JP2004146855A

JP2004146855A - 半導体装置とその実装方法

Info

Publication number: JP2004146855A
Application number: JP2004043083A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Takahashi; 高橋　義和; Masami Suzuki; 鈴木　正美; Masaru Kimura; 木村　勝
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1996-12-03
Filing date: 2004-02-19
Publication date: 2004-05-20

Abstract

【課題】低価格かつ高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】（ａ）、（ｂ）で、デバイスホール１２、折曲ホール１３が形成されたべース樹脂２にインナーリード３を形成し、絶縁樹脂４をコーティングし、この絶縁樹脂４を開孔して外部電極パッド５を形成し、折曲部１ｄにてインナーリード３に弾性樹脂６をコーティングして、パッケージフィルム１を作成する。次に（ｃ）で、インナーリード形成面１ＡをＬＳＩチップ８側にして、チップ電極パッド８ａにインナーリード３を熱圧着により一括ボンディングし、封止樹脂９によりデバイス実装フィルム部１ｂにＬＳＩチップ８を固定実装する。次に（ｄ）で、パッケージフィルム１の外部接続フィルム部１ｃを１８０°折り曲げ、接着剤１０によりデバイス実装フィルム部１ｂに固定する。
【選択図】図１

Description

　本発明は、半導体チップとほぼ同じ大きさであり、特に多出力の半導体チップに適するパッケージを有する半導体装置と、その製造方法および実装方法に関するものである。

　従来、この種の半導体チップとほぼ同じ大きさのパッケージは、チップサイズパッケージ、μ−ＢＧＡ、チップスケールパッケージ、ＣＳＰ等と称され、さまざまなタイプのものが開発されている。図２４は従来のモールドタイプのパッケージを有する半導体装置の一部破断斜視図である。この半導体装置は、ＬＳＩチップ２４１の電極パッドにバンプ２４２を形成し、次にトランスファー成形金型を用いて、略ＬＳＩと同じ大きさのモールド樹脂２４３により樹脂封止し、最後に外部電極に半田ボール２４４を搭載することにより製造される。

　また、図２５は従来のフィルム（フィルムキャリアテープ）タイプのパッケージを有する半導体装置の断面図である。この半導体装置は、ＬＳＩチップ２５１の表面に弾性接着剤（エラストマ）２５２をコーティングし、インナーリード２５３および外部接続パッド２５４が形成されたポリイミドフィルム２５５を弾性接着剤２５２によりＬＳＩチップ２５１表面に固定し、ＬＳＩチップ２５１のチップ電極パッドにインナーリード２５３をボンディングし、外部接続パッド２５４に半田ボール２５６を搭載することにより製造される。

　また、図２６は従来のフリップチップボンディングタイプのパッケージを有する半導体装置の断面図である。この半導体装置は、ＬＳＩチップ２６１の表面にバンプ２６２を形成し、次にＬＳＩチップ２６１をセラミックまたは有機系材料の基板２６３にフェースダウンボンディングし、次に封止樹脂２６４を用いて封止することにより製造される。基板２６３の裏面には半田ボール２６５が搭載される。図２４〜図２６に示すいずれのタイプのパッケージを用いても、略ＬＳＩと同じ大きさのパッケージを有する半導体装置を製造することができる。

　しかしながら、図２４に示す半導体装置では、専用のトランスファー金型を必要とし、このことが低価格化の障害となっていた。

　また、図２５に示す半導体装置では、ＬＳＩチップとテープの中間に特殊な弾性接着剤を用いるため、ＬＳＩチップ表面の汚染やダメージ等が発生し、信頼性が劣化する恐れがあった。またＬＳΙチップとインナーリードを接続する際に、にリードを一本ずつボンディングするシングルポイントボンディングを用いており、多出力パッケージにおいてはボンディング時間が長くなり、低価格化の障害となっていた。

　また、図２６に示す半導体装置では、多出力パッケージにおいては基板が多層で高価格となり、またサイズの大きいＬＳＩチップにおいては基板とＬＳΙチップの熱膨張差により、信頼性上問題になることがあった。

　本発明は、このような従来の問題を除去するものであり、多出力のＬＳＩチップを用いる場合に好適な、低価格かつ高信頼性の半導体装置とその製造方法および実装方法を提供することを目的とする。

　本発明の半導体装置は、半導体チップが実装されたデバイス実装フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部上に配置され、外部電極パッドが形成された外部接続フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部の端部と前記外部接続フィルム部の端部との間に設けられた折曲部と、前記折曲部を経由して前記半導体チップの電極パッドと前記外部電極パッドとを電気的に接続するインナーリードとを有するパッケージフィルムを備えたことを特徴とする。

　また、半導体チップの表面と対面するように、前記半導体チップが実装されたデバイス実装フィルム部と、前記半導体チップの裏面に配置され、外部電極パッドが形成された外部接続フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部の端部と前記外部接続フィルム部の端部との間に設けられた折曲部と、前記折曲部を経由して前記半導体チップの電極パッドと前記外部電極パッドとを電気的に接続するインナーリードとを有するパッケージフィルムを備えたことを特徴とする。

　また、チップの中央部あるいはチップの中心線に沿った領域にパッド電極が配置された半導体チップが実装されたパッケージフィルムを備え、前記パッケージフィルムが、前記半導体チップのパッド電極形成領域に対応して、中央部あるいは中心線に沿った領域に形成されたデバイスホールと、前記デバイスホールの形成領域以外の領域に形成された外部電極パッドと、前記半導体チップの電極パッドと前記外部電極パッドとを接続するインナーリードとを有することを特徴とする。

　また、チップの周辺部にパッド電極が配置された半導体チップが実装されたパッケージフィルムを備え、前記パッケージフィルムが、前記半導体チップのパッド電極形成領域に対応して、周辺部に形成されたデバイスホールと、前記デバイスホールの形成領域以外の領域に形成された外部電極パッドと、前記半導体チップのパッド電極と前記外部電極とを接続するインナーリードとを有し、前記パッケージフィルムと前記半導体チップの表面との間を封止樹脂により固定したことを特徴とする。

　また、所定の領域に電極パッドが配置された半導体チップの表面と対面するように、前記半導体チップが実装されたデバイス実装フィルム部と、前記半導体チップの裏面に配置され、外部電極パッドが形成された外部接続フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部の端部と前記外部接続フィルム部の端部との間に設けられた折曲部と、インナーリードとを有するパッケージフィルムを備え、前記デバイス実装フィルム部が、前記半導体チップのパッド電極形成領域に対応して、所定の領域に形成されたデバイスホールと、前記デバイスホールの形成領域以外の領域に形成された外部電極パッドとを有し、前記インナーリードが、前記半導体チップの電極パッドと前記デバイス実装フィルム部の外部電極パッドとを電気的に接続するとともに、前記折曲部を経由して前記半導体チップの電極パッドと前記外部接続フィルム部とを電気的に接続することを特徴とする。

　次に、本発明の半導体装置の製造方法は、デバイスホールが形成されたデバイス実装フィルム部と、外部接続フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部と前記外部接続フィルム部の間に位置する折曲部とに領域分割される平面形状を有し、第１面側の前記外部接続フィルム部に外部電極パッドが形成され、前記デバイスホールから折曲部を経由して前記外部電極パッドに至るようにインナーリードが形成されたパッケージフィルムを用い、前記デバイスホール形成領域において前記インナーリードを半導体チップの電極パッドにボンディングして、前記第１面側の前記デバイス実装フィルム部に前記半導体チップを実装する工程と、前記外部接続フィルム部を折曲部にて第２面側に１８０゜折り曲げて固定する工程とを順次実施することを特徴とする。

　また、デバイスホールが形成されたデバイス実装フィルム部と、外部接続フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部と外部接続フィルム部の間に位置する折曲部とに領域分割される平面形状を有し、第１面側の前記外部接続フィルム部に外部電極パッドが形成され、前記デバイスホールから折曲部を経由して前記外部電極パッドに至るようにインナーリードが形成されたパッケージフィルムを用い、前記デバイスホール形成領域において前記インナーリードを半導体チップ表面の電極パッドにボンディングし、前記第２面側の前記デバイス実装フィルム部に前記半導体チップを実装する工程と、前記外部接続フィルム部を折曲部にて前記半導体チップの裏面側に１８０゜折り曲げ、前記裏面に固定する工程とを順次実施することを特徴とする。

　また、チップの中央部あるいはチップの中心線に沿った領域に電極パッドが配置された半導体チップと、前記半導体チップの電極パッド形成領域に対応して、中央部あるいは中心線に沿った領域にデバイスホールが形成され、前記デバイスホール形成領域以外の領域の外部接続面側に外部電極パッドが形成され、前記デバイスホールから前記外部電極に至るようにインナーリードが形成されたパッケージフィルムとを用い、前記デバイスホール形成領域において前記インナーリードを半導体チップの電極パッドにボンディングして、前記半導体チップを前記パッケージフィルムのデバイス実装面側に実装する工程を実施することを特徴とする。

　また、チップの周辺部に電極パッドが配置された半導体チップと、前記半導体チップのパッド電極形成領域に対応して、周辺部にデバイスホールが形成され、前記デバイスホール形成領域以外の領域の外部接続面側に外部電極パッドが形成され、前記デバイスホールから前記外部電極に至るようにインナーリードが形成されたパッケージフィルムとを用い、前記デバイスホール形成領域において前記インナーリードを半導体チップの電極パッドにボンディングし、前記パッケージフィルムと前記半導体チップ表面の間に封止樹脂を流し込んで、前記半導体チップを前記パッケージフィルムのデバイス実装面側に実装する工程を実施することを特徴とする。

　また、所定の領域に電極パッドが配置された半導体チップと、前記半導体チップのパッド電極形成領域に対応して、所定の領域にデバイスホールが形成されたデバイス実装フィルム部と、外部接続フィルム部と、前記デバイス実装フィルム部と前記外部接続フィルム部の間に位置する折曲部とに領域分割される平面形状を有し、第１面側の前記外部接続フィルム部および第１面側の前記デバイス実装フィルム部のデバイスホール形成領域以外の領域に外部電極パッドが形成され、前記デバイスホールから前記それぞれの外部電極パッドに至るようにインナーリードが形成されたパッケージフィルムとを用い、前記デバイスホール形成領域において前記インナーリードを前記半導体チップ表面の電極パッドにボンディングし、第２面側の前記デバイス実装フィルム部に前記半導体チップを実装する工程と、前記外部接続フィルム部を折曲部にて前記半導体チップの裏面側に１８０゜折り曲げ、前記裏面に固定する工程とを順次実施することを特徴とする。

　次に、本発明の半導体装置の実装方法は、上記本発明の半導体装置をマザーボードに密着実装する半導体装置の実装方法であって、前記マザーボードの電極パッドに半田ボールを搭載し、このマザーボード上に前記半導体装置を載置し、前記半田ボールを溶解させて、前記マザーボードの電極パッドと前記半導体装置の外部電極パッドとを電気的に接続することを特徴とする。

　また、上記本発明の半導体装置を複数積層してマザーボードに実装する半導体装置の実装方法であって、前記マザーボードの電極パッドに、第１の半導体装置の外部接続フィルム部またはデバイス実装フィルム部のいずれか一方に形成された外部電極パッドを重ね、さらに第１の半導体装置の他方のフィルム部に形成された外部電極パッドに、第２の半導体装置の外部接続フィルム部またはデバイス実装フィルム部のいずれか一方に形成された外部電極パッドを重ね、前記重なり合った電極どうしを電気的に接続することを特徴とする。

　本発明によれば、インナーリードを半導体チップの電極パッドにボンディングして半導体チップをデバイス実装フィルム部に実装し、外部接続フィルム部を折曲部にて１８０゜折曲げて固定することにより、特殊な弾性接着剤や半導体チップと熱膨張率のことなる基板を用いないため、半導体装置の信頼性を向上させることができ、かつ専用の金型を必要としないため、製造コストを低減することができ、従って半導体装置の低価格化を図ることができるという効果がある。

　また、デバイス実装フィルム部と外部接続フィルム部の間に平板を取り付けることにより、外部接続フィルム部の平坦性を向上させることができるので、マザーボードへの実装性を向上させることができるという効果がある。また平板として金属板等を用いた場合には、パッケージの熱放散性を向上させることができるという効果がある。

　また、デバイス実装フィルム部と外部接続フィルム部との間に取り付けられた導電性平板と、基準電源用インナーリードとをスルーホールを介して電気的に接続して、外部接続フィルム部を２層両面導電層構造とすることにより、外部接続フィルム部の平坦性を向上させ、半導体チップの熱放散性を向上させることができることに加えて、クロストークノイズを低減させることができるので、半導体チップの動作を高速化することができるという効果がある。

　また、コの字板の底板の内面に半導体チップを取り付け、天板の外面に外部接続フィルム部を取り付けることにより、外部接続フィルム部の平坦性を向上させることができるとともに、半導体チップを保護することができるという効果がある。またコの字板として金属板等を用いた場合には、パッケージの熱放散性をさらに向上させることができるという効果がある。

　また、半導体装置の低価格化および信頼性の向上を図ることができるとともに、外部接続フィルム部を半導体チップの裏面に固定することにより、半導体チップの裏面および側面を保護することができ、外部接続フィルム部の平坦化を図ることができるという効果がある。

　また、半導体チップの電極パッド形成領域に対応した位置にデバイスホールを有するパッケージフィルムに実装することにより、特殊な弾性接着剤や熱膨張率が半導体チップと異なる基板を用いないため、信頼性を向上させることができ、また加工工数および材料費を削減できるので、さらにパッケージの低価格化を図ることができるという効果がある。

　また、半導体チップの側面および底面、あるいは側面を覆うように保護枠を取り付けることにより、半導体チップの側面および裏面を保護することができるという効果がある。

　また、半導体装置の低価格化および信頼性の向上を図ることができるとともに、デバイス実装フィルム部にも外部電極パッド５を設け、外部接続フィルム部を半導体チップの裏面に固定することにより、配線長の短縮、半導体チップ裏面の保護、および外部接続フィルム部の平坦化を図ることができるという効果がある。また、マザーボードにおける実装スペースの省スペース化等を目的とした半導体装置の積層が可能となるという効果がある。

　また、絶縁樹脂突起を設けたことにより、封止樹脂を流れ易くさせることができ、またパッケージフィルムの平担度を向上することができるので、半導体装置の品質を向上させることができるという効果がある。

　また、外部接続フィルム部を複数設けることにより、チップ電極パッドから外部電極パッドまでの配線（インナーリード）長を短くすることができ、より効率的な配線の引き回しが可能となるので、半導体チップの動作を高速化することができるという効果がある。

　また、パッケージフィルムの折曲部において、インナーリードを弾性樹脂でコーティングすることにより、折曲部でのインナーリードの強度劣化あるいは断線を防止することができるという効果がある。

　また、半導体チップの電極パッドにバンプを形成する工程が不要となるので、製造コストを削減でき、パッケージの低価格化を図ることができる。

　また、インナーリードを半導体チップの電極パッドに一括ボンディングすることにより、加工工数が削減され、製造コストを低減することができるので、パッケージの低価格化を図ることができる。

　また、マザーボード側に半田ボールを供給することにより、複数のパッケージを同時に実装することが可能となるので、半導体装置のマザーボードに対する実装工数を削減することができるという効果があり、また半導体装置の製造工程においては、外部電極パッドに半田ボールを搭載する工程が不要となるので、加工工数を削減でき、パッケージの低価格化をさらに図ることができるという効果がある。

　また、半導体装置を積層実装することにより、マザーボードの省スペース化を図ることができるという効果がある。

第１の実施形態
　図１は本発明の第１の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。図１において、（ａ）はこの半導体装置に用いられるパッケージフィルム１をインナーリード形成面（第１面）１Ａから見た上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’間の断面図、（ｃ）および（ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の製造途中における断面構造図、（ｅ）は第１の実施形態の半導体装置の断面構造図である。

　まず、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、パッケージフィルム１を作成する。すなわち、プレスパンチング加工により、デバイス実装フィルム部予定領域にデバイスホール１２が形成され、折曲部予定領域に折曲ホール１３が形成されたポリイミドのベース樹脂２に、インナーリード３を形成する。ここで、インナーリード３は、例えば、ベース樹脂２の表面に銅箔を貼り付け、この銅箔をフォトリソエッチングによりパターニングし、半田またはスズをメッキ処理したものである。尚、図中の３ａはダミーインナーリードである。次に、この上に絶縁樹脂４をコーティングし、フォトリソエッチングにより、絶縁樹脂４に電極パッドホール４ａを開孔してインナーリード３を露出させ、外部電極パッド５を形成する。尚、印刷法により絶縁樹脂４を選択的にコーティング（パターニング）して、外部電極パッド５を形成しても良い。また、インナーリード３の強度劣化あるいは断線を防止することを目的として、折曲部１ｄにおけるインナーリード３の片面または両面にポリイミド系の弾性樹脂６をコーティングすることが望ましい。以上により、パッケージフィルム１が作成される。尚、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）製造技術を用いる場合には、パッケージフィルム１は、フィルムキャリアテープ１ａに複数作り込まれて供給される。

　次に、図１（ｃ）に示すように、パッケージフィルム１のインナーリード形成面１Ａ（第１面）をＬＳΙチップ８の表面に対面させて、パッケージフィルム１のデバイス実装フィルム部１ｂにＬＳΙチップ８を実装する。すなわち、パッケージフィルム１のデバイス実装フィルム部１ｂにおいて、金メッキ等が施されたバンプ７が形成されたＬＳΙチップ８のチップ電極パッド８ａに、熱圧着法によりインナーリード３およびダミーインナーリード３ａを一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部１ｂとＬＳΙチップ８の表面とにより形成される空間にエポキシ樹脂等の封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部１ｂに対してＬＳΙチップ８を固定実装する。ここで、ボンディングされたダミーインナーリード３ａは、インナーリード３がボンディングされてからＬＳΙチップ８が固定されるまでに、インナーリード３が断線したり、ボンディング部が剥離することを防止する機能を有する。尚、ＴＡＢ技術を用いる場合には、ＬＳΙチップ８の実装終了後に、パンチング加工によりフィルムキャリアテープ１ａからパッケージフィルム１を分離する。

　次に、図１（ｄ）に示すように、パッケージフィルム１の外部接続フィルム部１ｃを、折曲部１ｄにてベース樹脂面１Ｂ（第２面）側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０によってデバイス実装フィルム部１ｂにおける封止樹脂９表面に固定する。ここで折り曲げるポイントは、例えばＬＳＩチップ８の側面の外側約１［ｍｍ］程度の所とする。最後に図１（ｅ）に示すように、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部１ｂのデバイスホール１２に突き出して形成されたインナーリード３（およびダミーインナーリード３ａ）をＬＳＩチップ８のチップ電極パッド８ａに一括ボンディングしてＬＳＩチップ８をデバイス実装フィルム部１ｂに実装し、外部接続フィルム部１ｃを折曲部１ｄ（ＬＳＩチップ８の外側約１［ｍｍ］）を境にして１８０゜折曲げ、デバイス実装フィルム部１ｂに固定することにより、特殊な弾性接着剤を用いないので信頼性を向上させることができ、また専用のトランスファー金型を用いず、インナーリードをＬＳＩチップに一括ボンディングするので、製造コストを低減することができ、従って低価格化を図ることができる。

　尚、図１（ｅ）に示す工程を実施せずに、図１（ｄ）に示すように、外部電極パッド５に半田ボール１１が搭載されていない構造としても良い。このチップサイズパッケージをマザーボードに実装する際は、マザーボード側に半田ボールを供給することにより良好な接続が可能である。マザーボードへの半田ボールの供給には、例えば印刷技術を用いる。このようにマザーボード側に半田ボールを供給することにより、複数のパッケージを同時に実装することが可能となるので、パッケージのマザーボードに対する実装工数を削減することができ、またパッケージの製造工程においては、外部電極パッドに半田ボールを搭載する工程が不要となるので、加工工数を削減でき、半導体装置の低価格化をさらに図ることができる。

第２の実施形態
　第２の実施形態は、ベース樹脂をプレスパンチング加工して外部電極パッドを形成することを特徴とするものである。図２は本発明の第２の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。図２において、（ａ）はこの半導体装置に用いられるパッケージフィルム２１の断面図であり、（ｂ）は第２の実施形態の半導体装置の断面構造図である。

　まず、図２（ａ）に示すように、パッケージフィルム２１を形成する。すなわち、ベース樹脂２をプレスパンチング加工して、デバイスホール１２、折曲ホール１３、および外部電極パッド２２となる電極パッドホール２ａを形成する。次に、第１の実施形態と同じ手順で、この樹脂テープ２にインナーリード３およびダミーインナーリード３ａを形成し、絶縁樹脂４をコーティングする。また、折曲部２１ｄに弾性樹脂６をコーティングすることが望ましい。以上により、ベース樹脂面２１Ｂ（第１面）側に開孔した外部電極パッド２２を有するパッケージフィルム２１が作成される。

　次に、図２（ｂ）に示すように、ベース樹脂面２１ＢをＬＳΙチップ８側にしてパッケージフィルム２１のデバイス実装フィルム部２１ｂにＬＳΙチップ８を実装する。すなわち、上記第１の実施形態と同じ手順で、バンプ７が形成されたＬＳΙチップ８のチップ電極パッド８ａにインナーリード３およびダミーインナーリード３ａをボンディングし、封止樹脂９によりＬＳΙチップ８をデバイス実装フィルム部２１ｂに固定実装し、さらに外部接続フィルム部２１ｃを、折曲部２１ｄにてインナーリード形成面２１Ａ（第２面）側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０によりデバイス実装フィルム部２１ｂの封止樹脂９表面に固定し、最後に外部電極パッド２２に半田ボール１１を搭載する。

　このように第２の実施形態によれば、パッケージフィルムの作成工程において、デバイスホール１２等のプレスパンチング加工時に外部電極パッドホール２ａを形成しておき、この外部電極パッドホール２ａ上にインナーリード３をパターニングして外部電極パッド２２を形成することにより、パッケージフィルムの作成工数（絶縁樹脂のフォトリソエッチングの加工工数）を削減でき、材料費（絶縁樹脂）を削減できるので、さらに半導体装置の低価格化を図ることができる。

　尚、図２（ｂ）において、外部電極パッド２２に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第３の実施形態
　第３の実施形態は、バンプを形成しないでインナーリードをＬＳＩチップの電極パッドに直接ボンディングすることを特徴とするものである。図３は本発明の第３の実施形態の半導体装置の断面構造図であり、（ａ）は全体断面図、（ｂ）は（ａ）の領域Ｅの部分断面図を示す。尚、下記以外の構造および製造工程は、上記第１の実施形態と同じである。

　図３において、インナーリード３１は、銅箔３１ａに金メッキ３１ｂを施し、１５０℃、３０分程度のアニール処理をしたものである（ダミーインナーリードも同じである）。インナーリード３１およびダミーインナーリードは、ＬＳＩチップ８のチップ電極パッド８ａにバンプを介さずに熱圧着法により直接一括ボンディングされる。

　通常、バンプがないとＬＳＩチップの電極パッドのダメージが大きく、パッド下にクラック等が発生する。しかしながら、銅箔３１ａに金メッキ３１ｂを施したインナーリード３１は、アニール処理等によりその硬度を下げることができるので、この軟化したインナーリード３１を用いることによりチップ電極パッドへのダメージを緩和し、パッド下にクラック等が発生しない直接ボンディングが可能となる。

　このように第３の実施形態によれば、ＬＳＩチップの電極パッドにバンプを形成する工程が不要となるので、製造コストを削減でき、低価格化を図ることができる。

　尚、この第３の実施形態は、上記第２の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第４の実施形態
　第４の実施形態は、ＬＳＩチップの側面および裏面を保護するための保護枠を設けたことを特徴とするものである。図４は本発明の第４の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。図４に示す半導体装置は、上記第１の実施形態の半導体装置に、図４（ａ）に示す箱型の保護枠４１、あるいは図４（ｂ）に示す底部がない保護枠４２を取り付けたものである。保護枠４１はＬＳＩチップ８の側面および裏面を覆うように取り付けられ、また保護枠４２はＬＳＩチップ８の側面を覆うように取り付けらている。これらの保護枠４１、４２は、樹脂、金属等の絶縁材料または導電性材料を成形加工したものであり、パッケージフィルム１のデバイス実装フィルム部１ｂに接着剤１０ｂを用いて固定される。

　このように第４の実施形態によれば、保護枠４１または４２を取り付けることにより、ＬＳＩチップ８の側面および裏面を保護することができるので、ハンドリング時にＬＳＩチップ８の側面およびチップ裏面の欠けが発生しなくなり、実装時の歩留まり向上が期待できる。

　尚、この第４の実施形態は、上記第２の実施形態または上記第３の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第５の実施形態
　第５の実施形態は、外部接続フィルム部の平坦性を向上させるための平板を設けたことを特徴とするものである。図５は本発明の第５の実施形態の半導体装置の断面構造図である。図５に示す半導体装置は、上記第１の実施形態の半導体装置において、パッケージフィルム１のデバイス実装フィルム部１ｂと外部接続フィルム部１ｃの間に、絶縁材料または金属等の導電性材料からなる平板５１を取り付けたものである。この平板５１は、接着剤１０ａおよび１０ｂを用いてデバイス実装フィルム部１ｂの封止樹脂９表面と外部接続フィルム部１ｃとの間に固定される。平板５１の取り付け手順としては、例えば、図１（ｂ）に示す工程終了後に、接着剤１０ａにより平板５１をデバイス実装フィルム部１ｂの封止樹脂９形成部上に固定し、次に外部接続フィルム部１ｃを１８０°折り曲げ、平板５１上に接着剤１０ｂにより固定する。

　このように第５の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部１ｂと外部接続フィルム部１ｃの間に平板５１を取り付けることにより、外部接続フィルム部１ｃおよび半田ボール１１の平坦性を向上させることができるので、マザーボードへの実装性を向上させることができる。また平板として金属板等を用いた場合には、半導体装置の熱放散性を向上させることができる。

　尚、この第５の実施形態は、上記第２の実施形態、第３の実施形態、または第４の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第６の実施形態
　第６の実施形態は、外部接続フィルム部の平坦性を向上させるとともに、ＬＳＩチップの裏面を保護するコの字板を設けたことを特徴とするものである。図６は本発明の第６の実施形態の半導体装置の断面構造図である。図６に示す半導体装置は、上記第１の実施形態の半導体装置に、絶縁材料または金属等の導電性材料からなる、コの字型に成形加工されたコの字板６１を取り付けたものである。コの字板６１の底板６１ａのコの字内面には、ＬＳＩチップ８が取り付けられ（従ってデバイス実装フィルム部１ｂおよびＬＳＩチップ８は底板６１ａと天板６１ｂの間に位置する）、天板６１ｂのコの字外面には、外部接続フィルム部１ｃが取り付けられている。コの字板６１の装着手順としては、例えば、図１の（ｂ）に示す工程を終了後に、ＬＳＩチップ８の底面を接着剤１０ａを用いて底板６１ａに固定し、次に外部接続フィルム部１ｃを１８０°折り曲げ、接着剤１０ｂを用いて天板６１ｂに固定する。あるいは、コの字板６１として金属板等を用いる場合には、平板にＬＳＩチップ８を固定し、次にこの平板を１８０゜折り返してコの字板６１を形成し、最後に外部接続部１ｃを１８０゜折り曲げ、天板６１ｂに固定する。尚、図６においては、パッケージフィルム１の折曲部１ｄの内面の向き（右から左）とコの字板６１の湾曲部６１ｃの内面の向き（左から右）とは１８０゜異なる位置関係にあるが、これを９０゜異なる位置関係としても良い。

　このように第６の実施形態によれば、コの字板６１を用い、その底板６１ａの内面にＬＳＩチップ８を取り付け、天板６１ｂの外面に外部接続フィルム部１ｃを取り付けることにより、外部接続フィルム部１ｃおよび半田ボール１１の平坦性を向上させることができ、またＬＳＩチップを保護することができる。またコの字板６１として金属板等を用いた場合には、パッケージの熱放散性をさらに向上させることができる。

　尚、この第６の実施形態は、上記第２の実施形態または第３の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第７の実施形態
　第７の実施形態は、外部接続フィルム部を２層両面導電層構造とすることを特徴とするものである。図７は本発明の第７の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。

　まず、図７（ａ）に示すように、外部接続フィルム部７１ｂに基準電源（接地電源）用のスルーホール２ｂを有するパッケージフィルム７１を作成する。すなわち、ベース樹脂２にデバイスホールおよび折曲ホールを形成する際に同時にスルーホール２ｂをプレスパンチング加工により形成しておき、このスルーホール２ｂに至るように基準（接地）電源インナーリード３ｂを形成し、以下、上記第１の実施形態と同じ手順でパッケージフィルム７１を作成する。次に、上記第１の実施形態と同じ手順で、パッケージフィルム７１にＬＳΙチップ８を実装する。次に、上記第５の実施形態と同じ手順で、外部接続フィルム部７１ｃを折り曲げ、接着剤１０ａ、１０ｂによりデバイス実装フィルム部７１ｂと外部接続フィルム部７１ｃとの間に導電性平板７２を取り付け、スルーホール２ｂの底部の接着剤１０ｂを除去する。

　次に、図７（ｂ）に示すように、スルーホール２ｂに半田ボール１１ａ（導電性材料）を搭載する（このとき、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する）。次にこのチップサイズパッケージを熱処理して半田ボール１１ａを溶解させ、基準電源インナーリード３ｂと平板７２（基準電源となる）とを電気的に接続する。尚、ここでスルーホール２ｂの容積と半田ボール１１ａの体積はほぼ一致していることが好ましい。

　このように第７の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部７１ｂと外部接続フィルム部７１ｃとの間に取り付けられた導電性平板７２と、基準電源インナーリード３ｂとをスルーホール２ｂを介して電気的に接続して、外部接続フィルム部を２層両面導電層構造とすることにより、外部接続フィルム部の平坦性を向上させ、ＬＳＩチップの熱放散性を向上させることができるとともに、クロストークノイズを低減させることができるので、ＬＳＩチップの動作を高速化することができる。

　尚、上記第２の実施形態のように、パッケージフィルムのベース樹脂面側に外部電極パッドを形成しても良い。また、上記第３の実施形態のように、バンプを用いずにインナーリードをチップ電極パッドに直接ボンディングしても良い。また導電性平板を用いずに、上記第６の実施形態のような導電性のコの字板を用いても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第８の実施形態
　第８の実施形態は、外部接続フィルム部をＬＳＩチップの裏面に折り曲げて固定することを特徴とするものである。図８は本発明の第８の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。尚、図８において、図１ないし図７に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　まず、図８（ａ）に示すように、上記第１の実施形態におけるパッケージフィルム１（図１（ａ）、（ｂ）参照）を用い、図８（ａ）に示すように、パッケージフィルム１のベース樹脂面１Ｂ（第２面）をＬＳΙチップ８側にして、デバイス実装フィルム部１ｂのベース樹脂面１ＢにＬＳΙチップ８を実装する。すなわち、パッケージフィルム１のデバイス実装フィルム部１ｂにおいて、バンプ７が形成されたＬＳΙチップ８のチップ電極パッド８ａに、熱圧着法によりインナーリード３およびダミーインナーリード３ａを一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部１ｂとＬＳΙチップ８の表面により形成される空間に封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部１ｂに対してＬＳΙチップ８を固定実装する。

　次に、図８（ｂ）に示すように、外部接続フィルム部１ｃを、折曲部１ｄにてＬＳＩチップ８の裏面８ｂ側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０によってチップ裏面８ｂに固定する。最後に、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第８の実施形態によれば、外部接続フィルム部１ｃをＬＳＩチップ８の裏面８ｂに折り曲げて固定することにより、保護枠等を用いずに、ＬＳＩチップ８の裏面８ｂおよび側面を保護することができる。また、平板を用いずに外部接続フィルム部１ｃの平坦化を図ることができる。

　尚、上記第２の実施形態のように、パッケージフィルムのベース樹脂面側に外部電極パッドを形成しても良い。この場合は外部接続フィルム部のインナーリード形成面がＬＳＩチップ８の裏面に接着される。また、上記第３の実施形態のように、バンプを用いずにインナーリードをチップ電極パッド８ａに直接ボンディングしても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第９の実施形態
　第９の実施形態は、両側に外部接続フィルム部を有するパッケージフィルムを用い、これらの外部接続フィルム部をそれぞれ折り曲げることを特徴とするものである。図９は本発明の第９の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。図９において、（ａ）はこの半導体装置に用いられるパッケージフィルム９１をインナーリード形成面から見た正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’間断面を含む第９の実施形態の半導体装置の断面構造図である。尚、図９において、図１ないし図８に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　まず、上記第１の実施形態と同様に手順により、図９（ａ）に示すパッケージフィルム９１を作成する。すなわち、デバイスホール１２と２つの折曲ホール１３ａおよび１３ｂとが形成されたベース樹脂２にインナーリード３をパターニング形成し、さらにこの上に絶縁樹脂４をパターニング形成することにより外部電極パッド５を形成する。尚、ダミーインナーリードは必要ない。また、折曲部９１ｄ、９１ｆ（折曲ホール１３ａ、１３ｂの形成部）におけるインナーリード３の強度劣化を防止するために弾性樹脂６をコーティングすることが望ましい。以上により、パッケージフィルム９１が作成される。

　次に、図９（ｂ）に示すように、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂのインナーリード形成面９１Ａ（第１面）側をＬＳΙチップ８の表面に対面させて、デバイス実装フィルム部９１ｂにＬＳΙチップ８を実装する。すなわち、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂにおいて、バンプ７が形成されたＬＳΙチップ８のチップ電極パッド８ａに、熱圧着法によりインナーリード３を一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部９１ｂとＬＳΙチップ８の表面とにより形成される空間に封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部９１ｂに対してＬＳΙチップ８を固定実装する。次に、外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅを、折曲部９１ｄおよび９１ｆにおいて、それぞれデバイス実装フィルム部９１ｂのベース樹脂面１Ｂ（第２面）側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０ａ、１０ｂによって封止樹脂９表面に固定する。最後に、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第９の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部９１ｂの両側に外部接続フィルム部９１ｃ、９１ｅを設けたことにより、チップ電極パッドから外部電極パッドまでの配線（インナーリード）長を上記第１の実施形態よりも短くすることができ、より効率的な配線の引き回しが可能となるので、ＬＳＩチップの動作を高速化することができる。

　尚、上記第２の実施形態のように、パッケージフィルムのベース樹脂面側に外部電極パッドを形成しても良い。この場合は、デバイス実装フィルム部のベース樹脂面側をＬＳＩチップ８の表面に対面させて、ＬＳＩチップ８を固定実装する。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１０の実施形態
　第１０の実施形態は、パッケージフィルムの両側に形成された外部接続フィルム部を折り曲げてから封止樹脂を流し込み、パッケージフィルムにＬＳＩチップを実装することを特徴とするものである。図１０は本発明の第１０の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図１０において、図１ないし図９に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　まず、上記第９の実施形態のパッケージフィルム９１（図９（ａ）参照）を用い、このパッケージフィルム９１のインナーリード形成面９１Ａ（第１面）をＬＳΙチップ８側にして、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂにおいて、バンプ７が形成されたＬＳΙチップ８のチップ電極パッド８ａに、熱圧着法によりインナーリード３およびダミーインナーリード３ａを一括ボンディングする。次に、外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅを、折曲部９１ｄおよび９１ｆにてそれぞれベース樹脂面１Ｂ側に１８０゜折り曲げる。

　次に、折曲げられた外部接続フィルム部９１ｃと９１ｅのすき間９１ｇから封止樹脂９を注入し、この封止樹脂９により、ＬＳＩチップ８をデバイス実装フィルム部９１ｂに固定実装するとともに、折り曲げられた外部接続フィルム部９１ｃと９１ｅをデバイス実装フィルム部９１ｂに対して固定する。そして最後に、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１０の実施形態によれば、外部接続フィルム部９１ｃと９１ｅを折り曲げ、これら外部接続フィルム部のすき間９１ｇから封止樹脂９を注入して、ＬＳＩチップ８を固定実装するとともに、外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅを固定することにより、外部接続フィルム部を固定するための接着剤、および外部接続フィルム部を接着剤で固定する工程が不要となるので、より低コスト化を図ることができる。

　尚、上記第２の実施形態のように、パッケージフィルムのベース樹脂面側に外部電極パッドを形成しても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１１の実施形態
　第１１の実施形態は、両側に外部接続フィルム部を有するパッケージフィルムに形成されたインナーリードを、バンプを形成しないでＬＳＩチップの電極パッドに直接ボンディングすることを特徴とするものである。図１１は本発明の第１１の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図１１において、図１ないし図１０に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　まず、パッケージフィルム１１１を作成する。このパッケージフィルム１１１は、上記第９の実施形態のパッケージフィルム９１（図９（ａ）参照）において、インナーリード３ではなく、上記第３の実施形態で用いた銅箔に金メッキを施したインナーリード３１をパターニング形成し、このインナーリード３１の硬度を下げるために、上記第３の実施形態と同様に、１５０℃、３０分程度のアニール処理を施したものである。インナーリード３１は、ＬＳＩチップ８のチップ電極パッド８ａにバンプを介さずに熱圧着法により直接一括ボンディングされる。尚、これ以降以外の製造工程は、上記第９の実施形態と同じである。

　このように第１１の実施形態によれば、ＬＳＩチップの電極パッドにバンプを形成する工程が不要となるので、上記第９の実施形態よりもさらに製造コストを削減でき、低価格化を図ることができる。

　尚、この第１１の実施形態は、上記第１０の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１２の実施形態
　第１２の実施形態は、パッケージフィルムの両側に形成された２つの外部接続フィルム部を折り曲げた構造の半導体装置に、ＬＳＩチップの側面および裏面を保護するための保護枠を設けたことを特徴とするものである。図１２は本発明の第１２の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図１２において、図１ないし図１１に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図１２に示す半導体装置は、上記第９の実施形態の半導体装置に、図１２（ａ）に示す箱型の保護枠４１、あるいは図１２（ｂ）に示す底部がない保護枠４２を取り付けたものである。これらの保護枠４１および４２は、上記第４の実施形態で用いたものと同じであり、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂに接着剤１０ｃを用いて固定される。

　このように第１２の実施形態によれば、２つの外部接続フィルム部を折り曲げた構造の半導体装置に、保護枠４１または４２を取り付けることにより、ＬＳＩチップ８の側面および裏面を保護することができるので、ハンドリング時にＬＳＩチップ８の側面およびチップ裏面の欠けが発生しなくなり、実装時の歩留まり向上が期待できる。

　尚、この第１２の実施形態は、上記第１０の実施形態または上記第１１の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１３の実施形態
　第１３の実施形態は、パッケージフィルムの両側に形成され、ＬＳＩチップのパッケージフィルムへの実装の際に、それぞれ折り曲げられる外部接続フィルム部の平坦性を向上させるための板を設けたことを特徴とするものである。図１３は本発明の第１３の実施形態の半導体装置の断面構造図である。尚、図１３において、図１ないし図１２に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図１３に示す半導体装置は、上記第９の実施形態の半導体装置において、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂと外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅの間に、上記第５の実施形態で用いた絶縁材料または金属等の導電性材料からなる平板５１を取り付けたものである。この平板５１は、接着剤１０ａ、１０ｂ、１０ｃを用いてデバイス実装フィルム部９１ｂの封止樹脂９表面と外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅとの間に固定される。

　このように第１３の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部９１ｂと外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅとの間に平板５１を取り付けることにより、外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅの平坦性すなわち半田ボール１１の平坦性を向上させることができるので、マザーボードへの実装性を向上させることができる。また平板として金属板等を用いた場合には、半導体装置の熱放散性を向上させることができる。

　尚、この第１３の実施形態は、上記第１１の実施形態または第１２の実施形態に対しても適用可能であることは言うまでもない。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。また、平板を用いずに、上記第６の実施形態のようなコの字板を用いても良い。

　さらに、導電性の平板またはコの字板を用い、上記第７の実施形態のように、パッケージフィルム９１に基準電源インナーリードを形成するとともに、外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅにそれぞれスルーホールを設け、このスルーホールを介して基準電源インナーリードと導電性の平板またはコの字板とを電気的に接続することにより、外部接続フィルム部を２層両面導電層構造としても良い。これにより、クロストークノイズを低減させることができるので、ＬＳＩチップの動作をさらに高速化することができる。

第１４の実施形態
　第１４の実施形態は、パッケージフィルムの両側に形成された外部接続フィルム部を、それぞれＬＳＩチップの裏面に折り曲げて固定することを特徴とするものである。図１４は本発明の第１４の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図１４において、図１ないし図１３に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図１４において、まず、上記第９の実施形態におけるパッケージフィルム９１（図９（ａ）参照）を用い、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂのベース樹脂面９１Ｂ（第２面）側をＬＳΙチップ８の表面に対面させて、デバイス実装フィルム部９１ｂにＬＳΙチップ８を実装する。すなわち、パッケージフィルム９１のデバイス実装フィルム部９１ｂにおいて、バンプ７が形成されたＬＳΙチップ８のチップ電極パッド８ａに、熱圧着法によりインナーリード３を一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部１ｂとＬＳΙチップ８の表面により形成される空間に封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部１ｂに対してＬＳΙチップ８を固定実装する。

　次に、外部接続フィルム部９１ｃおよび９１ｅを、折曲部９１ｄおよび９１ｆにてそれぞれＬＳＩチップ８の裏面８ｂ側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０ａ、１０ｂによってチップ裏面８ｂに固定する。最後に、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１４の実施形態によれば、外部接続フィルム部９１ｃ、９１ｅをＬＳＩチップ８の裏面８ｂに折り曲げて固定することにより、保護枠等を用いずに、ＬＳＩチップ８の裏面８ｂおよび側面を保護することができる。また、平板を用いずに外部接続フィルム部９１ｃ、９１ｅの平坦化を図ることができる。

　尚、上記第２の実施形態のように、パッケージフィルムのベース樹脂面側に外部電極パッドを形成しても良い。この場合は外部接続フィルム部のインナーリード形成面がＬＳＩチップ８の裏面に接着される。また、上記第３の実施形態および第１１の実施形態のように、バンプを用いずにインナーリードをチップ電極パッド８ａに直接ボンディングしても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１５の実施形態
　第１５の実施形態は、４つの外部接続フィルム部を四方に有するパッケージフィルムを用い、これらの外部接続フィルム部をそれぞれ折り曲げることを特徴とするものである。図１５は本発明の第１５の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。図１５において、（ａ）はこの半導体装置に用いられるパッケージフィルム１５１をインナーリード形成面１５１Ａから見た正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’間断面を含む第１５の実施形態の半導体装置の断面構造図である。尚、図１５において、図１ないし図１４に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　まず、上記第１の実施形態と同様な手順により、図１５（ａ）に示すパッケージフィルム１５１を作成する。すなわち、デバイスホール１２が形成され、さらにこのデバイスホール１２を取り囲んで折曲ホール１３ｃが枠状に形成されたベース樹脂２に、インナーリード３をパターニング形成し、さらにこの上に絶縁樹脂４をパターニング形成することにより外部電極パッド５を形成する。尚、ダミーインナーリードは必要ない。また、折曲部１５１ｄ、１５１ｆ、１５１ｊ、１５１ｋ（四角形の枠状に形成された折曲ホール１３ｃの４辺にそれぞれ対応する部分）におけるインナーリード３の強度劣化を防止するために弾性樹脂６をコーティングすることが望ましい。以上により、パッケージフィルム１５１が作成される。

　次に、図１５（ｂ）に示すように、パッケージフィルム１５１のデバイス実装フィルム部１５１ｂのインナーリード形成面１５１Ａ（第１面）をＬＳＩチップ８の表面に対面させて、デバイス実装フィルム部１５１ｂにＬＳＩチップ８を実装する。すなわち、パッケージフィルム１５１のデバイス実装フィルム部１５１ｂにおいて、バンプ７が形成されたＬＳＩチップ８のチップ電極パッド８ａに、熱圧着法によりインナーリード３を一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部１５１ｂとＬＳΙチップ８の表面とにより形成される空間に封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部１５１ｂに対してＬＳΙチップ８を固定実装する。次に、外部接続フィルム部１５１ｃ、１５１ｅ、１５１ｈ、１５１ｉを、折曲部１５１ｄ、１５１ｆ、１５１ｊ、１５１ｋにおいて、それぞれデバイス実装フィルム部１５１ｂのベース樹脂面１５１Ｂ（第２面）側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０ａ、１０ｂによって封止樹脂９表面に固定する。最後に、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１５の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部１５１ｂの四方にそれぞれ外部接続フィルム部を設けたことにより、チップ電極パッドから外部電極パッドまでの配線（インナーリード）長を上記第９の実施形態よりもさらに短くすることができ、より効率的な配線の引き回しが可能となるので、ＬＳＩチップの動作をさらに高速化することができる。

　尚、上記第１０の実施形態のように、４つの外部接続フィルム部を折り曲げ、そのすき間から封止樹脂９を流し込こむようにしても良い。また、上記第３の実施形態および第１１の実施形態のように、バンプを用いずにインナーリードをチップ電極パッド８ａに直接ボンディングしても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１６の実施形態
　第１６の実施形態は、４つの外部接続フィルム部を折り曲げた構造の半導体装置に、ＬＳＩチップの側面および裏面を保護するための保護枠を設けたこと、あるいは折り曲げらる外部接続フィルム部の平坦性を向上させるための平板を設けたことを特徴とするものである。図１６は本発明の第１６の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図１６において、図１ないし図１５に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図１６に示す半導体装置は、上記第１５の実施形態の半導体装置に、図１６（ａ）に示す箱型の保護枠４１、あるいは図１６（ｂ）に示すように底部がない保護枠４２を取り付けたものである。これらの保護枠４１および４２は、上記第４の実施形態で用いたものと同じであり、パッケージフィルム１５１のデバイス実装フィルム部１５１ｂに接着剤１０ｃを用いて固定される。

　このように第１６の実施形態によれば、４つの外部接続フィルム部を折り曲げた構造の半導体装置に保護枠４１または４２を取り付けることにより、ＬＳＩチップ８の側面および裏面を保護することができるので、ハンドリング時にＬＳＩチップ８の側面およびチップ裏面の欠けが発生しなくなり、実装時の歩留まり向上が期待できる。

　尚、保護枠４１または４２ではなく、上記第５の実施形態のような平板を４つの外部接続フィルム部と封止樹脂９表面の間に設けた構成、あるいは保護枠４１または４２と上記の平板とをともに設けた構成としても良い。さらに、導電性平板を用い、上記第７の実施形態のように、パッケージフィルム１５１に基準電源インナーリードを形成するとともに、４つの外部接続フィルム部にそれぞれスルーホールを設け、このスルーホールを介して基準電源インナーリードと導電性平板とを電気的に接続することにより、外部接続フィルム部を２層両面導電層構造としても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１７の実施形態
　第１７の実施形態は、パッケージフィルムの四方に形成された外部接続フィルム部を、それぞれＬＳＩチップの裏面に折り曲げて固定することを特徴とするものである。図１７は本発明の第１７の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図１７において、図１ないし図１６に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図１７において、まず、上記第１５の実施形態におけるパッケージフィルム１５１（図１５（ａ）参照）を用い、パッケージフィルム１５１のデバイス実装フィルム部１５１ｂのベース樹脂面１５１Ｂ（第２面）側をＬＳΙチップ８の表面に対面させて、上記第１４の実施形態と同様の手順で、デバイス実装フィルム部１５１ｂにＬＳΙチップ８を固定実装する。次に、外部接続フィルム部１５１ｃ、１５１ｈを含む４つの外部接続フィルムを、折曲部１５１ｄおよび１５１ｆを含む４つの折曲部において、それぞれＬＳＩチップ８の裏面８ｂ側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０ａ、１０ｂによってチップ裏面８ｂに固定する。最後に、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１７の実施形態によれば、４つの外部接続フィルム部をＬＳＩチップ８の裏面８ｂに折り曲げて固定することにより、保護枠等を用いずに、ＬＳＩチップ８の裏面８ｂおよび側面を保護することができる。また、平板を用いずに外部接続フィルム部の平坦化を図ることができる。

第１８の実施形態
　第１８の実施形態は、チップ電極パッドがチップ表面の中心線付近に形成されたＬＳＩチップを用いることを特徴とするものである。図１８は本発明の第１８の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。図１８において、（ａ）はこの半導体装置に用いるパッケージフィルム１８１の外部接続面１８１Ａから見た上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図、（ｃ）はこの半導体装置の断面構造図である。尚、図１８において、図１ないし図１７に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図１８（ａ）および（ｂ）に示すように、チップ電極パッド１８２ａがチップ中心線に沿った領域に形成されたＬＳＩチップ１８２に対して、上記第２の実施形態と同様の手順で、ＬＳＩ１８２のチップ電極パッド形成領域に対応して、中心線Ｆに沿った領域にデバイスホール１８３を有するパッケージフィルム１８１を作成する。このとき折曲ホールは形成せず、またパッケージフィルム１８１の大きさは、略ＬＳＩチップと同じとする。

　次に図１８（ｃ）に示すように、上記第２の実施形態と同様の手順で、ＬＳＩチップ１８２のチップ電極パッド１８２ａにインナーリード３をボンディングしてパッケージフィルム１８１にＬＳＩチップ１８２を実装し（ただし、パッケージフィルムを折り曲げる工程はない）、外部電極パッド２２に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１８の実施形態によれば、チップ電極パッド１８２ａがチップ中心線に沿って形成されたＬＳＩチップ１８２を、チップ電極パッド形成領域に対応した位置にデバイスホール１８３を有し、ＬＳＩチップ１８２と略同じ大きさのパッケージフィルム１８１に実装することにより、特殊な弾性接着剤や熱膨張率がＬＳＩチップと異なる基板を用いないため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、加工工数（パッケージフィルムの折り曲げ工数等）および材料費を削減できるので、さらに半導体装置の低価格化を図ることができる。また、上記第１の実施形態と比較して小型化、軽量化が可能である。

　尚、上記第３の実施形態のように、インナーリードをチップ電極パッドに直接ボンディングするようにしても良い。また、外部電極パッド２２に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第１９の実施形態
　第１９の実施形態は、チップ電極パッドがチップ表面の中央部に形成されたＬＳＩチップを用いることを特徴とするものである。図１９は本発明の第１９の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。図１９において、（ａ）はこの半導体装置に用いるパッケージフィルム１９１の外部接続面１９１Ａから見た上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面を含む第１９の実施形態の半導体装置の断面構造図である。尚、図１９において、図１ないし図１８に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　まず、図１９（ａ）に示すように、チップ電極パッド１９２ａがチップ中心付近に形成されたＬＳＩチップ１９２に対し、上記第１の実施形態と同様の手順で、ＬＳＩチップ１９２のチップ電極パッド形成領域に対応して、中央部にデバイスホール１９３を有するパッケージフィルム１９１を作成する。パッケージフィルム１９１の大きさはＬＳＩチップ１９２と略同じであり、またデバイスホール１９３は、ＬＳＩチップ１９２のチップ電極パッド形成領域に対応した位置および形状に形成されている。パッケージフィルム１９１においては、インナーリード形成面側に外部電極パッド５が形成されており、インナーリード形成面が外部接続面１９１Ａとなる。またパッケージフィルム１９１の樹脂面は、ＬＳＩチップ１９１が実装される側であるデバイス実装面１９１Ｂとなる。

　次に、図１９（ｂ）に示すように、上記第１の実施形態と同様の手順で、ＬＳＩチップ１９２のチップ電極パッド１９２ａにインナーリード３を一括ボンディングして、パッケージフィルム１９１のデバイス実装面１９１Ｂ側にＬＳＩチップ１９２を実装し（ただしパッケージフィルムを折り曲げる工程はない）、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。

　このように第１９の実施形態によれば、チップ電極パッド１９２ａがチップ中央部に形成されたＬＳＩチップ１９２を、チップ電極パッド形成領域に対応した位置にデバイスホール１９３を有し、ＬＳＩチップ１９２と略同じ大きさのパッケージフィルム１９１に実装することにより、特殊な弾性接着剤や熱膨張率がＬＳＩチップと異なる基板を用いないため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、加工工数（パッケージフィルムの折り曲げ工数等）および材料費を削減できるので、さらに半導体装置の低価格化を図ることができる。また、上記第１の実施形態と比較して小型化、軽量化が可能である。

　尚、上記第３の実施形態のように、インナーリードをチップ電極パッドに直接ボンディングするようにしても良い。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第２０の実施形態
　第２０の実施形態は、上記第１８の実施形態または第１９の実施形態において、デバイス実装面に絶縁樹脂突起を有するパッケージフィルムを用いることを特徴とするものである。図２０は本発明の第２０の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図２０において、図１ないし図１９に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図２０に示す半導体装置は、上記第１８の実施形態の半導体装置において、パッケージフィルム１８１ではなく、デバイス実装面に絶縁樹脂突起を有するパッケージフィルム２０１を用いたものである。パッケージフィルム２０１のデバイス実装面２０１Ｂ側には、絶縁樹脂突起２０２が設けられている。この絶縁樹脂突起２０２は、インナーリード３がパターニングされたベース樹脂２に絶縁樹脂をコーティングし、この絶縁樹脂にフォトリソエッチングを施すことにより、容易に形成することが可能である。

　次に、上記第１８の実施形態と同じ手順で、ＬＳＩチップ１８２のチップ電極パッド１８２ａにインナーリード３をボンディングし、封止樹脂９をＬＳＩチップ１８２の表面とパッケージフィルム２０１との空間に流し込み、ＬＳＩチップ１８２を固定実装する。このとき、絶縁樹脂突起２０２の頂部２０２ａがＬＳＩチップ１８２の表面に接触するようにパッケージフィルム２０１とＬＳＩチップ１８２を配置して、封止樹脂９を流し込む。また、絶縁樹脂突起２０２は、封止樹脂９を流れ易くさせ、パッケージフィルム２０１の平坦度を向上させる機能を有する。

　このように第２０の実施形態によれば、パッケージフィルム２０１のデバイス実装面２０１Ｂに絶縁樹脂突起２０２を設けたことにより、封止樹脂９を流れ易くさせることができ、またパッケージフィルム２０１の平担度を向上することができるので、パッケージの品質を向上させることができる。

　尚、第２０の実施形態は、上記第１９の実施形態にも適用可能であることは言うまでもない。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第２１の実施形態
　第２１の実施形態は、中心部あるいは中心線に沿った領域にデバイスホールを設けたパッケージフィルムを用いた半導体装置に、ＬＳＩチップの側面および裏面を保護するための保護枠を設けたことを特徴とするものである。図２１は本発明の第２１の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図２１において、図１ないし図２０に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図２１に示す半導体装置は、上記第１９の実施形態の半導体装置に、図２１（ａ）に示す箱型の保護枠２１１、あるいは図２１（ｂ）に示す底部がない保護枠２１２を取り付けたものである。これらの保護枠２１１および２１２は、パッケージフィルム１９１のデバイス実装面１９１Ｂに接着剤１０を用いて固定される。

　このように第２１の実施形態によれば、保護枠２１１または２１２を取り付けることにより、ＬＳＩチップ１９２の側面および裏面を保護することができるので、ハンドリング時にＬＳＩチップ１９２の側面およびチップ裏面の欠けが発生しなくなり、実装時の歩留まり向上が期待できる。

　尚、第２１の実施形態は、上記第１８の実施形態または第２０の実施形態にも適用可能であることは言うまでもない。また、外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載しない構造としても良い。

第２２の実施形態
　図２２は本発明の第２２の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図２２において、図１ないし図２１に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図２２に示す半導体装置は、パッケージフィルム２２１と、上記第１９の実施形態で用いたＬＳＩチップ１９２からなる。パッケージフィルム２２１は、デバイス実装フィルム部２２１ｂの四方に、上記第１５の実施形態のパッケージフィルム１５１（図１５（ａ）参照）のように、折曲部２２１ｄ、２２１ｊを含む４つの折り曲げ部を介して、外部接続フィルム部２２１ｃ、２２１ｈを含む４つの外部接続フィルム部を有する。

　まず、パッケージフィルム２２１を作成する。すなわち、ＬＳＩチップ１９２のチップ電極パッド形成領域に対応して、中心部にデバイスホール１９３が形成され、さらにこのデバイスホール１９３を取り囲んで折曲ホールが枠状に形成されたベース樹脂２に、上記第１の実施形態と同様の手順で、インナーリード３をパターニング形成し、さらにこの上に絶縁樹脂４をパターニング形成することにより外部電極パッド５を形成する。デバイス実装フィルム部２２１ｂのインナーリード形成面（第１面）側にも外部電極パッド５が形成されている。デバイス実装フィルム部２２１ｂは、上記第１９の実施形態のパッケージフィルム１９１（図１９（ａ）参照）と同じ構造であり、パッケージフィルム２２１は、上記第１９の実施形態のパッケージフィルム１９１に４つの外部接続フィルム部を設けた構造である（ただし、デバイス実装フィルム部２２１ｂにおけるバイスホール１９３は、パッケージフィルム１９１におけるバイスホール１９３を４５゜回転させたものとして図示してある）。尚、４つの折曲部におけるインナーリード３の強度劣化を防止するために弾性樹脂６をコーティングすることが望ましい。以上により、パッケージフィルム２２１が作成される。

　次に、デバイス実装フィルム部２２１ｂのベース樹脂面（第２面）をＬＳＩチップ１９２の表面に対面させて、上記第１９の実施形態と同様にして、デバイス実装フィルム部２２１ｂにＬＳＩチップ１９２を実装する。すなわち、バンプ７が形成されたＬＳＩチップ１９２のチップ電極パッド１９２ａに、熱圧着法によりインナーリード３を一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部２２１ｂとＬＳＩチップ１９２の表面とにより形成される空間に封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部２２１ｂにＬＳＩチップ１９２を固定実装する。

　次に、４つの外部接続フィルム部（外部接続フィルム部２２１ｃ、２２１ｈ等）を、４つの折曲部（折曲部２２１ｄ、２２１ｊ等）において、それぞれＬＳＩチップ１９２の裏面１９２ｂ側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０ａ、１０ｂ等によってチップ裏面１９２ｂに固定する。最後に、４つの外部接続フィルム部の外部電極パッド５にそれぞれ半田ボール１１を搭載する。ここでは、デバイス実装フィルム部２２１ｂの外部電極パッド５には半田ボール１１を搭載しない。

　図２２に示す半導体装置は、次のようにして複数積層することができる。積層個数をＮ（Ｎは２以上の整数）とする。第１の半導体装置の外部接続フィルム部と、第２の半導体装置のデバイス実装フィルム部２２１ｂを対面させ、それぞれの外部電極パッド５が重なり合うように、２つの半導体装置を積層し、第１の半導体装置の外部電極パッド５に搭載されている半田ボール１１を溶解させて、重なり合った外部電極どうしを電気的に接続する。また、これにより、第２の半導体装置は、第１の半導体装置上に積層固定される。同様にして第３〜第Ｎの半導体装置を積層する。半田ボール１１の溶解は、Ｎ個の半導体装置を積み重ねてから一括して行うようにしても良い。ただし、上記のように、第１の半導体装置の外部接続フィルム部と、第２の半導体装置のデバイス実装フィルム部２２１ｂを対面させる場合には、デバイス実装フィルム部２２１ｂの外部電極パッド５の形成位置に対応するように、外部接続フィルム部の外部電極パッド５を形成しておく必要がある。尚、デバイス実装フィルム部２２１ｂどうし、あるいは外部接続フィルム部どうしを対面させて積層しても良い。もちろん、上記と同様の手順により、図２２に示す半導体装置を、マザーボードに複数積層して実装することも可能である。

　このように第２２の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部２２１ｂにも外部電極パッド５を設け、外部接続フィルム部をＬＳＩチップの裏面に固定することにより、配線長の短縮、ＬＳＩチップ裏面の保護、および外部接続フィルム部の平坦化を図ることができるとともに、マザーボードへの積層実装（立体実装）が可能となるので、マザーボードにおける実装スペースの省スペース化を図ることができる。

　尚、上記第９の実施形態のように、外部接続フィルム部をデバイス実装フィルム部２２１ｂの両側に２つ設けても良い。また、デバイス実装フィルム部のみに半田ボール１１を搭載しても良い。また、外部接続フィルム部とデバイス実装フィルム部に、ともに半田ボール１１を搭載する、あるいはともに半田ボール１１を搭載しないようにしても良い。また、上記第３の実施形態のようにインナーリードをチップ電極パッドに直接ボンディングするようにしても良い。また、デバイス実装フィルム部２２１ｂの第２面に、上記第２０の実施形態のように絶縁樹脂突起を設けても良い。

第２３の実施形態
　図２３は本発明の第２３の実施形態の半導体装置を示す断面構造図である。尚、図２２において、図１ないし図２１に示したものと同じものには同じ符号を付してある。

　図２３に示す半導体装置は、パッケージフィルム２３１と、チップ表面の周辺部にチップ電極パッド２３２ａが形成されたＬＳＩチップ２３２からなる。パッケージフィルム２３１は、デバイス実装フィルム部２３１ｂと、外部接続フィルム部２３１ｃと、これらの間に位置する折曲部２３１ｄにより構成される。

　まず、パッケージフィルム２２１を作成する。すなわち、ＬＳＩチップ２３２のチップ電極パッド形成領域に対応して、周辺部にデバイスホール２３３が形成され、さらに折曲ホールが形成されたベース樹脂２に、上記第１の実施形態と同様の手順で、インナーリード３をパターニング形成し、さらにこの上に絶縁樹脂４をパターニング形成することにより外部電極パッド５を形成する。デバイス実装フィルム部２３１ｂのインナーリード形成面側にも外部電極パッド５が形成されている。尚、デバイスホール２３３は、「ホール」ではなく、周辺部に設けた切り欠きであるが、機能としては上記第１８の実施形態のデバイスホール１８３等と同じであるので、「ホール」と称することとする。また、折曲部におけるインナーリード３の強度劣化を防止するために弾性樹脂６をコーティングすることが望ましい。以上により、パッケージフィルム２３１が作成される。

　次に、デバイス実装フィルム部２３１ｂのベース樹脂面をＬＳＩチップ２３２の表面に対面させて、上記第１９の実施形態と同様にして、デバイス実装フィルム部２３１ｂにＬＳＩチップ２３２を実装する。すなわち、バンプ７が形成されたＬＳＩチップ２３２のチップ電極パッド２３２ａに、熱圧着法によりインナーリード３を一括ボンディングし、デバイス実装フィルム部２３１ｂとＬＳＩチップ２３２の表面とにより形成される空間に封止樹脂９を流し込み、デバイス実装フィルム部２３１ｂにＬＳＩチップ２３２を固定実装する。

　次に、外部接続フィルム部２３１ｃを折曲部２３１ｄにおいてＬＳＩチップ２３２の裏面２３２ｂ側に１８０゜折り曲げ、接着剤１０によってチップ裏面１９２ｂに固定する。最後に、外部接続フィルム部２３２ｃの外部電極パッド５に半田ボール１１を搭載する。ここでは、デバイス実装フィルム部２３１ｂの外部電極パッド５には半田ボール１１を搭載しない。

　図２３に示す半導体装置も、上記第２２の実施形態と同様にして、複数積層することができる。従って、図２２に示す半導体装置を、マザーボードに複数積層して実装することも可能である。

　このように第２３の実施形態によれば、デバイス実装フィルム部２３１ｂにも外部電極パッド５を設け、外部接続フィルム部２３１ｃをＬＳＩチップの裏面に固定することにより、配線長の短縮、ＬＳＩチップ裏面の保護、および外部接続フィルム部の平坦化を図ることができるとともに、マザーボードへの積層実装（立体実装）が可能となるので、マザーボードにおける実装スペースの省スペース化を図ることができる。さらに、外部接続フィルム部が１つなので、上記第２２の実施形態と比較して、外部電極パッド５の位置精度を向上させることができる。

　尚、デバイス実装フィルム部２３１ｂのみに半田ボール１１を搭載しても良い。また、外部接続フィルム部２３１ｃとデバイス実装フィルム部２３１ｂに、ともに半田ボール１１を搭載する、あるいはともに半田ボール１１を搭載しないようにしても良い。また、上記第３の実施形態のようにインナーリードをチップ電極パッドに直接ボンディングするようにしても良い。また、外部接続フィルム部を複数設けても良い。また、デバイス実装フィルム部２２１ｂの第２面に、上記第２０の実施形態のように絶縁樹脂突起を設けても良い。また、上記第１８の実施形態または第１９の実施形態のように、外部接続フィルム部および折曲部がない構造としても良い。

本発明の第１の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第２の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第３の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第４の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第５の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第６の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第７の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第８の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第９の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第１０の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１１の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１２の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１３の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１４の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１５の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第１６の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１７の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第１８の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第１９の実施形態の半導体装置の構造および製造工程を示す図である。本発明の第２０の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第２１の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第２２の実施形態の半導体装置の断面構造図である。本発明の第２３の実施形態の半導体装置の断面構造図である。従来のモールドタイプのパッケージを有する半導体装置の一部破断斜視図である。従来のフィルムタイプのパッケージを有する半導体装置の断面構造図である。従来のフリップチップボンディングタイプのパッケージを有する半導体装置の断面構造図である。

符号の説明

　１，２１，７１，９１，１１１，１５１，１８１，１９１，２０１，２２１，２３１　パッケージフィルム、　１Ａ，２１Ａ，９１Ａ，１５１Ａ　インナーリード形成面、　１Ｂ，２１Ｂ，９１Ｂ，１５１Ｂ　ベース樹脂面、　１ｂ，２１ｂ，７１ｂ，９１ｂ，１５１ｂ，２２１ｂ　デバイス実装フィルム部、　１ｃ，２１ｃ，７１ｃ，９１ｃ，９１ｅ，１５１ｃ，１５１ｅ，１５１ｈ，１５１ｉ，２２１ｃ，２２１ｈ，２３１ｃ　外部接続フィルム部、　１ｄ，２１ｄ，９１ｄ，９１ｆ，１５１ｄ，１５１ｆ，１５１ｊ，１５１ｋ，２２１ｄ，２２１ｆ，２３１ｄ　折曲部、　２　ベース樹脂、　２ａ，４ａ　電極パッドホール、　２ｂ　スルーホール、　３，３１　インナーリード、　３ｂ　基準電源インナーリード、　４　絶縁樹脂、　５，２２　外部電極パッド、　６　弾性樹脂、　８，１８２，１９２，２３２　ＬＳＩチップ、　８ａ，１８２ａ，１９２ａ，２３２ａ　チップ電極パッド、　８ｂ　チップ裏面、　９　封止樹脂、　１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ　接着剤、　１１，１１ａ　半田ボール、　１２，１８３，１９３，２３３　デバイスホール、　３１ａ　銅箔、　３１ｂ　金メッキ、　４１，４２　保護枠、　５１　平板、　６１　コの字板、　６１ａ　底板、　６１ｂ　天板、　６１ｃ　湾曲部、　７２　導電性平板、　９１ｇ　すき間、　１８１Ａ，１９１Ａ，２０１Ａ　外部接続面、　１８１Ｂ，１９１Ｂ，２０１Ｂ　デバイス実装面、　２０２　絶縁樹脂突起、　２０２ａ　頂部。

Claims

　電極パッドが配置される第１領域と、この第１領域を囲む第２領域とにより構成される表面を有する半導体チップと、
　前記表面の前記第２領域上に設けられ、前記表面の前記第１領域を露出する絶縁樹脂と、
　前記第１領域と前記第２領域上にわたって延在するように前記絶縁樹脂上に設けられ、前記半導体チップの前記電極パッドに接続される複数のインナーリードと、
　前記半導体チップの前記表面に対向して配置されるとともに、前記第２領域上の前記絶縁樹脂上に設けられる第１の表面、およびこの第１の表面と向かい合う第２の表面とを備え、かつ前記第１領域を露出するデバイスホールを有するベース樹脂フィルムと、
　前記デバイスホール外の前記第２領域上の前記ベース樹脂フィルムに設けられ、前記ベース樹脂フィルムから前記インナーリードを露出する電極パッドホールと、
　前記電極パッドホールにより露出された前記インナーリードと接続される外部電極パッドと
　を有する
　ことを特徴とする半導体装置。
　前記絶縁樹脂は、絶縁性の樹脂突起を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　前記半導体チップの中央部側における前記ベース樹脂フィルムの端部から前記半導体チップの中心線の距離は、前記半導体チップの中央部側における前記絶縁樹脂の端部から前記半導体チップの中心線の距離よりも短いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
　電極パッドが配置される第１領域と、この第１領域を囲む第２領域とにより構成される表面を有する半導体チップと、
　前記表面の前記第２領域上に設けられ、前記表面の前記第１領域を露出するデバイスホールを有するベース樹脂フィルムと、
　前記第１領域と前記第２領域上にわたって延在するように前記ベース樹脂フィルム上に設けられ、前記半導体チップの前記電極パッドに接続される複数のインナーリードと、
　前記半導体チップの前記表面に対向して配置されるとともに、前記第２領域上の前記絶縁樹脂上に設けられる第１の表面、およびこの第１の表面と向かい合う第２の表面とを備え、かつ前記第１領域を露出する絶縁樹脂と、
　前記デバイスホール外の前記第２領域上の前記絶縁樹脂に設けられ、前記絶縁樹脂から前記インナーリードを露出する電極パッドホールと、
　前記電極パッドホールにより露出された前記インナーリードと接続される外部電極パッドと
　を有する
　ことを特徴とする半導体装置。
　前記ベース樹脂フィルムは、絶縁性の樹脂突起を有していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
　前記半導体チップの側面、あるいは側面および裏面を覆うように、保護枠を取り付けたことを特徴とする請求項１から５までのいずれか１つに記載の半導体装置。
　前記インナーリードは、前記半導体チップの前記電極パッドに直接ボンディングされていることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１つに記載の半導体装置。
　前記インナーリードは、金メッキした銅箔をアニール処理したものであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
　前記電極パッドホール内に前記インナーリードの前記外部電極パッドと接続される半田ボールが形成されていることを特徴とする請求項１から８までのいずれか１つに記載の半導体装置。
　前記デバイスホールを封止する封止樹脂を含むことを特徴とする請求項１から９までのいずれか１つに記載の半導体装置。
　前記絶縁樹脂および前記ベース樹脂フィルムの大きさは、前記半導体チップの大きさと同じであることを特徴とする請求項１から１０までのいずれか１つに記載の半導体装置。
　前記デバイスホールは矩形状であり、前記デバイスホールの四辺には前記インナーリードが延在して設けられていることを特徴とする請求項１から１１までのいずれか１つに記載の半導体装置。
　請求項１から１２までのいずれか１つに記載の半導体装置をマザーボードに密着実装する半導体装置の実装方法であって、
　前記マザーボードの電極パッドに半田ボールを搭載し、前記半田ボールを溶解させて、前記マザーボードの電極パッドと前記半導体装置の前記外部電極パッドとを電気的に接続する
　ことを特徴とする半導体装置の実装方法。