JP2004140279A - バーニアパターン及びそれを用いたマスク合わせ方法、パターン測長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のバーニアパターンは、基板上に形成され、前記基板表面の中心線に対して45°の角度をなす第一の腕部及び該第一の腕部と直交する第二の腕部とを有する十字型パターンであり、前記第一の腕部及び第二の腕部の外形がそれぞれ一定間隔の階段状であることを特徴とする。
また、前記バーニアパターンを形成した後、前記十字型パターンと45°の角度をなすよう形成された第二の十字型パターンの前記バーニアパターンとの合わせずれ量を前記第一の腕部及び第二の腕部の外形に形成された前記階段の間隔から計測するものである。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造プロセスに使用されるマスク合わせにおいて、ウェハ上の被測定体とマスク上の測定体の位置合わせ、および測定体のパターン精度の確認に使用する測定パターンに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体製造プロセスにおいて、ドライブインや薄膜成長を行った後にフォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成し、その後エッチングなどの微細加工を行い、これらの工程を繰り返すことにより所望の回路パターンを形成する。ここで、各工程での重ね合わせは、フォトマスクを用いて転写、加工された被測定体(通常は第1番目のフォトマスクのパターン)を基準に、後工程のフォトマスク上の測定体を合わせ、この重ね合わせを繰り返す。このとき、それぞれの重ね合わせを評価する手段として、基板表面の中心線方向及びそれと垂直な方向(以下それぞれX、Y方向という。)に独立に設けたバーニアを用いて各方向での位置ずれを定量的に評価する(例えば特許文献1参照)。また、単一測定パターンでX、Y方向を同時に測定することが可能なバーニアパターンも提案されている(例えば特許文献2参照)。
【0003】
また、フォトリソグラフィにより形成したレジストパターンは、設計寸法に対するパターンの出来映えをロケットマークと呼ばれる測長用パターンを用いて評価、管理する。これらのマスク合わせのずれ量とそれぞれのレジストパターンに対するエッチングでのパターン広がりやばらつきを見込んで、回路パターンとなるそれぞれのパターン寸法が設計される。
【0004】
【特許文献1】
特開昭63−83853号公報
【特許文献2】
特開平5−47621号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のマスク合わせにおいて、例えば特許文献1に示された方法ではX、Y方向にそれぞれずれ量に応じたバーニアパターンを一定間隔で形成し、ずれ量とバーニアパターンが一致した場所を読み込むことによりそのずれ量を評価、管理していた。しかし、この場合には互いに直交するX方向とY方向のバーニアパターンを各々独立して形成するため、占有面積が大きくなるといった課題があった。
【0006】
また、上記問題を解決するために、特許文献2に示されたような方法も提案されているが、同じ形状のパターンを重ね合わせてそのずれ量から判別しなければならず顕微鏡等によっても判別しにくい。また、それぞれのパターンの目盛りをくし型としていることから、バーニア自体の占有面積を大幅に縮小するまでには至っていない。
【0007】
さらに、レジストパターンの寸法管理において使用されるロケットマークは、合わせ位置ずれを評価するバーニアとは別の領域に、独立した形で形成されている。また、マスク合わせとパターン測長とでは計測手段がそれぞれ光学顕微鏡と電子顕微鏡と異なるものであり、管理上の手間と時間がかかるばかりでなく、占有面積の増大にもつながるものであった。
【0008】
本発明は、上記問題を解決するために、マスク合わせのずれ量とレジストパターン精度を同時かつ高精度に測定することが可能なバーニアパターンを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明のバーニアパターンは、基板上に形成され、前記基板表面の中心線に対して45°の角度をなす第一の腕部及び該第一の腕部と直交する第二の腕部とを有する十字型パターンであり、前記第一の腕部及び第二の腕部の外形がそれぞれ一定間隔の階段状であることを特徴とする。
【0010】
本発明の構成によれば、互いに直交するX方向とY方向のバーニアパターンを各々独立して形成した場合に比べて、測定精度を落とすことなく、かつバーニアの占有面積を大幅に小さくすることができる。
【0011】
前記階段は直角に形成され、その一辺は前記基板表面の中心線と略平行であることが望ましい。
【0012】
また、前記第一の腕部及び第二の腕部の周辺には設計値からの合わせずれ量を示すパターンが形成されていることが望ましい。
【0013】
さらに、前記十字型パターン、特に前記第一の腕部及び第二の腕部は異方性エッチングを用いて形成することによりパターン精度を向上することができる。
【0014】
本発明のマスク合わせ方法は、前記十字型パターンを形成した後、前記十字型パターンと45°の角度をなすよう形成された第二の十字型パターンの前記十字型パターンとの合わせずれ量を前記第一の腕部及び第二の腕部の外形に形成された前記階段の間隔から計測することを特徴とする。
【0015】
本発明の方法によれば、新たにパターン形成しようとするレジストパターンが、既に形成されているバーニアパターンに対し、どれだけずれているかということを容易かつ高精度に判別することができる。
【0016】
また、前記十字型パターンと前記第二の十字型パターンとの中心が重なるようにすれば、より簡便に精度良くマスク合わせを行うことができる。
【0017】
本発明のパターン測長方法は、前記十字型パターンを形成した後、前記十字型パターンの中心と重なるように形成された測長パターンの寸法を前記十字型パターンにおける第一の腕部及び第二の腕部の外形に形成された前記階段の間隔から計測することを特徴とする。
【0018】
なお、前記測長パターンは、前記十字型パターンと45°の角度をなす基板上に別途形成された第二の十字型パターンの腕部であり、前記十字型パターンの中心と前記第二の十字型パターンの中心とが重なるように形成されていることが望ましい。
【0019】
本発明の方法によれば、マスク合わせのずれ量を計測するための階段の間隔をレジストパターンの測長にも用いることができ、合わせずれ量とパターン精度とを同時かつ高精度に測定することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明する。
【0021】
(実施の形態1)
図1、2にそれぞれ本実施の形態におけるバーニアパターン、および特許文献2に示された従来のバーニアパターンの構造模式図を示す。
【0022】
図1、2において、バーニアパターン1の第一の腕部1a及び第二の腕部1bに対してそれぞれスケールが設けられている。
【0023】
図1において、十字型の中心線がX、Y方向とそれぞれ45°の角度をもって形成され、かつ腕部に設けられたスケールの形状が階段状であることが図2に示した従来のパターンと大きく異なる点である。
【0024】
第一の腕部1a及び第二の腕部1bの幅w1はX、Y方向においてそれぞれ同じ2μmとし、また、階段パターン1cの間隔w2はX、Y方向においてそれぞれ0.2μmとした。この場合では、最大1.0μmのずれ量が計測可能となる。
【0025】
なお、本実施の形態において、X方向は基板のオリフラ(O.F.)方向と一致している。
【0026】
一方、図2では幅w3(=2μm)のスケールパターン2cが2μm間隔でX、Y方向に左右、上下でそれぞれ5個ずつ形成され、こちらも最大1.0μmのずれ量が測定可能となっている。
【0027】
図3、4にそれぞれ本実施の形態におけるバーニアパターンを用いたマスク合わせ方法の説明図、および特許文献2に示された従来のバーニアパターンを用いたマスク合わせ方法の説明図を示す。
【0028】
図3、4において、バーニアパターン1に対してマスクパターン3を重ね合わせている。図3ではマスクパターン3は十字型パターンであり、十字型の腕部の延びる方向はX、Y方向とそれぞれ同じである。また、線幅w4は2μmとした。
【0029】
一方、図4ではマスクパターン3は、幅w5(=2μm)のスケールパターン3cが2μm+ずれ量に応じた間隔で形成されている。すなわち、5本並んだパターン3cの中心部の隣ではs1(=±2.2μm)、さらにその隣ではs2(=±2.4μm)、と連続して0.2μmずつずれた幅で形成されており、図3、4の場合では、どちらも最大1.0μmのずれ量が計測可能となっている。
【0030】
なお、図3において、マスクパターン3とバーニアパターン1とは中心が重なるようにすることで、X、Y方向の合わせずれ量を同時に計測することができる。
【0031】
ここで、図1、2の両パターンの大きさを比較すると、図1ではX、Y方向それぞれ8μm、図2では22μmとなり、本実施の形態におけるバーニアパターンの方がより占有面積が小さくなっていることがわかる。
【0032】
図2に示す従来のバーニアパターンにおいて、占有面積を小さくするためにパターン2cの数を減らしても、測定精度が落ちるばかりでなく、本実施の形態に示したパターンほどは小さくならない。また、パターン2cの幅w3を小さくすれば全体を小さくすることはできるが、本実施の形態に示したパターンと同じ程度にしようとすると、パターン間隔もまた小さくせねばならず、加工が困難となる。
【0033】
図5に本実施の形態におけるバーニアパターンを形成するための拡散フローチャートを示す。
【0034】
ウェハ洗浄後、マスク酸化により800nmの厚さでシリコンの熱酸化膜(SiO2)を形成する。この後、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。このとき、バーニアパターンを合わせマーク付近に同時に挿入した。引き続き、ドライエッチング装置を用いてSiO2膜のエッチングを行い、バーニアパターン1を形成した。シリコンエッチングに用いたガスは、CF4+O2である。電子顕微鏡を用いて形成されたバーニアパターンの寸法を測定したところ、設計値通り形成されていることが確認できた。次に、スパッタ法を用いてAl膜をウェハ全面に形成し、再びフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した。このとき、マスクパターンを、バーニアパターンに重なるように転写した。なお、マスク合わせは、それぞれ第1番目のマスクでパターン形成した合わせマークを基準に行った。合わせマークにより位置決めを行った後、露光装置の設定上で故意に±0.2μm、X方向にずらして露光を行い、パターン形成を行った。光学顕微鏡によりバーニアとのずれ量を目視検査した結果、マスク合わせのずれ量がバーニアにより判断可能であることが確かめられた。
【0035】
本実施の形態におけるバーニアパターンを用いることにより、互いに直交するX方向とY方向のバーニアパターンを各々独立して形成した場合に比べて、測定精度を落とすことなく、かつバーニアの占有面積を大幅に小さくすることができる。
【0036】
なお、Alをエッチング、レジスト除去した後に形成されたパターンのずれ量を確認しても、バーニアで確認されたレジストパターンのずれを再現した結果が得られた。
【0037】
また、第一の腕部1a及び第二の腕部1bの幅w1、階段パターン1cの間隔w2は、各プロセスでの実力に見合った任意の寸法に設定することができ、本実施の形態で示した寸法に限定されるものではない。
【0038】
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1で用いたバーニアパターンを用いたマスクパターンの寸法測定方法について述べる。
【0039】
従来の方法では、マスクのずれ量とレジスト寸法の管理はそれぞれ別々に行われ、レジスト寸法はロケットマークと呼ばれる寸法測定用のパターンをバーニアとは別に設けて、電子顕微鏡で寸法測定を行っていた。これに対し、本実施の形態のバーニアパターンを用いれば、バーニア一つでマスクの合わせずれとパターン寸法のずれを同時に測定することができる。
【0040】
図5で示された拡散フローチャートにおいて、Al膜形成後のレジストパターン形成時にロケットマークを同時に形成し、本発明のバーニアとロケットマークとの出来映え比較を行った。その結果を図6に示す。露光条件として、基本となる露光条件と、プラス10%、20%の露光時間でパターン形成を行い、ロケットマークを電子顕微鏡により測定したところ、それぞれ2.0μm、2.2μm、2.4μmのレジスト寸法が形成されていることを確認した。
【0041】
ここで、各条件のウェハに対し、図6に示したマスクパターン3とバーニアパターン1との重なりを光学顕微鏡により観察したところ、それぞれ、中心部、中心部より1段ずれた階段パターン、2段ずれた階段パターンにマスクパターン3のエッジが一致することが確認された。すなわち、バーニアパターン1とマスクパターン3の重なった領域を測定することで、レジスト寸法がマスク設計値に対してどれだけずれているのか容易に検証することができる。
【0042】
従って、本発明のバーニアパターンを用いることにより、新たにパターン形成しようとするレジストパターンが、前記バーニアパターンに対し、どれだけずれているかということを容易かつ高精度に判別することができるため、マスク合わせのずれ量とレジストパターン精度を同時かつ高精度に測定することが可能なバーニアパターンを提供することができる。
【0043】
なお、バーニアパターンの形成方法として、HF+NH4Fの混合溶液を用いてSiO2のエッチングを行ったところ、パターンエッジがにじむことにより、正確な寸法を特定することができなかった。これは、ウェットエッチングが等方性のエッチングのため、レジストパターンエッジを起点に均等にエッチングされた結果、断面構造が斜めに形成され、パターンエッジがにじむ結果となったためであることがわかった。
【0044】
これに対して、異方性ドライエッチングによりSiO2を食刻した場合は、断面構造が垂直に形成される。このことにより、レジスト寸法に対して同位置にパターンエッジが食刻され、正確なパターン形成がなされるものである。よって、本実施の形態におけるバーニアパターンの形成には異方性ドライエッチングを用いるのが望ましい。
【0045】
なお、エッチング後のパターン寸法が設計寸法通りパターン形成されているかは、バーニアパターン1とマスクパターン3の重なった領域を測定することにより検証することができる。
【0046】
また、マスクパターン3の幅w4をバーニアパターン1の腕部の幅w1よりも太く設計しておくことにより、レジストパターンの広がりだけでなく、露光不足によるパターンの狭まりに対しても評価することができる。
【0047】
なお、図6において、マスクパターン3とバーニアパターン1とは中心が重なるようにすることで、X、Y方向ともマスクパターン3の腕部の寸法をバーニアパターン1の階段パターンから計測することができる。
【0048】
(実施の形態3)
本実施の形態における合わせずれ量を示すパターンを設けたバーニアパターンの構造模式図を図7に示す。
【0049】
図5に示した拡散フローチャートの第一レジストパターン形成工程において、バーニア近傍にずれ量を示すパターンを形成するためのレジストパターンを別途設けた。SiO2のエッチングを行い、レジストを除去して光学顕微鏡により観察したところ、バーニア付近にずれ量を示すパターンが形成されていることが判別でき、マスク合わせのずれ量と、パターンに示されたバーニアのずれ量とが一致していることが確認された。
【0050】
すなわち、本実施の形態におけるバーニアパターンの周辺に、さらに設計値からのずれ量を示すパターン4を形成することにより、視覚的にずれ量を判別することが可能となり、マスク合わせのずれ量とレジストパターン精度を同時かつ高精度に測定することが可能なバーニアパターンを提供することができる。
【0051】
なお、ずれ量を示すパターンにおいて、ずれ量の表示は、符号あるいは記号によりずれ量の判別が可能であれば、実数に限定されるものではない。
【0052】
【発明の効果】
本発明のバーニアパターンを用いることにより、互いに直交するX方向とY方向のバーニアパターンを各々独立して形成した場合に比べて、測定精度を落とすことなく、かつバーニアの占有面積を小さくすることができる。
【0053】
また、マスク合わせのずれ量とレジストパターン精度を同時かつ高精度に測定することが可能なバーニアパターンを提供することができ、半導体製造プロセスの簡便化が図れ、コストの低減につながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるバーニアパターンの構造模式図
【図2】従来の技術におけるバーニアパターンの構造模式図
【図3】本発明の実施の形態1におけるマスク合わせ方法の説明図
【図4】従来の技術におけるマスク合わせ方法の説明図
【図5】本発明の実施の形態1におけるバーニアパターン形成用拡散フローチャート
【図6】本発明の実施の形態2におけるバーニアパターンを用いたマスクパターンの寸法測定方法を示す図
【図7】本発明の実施の形態3における合わせずれ量を示すパターンを設けたバーニアパターンの構造模式図
【符号の説明】
1 バーニアパターン
1a 第一の腕部
1b 第二の腕部
1c 階段パターン
2 従来のバーニアパターン
2c スケールパターン(バーニア側)
3 マスクパターン
3c スケールパターン(マスクパターン側)
4 設計値からのマスクずれ量を示すパターン
Claims (8)
- 基板上に形成された第一の腕部及び該第一の腕部と直交する第二の腕部とを有する十字型パターンであり、前記第一の腕部及び第二の腕部の外形がそれぞれ一定間隔の階段状であることを特徴とするバーニアパターン。
- 前記第一の腕部は前記基板表面の中心線に対して45°の角度をなすことを特徴とする請求項1記載のバーニアパターン。
- 前記階段は直角に形成され、その一辺は前記基板表面の中心線と略平行であることを特徴とする請求項2記載のバーニアパターン。
- 異方性エッチングを用いて形成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のバーニアパターン。
- 前記十字型パターンを形成した後、前記十字型パターンと45°の角度をなすよう形成された第二の十字型パターンの前記十字型パターンとの合わせずれ量を前記第一の腕部及び第二の腕部の外形に形成された前記階段の間隔から計測することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のバーニアパターンを用いたマスク合わせ方法。
- 前記十字型パターンの中心と前記第二の十字型パターンの中心とが重なるようにマスク合わせを行うことを特徴とする請求項5記載のマスク合わせ方法。
- 前記十字型パターンを形成した後、前記十字型パターンの中心と重なるように形成された測長パターンの寸法を前記十字型パターンにおける第一の腕部及び第二の腕部の外形に形成された前記階段の間隔から計測することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のバーニアパターンを用いたパターン測長方法。
- 前記測長パターンは前記十字型パターンと45°の角度をなす第二の十字型パターンの腕部であり、前記十字型パターンの中心と前記第二の十字型パターンの中心とが重なるように形成されていることを特徴とする請求項7記載のパターン測長方法。
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JP2002305420A JP4013727B2 (ja) | 2002-10-21 | 2002-10-21 | バーニアパターン及びそれを用いたマスク合わせ方法、パターン測長方法 |
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