JP2004130442A

JP2004130442A - マイクロマシン用半導体装置

Info

Publication number: JP2004130442A
Application number: JP2002297563A
Authority: JP
Inventors: Masaki Takaoka; 高岡　将樹; Noriyuki Shimoji; 下地　規之
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2002-10-10
Filing date: 2002-10-10
Publication date: 2004-04-30

Abstract

【課題】金属膜等の無機膜と樹脂膜である有機膜との耐剥離性を向上させる。
【解決手段】このマイクロマシン用半導体装置は、マイクロマシンに用いられるものであって、半導体基板１と、係止用有機膜４と、無機膜２と、有機膜３とを備えている。係止用有機膜４は半導体基板１の表面に形成された凹部１ａに形成されている。無機膜２は、係止用有機膜４の半導体基板１とは逆側の面に形成され、係止用有機膜４が通過不能な貫通部２ａを有している。有機膜３は、係止用有機膜４との間に無機膜２を挟むように無機膜２の表面に設けられ、貫通部２ａを介して係止用有機膜４と一体に形成されている。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、特に、無機膜と有機膜とを有するマイクロマシン用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、シリコン等の半導体材料を利用したマイクロマシン技術が提供されている。このマイクロマシン技術を用いたデバイスとしては、各種センサ、マイクロポンプ、プリンタのインクジェットヘッド等がある。
このようなデバイスの一般的な構成は、半導体基板の表面に無機膜である金属膜を形成して所定のパターニングを施し、さらにその表面に樹脂膜を形成し、この樹脂膜に、例えばインクジェットヘッドであればインクが供給される液室やインク流路が形成されるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、マイクロマシン用半導体装置においては、無機膜である金属膜の表面に有機膜である樹脂膜を形成する必要があるが、両者の接着性は悪い。特に、前述のように、樹脂膜中に液室やインク流路が形成される場合は、インクの吐出圧や流路を流れるインクの圧力によって樹脂膜が無機膜から剥離するような力を受けることになり、剥離が生じやすい。
【０００４】
そこで、両者の密着面積を大きくしたり、無機膜と密着性の良い有機膜を使用したり、あるいは界面にバッファ層を形成する等の手法が用いられている。
しかし、無機膜は微細にパターニングされているために、有機膜との密着面積を大きくすることは困難な場合が多い。また、デバイスの種類によっては、有機膜に特定の機能を持たせなければならない場合があり、このような場合には有機膜として無機膜と密着性の良い材料を選定することは困難である。さらに、界面にバッファ層を形成するには、プロセス工程が増加し、複雑になる。しかし、無機膜は微細にパターニングされているためバッファ層との密着面積が小さく、プロセス工程の増加による密着性向上の効果が小さい。
【０００５】
本発明の課題は、金属膜等の無機膜と樹脂膜である有機膜との耐剥離性を向上することにある。
本発明の別の課題は、有機膜材料の選定に拘束されることなく、無機膜と有機膜との耐剥離性を向上することにある。
本発明のさらに別の課題は、無機膜と有機膜との界面にバッファ層を形成することなく、両者の耐剥離性を向上することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
発明１に係るマイクロマシン用半導体装置は、マイクロマシンに用いられるものであって、半導体基板と、係止用有機膜と、無機膜と、有機膜とを備えている。係止用有機膜は半導体基板の表面の少なくとも一部に形成されている。無機膜は、係止用有機膜の半導体基板とは逆側の面に形成され、係止用有機膜が通過不能な貫通部を有している。有機膜は、係止用有機膜との間に無機膜を挟むように無機膜の表面に設けられ、貫通部を介して係止用有機膜と一体に形成されている。
【０００７】
この装置では、半導体基板の表面に、順に、係止用有機膜、無機膜及び有機膜が形成されている。このとき、係止用有機膜と有機膜とは無機膜に形成された貫通部を介して連結されて一体的に形成されており、係止用有機膜は無機膜の貫通部を貫通不能である。
したがって、有機膜が無機膜から剥離する方向に力を受けた場合でも、この有機膜と一体形成された係止用有機膜が無機膜に機械的に係止することとなり、有機膜が無機膜から剥離しにくくなる。このため、有機膜と無機膜との密着面積を大きくとる必要がなく、また有機膜の材料の選定に際して拘束されることがない。さらに、無機膜と有機膜との界面にバッファ層を形成する必要がなくなる。
【０００８】
発明２に係るマイクロマシン用半導体装置は、発明１の半導体装置において、半導体基板の表面には局部的に凹部が形成され、係止用有機膜は有機膜が貫通部を介して凹部に充填されて形成されたものである。
この場合は、係止用有機膜を簡単に形成することができる。また、係止用有機膜は凹部に充填されているだけであるので、凹部以外では無機膜と半導体基板とが密着することとなり、半導体基板が無機材料で形成される場合に、半導体基板と無機膜との密着性を良くすることができる。
【０００９】
発明３に係るマイクロマシン用半導体装置は、発明１の半導体装置において、係止用有機膜は、半導体基板の表面全面に形成された有機膜の一部により構成されている。
デバイスの種類によっては、半導体基板と無機膜との間に有機膜が形成される場合がある。この場合は、この半導体基板の表面に形成された有機膜を、無機膜に設けられた貫通部を介して無機膜の表面に形成された有機膜と連結して一体的に形成することにより、半導体基板表面の有機膜の一部を係止用有機膜とすることができる。そして、この場合は、無機膜の表面に形成された有機膜を、無機膜からより剥離しにくくすることができる。
【００１０】
発明４に係るマイクロマシン用半導体装置は、発明１から３のいずれかの半導体装置において、有機膜には、有機膜と無機膜とを剥離する方向に圧力を発生する機能部が形成されている。
例えば、有機膜にインクジェットヘッドの液室やインク流路が形成されている場合、インクの吐出圧力やインクが流通する際の圧力が有機膜に作用し、この圧力によって有機膜が無機膜から剥離しようとする。しかし、ここでは、無機膜の表面に形成された有機膜が、無機膜の逆の主面に形成された係止用有機膜と連結されて一体的に形成されているので、有機膜が無機膜から剥離しにくくなる。
【００１１】
発明５に係るマイクロマシン用半導体装置は、発明１から４のいずれかの半導体装置において、無機膜は所定のパターニングが施された金属膜である。
無機膜が、特に微細なパターニングが施された金属膜で形成されている場合、その表面に形成された有機膜との密着性を良好にすることは困難である。しかし、ここでは、前記同様に、無機膜の表面に形成された有機膜が、無機膜の逆の主面に形成された係止用有機膜と連結されて一体的に形成されているので、有機膜が無機膜から剥離しにくくなる。
【００１２】
発明６に係るマイクロマシン用半導体装置は、マイクロマシンに用いられるものであって、半導体基板と、無機膜と、有機膜とを備えている。無機膜は半導体基板の一方の主面に形成されている。有機膜は半導体基板との間に無機膜を挟むように無機膜の表面に形成されている。そして、無機膜には有機膜側の主面から逆側の主面に貫通する貫通部が形成されるとともに、半導体基板には外周部の少なくとも一部が貫通部より外方に延びる係止用凹部が形成され、有機膜は貫通部及び係止用凹部にまで充填されている。
【００１３】
ここでは、前記同様に、無機膜の表面に形成された有機膜が、無機膜の逆の主面に形成された係止用有機膜と連結されて一体的に形成されているので、有機膜が無機膜から剥離しにくくなる。また、係止用有機膜は凹部に充填されているだけであるので、凹部以外では無機膜と半導体基板とが密着することとなり、半導体基板が無機材料で形成される場合に、半導体基板と無機膜との密着性を良くすることができる。
【００１４】
発明７に係るマイクロマシン用半導体装置は、マイクロマシンに用いられるものであって、半導体基板と、第１有機膜と、無機膜と、第２有機膜とを備えている。第１有機膜は半導体基板の一方の主面に形成されている。無機膜は第１有機膜の半導体基板側の主面とは逆側の主面に形成されている。第２有機膜は第１有機膜との間に無機膜を挟むように無機膜の表面に形成されている。そして、無機膜には第２有機膜側の主面から逆側の主面に貫通する貫通部が形成され、第２有機膜と第１有機膜とは貫通部を介して互いに連結されて一体的に形成されている。
【００１５】
ここでは、前記同様に、無機膜の表面に形成された第２有機膜が、無機膜の逆の主面に形成された第１有機膜と一体的に形成されているので、第２有機膜が無機膜から剥離しにくくなる。また、デバイスの種類によっては、半導体基板と無機膜との間に第１有機膜が形成される場合があるが、この半導体基板の表面に形成された第１有機膜を、無機膜に設けられた貫通部を介して無機膜の表面に形成された第２有機膜と連結して一体的に形成することにより、半導体基板表面の第１有機膜の一部を係止用の有機膜とすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
図１に本発明の第１実施形態によるマイクロマシン用半導体装置の基本構造を示す。
この半導体装置は、酸化膜及び窒化膜等で形成される半導体基板１と、無機膜２と、有機樹脂（以下、有機膜）３とを有している。デバイスの種類によっては、半導体基板１には各種の機能部が形成されている場合がある。無機膜２は、半導体基板１の表面に形成されており、所定のパターニングが施されている。また、この無機膜２には、所定の複数個所に、表面から裏面に貫通する貫通孔２ａが形成されている。ここで、無機膜２は金属膜であっても良い。有機膜３は、無機膜２の表面に形成されており、デバイスの目的に応じて内部に機能部が形成される。
【００１７】
ここで、半導体基板１の表面において、無機膜２の貫通孔２ａに対応する位置にはほぼ半球状の凹部１ａが形成されている。この凹部１ａの外径は無機膜２の貫通孔の内径よりも大きく形成されている。そして、凹部１ａ及び貫通孔２ａには、有機膜３を無機膜２の表面に形成する際に同時に、その有機膜３の一部が充填される。このようにして、凹部１ａ内に充填された有機膜３が係止用有機膜４となる。
【００１８】
このような構成になる半導体装置では、係止用有機膜４が充填されている部分以外は、半導体基板１と無機膜２との間は、無機材料同士が直接に密着することとなり、両者の密着性は良好である。また、無機膜２と有機膜３との間の密着性は劣るが、この実施形態では、係止用有機膜４が両者の耐剥離性を向上させている。すなわち、係止用有機膜４の外径は貫通孔２ａの内径よりも大きく形成されているので、仮に有機膜３が無機膜２から離れる方向に力を受けた場合でも、この有機膜３と一体形成された係止用有機膜４が貫通孔２ａの下端縁部に引っ掛かり、有機膜３が無機膜２から剥離するのを抑えている。
【００１９】
ここでは、有機膜３が無機膜２から剥離するのを、係止用有機膜４によって機械的に防止している。したがって、有機膜３と無機膜２との密着面積が比較的小さい場合でも、両者の剥離を抑えることができる。また、有機膜３として無機膜２との密着性の良い材料に限定されることがなく、汎用性が広がる。さらに、無機膜２と有機膜３との間にバッファ層を形成する必要がないので、製造プロセスが簡単になる。
【００２０】
次に第１実施形態の製造方法について、図２にしたがって説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、酸化膜、窒化膜等で形成される半導体基板１の表面に無機膜２を形成する。無機膜２は、例えば金属膜であっても良い。次に、同図（ｂ）に示すように、無機膜２の所定個所に、無機膜２を貫通する貫通孔２ａを形成する。さらに、同図（ｃ）に示すように、無機膜２の貫通孔２ａを利用して、半導体基板１の一部を等方的にエッチングする。これにより、貫通孔２ａの下部に、貫通孔２ａの内径よりも大きな外径を有するほぼ半球状の凹部１ａが形成される。次に、同図（ｄ）に示すように、無機膜２の表面に有機膜３を形成するとともに、同時にその有機膜３を貫通孔２ａ及び凹部１ａに充填する。これにより、凹部１ａに係止用有機膜４が形成される。
【００２１】
ここでは、有機膜３を形成する際に、係止用有機膜４を同時に形成できるので、製造プロセスが簡単になる。
［第２実施形態］
図３に本発明の第２実施形態によるマイクロマシン用半導体装置の基本構造を示す。
【００２２】
この半導体装置は、酸化膜及び窒化膜等で形成される半導体基板１０と、この半導体基板１０の表面に順に形成された第１有機膜１１、無機膜１２及び第２有機膜１３とを有している。
第１有機膜１１は、半導体基板１０の表面に形成されており、例えばデバイスの種類に応じてその内部に機能部が形成されている。そして、この第１有機膜１１の一部が後述する係止用有機膜として機能するものである。無機膜１２は、第１有機膜１１の表面に形成されており、所定のパターニングが施されている。また、この無機膜２には、所定の複数個所に、表面から裏面に貫通する貫通孔１２ａが形成されている。なお、第１有機膜１１には表面から裏面に貫通する貫通部が設けられている場合もあり、この場合は、この貫通部を介して無機膜１２と半導体基板１０とが局部的に直接密着している。無機膜１２は、金属膜であっても良い。第２有機膜１３は、第１有機膜１１との間に無機膜１２を挟むようにして無機膜１２の表面に形成されており、無機膜１２の貫通孔１２ａを介して第１有機膜１１と一体的に連結されている。
【００２３】
このような構成になる半導体装置では、第２有機膜１３と第１有機膜１１とが無機膜１２を挟み込むように形成されるとともに、第１有機膜１１は貫通孔１２ａの内径よりもさらに外方に延びるように形成されている。しかも第２有機膜１３と第１有機膜１１とは無機膜１２の貫通孔１２ａを介して一体的に連結されている。したがって、第２有機膜１３が無機膜１２から剥離する方向に力を受けたとき、第１有機膜１１が、第１実施形態における係止用有機膜と同様の機能を果たし、第１有機膜１１が無機膜１２から剥離するのを抑える。
【００２４】
この実施形態では、半導体基板１０と第１有機膜１１との接合が無機材料と有機材料との接合になるので密着性が劣るが、この第１有機膜１１と半導体基板１０とに、第１有機膜１１を半導体基板１０から剥離するような力が作用しない場合は、特に問題は生じない。また、第１有機膜１１の一部に貫通部が形成されて無機膜１２と半導体基板１０とが直接密着しているような場合は、その部分の接合部は無機材料同士の接合になるので密着性は良好であり、この無機膜１２と半導体基板１０との密着によって、第１有機膜１１が半導体基板１０から剥離するのを抑えることができる。
【００２５】
ここでは、前記同様に、第２有機膜１３が無機膜１２から剥離するのを、第１有機膜１１によって機械的に防止している。したがって、前記同様の作用効果が得られる。特に、第１有機膜１１の一部を係止用の有機膜として機能させることができるので、特別な係止用の有機膜を形成する必要がなく、製造プロセスが簡単になる。
【００２６】
次に第２実施形態の製造方法について、図４にしたがって説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、酸化膜、窒化膜等で形成される半導体基板１０の表面に第１有機膜１１を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、第１有機膜１１の表面に無機膜１２を形成し、その後、同図（ｃ）に示すように、無機膜１２の所定個所に無機膜１２を貫通する貫通孔１２ａを形成する。そして、同図（ｄ）に示すように、無機膜１２の表面に第２有機膜１３を形成するとともに、その際に第２有機膜１３と第１有機膜１１とを貫通孔１２ａを介して一体的に連結する。
【００２７】
［他の実施形態］
（ａ）前記各実施形態において、無機膜と有機膜との間にバッファ層を設けても良い。図５にこの場合の例を示す。
図５において、無機膜２と有機膜３との間にはバッファ層５が形成されている。他の構成は第１実施形態と同様である。ここでは、無機膜２と有機膜３との密着性がより向上する。
【００２８】
（ｂ）第１実施形態において、係止用有機膜４の形状をほぼ半球状としたが、係止用有機膜の形状についてはこの実施形態に限定されない。有機膜とともに無機膜を挟み込むように形成され、有機膜と係止用有機膜とが無機膜の貫通孔を介して一体的に連結されており、この状態で係止用有機膜が貫通孔を通過不能であればよい。
【００２９】
【実施例】
［マイクロポンプ］
図６（ａ）は第１実施形態の基本構造をマイクロポンプに適用した場合の実施例、同図（ｂ）はバルブの拡大図である。マイクロポンプは、仕切板２５が形成された有機膜６５と、半導体基板１０と、有機膜６５と反対側の半導体基板裏面に接合された有機膜９０とを有している。
【００３０】
半導体基板１０には、流路６９ａ〜６９ｄ（流路６９）が形成されている。流路６９ａ，６９ｃは、流体を半導体基板表面から裏面へと導き、流路６９ｂ，６９ｄは、流体を半導体基板裏面から表面へと導く。また、半導体基板１０内には、有機膜６５から半導体基板１０上の熱酸化膜７２及び酸化膜７４内の貫通孔６８ａ〜６８ｃ（貫通孔６８）を介して、貫通孔６８の内径より大きな外形を有するほぼ半球状の係止用有機膜８６ａ〜８６ｃ（係止用有機膜８６）が形成されている。仕切板２５は、半導体基板１０上の熱酸化膜７２及び酸化膜７４上に形成されており、流路６９ｂからの流体を流路６９ｃに導くための圧力室６０を有するように形成されている。有機膜６５の仕切板２５上には、仕切板２５を振動させるためのピエゾアクチュエータ３０が取り付けられている。バルブ７０ａ，７０ｂ（バルブ７０）は、液路となる流路６９を有する半導体基板１０上に、液路をふさぐような形状のポリシリコンでできた円盤状の弁と、片側を基板に固定され前記弁を支える４本の腕とから形成される（図６（ｂ）参照）。
【００３１】
図７（ａ）〜（ｄ）、図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｂ）、図１０（ａ）〜（ｂ）は、図６（ａ）のマイクロポンプの要部の製造工程を示す。以上の図を参照して、マイクロポンプの要部の製造工程を説明する。
まず、前述の方法で、例えば（１００）シリコン基板である半導体基板１０表面上に熱酸化膜７２を形成し、熱酸化膜７２の上に酸化膜７４を堆積させる。熱酸化膜７２及び酸化膜７４は、バルブ７０を形作るようにそれぞれ開口を有している（図７（ａ）参照）。また、熱酸化膜７２及び酸化膜７４を、バルブ７０以外の部分に半導体素子を形成するためや、半導体素子を保護するために利用することもできる。
【００３２】
バルブ７０を熱酸化膜７２及び酸化膜７４上に形成する（図７（ｂ）参照）。バルブ７０は、例えば、ＣＶＤとフォトレジストをマスクにしたプラズマエッチングによりｐｏｌｙ−Ｓｉで形成される。
熱酸化膜７２及び酸化膜７４内の貫通孔６８に対応する部分に開口を有するレジスト７６を、バルブ７０、熱酸化膜７２及び酸化膜７４上に形成する。レジスト７６の開口部分に位置する熱酸化膜７２及び酸化膜７４をＨＦにより除去し、貫通孔６８ａ〜６８ｃを形成する（図７（ｃ）参照）。
【００３３】
続いて、レジスト７６を利用した等方性のドライエッチングにより、貫通孔６８の内径より大きな外形を有するほぼ半球状の凹部８８ａ〜８８ｃを半導体基板１０内に形成する（図７（ｄ）参照）。ドライエッチングのガスとしては、例えばＳＦ６を使用する。
レジスト７６を除去し、バルブ７０部分に開口を有するレジスト７７を形成し、開口部分の熱酸化膜７２及び酸化膜７４をＨＦにより除去する（図８（ａ）参照）。
【００３４】
レジスト７７を除去し、有機膜６５に流体の流路を形成するために、入口４０、圧力室６０及び出口５０に対応する部分にレジスト７８を塗布する（図８（ｂ）参照）。
レジスト７８上に有機膜６５を、例えばスピンコートにより塗布する。このとき、有機膜６５は貫通孔６８ａ〜６８ｃを介して凹部８８ａ〜８８ｃにも注入され、係止用有機膜８６ａ〜８６ｃを形成する。次に、入口４０、仕切板２５及び出口５０に対応する有機膜６５を、例えばＯ_２プラズマドライエッチングにより除去し、有機膜６５を形成する（図８（ｃ）参照）。
【００３５】
半導体基板１０に流路６９及び液路７５を形成するためにレジスト７８及び有機膜６５上に、裏面からのエッチングによる影響から保護するための保護膜８０を形成する。まず、半導体基板１０裏面に液路７５に対応する部分に開口を有するレジスト８２を形成し、半導体基板１０裏面からのエッチングにより液路７５を形成する（図９（ａ）参照）。
【００３６】
レジスト８２を除去し、流路６９に対応する部分に開口を有するレジスト８４を半導体基板１０裏面に形成し、半導体基板裏面からのエッチングにより流路６９を形成する（図９（ｂ）参照）
保護膜８０を除去し、例えば半導体基板表面からＵＶ露光により全面露光を行う（図１０（ａ）参照）。
【００３７】
全面露光後、現像液によりレジスト７８を除去し、半導体基板１０裏面に有機膜９０を接合し、マイクロポンプを得る（図１０（ｂ）参照）。
このマイクロポンプでは、有機膜６５の内部に圧力室６０が形成されている。したがって、圧力室６０を流れる流体の圧力が、有機膜６５に対して、有機膜６５を熱酸化膜７２及び酸化膜７４から剥離する方向に作用する。しかし、前記同様に、この装置では、係止用有機膜８６の熱酸化膜７２及び酸化膜７４への係止によって、有機膜６５が熱酸化膜７２及び酸化膜７４から剥離するのを抑えることができる。
【００３８】
その他、マイクロバルブ、フローセンサ、光配線など様々なマイクロマシンに本発明を適用することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように本発明では、係止用有機膜と無機膜の表面に形成された有機膜とを、無機膜の貫通部を介して一体的に連結し、係止用有機膜が無機膜に係止するようにしたので、金属膜等の無機膜と有機膜との耐剥離制が向上する。
また、有機膜と無機膜とを機械的に密着させるようにしたので、有機膜の材料の選定の自由度が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態によるマイクロマシン用半導体装置の断面構成図。
【図２】前記半導体装置の製造プロセスを示す図。
【図３】本発明の第２実施形態によるマイクロマシン用半導体装置の断面構成図。
【図４】前記半導体装置の製造プロセスを示す図。
【図５】他の実施形態によるマイクロマシン用半導体装置の断面構成図。
【図６】（ａ）第１実施形態の基本構造をマイクロポンプに適用した場合の断面図。
（ｂ）バルブの拡大図。
【図７】（ａ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（１）
（ｂ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（２）
（ｃ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（３）
（ｄ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（４）
【図８】（ａ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（１）
（ｂ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（２）
（ｃ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（３）
【図９】（ａ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（１）
（ｂ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（２）
【図１０】（ａ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（１）
（ｂ）マイクロポンプの要部の製造工程を示す断面図（２）
【符号の説明】
１，１０　　半導体基板
１ａ，８８　　凹部
２，１２　　無機膜
２ａ，１２ａ，６８　　貫通孔
３，６５，９０　　有機膜
４，８６　　係止用有機膜
５　　バッファ層
１１　　第１有機膜
１３　　第２有機膜
２５　　仕切板
４０　　入口
５０　　出口
６０　　圧力室
６９　　流路
７０　　バルブ
７２　　熱酸化膜
７４　　酸化膜
７５　　液路
７６，７７，７８，８２，８４　　レジスト
８０　　保護膜

Claims

マイクロマシンに用いられる半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面の少なくとも一部に形成された係止用有機膜と、
前記係止用有機膜の前記半導体基板とは逆側の面に形成され、前記係止用有機膜が通過不能な貫通部を有する無機膜と、
前記係止用有機膜との間に前記無機膜を挟むように前記無機膜の表面に設けられ、前記貫通部を介して前記係止用有機膜と一体に形成された有機膜と、
を備えたマイクロマシン用半導体装置。
前記半導体基板の表面には局部的に凹部が形成され、
前記係止用有機膜は前記有機膜が前記貫通部を介して前記凹部に充填されて形成されたものである、
請求項１に記載のマイクロマシン用半導体装置。
前記係止用有機膜は、前記半導体基板の表面全面に形成された有機膜の一部により構成されている、請求項１に記載のマイクロマシン用半導体装置。
前記有機膜には、前記有機膜と無機膜とを剥離する方向に圧力を発生する機能部が形成されている、請求項１から３のいずれかに記載のマイクロマシン用半導体装置。
前記無機膜は所定のパターニングが施された金属膜である、請求項１から４のいずれかに記載のマイクロマシン用半導体装置。
マイクロマシンに用いられる半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面に形成された無機膜と、
前記半導体基板との間に前記無機膜を挟むように前記無機膜の表面に形成された有機膜とを備え、
前記無機膜には前記有機膜側の主面から逆側の主面に貫通する貫通部が形成されるとともに、前記半導体基板には外周部の少なくとも一部が前記貫通部より外方に延びる係止用凹部が形成され、
前記有機膜は前記貫通部及び係止用凹部にまで充填されている、
マイクロマシン用半導体装置。
マイクロマシンに用いられる半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面に形成された第１有機膜と、
前記第１有機膜の前記半導体基板側の主面とは逆側の主面に形成された無機膜と、
前記第１有機膜との間に前記無機膜を挟むように前記無機膜の表面に形成された第２有機膜とを備え、
前記無機膜には前記第２有機膜側の主面から逆側の主面に貫通する貫通部が形成され、前記第２有機膜と第１有機膜とは前記貫通部を介して互いに連結されて一体的に形成されている、
マイクロマシン用半導体装置。