクタと呼び、配向処理により、配向膜上で一方向に配向した液晶ダイレクタ方向を容易軸と呼ぶ。2枚の基板間における液晶のダイレクタの分布は、基板上の表面エネルギーと、バルク中における弾性エネルギーの総和が最小となるように決定される。
【0003】
液晶セルは、液晶の初期配向といわれる特定の分子配向状態から、電界等の外部からの作用によって異なる分子配向状態に再配向させ、初期配向との間の光学的特性の変化を利用することで表示素子や光学素子を構成している。
【0004】
2枚の平行平板に液晶を封入した構造の液晶セルでは、ある特定の配向状態にするために、通常は基板の表面に配向処理を行う。従来の液晶素子では、配向処理として液晶を挟むガラス基板に配向膜を塗布し、全体をラビング布で一方向に擦る、いわゆるラビング法が採用されている。マイクログルーブと呼ばれるラビングにより生じた微細な溝、または配向膜と液晶分子間に作用する力の異方性によって、通常はダイレクタがラビング方向と平行になるように、すなわち液晶分子がラビング方向に平行になるように配向する。
【0005】
ラビング配向処理の他に、ある特定の配向状態にするためには直線偏光の紫外線を光反応のポリマーに照射する光配向方法が提案されている(
【非特許文献1】参照)。光反応のポリマーの配向能力は、光照射にて誘導されたポリマーの異方性で決められる。
【0006】
一方、液晶表示素子の広視野角化を行うことや液晶回折格子の作製には、液晶素子内において液晶のダイレクタ方向が異なる複数のドメインを構成する技術が応用されてきた。液晶のダイレクタ方向が異なる複数のドメインを有する液晶セルの作製は、容易軸の異なる領域を配向膜上に形成する配向分割処理によって実現できる。この容易軸の異なる領域を配向膜上に形成する技術に関し、ラビング法に基づくものとしては、フォトリソグラフィ技術により露出した部分の配向膜上をラビングし、次に異なる露出部を作り出し他方向へラビングする技術(
【非特許文献2】参照)がある。
【0007】
また、
【特許文献1】では、配向膜を表面に形成した基板を用意し、前記基板の1画素領域の幅以下の突起状部材で前記配向膜を所定方向に線状に擦ることによって配向処理を行う。
【0008】
【特許文献1】
特開平07−225383号公報
【非特許文献1】
M.Schadt他,Jpn.J Appl.Phys.,31(1992)2155
【非特許文献2】
K.Takatori,他,Proc.12th Int.Display Research Conf.,Hiroshima,1992,p.591
【非特許文献3】
M.Ruetschi,et.al.:Science,265(1994)512
【非特許文献4】
P.Shennon,他,Nature,368(1994)532
【非特許文献5】
W.Gibbons,他,Nature,351(1991)4
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの従来の方法では、フォトリソグラフィの工程の繰り返しによる作製工程の煩雑さ、多数のフォトマスクの使用、ラビング面の劣化の問題があげられる。
【0010】
さらに微細な配向処理法として、原子間力顕微鏡(AFM)の探針の走査によ
る多方向ラビング(
【非特許文献3】参照)が報告されているが、大面積を配向処理するには多大な時間を要し、量産化に適するものではない。
【0011】
その他、光配向法を用いて容易軸の異なる領域を配向膜上に形成する技術に関し、フォトマスクを使用し、偏光方向が互いに垂直な偏光を二回照射する手法が
【0012】
【非特許文献4】等で報告されている。また、ラビング法と光配向法を組み合わ
せた配向法として
【非特許文献5】で提案されている方法は、光反応のポリマーが塗布された基板を単一方向へラビングした後、前記基板に直線偏光紫外線を照射してラビング方向に対して直角である配向方向を作るものである。
【0013】
しかしながら、一般に、光配向法によるアンカリングエネルギーは弱いこと、配向膜材料によっては複数のフォトマスクを必要とすること、直線偏光光を照射しなければならないことによる光源の制限や、偏光素子の使用が必要なため、大面積の基板に一度に一様に照射するのが困難であるといった問題点があげられる。
【0014】
また、これまで、液晶セル中における異なる配向状態の形成は、容易軸の異なる領域を配向膜上に形成する、配向分割処理を行うことで実現されてきた。したがって、複数の容易軸方向に領域を分割する場合、容易軸方向の数と同じ回数の配向処理を施すことが必要である。このことにより、前述した複数回のフォトリソグラフィー工程、複数枚のフォトマスク使用等の問題に加え、各処理工程における分割領域の位置合わせの煩雑さや境界領域の配向乱れが大きな問題となる。
【0015】
本発明は、配向状態の異なる複数の領域を、一回の配向処理、すなわち一度のラビング処理のみによって形成することを特徴とする、液晶素子の作製方法に関するものである。この作製方法により、液晶素子内で異なる配向状態の領域を形成する工程が非常に簡素化される。
【0016】
本発明は、上記状況に鑑み、大面積を配向処理するのが簡単で、製造時間を短縮し、量産化を図ることができる光配向法による液晶素子の製造方法及び液晶高分子フィルムを提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕液晶素子の製造方法において、基板上にエネルギー線に反応する薄膜を形成する工程と、前記エネルギー線に反応する薄膜にエネルギー線を照射して前記エネルギー線に反応する薄膜表面のエネルギー線改質を行う工程と、ラビング法により液晶の配向処理を行い、液晶素子内で異なる配向状態の領域を形成する工程とを施すことを特徴とする。
【0018】
〔2〕上記〔1〕記載の液晶素子の製造方法において、前記エネルギー線に反応する薄膜にエネルギー線を照射する際、エネルギー線照射量が異なる複数の領域を形成することを特徴とする。
【0019】
〔3〕上記〔2〕記載の液晶素子の製造方法において、前記エネルギー線照射量が異なる複数の領域において、照射エネルギー線強度に対応する表面エネルギーの異なる領域を形成することを特徴とする。
【0020】
〔4〕上記〔1〕記載の液晶素子の製造方法において、前記液晶の配向処理は、ラビング処理を一回だけ行うことを特徴とする。
【0021】
〔5〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕又は〔4〕記載の液晶素子の製造方法において、液晶材料が光重合硬化型液晶材料であることを特徴とする。
【0022】
〔6〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕、〔4〕又は〔5〕記載の液晶素子の製造方法において、液晶材料として二色性色素を添加した液晶を用いることを特徴とする。
【0023】
〔7〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕、〔4〕、〔5〕又は〔6〕記載の液晶素子の製造方法において、液晶材料として蛍光物質を添加した液晶を用いることを特徴とする。
【0024】
〔8〕上記〔1〕〜〔7〕記載の何れか1項記載の液晶素子の製造方法において、前記エネルギー線が無偏光紫外線、可視光線、イオン線または電子線であることを特徴とする。
【0025】
〔9〕液晶高分子フィルムにおいて、上記〔5〕記載の液晶素子の製造方法によって得られた液晶素子に紫外線もしくは可視光線を照射して、液晶セルを重合硬化させ、両基板もしくはそのいずれかを剥離して得る。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0027】
図1は本発明の実施例を示す液晶素子の製造工程断面図である。
【0028】
(1)まず、図1(a)に示すように、ポリビニルシンナメート(PVCi)のジクロロメタン1wt%溶液を、ガラス基板1にスピンコート法で塗布し、120℃で10分間加熱乾燥し、配向膜(PVCi膜)2を有するPVCi基板3を作製する。その後、ラビングマシーンによりこのPVCi膜2にラビング配向処理を施す。なお、図1(a)において、矢印はラビング方向を示しており、ラビングされたPVCi膜2の液晶配向の容易軸は、ラビング方向と垂直である。
【0029】
(2)次に、図1(b)に示すように、上記PVCi膜2に高圧水銀ランプを光源とした無偏光紫外線(365nm、30mW/cm2 )5を、フォトマスク4を介して5分間照射する。
【0030】
(3)次に、図1(c)に示すように、対向基板6に、ポリイミド:PI(AL−150、日本合成ゴム製)を塗布し、180℃で20分間加熱処理を施し、ラビング処理したPI膜7を有するPI基板8を形成する。ラビングされたPI膜7の液晶配向の容易軸は、ラビング方向と平行である。2枚の基板3,8の容易軸が垂直となるようにするため、ラビング方向を平行に組合わせ、10μm直径のプラスチック球状スペーサ(図示なし)を基板3,8間に分散させ、その空隙に液晶(K15、メルクジャパン製)9を封入し液晶セルを作製する。
【0031】
紫外線が照射された部分は液晶9が約87°ねじれたツイストネマティック(TN)配向11となり、紫外線が照射されなかった部分では、ねじれ角0°のホモジニアス配向12となる液晶セルが作製される。
【0032】
図2は本発明を適用した振幅型回折格子の作製方法の模式図である。
【0033】
この図に示すように、100μmのライン/スペース幅のマスク21を用いて〔図2(a)〕PVCiに紫外線を照射してPVCi基板22を作製し、対向基板としてPIラビング基板23を用いることにより〔図2(b)〕、TN配向24とホモジニアス配向25が交互に繰り返される振幅型回折格子26を作製することができる〔図2(c)〕。
【0034】
図3は本発明を適用した位相回折格子の作製方法の模式図である。
【0035】
この図に示すように、図2と同様に100μmのライン/スペース幅のマスク21を用いて〔図3(a)〕紫外線を照射した2枚のPVCi基板31,32を用い、紫外線が照射された領域33と未照射領域34が重なるようにPVCi基板31,32を組み合わせ、かつラビング方向が直交するように組み合わせる〔図3(b)〕。
【0036】
この液晶セルは、液晶の配向方向が90°異なる領域が交互に繰り返されるホモジニアス配向パターン35を示す位相回折格子36となる〔図3(c)〕。
【0037】
図4は本発明にかかるねじれ角が連続的に変化する液晶素子の模式図であり、図4(a)はその断面図、図4(b)はその平面図である。
【0038】
これらの図に示すように、各領域A,B,C,Dにおける透過光強度が異なるフォトマスク41を用い、アンカリングエネルギーの異なる領域をPVCi基板42に形成する。なお、43はPIラビング基板(対向基板)上の液晶、44はPVCi基板42上の液晶、45は無偏光紫外線である。
【0039】
各領域の透過光強度がA>B>C>Dのとき、それぞれのアンカリングエネルギーはWA >WB >WC >WD となり、ねじれ角もΦA >ΦB >ΦC >ΦD となる。また、連続的なグレーレベルを有するフォトマスクを用いることにより、ねじれ角が連続的に変化する液晶素子の作製も可能となる。
【0040】
なお、光反応性薄膜としては、PVCi膜の他にも例えば以下のように実施することができる。
【0041】
光反応高分子としてアクリル系光架橋型樹脂SANBO AR−G(三宝化学研究所製)のシクロヘキサノン1wt%溶液を、ガラス基板にスピンコート法で塗布し、120℃で10分間加熱乾燥し、配向膜を作製したAR−G基板を得る。この配向膜に高圧水銀ランプを光源とした無偏光紫外線(365nm、30mW/cm2 )を、フォトマスクを介して5分間照射する。ラビングマシーンによりAR−G膜にラビング配向処理を施す。
【0042】
ラビングされたAR−G膜の液晶配向の容易軸は、UV照射領域はラビング方向と平行、UV未照射領域は垂直である。対向基板に、PIラビング基板を用い、2枚の基板のラビング方向を垂直に組み合わせ、10μm直径のプラスチック球状スペーサ(図示なし)を基板間に分散させ、その空隙に液晶K15を封入し液晶セルを作製する。紫外線が照射された部分は液晶が約88度ねじれたツイストネマティック(TN)配向となり、紫外線が照射されなかった部分では、ねじれ角0度のホモジニアス配向となる液晶セルが作製される。
【0043】
また、AR−G基板とPI基板のラビング方向を平行に組み合わせ、10μm直径のプラスチック球状スペーサを基板間に分散させ、その空隙に液晶K15を封入し液晶セルを作製する。紫外線が照射された部分はねじれ角0度のホモジニアス配向となり、紫外線が照射されなかった部分では液晶が約88度ねじれたツイストネマティック(TN)配向となる液晶セルが作製される。
【0044】
図5は本発明を適用した液晶高分子フィルムの製造方法の説明図である。
【0045】
まず、図5(a)に示すように、液晶(K15、メルクジャパン製)の代わりに、紫外線硬化型液晶(大日本インキ化学工業社製)51を用い、図1と同様な工程で液晶セルを作製する。
【0046】
液晶セル作製後、無偏光紫外線(365nm,30W/cm2 )52をセル全面に照射することで、液晶分子の配向分布を保持したまま重合硬化させる。
【0047】
硬化した液晶セルは、基板を剥離した状態でもその配向状態を保持していることから、図5(b)に示すような、液晶高分子フィルム53を得ることができる。また、この場合にプラスチック(または、高分子)からなる片側基板を残すこともできる。
【0048】
図6は本発明にかかる液晶セルの説明図、図7は本発明にかかる配向パターニング領域の可視化(その1)の説明図である。
【0049】
ここでは、青色を呈する二色性色素LC−101(日本化薬社製)74を2wt%添加した液晶K15(73)を用い、図1と同様な工程で図6(c)、図6(d)に示す液晶セルを作製する。すなわち、図6(a)に示す無偏光紫外線64を照射された部分と未照射の領域を有するPVCi基板61〔ここで、62はラビング方向、63はフォトマスク)と、PIラビング基板71を用いた液晶セル〔図6(c)〕:72はPIラビング基板71のラビング方向〕、または図6(a)と図6(b)に示す無偏光紫外線64,68を照射された部分と未照射の領域を有するPVCi基板61および65(ここでは、63及び67はフォトマスク)を、そのラビング方向62,66を互いに直交させて基板を組み合わせた液晶セル〔図6(d)〕を作製する。
【0050】
図6(c)に示した液晶セルは、図7(a)に示すように、自然光82をPVCi基板61側から入射し、PVCi基板61側には偏光板を用いないが、偏光板81を出射側に置いた場合では、液晶セルは均一な青色を呈する。なお、83は着色領域である。
【0051】
一方、図7(b)に示すように、入射側に偏光板81を設置し、ラビング方向と平行または直交する方向に偏光した自然光82を入射した場合、紫外線を照射された部分と未照射の領域が、着色領域83および無着色領域84として可視化される。
【0052】
また、図7(c)に示すように、両面に紫外線照射および未照射のパターニングをされたPVCi基板61と65からなる図6(d)に示した液晶セルを用いて、入射側に偏光板81を設置し、ラビング方向と平行または直交する方向に偏光した自然光82を入射した場合、紫外線を照射された部分と未照射の領域が、着色領域83および無着色領域84として可視化される。
【0053】
さらに、図7(d)に示すように、両面に紫外線照射および未照射のパターニングをされたPVCi基板61と65からなる図6(d)に示した液晶セルを用い、偏光板81を出射側に置いた場合、偏光板81を組み合わせた側の面の情報のみが、それぞれ独立して着色領域83および無着色領域84として可視化される。
【0054】
図8は本発明にかかる配向パターニング領域の可視化(その2)の説明図である。
【0055】
液晶K15に紫外線照射により青色発光を示す蛍光剤BBOTを0.5wt%添加し、これを用いて図1と同様な工程において、図6と同様な構成で蛍光液晶セルを作製する。この液晶セルは、自然光82では透明であり、偏光板81の1枚と組み合わせてもパターニングされた紫外線照射領域は可視化されない〔図8(a)〕。しかし、ラビング方向と平行または直交する方向に偏光した紫外線87、または無偏光紫外線を照射して偏光板81を利用して発光した液晶セルを観察すると、配向膜作製工程中の紫外線照射および未照射の領域が、青色発光領域86および無発光領域85として可視化される〔図8(b)〕。
【0056】
さらに、両面に紫外線照射および未照射のPVCi基板61,65を用いることで、偏光光を入射した面の情報のみ、または偏光板81を組み合わせた側の面の情報のみが、それぞれ独立して発光領域86および無発光領域85として可視化される〔図8(c)、図8(d)〕。
【0057】
図5、図6、図7および図8において、PVCi基板をAR−G基板に替えて液晶セルを作製することにより、同様の液晶セルを作製することができる。
【0058】
また、上記した無偏光紫外線に代えて、可視光線などのエネルギー線を用いても同様の効果を得ることができる。
【0059】
次に、本発明の他の実施例について説明する。
【0060】
上記実施例では、基板上の薄膜に無偏光紫外線または可視光線などのエネルギー線を用いた場合について説明したが、アルゴンガスのプラズマ等によるイオン線や電子線を用いるようにしてもよい。以下、その詳細について説明する。
【0061】
架橋反応性高分子材料として、カルコン側鎖を有するAR−G(三宝化学研究所)を用いた。ラビングAR−G膜表面において液晶はラビング方向と垂直に配向するが、紫外線(365nm)を照射し架橋反応させた後にラビングした表面では液晶配向容易軸はラビング方向と平行に変化することが確認されている。このAR−G膜に、Arプラズマ照射(圧力0.2×10-3Torr、周波数13・56MHz、電力50W、照射時間15分)による表面処理を行った。
【0062】
図9は本発明の実施例を示すAR−G膜におけるプラズマ照射前後の紫外線吸収スペクトルを示す図であり、横軸に波長(nm)、縦軸に吸光度(相対単位)を示している。光架橋反応時と同様、310nm付近における吸収のピークがプラズマ照射により減少していることが分かった。さらに、プラズマ処理された表面にラビングを施した場合、液晶の配向方向はラビング方向と平行になることを確認した。
【0063】
図10本発明の実施例を示すAR−G膜およびPI膜を付けた二枚の基板を用いて作製した液晶セルの偏光顕微鏡写真(クロスニコル)を示す図である。
【0064】
また、ラビング方向が反平行となるように組み合わせたが、プラズマ照射領域ではホモジニアス配向、未照射領域ではTN配向であった。
【0065】
以上の結果から、プラズマ照射によりAR−G膜表面で架橋反応が生じ、ラビング処理による液晶の配向容易軸が面内で90度変化することが明らかとなった。
【0066】
上記したように、気圧が0.2×10-3Torrのアルゴンガスを13.56MHzの周波数で50Wの電力で放電することで得られるイオン線を15分間照射した場合、紫外線を照射した場合と同様の効果が得られた。また、電子線用フォトレジスト材料(OEBR 東京応化社製)を用いて、配向膜を作製し電子線を照射した場合にも、表面エネルギーの変化による液晶分子の配向変化の効果が得られた。
【0067】
特に、イオン線や電子線を用いると、マスクパターンを使用せずに直接描画することができる。また、ナノ領域での分解能を有するパターニング等ができるという利点がある。
【0068】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0069】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏する。
【0070】
(A)本発明における液晶表示素子の製造方法によれば、光反応性高分子薄膜上に無偏光紫外線、可視光線、イオン線または電子線といったエネルギー線を照射する過程において、光照射強度が異なる複数の領域を配向膜上に形成し、この光改質の程度によって配向膜上に異なったアンカリングエネルギーを発現すること、またはエネルギー線照射後のラビング処理によって発生する容易軸が光改質の程度によって異なる方向となることを応用するものであり、配向処理は一度のラビング工程のみである。したがって、液晶素子内で異なる配向状態の領域を形成するという工程が非常に簡素化される。従来技術と比べて工程が単純化できるだけでなく、優秀な広視野角の特性及び回折能力を有する液晶光学素子が容易に製造できる。
【0071】
(B)本発明の適用により、簡単な工程で、振幅型回折格子や位相回折格子の作製を行うことができる。
【0072】
(C)本発明の適用により、ねじれ角が順次変化する液晶素子の作製を行うことができる。
【0073】
(D)これまでの容易軸の異なる領域を配向膜上に形成する技術は、すべて二回以上の配向処理を施すことにより行われ、それにより問題点が生じていたが、本発明によれば、容易軸の異なる領域を、一回の配向処理、すなわち一度のラビング処理のみによって形成するようにしたので、液晶素子内で異なる配向状態の領域を形成する工程が非常に簡素化され、従来の問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す液晶素子の製造工程断面図である。
【図2】本発明を適用した振幅型回折格子の作製方法の模式図である。
【図3】本発明を適用した位相回折格子の作製方法の模式図である。
【図4】本発明にかかるねじれ角が連続的に変化する液晶素子の模式図である。
【図5】本発明を適用した液晶高分子フィルムの製造方法の説明図である。
【図6】本発明にかかる液晶セルの説明図である。
【図7】本発明にかかる配向パターニング領域の可視化(その1)の説明図である。
【図8】本発明にかかる配向パターニング領域の可視化(その2)の説明図である。
【図9】本発明の他の実施例を示すAR−G膜におけるプラズマ照射前後のUV吸収スペクトルを示す図である。
【図10】本発明の他の実施例を示すAR−G膜およびPI膜を付けた二枚の基板を用いて作製した液晶セルの偏光顕微鏡写真(クロスニコル)を示す図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 配向膜(PVCi膜)
3,22,31,32,42,61,65 PVCi基板
4,41,63,67 フォトマスク
5,45,52,64,68 無偏光紫外線(365nm、30mW/cm2
6 対向基板
7 PI膜
8,23,71 PIラビング基板
9,73 液晶(K15、メルクジャパン製)
11,24 ねじれ角約87°のツイストネマティック(TN)配向
12,25,35 ねじれ角0°のホモジニアス配向
21 マスク
26 振幅型回折格子
33 紫外線が照射された領域
34 未照射領域
36 位相回折格子
43 PIラビング基板(対向基板)上の液晶
44 PVCi基板上の液晶
51 紫外線硬化型液晶(大日本インキ製)
53 液晶高分子フィルム
62,66,72 ラビング方向
74 青色を呈する二色性色素
81 偏光板
82 自然光
83 着色領域
84 無着色領域
85 無発光領域
86 青色発光領域
87 偏光した紫外線

Claims (9)

  1. (a)基板上にエネルギー線に反応する薄膜を形成する工程と、
    (b)前記エネルギー線に反応する薄膜にエネルギー線を照射して前記エネルギー線に反応する薄膜表面のエネルギー線改質を行う工程と、
    (c)ラビング法により液晶の配向処理を行い、液晶素子内で異なる配向状態の領域を形成する工程とを施すことを特徴とする液晶素子の製造方法。
  2. 請求項1記載の液晶素子の製造方法において、前記エネルギー線に反応する薄膜にエネルギー線を照射する際、エネルギー線照射量が異なる複数の領域を形成することを特徴とする液晶素子の製造方法。
  3. 請求項2記載の液晶素子の製造方法において、前記エネルギー線照射量が異なる複数の領域において、照射エネルギー線強度に対応する表面エネルギーの異なる領域を形成することを特徴とする液晶素子の製造方法。
  4. 請求項1記載の液晶素子の製造方法において、前記液晶の配向処理は、ラビング処理を一回だけ行うことを特徴とする液晶素子の製造方法。
  5. 請求項1、2、3又は4記載の液晶素子の製造方法において、液晶材料が光重合硬化型液晶材料であることを特徴とする液晶素子の製造方法。
  6. 請求項1、2、3、4又は5記載の液晶素子の製造方法において、液晶材料として二色性色素を添加した液晶を用いることを特徴とする液晶素子の製造方法。
  7. 請求項1、2、3、4、5又は6記載の液晶素子の製造方法において、液晶材料として蛍光物質を添加した液晶を用いることを特徴とする液晶素子の製造方法。
  8. 請求項1〜7記載の何れか1項記載の液晶素子の製造方法において、前記エネルギー線が無偏光紫外線、可視光線、イオン線または電子線であることを特徴とする液晶素子の製造方法。
  9. 請求項5記載の液晶素子の製造方法によって得られた液晶素子に紫外線もしくは可視光線を照射して、液晶セルを重合硬化させ、両基板もしくはそのいずれかを剥離して得る液晶高分子フィルム。
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