JP2004125828A5 - - Google Patents

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  1. 像担持体と、
    該像担持体面を帯電する帯電手段と、
    帯電された前記像担持体に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    前記静電潜像に現像剤を供給し静電潜像を可視化する現像手段と、
    可視化した現像剤像を転写材に転写する転写手段と、
    該転写手段より前記像担持体回転方向下流側に位置し、像担持体上に残留する残留現像剤の帯電量を均一化する現像剤帯電量制御手段と、
    該現像剤帯電量制御手段に、印加傾きの絶対値が２０００Ｖ／秒以下であるＤＣバイアスと印加傾きの絶対値が２０００Ｖ／秒より大きいＤＣバイアスとを選択して印加する電源と、
    を有することを特徴とする画像形成装置。
  2. 像担持体と、
    該像担持体面を帯電する帯電手段と、
    帯電された前記像担持体に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    前記静電潜像に現像剤を供給し静電潜像を可視化する現像手段と、
    可視化した現像剤像を転写材に転写する転写手段と、
    該転写手段より前記像担持体回転方向下流側に位置し、像担持体上に残留する残留現像剤の帯電量を均一化する第一の現像剤帯電量制御手段と、
    前記第一の現像剤帯電量制御手段より前記像担持体回転方向下流側かつ前記帯電手段より前記像担持体回転方向上流側に位置し、前記残留現像剤を正規極性に帯電する第二の現像剤帯電量制御手段と、
    前記第一の現像剤帯電量制御手段又は前記第二の現像剤帯電量制御手段に、印加傾きの絶対値が２０００Ｖ／秒以下であるＤＣバイアスと印加傾きの絶対値が２０００Ｖ／秒より大きいＤＣバイアスとを選択して印加する電源と、
    を有することを特徴とする画像形成装置。
  3. 前記帯電手段は、接触帯電方式であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
  4. 前記現像剤帯電制御手段は、導電性のブラシ状部材を有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
  5. 前記第一の現像剤帯電制御手段は、導電性のブラシ状部材を有することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
  6. 前記第二の現像剤帯電制御手段は、導電性のブラシ状部材を有することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
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