JP2004123480A - 光増幅用ファイバおよび光増幅用ファイバ製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な特性を有することができる光増幅用ファイバを容易に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】光増幅用ファイバは、コア領域およびクラッド領域を有する石英系の光ファイバであって、コア領域に屈折率上昇剤であるGeO2が添加され、クラッド領域に屈折率低下剤であるF元素が添加されており、クラッド領域の屈折率が純石英ガラスの屈折率より低い。コア領域には希土類元素およびクラスタリング抑制剤が添加されている。光ファイバ母材を線引して光増幅用ファイバを製造する際に、線引張力は23.5N/mm2〜205.8N/mm2(2.4kgf/mm2〜21kgf/mm2)の範囲内とされる。
【選択図】 図1
【解決手段】光増幅用ファイバは、コア領域およびクラッド領域を有する石英系の光ファイバであって、コア領域に屈折率上昇剤であるGeO2が添加され、クラッド領域に屈折率低下剤であるF元素が添加されており、クラッド領域の屈折率が純石英ガラスの屈折率より低い。コア領域には希土類元素およびクラスタリング抑制剤が添加されている。光ファイバ母材を線引して光増幅用ファイバを製造する際に、線引張力は23.5N/mm2〜205.8N/mm2(2.4kgf/mm2〜21kgf/mm2)の範囲内とされる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバ、および、このような光増幅用ファイバを製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバは、加熱・溶融した光ファイバ母材を線引することで製造される。そのときの線引張力は、光ファイバの諸特性に影響を与える重要な製造条件である。例えば、特許文献1には、コア領域が純石英ガラスからなる光ファイバを製造する際の線引張力は19.6N/mm2(2.0kgf/mm2)未満であるのが好適である旨が記載されている。
【0003】
【特許文献1】
特公平4−80861号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバは、優れた励起効率を達成するために、希土類元素の添加濃度が高いことが望まれる。このようにコア領域における不純物の添加濃度が高い光ファイバを製造する際に、上記特許文献1に記載された線引張力の好適範囲で線引しても、良好な特性を有する光ファイバを製造することが困難である。
【0005】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、良好な特性を有することができる光増幅用ファイバ、および、このような光増幅用ファイバを容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光増幅用ファイバ製造方法は、コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバを製造する方法であって、希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア部と、このコア部を取り囲みF元素が添加された石英ガラスからなり純石英ガラスより低屈折率であるクラッド部と、を有する光ファイバ母材を用意し、加熱・溶融した光ファイバ母材を23.5N/mm2〜205.8N/mm2の線引張力で線引して、光増幅用ファイバを製造する、ことを特徴とする。或いは、希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア部と、このコア部を取り囲み実質的に純石英ガラスからなるクラッド部と、を有する光ファイバ母材を用意し、加熱・溶融した光ファイバ母材を78.4N/mm2〜284.2N/mm2の線引張力で線引して、光増幅用ファイバを製造する、ことを特徴とする。このような光ファイバ母材を線引する際の線引張力を上記範囲とすることにより、良好な特性を有することができる光増幅用ファイバを容易に製造することができる。また、コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤がコア部に添加されている場合には、良好な特性を有する光増幅用ファイバを製造する上で好適である。
【0007】
第1の発明に係る光増幅用ファイバは、(1) 希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア領域と、このコア領域を取り囲みF元素が添加された石英ガラスからなり純石英ガラスより低屈折率であるクラッド領域と、を有し、(2) コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤がコア領域に添加されており、(3) コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布が、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少し、又は、1箇所以上の極大を有しており、(4) 波長1.20μmにおける損失値が10dB/km以下である、ことを特徴とする。また、この光増幅用ファイバは、23.5N/mm2〜205.8N/mm2の線引張力で線引して製造されたものであるのが好適である。
【0008】
第2の発明に係る光増幅用ファイバは、(1) 希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア領域と、このコア領域を取り囲み実質的に純石英ガラスからなるクラッド領域と、を有し、(2) コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤がコア領域に添加されており、(3) コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布が、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少し、又は、1箇所以上の極大を有しており、(4) 波長1.20μmにおける損失値が10dB/km以下である、ことを特徴とする。また、この光増幅用ファイバは、78.4N/mm2〜284.2N/mm2の線引張力で線引して製造されたものであるのが好適である。
【0009】
クラスタリング抑制剤がAl元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つであるのが好適である。クラスタリング抑制剤がAl元素であり、その添加濃度が重量比率で1wt%以上であるのが好適であり、3wt%以上であれば更に好適である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0011】
(第1実施形態)
先ず、本発明に係る光増幅用ファイバおよび光増幅用ファイバ製造方法の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。同図(a)は屈折率プロファイルを示し、同図(b)はGeO2添加濃度分布を示し、同図(c)はF元素添加濃度分布を示し、同図(d)は希土類元素添加濃度分布を示し、同図(e)〜(g)それぞれはクラスタリング抑制剤添加濃度分布の例を示す。同図(a)〜(g)それぞれにおいて、横軸は、光増幅用ファイバの光軸に直交する直線上の位置を表す。
【0012】
図1に示されるように、第1実施形態に係る光増幅用ファイバは、コア領域およびクラッド領域を有する石英系の光ファイバであって、コア領域に屈折率上昇剤であるGeO2が添加され、クラッド領域に屈折率低下剤であるF元素が添加されている。そして、この光増幅用ファイバは、コア領域の屈折率がクラッド領域の屈折率より高く、クラッド領域の屈折率が純石英ガラスの屈折率より低い。この光増幅用ファイバのコア領域には希土類元素が添加されている。コア領域に添加される希土類元素は、好適には、Er元素,Nd元素,Tm元素,等である。光増幅用ファイバは、コア領域に添加された希土類元素を励起し得る波長の励起光が供給されることで、信号光を光増幅することができる。また、この光増幅用ファイバは、波長1.20μmにおける損失値が10dB/kmである。なお、波長1.20μmは、希土類元素の1種であるEr元素の吸収損失の影響を殆ど受けない波長である。
【0013】
この光増幅用ファイバのコア領域にはクラスタリング抑制剤が添加されているのが好適である。コア領域に添加されるクラスタリング抑制剤は、コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるものであって、好適には、Al元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つである。クラスタリング抑制剤がAl元素である場合には、その添加濃度は、重量比率で1wt%以上であるのが好適であり、3wt%以上であれば更に好適である。また、コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布は、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少するのが好適であり、或いは、1箇所以上の極大を有しているのが好適である。
【0014】
この光増幅用ファイバは以下のようにして製造される。初めに、上記に説明したような濃度分布で各種の添加物(GeO2,F元素,希土類元素,クラスタリング抑制剤)が添加された光ファイバ母材が製造される。すなわち、この光ファイバ母材は、後に線引されて光ファイバのコア領域となるべきコア部と、光ファイバのクラッド領域となるべきクラッド部とを有している。光ファイバ母材のコア部は、GeO2,希土類元素およびクラスタリング抑制剤が添加された石英ガラスからなる。光ファイバ母材のクラッド部は、F元素が添加された石英ガラスからなる。このような光ファイバ母材は、MCVD法により、Geを含む石英を主成分とするガラス微粒子をガラス管(F元素添加のクラッド部)内壁に堆積させ、溶液含浸法により、希土類元素およびクラスタリング抑制剤をガラス微粒子層に添加し、その後、透明化および中実化を行なうことで製造される。
【0015】
そして、この光ファイバ母材の一端を加熱・溶融し線引することで、光増幅用ファイバが製造される。この線引の際の線引張力は23.5N/mm2〜205.8N/mm2(2.4kgf/mm2〜21kgf/mm2)の範囲内とされる。このようにして製造された光増幅用ファイバは、ガラス欠陥等の生成が少なく、背景損失の増加が抑制されて、励起効率が優れたものとなる。また、この光増幅用ファイバは、コア領域の結晶化が発生し難く、断線やファイバ外径異常の発生が抑制されたものとなる。
【0016】
次に、第1実施形態に係る光増幅用ファイバの実施例について説明する。図2は、実施例1a,実施例1b,実施例1c,実施例1d,実施例1e,実施例1f,実施例2a,実施例2bおよび実施例3それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、純石英ガラスの屈折率を基準とするクラッド領域の比屈折率差、線引速度、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0017】
実施例1a〜1fそれぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.1wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が1.8wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が400wt.ppmであり、クラッド領域の比屈折率差が−0.40%であり、線引速度が100m/分であった。実施例1a〜1fそれぞれの場合で、線引張力が0.8kgf/mm2〜22.8kgf/mm2の範囲で異なるものとされた。その結果、線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなるものの、不具合発生頻度が多くなった。線引速度が23.5N/mm2〜205.8N/mm2(2.4kgf/mm2〜21kgf/mm2)の範囲内であれば、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0018】
実施例2a,実施例2bおよび実施例3それぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が5.9wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が5.8wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2500wt.ppmであった。実施例2aおよび実施例2bそれぞれでは、クラッド領域の比屈折率差が−0.30%であり、線引速度が250m/分であった。実施例3では、クラッド領域の比屈折率差が−0.10%であり、線引速度が150m/分であった。実施例2aでは線引張力を3.7kgf/mm2とし、実施例2bでは線引張力を14.3kgf/mm2とし、実施例3aでは線引張力を7.3kgf/mm2としたところ、何れの実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0019】
図3は、波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。この図には、線引速度が50m/分,100m/分および250m/分それぞれの場合について、損失値と線引張力との関係が示されている。この図からも判るように線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなる。線引速度が2.4kgf/mm2以上であれば、波長1.20μmでの損失値が10dB/km以下となり、光増幅器の光増幅媒体として光増幅用ファイバが用いられる場合に実用的なものとなる。一方、線引速度が21kgf/mm2を超えると、コア領域の結晶化が原因と考えられる断線またはファイバ外径異常が多発し、良好な光増幅用ファイバを得ることができない。
【0020】
図4は、実施例4および実施例5それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、コア領域のLa元素添加濃度、コア領域のYb元素添加濃度、純石英ガラスの屈折率を基準とするクラッド領域の比屈折率差、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0021】
実施例4および実施例5それぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.4wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が3.1wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2200wt.ppmであり、クラッド領域の比屈折率差が−0.30%であり、線引張力が9.8kgf/mm2であった。実施例4の光増幅用ファイバのコア領域には濃度0.9wt%のLa元素が添加され、実施例5の光増幅用ファイバのコア領域には濃度0.8wt%のYb元素が添加された。何れの実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0022】
(第2実施形態)
次に、本発明に係る光増幅用ファイバおよび光増幅用ファイバ製造方法の第2実施形態について説明する。図5は、第2実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。同図(a)は屈折率プロファイルを示し、同図(b)はGeO2添加濃度分布を示し、同図(c)は希土類元素添加濃度分布を示し、同図(d)はクラスタリング抑制剤添加濃度分布を示す。同図(a)〜(d)それぞれにおいて、横軸は、光増幅用ファイバの光軸に直交する直線上の位置を表す。
【0023】
図5に示されるように、第2実施形態に係る光増幅用ファイバは、コア領域およびクラッド領域を有する石英系の光ファイバであって、コア領域に屈折率上昇剤であるGeO2が添加され、クラッド領域が実質的に純石英ガラスとされている。そして、この光増幅用ファイバは、コア領域の屈折率がクラッド領域の屈折率より高い。この光増幅用ファイバのコア領域には希土類元素が添加されている。コア領域に添加される希土類元素は、好適には、Er元素,Nd元素,Tm元素,等である。光増幅用ファイバは、コア領域に添加された希土類元素を励起し得る波長の励起光が供給されることで、信号光を光増幅することができる。また、この光増幅用ファイバは、波長1.20μmにおける損失値が10dB/kmである。なお、波長1.20μmは、希土類元素の1種であるEr元素の吸収損失の影響を殆ど受けない波長である。
【0024】
この光増幅用ファイバのコア領域にはクラスタリング抑制剤が添加されているのが好適である。コア領域に添加されるクラスタリング抑制剤は、コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるものであって、好適には、Al元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つである。クラスタリング抑制剤がAl元素である場合には、その添加濃度は、重量比率で1wt%以上であるのが好適であり、3wt%以上であれば更に好適である。また、コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布は、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少するのが好適であり、或いは、1箇所以上の極大を有しているのが好適である。
【0025】
この光増幅用ファイバは、第1実施形態の場合と略同様にして製造される。ただし、第2実施形態では、ガラス微粒子を内壁に堆積させるガラス管(クラッド部)が純石英ガラスからなる点、および、線引張力が78.4N/mm2〜284.2N/mm2(8kgf/mm2〜29kgf/mm2)の範囲内とされる点、で相違する。このようにして製造された光増幅用ファイバは、ガラス欠陥等の生成が少なく、背景損失の増加が抑制されて、励起効率が優れたものとなる。また、この光増幅用ファイバは、コア領域の結晶化が発生し難く、断線やファイバ外径異常の発生が抑制されたものとなる。
【0026】
次に、第2実施形態に係る光増幅用ファイバの実施例について説明する。図6は、実施例6a,実施例6b,実施例6c,実施例6d,実施例6eおよび実施例7それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、線引速度、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0027】
実施例6a〜6eそれぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.5wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が1.7wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が350wt.ppmであり線引速度が100m/分であった。実施例6a〜6eそれぞれの場合で、線引張力が4.1kgf/mm2〜29.3kgf/mm2の範囲で異なるものとされた。その結果、線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなるものの、不具合発生頻度が多くなった。78.4N/mm2〜284.2N/mm2(8kgf/mm2〜29kgf/mm2)の範囲内であれば、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0028】
実施例7の光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.2wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が5.9wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2200wt.ppmであり、線引速度が250m/分であり、線引張力が10.6kgf/mm2であった。この実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0029】
図7は、波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。この図には、線引速度が50m/分,100m/分および250m/分それぞれの場合について、損失値と線引張力との関係が示されている。この図からも判るように線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなる。線引速度が8kgf/mm2以上であれば、波長1.20μmでの損失値が10dB/km以下となり、光増幅器の光増幅媒体として光増幅用ファイバが用いられる場合に実用的なものとなる。一方、線引速度が29kgf/mm2を超えると、コア領域の結晶化が原因と考えられる断線またはファイバ外径異常が多発し、良好な光増幅用ファイバを得ることができない。
【0030】
図8は、実施例8および実施例9それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、コア領域のLa元素添加濃度、コア領域のYb元素添加濃度、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0031】
実施例7および実施例8それぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が8.2wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が3.2wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2300wt.ppmであり、線引張力が14.7kgf/mm2であった。実施例7の光増幅用ファイバのコア領域には濃度0.7wt%のLa元素が添加され、実施例8の光増幅用ファイバのコア領域には濃度1.1wt%のYb元素が添加された。何れの実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0032】
(変形例)
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、光増幅用ファイバのモードフィールド径は、信号光波長である波長1.55μmにおいて、4.0μm〜7.5μmであるのが好適であり、4.2μm〜7.0μmであれば更に好適である。
【0033】
第1実施形態に係る光増幅用ファイバにおいて、純石英ガラスの屈折率を基準とするクラッド領域の比屈折率差は、−0.7%〜−0.05%であるのが好適であり、−0.5%〜−0.1%であれば更に好適である。
【0034】
光増幅用ファイバのコア領域に添加される希土類元素がEr元素であって、Er元素添加濃度が300ppm以上であるときには、濃度消光を防止するために、多くのクラスタリング抑制剤をコア領域中に添加する必要があり、上述した本実施形態に係る光増幅用ファイバの構成および製造方法とすることが有効である。特に、Al元素添加濃度が1wt%以上(更に3wt%以上)であるときに効果が顕著である。
【0035】
第1実施形態に係る光増幅用ファイバを製造する際の線引張力は、55.9N/mm2〜159.7N/mm2(5.7kgf/mm2〜16.3kgf/mm2)であれば更に好適である。第2実施形態に係る光増幅用ファイバを製造する際の線引張力は、88.2N/mm2〜245N/mm2(9kgf/mm2〜25kgf/mm2)であれば更に好適である。
【0036】
光増幅用ファイバのファイバ径は、標準的な125μmであってもよいし、これより細い80μm等であってもよいし、これより太い200μm等であってもよい。
【0037】
線引速度は、生産性の観点から、30m/分以上であるのが好適であり、50m/分以上であれば更に好適である。また、光増幅用ファイバを製造するための光ファイバ母材が通常のものと比較して小さいことから、線引速度は、歩留まりの観点から、300m/分以下であるのが好適であり、250m/分以下であれば更に好適である。
【0038】
光ファイバ母材は、MCVD法により製造されてもよいが、VAD法によりガラス微粒子堆積体を製造し、溶液含浸法により、希土類元素およびクラスタリング抑制剤をガラス微粒子体に添加し、その後、透明化したものをコアロッドとして使用することで製造してもよい。また、光ファイバ母材は、OVD法、PCVD法、ソルゲル法、等により製造してもよい。
【0039】
光ファイバ母材を線引する際に、光ファイバ母材を中心軸の回りに回転させながら線引するのも好適であり、光増幅用ファイバに捻りを加えながら線引するのも好適である。このようにして製造される光増幅用ファイバは、偏波依存損失や偏波モード分散が低減されたものとなる。
【0040】
光ファイバ母材のクラッド部として、ガラス化前に塩素系ガスを用いて脱水処理を行なった高純度ガラス材料を使用するのが好適である。
【0041】
また、クラスタリング抑制剤の添加濃度だけでなく、他の添加元素の添加物濃度も、コア領域およびクラッド領域それぞれで一様でなくてもよい。屈折率も、コア領域およびクラッド領域それぞれで一様でなくてもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明によれば、光ファイバ母材を線引して光増幅用ファイバを製造する際に線引張力を所定の範囲内とすることにより、良好な特性を有することができる光増幅用ファイバを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。
【図2】実施例1a,実施例1b,実施例1c,実施例1d,実施例1e,実施例1f,実施例2a,実施例2bおよび実施例3それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【図3】波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。
【図4】実施例4および実施例5それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【図5】第2実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。
【図6】実施例6a,実施例6b,実施例6c,実施例6d,実施例6eおよび実施例7それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【図7】波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。
【図8】実施例8および実施例9それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバ、および、このような光増幅用ファイバを製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバは、加熱・溶融した光ファイバ母材を線引することで製造される。そのときの線引張力は、光ファイバの諸特性に影響を与える重要な製造条件である。例えば、特許文献1には、コア領域が純石英ガラスからなる光ファイバを製造する際の線引張力は19.6N/mm2(2.0kgf/mm2)未満であるのが好適である旨が記載されている。
【0003】
【特許文献1】
特公平4−80861号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバは、優れた励起効率を達成するために、希土類元素の添加濃度が高いことが望まれる。このようにコア領域における不純物の添加濃度が高い光ファイバを製造する際に、上記特許文献1に記載された線引張力の好適範囲で線引しても、良好な特性を有する光ファイバを製造することが困難である。
【0005】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、良好な特性を有することができる光増幅用ファイバ、および、このような光増幅用ファイバを容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光増幅用ファイバ製造方法は、コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバを製造する方法であって、希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア部と、このコア部を取り囲みF元素が添加された石英ガラスからなり純石英ガラスより低屈折率であるクラッド部と、を有する光ファイバ母材を用意し、加熱・溶融した光ファイバ母材を23.5N/mm2〜205.8N/mm2の線引張力で線引して、光増幅用ファイバを製造する、ことを特徴とする。或いは、希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア部と、このコア部を取り囲み実質的に純石英ガラスからなるクラッド部と、を有する光ファイバ母材を用意し、加熱・溶融した光ファイバ母材を78.4N/mm2〜284.2N/mm2の線引張力で線引して、光増幅用ファイバを製造する、ことを特徴とする。このような光ファイバ母材を線引する際の線引張力を上記範囲とすることにより、良好な特性を有することができる光増幅用ファイバを容易に製造することができる。また、コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤がコア部に添加されている場合には、良好な特性を有する光増幅用ファイバを製造する上で好適である。
【0007】
第1の発明に係る光増幅用ファイバは、(1) 希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア領域と、このコア領域を取り囲みF元素が添加された石英ガラスからなり純石英ガラスより低屈折率であるクラッド領域と、を有し、(2) コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤がコア領域に添加されており、(3) コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布が、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少し、又は、1箇所以上の極大を有しており、(4) 波長1.20μmにおける損失値が10dB/km以下である、ことを特徴とする。また、この光増幅用ファイバは、23.5N/mm2〜205.8N/mm2の線引張力で線引して製造されたものであるのが好適である。
【0008】
第2の発明に係る光増幅用ファイバは、(1) 希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア領域と、このコア領域を取り囲み実質的に純石英ガラスからなるクラッド領域と、を有し、(2) コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤がコア領域に添加されており、(3) コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布が、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少し、又は、1箇所以上の極大を有しており、(4) 波長1.20μmにおける損失値が10dB/km以下である、ことを特徴とする。また、この光増幅用ファイバは、78.4N/mm2〜284.2N/mm2の線引張力で線引して製造されたものであるのが好適である。
【0009】
クラスタリング抑制剤がAl元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つであるのが好適である。クラスタリング抑制剤がAl元素であり、その添加濃度が重量比率で1wt%以上であるのが好適であり、3wt%以上であれば更に好適である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0011】
(第1実施形態)
先ず、本発明に係る光増幅用ファイバおよび光増幅用ファイバ製造方法の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。同図(a)は屈折率プロファイルを示し、同図(b)はGeO2添加濃度分布を示し、同図(c)はF元素添加濃度分布を示し、同図(d)は希土類元素添加濃度分布を示し、同図(e)〜(g)それぞれはクラスタリング抑制剤添加濃度分布の例を示す。同図(a)〜(g)それぞれにおいて、横軸は、光増幅用ファイバの光軸に直交する直線上の位置を表す。
【0012】
図1に示されるように、第1実施形態に係る光増幅用ファイバは、コア領域およびクラッド領域を有する石英系の光ファイバであって、コア領域に屈折率上昇剤であるGeO2が添加され、クラッド領域に屈折率低下剤であるF元素が添加されている。そして、この光増幅用ファイバは、コア領域の屈折率がクラッド領域の屈折率より高く、クラッド領域の屈折率が純石英ガラスの屈折率より低い。この光増幅用ファイバのコア領域には希土類元素が添加されている。コア領域に添加される希土類元素は、好適には、Er元素,Nd元素,Tm元素,等である。光増幅用ファイバは、コア領域に添加された希土類元素を励起し得る波長の励起光が供給されることで、信号光を光増幅することができる。また、この光増幅用ファイバは、波長1.20μmにおける損失値が10dB/kmである。なお、波長1.20μmは、希土類元素の1種であるEr元素の吸収損失の影響を殆ど受けない波長である。
【0013】
この光増幅用ファイバのコア領域にはクラスタリング抑制剤が添加されているのが好適である。コア領域に添加されるクラスタリング抑制剤は、コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるものであって、好適には、Al元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つである。クラスタリング抑制剤がAl元素である場合には、その添加濃度は、重量比率で1wt%以上であるのが好適であり、3wt%以上であれば更に好適である。また、コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布は、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少するのが好適であり、或いは、1箇所以上の極大を有しているのが好適である。
【0014】
この光増幅用ファイバは以下のようにして製造される。初めに、上記に説明したような濃度分布で各種の添加物(GeO2,F元素,希土類元素,クラスタリング抑制剤)が添加された光ファイバ母材が製造される。すなわち、この光ファイバ母材は、後に線引されて光ファイバのコア領域となるべきコア部と、光ファイバのクラッド領域となるべきクラッド部とを有している。光ファイバ母材のコア部は、GeO2,希土類元素およびクラスタリング抑制剤が添加された石英ガラスからなる。光ファイバ母材のクラッド部は、F元素が添加された石英ガラスからなる。このような光ファイバ母材は、MCVD法により、Geを含む石英を主成分とするガラス微粒子をガラス管(F元素添加のクラッド部)内壁に堆積させ、溶液含浸法により、希土類元素およびクラスタリング抑制剤をガラス微粒子層に添加し、その後、透明化および中実化を行なうことで製造される。
【0015】
そして、この光ファイバ母材の一端を加熱・溶融し線引することで、光増幅用ファイバが製造される。この線引の際の線引張力は23.5N/mm2〜205.8N/mm2(2.4kgf/mm2〜21kgf/mm2)の範囲内とされる。このようにして製造された光増幅用ファイバは、ガラス欠陥等の生成が少なく、背景損失の増加が抑制されて、励起効率が優れたものとなる。また、この光増幅用ファイバは、コア領域の結晶化が発生し難く、断線やファイバ外径異常の発生が抑制されたものとなる。
【0016】
次に、第1実施形態に係る光増幅用ファイバの実施例について説明する。図2は、実施例1a,実施例1b,実施例1c,実施例1d,実施例1e,実施例1f,実施例2a,実施例2bおよび実施例3それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、純石英ガラスの屈折率を基準とするクラッド領域の比屈折率差、線引速度、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0017】
実施例1a〜1fそれぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.1wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が1.8wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が400wt.ppmであり、クラッド領域の比屈折率差が−0.40%であり、線引速度が100m/分であった。実施例1a〜1fそれぞれの場合で、線引張力が0.8kgf/mm2〜22.8kgf/mm2の範囲で異なるものとされた。その結果、線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなるものの、不具合発生頻度が多くなった。線引速度が23.5N/mm2〜205.8N/mm2(2.4kgf/mm2〜21kgf/mm2)の範囲内であれば、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0018】
実施例2a,実施例2bおよび実施例3それぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が5.9wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が5.8wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2500wt.ppmであった。実施例2aおよび実施例2bそれぞれでは、クラッド領域の比屈折率差が−0.30%であり、線引速度が250m/分であった。実施例3では、クラッド領域の比屈折率差が−0.10%であり、線引速度が150m/分であった。実施例2aでは線引張力を3.7kgf/mm2とし、実施例2bでは線引張力を14.3kgf/mm2とし、実施例3aでは線引張力を7.3kgf/mm2としたところ、何れの実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0019】
図3は、波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。この図には、線引速度が50m/分,100m/分および250m/分それぞれの場合について、損失値と線引張力との関係が示されている。この図からも判るように線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなる。線引速度が2.4kgf/mm2以上であれば、波長1.20μmでの損失値が10dB/km以下となり、光増幅器の光増幅媒体として光増幅用ファイバが用いられる場合に実用的なものとなる。一方、線引速度が21kgf/mm2を超えると、コア領域の結晶化が原因と考えられる断線またはファイバ外径異常が多発し、良好な光増幅用ファイバを得ることができない。
【0020】
図4は、実施例4および実施例5それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、コア領域のLa元素添加濃度、コア領域のYb元素添加濃度、純石英ガラスの屈折率を基準とするクラッド領域の比屈折率差、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0021】
実施例4および実施例5それぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.4wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が3.1wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2200wt.ppmであり、クラッド領域の比屈折率差が−0.30%であり、線引張力が9.8kgf/mm2であった。実施例4の光増幅用ファイバのコア領域には濃度0.9wt%のLa元素が添加され、実施例5の光増幅用ファイバのコア領域には濃度0.8wt%のYb元素が添加された。何れの実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0022】
(第2実施形態)
次に、本発明に係る光増幅用ファイバおよび光増幅用ファイバ製造方法の第2実施形態について説明する。図5は、第2実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。同図(a)は屈折率プロファイルを示し、同図(b)はGeO2添加濃度分布を示し、同図(c)は希土類元素添加濃度分布を示し、同図(d)はクラスタリング抑制剤添加濃度分布を示す。同図(a)〜(d)それぞれにおいて、横軸は、光増幅用ファイバの光軸に直交する直線上の位置を表す。
【0023】
図5に示されるように、第2実施形態に係る光増幅用ファイバは、コア領域およびクラッド領域を有する石英系の光ファイバであって、コア領域に屈折率上昇剤であるGeO2が添加され、クラッド領域が実質的に純石英ガラスとされている。そして、この光増幅用ファイバは、コア領域の屈折率がクラッド領域の屈折率より高い。この光増幅用ファイバのコア領域には希土類元素が添加されている。コア領域に添加される希土類元素は、好適には、Er元素,Nd元素,Tm元素,等である。光増幅用ファイバは、コア領域に添加された希土類元素を励起し得る波長の励起光が供給されることで、信号光を光増幅することができる。また、この光増幅用ファイバは、波長1.20μmにおける損失値が10dB/kmである。なお、波長1.20μmは、希土類元素の1種であるEr元素の吸収損失の影響を殆ど受けない波長である。
【0024】
この光増幅用ファイバのコア領域にはクラスタリング抑制剤が添加されているのが好適である。コア領域に添加されるクラスタリング抑制剤は、コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるものであって、好適には、Al元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つである。クラスタリング抑制剤がAl元素である場合には、その添加濃度は、重量比率で1wt%以上であるのが好適であり、3wt%以上であれば更に好適である。また、コア領域におけるクラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布は、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少するのが好適であり、或いは、1箇所以上の極大を有しているのが好適である。
【0025】
この光増幅用ファイバは、第1実施形態の場合と略同様にして製造される。ただし、第2実施形態では、ガラス微粒子を内壁に堆積させるガラス管(クラッド部)が純石英ガラスからなる点、および、線引張力が78.4N/mm2〜284.2N/mm2(8kgf/mm2〜29kgf/mm2)の範囲内とされる点、で相違する。このようにして製造された光増幅用ファイバは、ガラス欠陥等の生成が少なく、背景損失の増加が抑制されて、励起効率が優れたものとなる。また、この光増幅用ファイバは、コア領域の結晶化が発生し難く、断線やファイバ外径異常の発生が抑制されたものとなる。
【0026】
次に、第2実施形態に係る光増幅用ファイバの実施例について説明する。図6は、実施例6a,実施例6b,実施例6c,実施例6d,実施例6eおよび実施例7それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、線引速度、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0027】
実施例6a〜6eそれぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.5wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が1.7wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が350wt.ppmであり線引速度が100m/分であった。実施例6a〜6eそれぞれの場合で、線引張力が4.1kgf/mm2〜29.3kgf/mm2の範囲で異なるものとされた。その結果、線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなるものの、不具合発生頻度が多くなった。78.4N/mm2〜284.2N/mm2(8kgf/mm2〜29kgf/mm2)の範囲内であれば、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0028】
実施例7の光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が6.2wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が5.9wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2200wt.ppmであり、線引速度が250m/分であり、線引張力が10.6kgf/mm2であった。この実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0029】
図7は、波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。この図には、線引速度が50m/分,100m/分および250m/分それぞれの場合について、損失値と線引張力との関係が示されている。この図からも判るように線引張力が大きいほど、波長1.20μmでの損失値が小さくなる。線引速度が8kgf/mm2以上であれば、波長1.20μmでの損失値が10dB/km以下となり、光増幅器の光増幅媒体として光増幅用ファイバが用いられる場合に実用的なものとなる。一方、線引速度が29kgf/mm2を超えると、コア領域の結晶化が原因と考えられる断線またはファイバ外径異常が多発し、良好な光増幅用ファイバを得ることができない。
【0030】
図8は、実施例8および実施例9それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。この図には、各実施例について、左から順に、コア領域のGe元素添加濃度、コア領域のAl元素添加濃度、コア領域のEr元素添加濃度、コア領域のLa元素添加濃度、コア領域のYb元素添加濃度、線引張力、波長1.20μmでの損失値、不具合(断線、ファイバ外径異常)の発生頻度、が示されている。
【0031】
実施例7および実施例8それぞれの光増幅用ファイバは、コア領域のGe元素添加濃度が8.2wt%であり、コア領域のAl元素添加濃度が3.2wt%であり、コア領域のEr元素添加濃度が2300wt.ppmであり、線引張力が14.7kgf/mm2であった。実施例7の光増幅用ファイバのコア領域には濃度0.7wt%のLa元素が添加され、実施例8の光増幅用ファイバのコア領域には濃度1.1wt%のYb元素が添加された。何れの実施例でも、波長1.20μmでの損失値が小さく、且つ、不具合発生頻度が少なかった。
【0032】
(変形例)
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、光増幅用ファイバのモードフィールド径は、信号光波長である波長1.55μmにおいて、4.0μm〜7.5μmであるのが好適であり、4.2μm〜7.0μmであれば更に好適である。
【0033】
第1実施形態に係る光増幅用ファイバにおいて、純石英ガラスの屈折率を基準とするクラッド領域の比屈折率差は、−0.7%〜−0.05%であるのが好適であり、−0.5%〜−0.1%であれば更に好適である。
【0034】
光増幅用ファイバのコア領域に添加される希土類元素がEr元素であって、Er元素添加濃度が300ppm以上であるときには、濃度消光を防止するために、多くのクラスタリング抑制剤をコア領域中に添加する必要があり、上述した本実施形態に係る光増幅用ファイバの構成および製造方法とすることが有効である。特に、Al元素添加濃度が1wt%以上(更に3wt%以上)であるときに効果が顕著である。
【0035】
第1実施形態に係る光増幅用ファイバを製造する際の線引張力は、55.9N/mm2〜159.7N/mm2(5.7kgf/mm2〜16.3kgf/mm2)であれば更に好適である。第2実施形態に係る光増幅用ファイバを製造する際の線引張力は、88.2N/mm2〜245N/mm2(9kgf/mm2〜25kgf/mm2)であれば更に好適である。
【0036】
光増幅用ファイバのファイバ径は、標準的な125μmであってもよいし、これより細い80μm等であってもよいし、これより太い200μm等であってもよい。
【0037】
線引速度は、生産性の観点から、30m/分以上であるのが好適であり、50m/分以上であれば更に好適である。また、光増幅用ファイバを製造するための光ファイバ母材が通常のものと比較して小さいことから、線引速度は、歩留まりの観点から、300m/分以下であるのが好適であり、250m/分以下であれば更に好適である。
【0038】
光ファイバ母材は、MCVD法により製造されてもよいが、VAD法によりガラス微粒子堆積体を製造し、溶液含浸法により、希土類元素およびクラスタリング抑制剤をガラス微粒子体に添加し、その後、透明化したものをコアロッドとして使用することで製造してもよい。また、光ファイバ母材は、OVD法、PCVD法、ソルゲル法、等により製造してもよい。
【0039】
光ファイバ母材を線引する際に、光ファイバ母材を中心軸の回りに回転させながら線引するのも好適であり、光増幅用ファイバに捻りを加えながら線引するのも好適である。このようにして製造される光増幅用ファイバは、偏波依存損失や偏波モード分散が低減されたものとなる。
【0040】
光ファイバ母材のクラッド部として、ガラス化前に塩素系ガスを用いて脱水処理を行なった高純度ガラス材料を使用するのが好適である。
【0041】
また、クラスタリング抑制剤の添加濃度だけでなく、他の添加元素の添加物濃度も、コア領域およびクラッド領域それぞれで一様でなくてもよい。屈折率も、コア領域およびクラッド領域それぞれで一様でなくてもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明によれば、光ファイバ母材を線引して光増幅用ファイバを製造する際に線引張力を所定の範囲内とすることにより、良好な特性を有することができる光増幅用ファイバを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。
【図2】実施例1a,実施例1b,実施例1c,実施例1d,実施例1e,実施例1f,実施例2a,実施例2bおよび実施例3それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【図3】波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。
【図4】実施例4および実施例5それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【図5】第2実施形態に係る光増幅用ファイバの説明図である。
【図6】実施例6a,実施例6b,実施例6c,実施例6d,実施例6eおよび実施例7それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
【図7】波長1.20μmでの損失値と線引張力との関係を示すグラフである。
【図8】実施例8および実施例9それぞれの光増幅用ファイバの諸元を纏めた図表である。
Claims (13)
- コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバを製造する方法であって、
希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア部と、このコア部を取り囲みF元素が添加された石英ガラスからなり純石英ガラスより低屈折率であるクラッド部と、を有する光ファイバ母材を用意し、
加熱・溶融した前記光ファイバ母材を23.5N/mm2〜205.8N/mm2の線引張力で線引して、前記光増幅用ファイバを製造する、
ことを特徴とする光増幅用ファイバ製造方法。 - コア領域に希土類元素が添加された光増幅用ファイバを製造する方法であって、
希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア部と、このコア部を取り囲み実質的に純石英ガラスからなるクラッド部と、を有する光ファイバ母材を用意し、
加熱・溶融した前記光ファイバ母材を78.4N/mm2〜284.2N/mm2の線引張力で線引して、前記光増幅用ファイバを製造する、
ことを特徴とする光増幅用ファイバ製造方法。 - 前記コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤が前記コア部に添加されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の光増幅用ファイバ製造方法。
- 前記クラスタリング抑制剤がAl元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つである、ことを特徴とする請求項3記載の光増幅用ファイバ製造方法。
- 前記クラスタリング抑制剤がAl元素であり、その添加濃度が重量比率で1wt%以上である、ことを特徴とする請求項4記載の光増幅用ファイバ製造方法。
- 前記クラスタリング抑制剤がAl元素であり、その添加濃度が重量比率で3wt%以上である、ことを特徴とする請求項4記載の光増幅用ファイバ製造方法。
- 希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア領域と、このコア領域を取り囲みF元素が添加された石英ガラスからなり純石英ガラスより低屈折率であるクラッド領域と、を有し、
前記コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤が前記コア領域に添加されており、
前記コア領域における前記クラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布が、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少し、又は、1箇所以上の極大を有しており、
波長1.20μmにおける損失値が10dB/km以下である、
ことを特徴とする光増幅用ファイバ。 - 23.5N/mm2〜205.8N/mm2の線引張力で線引して製造されたものである、ことを特徴とする請求項7記載の光増幅用ファイバ。
- 希土類元素が添加された石英ガラスからなるコア領域と、このコア領域を取り囲み実質的に純石英ガラスからなるクラッド領域と、を有し、前記コア領域に添加された希土類元素のクラスタリングを減少させるクラスタリング抑制剤が前記コア領域に添加されており、
前記コア領域における前記クラスタリング抑制剤の添加濃度の径方向分布が、コア中心からの距離が大きくなるに従い次第に減少し、又は、1箇所以上の極大を有しており、
波長1.20μmにおける損失値が10dB/km以下である、
ことを特徴とする光増幅用ファイバ。 - 78.4N/mm2〜284.2N/mm2の線引張力で線引して製造されたものである、ことを特徴とする請求項9記載の光増幅用ファイバ。
- 前記クラスタリング抑制剤がAl元素,La元素およびYb元素の少なくとも何れか一つである、ことを特徴とする請求項7または9に記載の光増幅用ファイバ。
- 前記クラスタリング抑制剤がAl元素であり、その添加濃度が重量比率で1wt%以上である、ことを特徴とする請求項11記載の光増幅用ファイバ。
- 前記クラスタリング抑制剤がAl元素であり、その添加濃度が重量比率で3wt%以上である、ことを特徴とする請求項11記載の光増幅用ファイバ。
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- 2002-10-04 JP JP2002292496A patent/JP2004123480A/ja active Pending
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