JP2004109372A - Electrooptical device, method for manufacturing the same, and electronic appliance - Google Patents

Electrooptical device, method for manufacturing the same, and electronic appliance Download PDF

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JP2004109372A JP2002270503A JP2002270503A JP2004109372A JP 2004109372 A JP2004109372 A JP 2004109372A JP 2002270503 A JP2002270503 A JP 2002270503A JP 2002270503 A JP2002270503 A JP 2002270503A JP 2004109372 A JP2004109372 A JP 2004109372A
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Yukiya Hirabayashi
平林 幸哉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an image signal from being adversely affected under high speed driving in relation to an electrooptical device with a built-in driving circuit, of which the peripheral driving circuit to matrix drive a pixel part is integrally formed on an active matrix substrate, in relation to a method for manufacturing the same and in relation to an electronic appliance. <P>SOLUTION: Parts out of a common electrode 220 disposed on a counter substrate 200, which, in a plane view, overlap with the peripheral driving circuits 130, 170 or wiring to supply signals to the peripheral driving circuits 130, 170 disposed on the active matrix substrate 100 are removed. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画素部をマトリクス駆動するための周辺駆動回路がアクティブマトリクス基板上に一体に形成された駆動回路内蔵型の電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の電気光学装置、例えば液晶装置に用いられるアクティブマトリクス基板では、走査線駆動回路やデータ線駆動回路等、画素部を駆動するための周辺駆動回路を基板上に作り込んだ駆動回路内蔵型のものが開発されている。この種の電気光学装置では、周辺駆動回路の構成素子と画素部を駆動するスイッチング素子とが共通のプロセスで製造される。例えば、液晶装置において周辺駆動回路を構成する素子は、画素部を駆動する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor,以下TFTと略記する)と同時に形成されるので、駆動回路を別の基板上に形成してその基板を実装するものと比較して、装置全体の小型化やコスト低減を図る上で有利となる。
【0003】
上述の液晶装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板とがスペーサの混入されたシール材によって一定の間隔を保って貼り合わせられ、この一対の基板とシール材とにより形成された空間に液晶が封入された構造となっている。
【0004】
この対向基板には、その内面側(液晶側)にITO等の共通電極が全面に亘って形成されており、この対向基板の外周に沿って上述のシール材が枠状に設けられている。一方、アクティブマトリクス基板の内面側には、走査線と信号線とがマトリクス状に形成され、その交差部にTFT及び画素電極からなる画素部がそれぞれ形成されている。そして、この画素部がマトリクス状に形成された領域により矩形の表示領域が構成されている。
【0005】
また、この表示領域の周辺部には、各走査線に対してパルス状の走査信号を順次に供給する走査線駆動回路や、各信号線に所定の画像信号を供給するデータ線駆動回路等からなる周辺駆動回路が、上記矩形の表示領域の端辺に沿うように配置されている。このデータ線駆動回路は、所定の信号線を選択する水平シフトレジスタと、選択された信号線にサンプリングされた画像信号を供給するサンプルホールド回路とから構成されており、走査線駆動回路,水平レジスタによりそれぞれ所定の走査線,信号線が選択されると、選択されたこれらのラインの交差部に位置する画素部に画像信号が供給されるようになっている。
【0006】
【特許文献1】
特開平8−248405号公報
【特許文献2】
特開平11−109408号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の走査線駆動回路やデータ線駆動回路は、通常、数MHz程度の周波数で駆動されており、対向基板上の共通電極とアクティブマトリクス基板上の周辺駆動回路やこの周辺駆動回路に信号を供給する各種配線との間に形成される寄生容量が問題となることは殆どない。つまり、このような寄生容量によって信号遅延が生じても、この遅延時間は信号書き込み時間に比べて十分小さいため、画像信号になまりが生じる虞は少ない。
【0008】
これに対して、近年、より高品質な表示を得るために、周辺駆動回路には数十MHz程度の高速駆動が要求されるようになってきている。この場合、書き込み時間が遅延時間に比べて十分大きいとはいえなくなるため、上述の寄生容量によって画像信号になまりが生じ、画質を劣化させる虞がある。
【0009】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、高速駆動下での画像信号のなまりを防止できるようにした電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、上記走査線に交差するように設けられた複数の信号線と、上記走査線と上記信号線との交差部にそれぞれ設けられた複数の画素電極と、上記各画素をマトリクス駆動する周辺駆動回路とを同一面上に有するアクティブマトリクス基板と、一方の面に共通電極が設けられ、上記共通電極と上記画素電極とが向かい合うように上記アクティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記共通電極の内、上記周辺駆動回路又は上記周辺駆動回路に信号を供給する配線と、平面視で重なる部分が除去されたことを特徴とする。
【0011】
本構成によれば、周辺駆動回路と共通電極との間の寄生容量の発生が未然に防止され、周辺駆動回路を高速で駆動した場合でも、信号なまりが少なく、高品質な表示が得られる。また、周辺駆動回路等と対向する部分の共通電極を除去するだけで上述の寄生容量の発生が防止されるため、周辺駆動回路等の配置の自由度を高めることができる。
特に、上記周辺駆動回路が、単結晶シリコンからなるチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備え、10MHz以上の高速駆動が可能なものに対して、上述の効果は特に大きい。
【0012】
なお、上記周辺駆動回路には、データ線駆動回路とサンプルホールド回路とのいずれかが含まれ、上記配線には、クロック信号線、画像信号選択線、画像信号線の内の少なくとも一つが含まれるようにすることが望ましい。
上述の周辺駆動回路は、特に高速な駆動が要求されるため、共通電極との間で生じる寄生容量により大きな信号なまりが生じる虞がある。したがって、共通電極が平面視で上述のような周辺駆動回路と重ならないようにすることで、表示品質を大きく高めることができる。
【0013】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、アクティブマトリクス基板の一面に、複数の画素電極と、上記複数の画素電極をマトリクス駆動する周辺駆動回路とを形成する工程と、対向基板の一面に、共通電極を全面に亘って形成する工程と、上記対向基板の上記共通電極の内、上記周辺駆動回路又は上記周辺駆動回路に信号を供給する配線と平面視で重なる部分を除去する工程と、上記画素と上記共通電極とが向かい合うように、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板とを、シール材により一定の間隔を保って貼り合わせる工程と、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板と上記シール材とにより形成される空間に液晶を注入して液晶層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
本製造方法によれば、共通電極の一部をエッチングするだけで、周辺駆動回路と共通電極との間の寄生容量の発生を簡単に防止でき、従来の製造工程を略そのまま踏襲することができる。
【0014】
また、本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。本構成によれば、信号なまりの少ない高品位な画像表示が可能な電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は本実施形態の電気光学装置の一例としての液晶装置のアクティブマトリクス基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図2は対向基板を含めて示す図1のH−H’断面図であり、図3はアクティブマトリクス基板上に設けられた各種配線や周辺回路等の電気的な構成を示すブロック図である。
【0016】
本実施形態の液晶装置は周辺駆動回路が一体に形成された周辺回路内蔵型の電気光学装置として構成されており、図3に示すように、ハードガラスや石英等からなるアクティブマトリクス基板100の中央部に矩形の表示領域150が設けられ、その表示領域150の外側周辺に、走査線駆動回路120,データ線駆動回路110及びこれらの回路110,120にクロック信号や画像信号等の所定の信号を供給する各種配線からなる周辺駆動回路が設けられている。
【0017】
ここで、表示領域150には、走査線155,信号線156がそれぞれX方向,Y方向に複数形成されており、各走査線155,信号線156の交差部には、TFT(薄膜トランジスタ)152と矩形の画素電極151とからなる画素部が形成されている。このTFT152のゲート及びソースはそれぞれ走査線155,信号線156に接続され、ドレインは画素電極151に接続されている。また、保持特性を高めるために、ドレインには画素電極151と並列に蓄積容量151aが接続されている。
【0018】
走査線駆動回路120は、主に垂直シフトレジスタから構成されており、一垂直走査期間内に、クロック信号線(図示略)を介して外部制御装置から供給される基準クロック等に基づいて、走査線155に対してパルス状の走査信号G1,G2,・・・,Gmを線順次で印加するようになっている。
【0019】
データ線駆動回路110は、クロック信号線(図示略)を介して外部制御装置から供給される基準クロックに基づいて、各サンプリング駆動信号線111にサンプリング駆動信号S1,S2,・・・Snを順次供給する水平シフトレジスタ110と、画像信号線112を介して供給された画像信号VID1〜VID6をサンプリングするサンプルホールド回路130とから構成されている。
【0020】
サンプルホールド回路130は、信号線毎に設けられたサンプリングスイッチ(TFT)131を備えており、各サンプリングスイッチ131は、水平シフトレジスタ110からサンプリング駆動信号S1,S2,・・・,Snが入力されると、六つの画像信号線112のそれぞれについてサンプリングされた画像信号VID1〜VID6を六つの隣接する信号線156からなるグループ毎に順次印加するようになっている。これにより、一水平走査期間(即ち、走査線駆動回路120により1本の走査線155に走査信号が供給されている期間)に、各信号線156に対してサンプリングされた画像信号が供給されるようになっている。
【0021】
また、図1に示すように、アクティブマトリクス基板100の下辺側の端部には、外部制御装置を実装するための実装端子140が設けられており、この実装端子140を介して外部制御装置から走査線駆動回路120,データ線駆動回路110に対して各種信号が供給されるようになっている。
また、上述のように構成されたアクティブマトリクス基板100上にはポリイミド等からなる配向膜(図示略)が形成され、更に、表示領域150を囲むようにシール材160が矩形枠状に塗布される。
【0022】
なお、上述の各周辺駆動回路を構成するTFTと、表示領域150の各画素部を構成するTFT152とは共通のプロセスで製造されている。また、駆動能力を高めるために、TFTのチャネル領域には単結晶シリコンが用いられており、例えばアクティブマトリクス基板100上にSOI(Silicon on Insulator)技術を用いて形成されている。このようにTFTのチャネル領域に電荷移動度の高い単結晶シリコンを用いることで、数十から数百MHzという高速駆動に対応できるようになっている。
【0023】
また、これらの回路110,120は、アクティブマトリクス基板のサイズを一定とした場合に表示品位を最大限高められるように、その配置が規定されている。例えば、図1に示すように、駆動電圧に直流成分の含まれる走査線駆動回路120とデータ線駆動回路110の水平レジスタ170は液晶に面しない領域(即ち、シール材の枠外)に配置されており、これらの回路から液晶層50に漏れ込んだ直流電圧によって液晶層50が劣化されることを防止するようになっている。
【0024】
また、対向電極電位に対して交流駆動の行なわれるサンプルホールド回路130はシール材160の枠内に配置され、シール材160がサンプルホールド回路130と水平シフトレジスタ170との間に配置されるようになっている。このように配置することで、基板100,200を貼り合わせる際に、シール材160のつぶれによってシール材160が表示領域150内に広がる虞が少なくなるため、シール幅のマージンを小さく設定することができる。これにより、アクティブマトリクス基板100のサイズを小型化でき、コスト的に有利となる。また、サンプルホールド回路130の出力信号電圧は液晶を介して設けられた遮光膜210,共通電極220電位に対して直流成分が含まれないため、回路からの漏れ電圧により液晶が劣化することはない。
【0025】
一方、図1,図2に示すように、ガラス等からなる対向基板200の内面側(液晶層50側)には、表示領域150の外周に沿って、Cr(クロム),Ni(ニッケル),Al(アルミニウム)等の金属材料からなる遮光膜(周辺見切り)210が矩形枠状に形成され、更に、この遮光膜210及び基板面を覆うように、ITO等からなる透明な共通電極220が形成されている。
【0026】
これらの遮光膜210,共通電極220は、高速駆動の行なわれるデータ線駆動回路110やこのデータ線駆動回路110に種々の信号を供給する画像信号線112,サンプリング駆動信号線(画像信号選択線)306,クロック信号線(図示略)等と平面視で重ならないように配置されている。
例えば、遮光膜210の下辺側の端辺は、平面視でデータ線駆動回路110及び上述の各種配線よりも表示領域150側に配置されており、データ線駆動回路110と上述の各種配線の内、サンプルホールド回路130が表示領域150に最も近接して配置されている場合には、遮光膜210の下辺側の端辺は、平面視でサンプルホールド回路130と表示領域150との間に配置される。これに対して、共通電極220では、平面視でデータ線駆動回路110及び上述の各種配線と重なる部分220aの電極面が除去されている。
【0027】
このように高速駆動の行なわれる周辺駆動回路に対向する位置に遮光膜210や共通電極220等の導電材料を設けないようにすることで、これらの導電材料と周辺駆動回路との間で寄生容量が発生することを未然に防止でき、信号なまりの少ない高品質な表示が得られるようになっている。なお、対向基板200の共通電極220は、例えば、対向基板200上に遮光膜210を形成した後、基板全面に亘ってITO等からなる透明電極を形成し、平面視でデータ線駆動回路110等と重なる部分をエッチングにより除去することで得られる。
【0028】
この対向基板200は、上述のシール材160によりアクティブマトリクス基板100と貼り合わされ、シール材160内に設けられるスペーサ(図示略)により一定間隔を保って保持される。そして、この基板100,200とシール材160とにより形成される空間に液晶が充填され、液晶層50が形成されている。また、シール材160の四隅の内、少なくとも一箇所に設けられた導通剤161によって、アクティブマトリクス基板100と対向基板200との導通が図られている。
【0029】
このような構成において、外部制御装置から、ある走査線155に走査信号Gmが供給されると、まず、この走査線155に接続されるTFT152が全てオンする。これと並行して、画像信号線112から供給される六つのパラレルな画像信号VID1〜VID6がサンプルホールド回路130によってサンプリングされる。次に、サンプリング駆動信号S1,S2,・・・,Snが順に供給されると、サンプリングされた画像信号VID1〜VID6がオンされたTFT152に対応する液晶層50に書き込まれ、所定の期間保持される。この際、各画素の液晶層50に印加される電圧レベルに応じて液晶分子の配向や秩序が変化するので、その光変調によって階調表示が行われることになる。
【0030】
したがって、本発明の電気光学装置によれば、データ線駆動回路110のように高速駆動が要求される周辺駆動回路及びこの周辺駆動回路に信号を供給する各種配線と共通電極220との間に寄生容量が生じることを防止できるため、このような周辺駆動回路を高速で駆動した場合でも、信号なまりが少なく、高品質な表示が得られる。また、周辺駆動回路等と対向する部分の共通電極220を除去するだけで上述の寄生容量の発生が防止されるため、回路配置の自由度を高めることができる。
【0031】
また、このような寄生容量の発生は、対向基板200上に全面に亘って形成された共通電極220の一部(即ち、平面視で周辺駆動回路と重なる部分)をエッチング等により除去するだけで防止できるため、従来の製造工程を略そのまま踏襲することができる。
【0032】
(電子機器)
次に、以上詳細に説明した電気光学装置を備えた電子機器の実施の形態について図4〜図8を参照して説明する。
【0033】
先ず図4に、このように電気光学装置を備えた電子機器の概略構成を示す。
図4において、電子機器は、表示情報出力源1000、表示情報処理回路1002、前述の電気光学装置としての液晶パネル10、クロック発生回路1008並びに電源回路1010を備えて構成されている。
【0034】
表示情報出力源1000は、ROM(Read OnlyMemory)、RAM(Random Access Memory)、光ディスク装置などのメモリ、同調回路等を含み、クロック発生回路1008からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路1002に出力する。表示情報処理回路1002は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路1004に出力する。
【0035】
駆動回路1004は、走査線駆動回路120及びデータ線駆動回路110によって前述の駆動方法により液晶パネル10を駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶パネル10を構成するTFTアレイ基板の上に、駆動回路1004を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路1002を搭載してもよい。
【0036】
次に、図5〜図8に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。
図5は、液晶プロジェクタの一例を示す断面図である。この液晶プロジェクタ1100は、前述の電気光学装置10をRGB用のライトバルブ10R、10G及び10Bとして備えた投写型プロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ1100では、白色光源のランプユニット1102から投射された白色光は、ライトガイド1104の内部で複数のミラー1106に誘導され、2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に対応する光成分R,G,Bに分けられる。そして、これらの光成分R,G,Bはそれぞれ各色に対応するライトバルブ10R,10G,10Bにより変調され、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投写レンズ1114を介してスクリーン等に投写される。
【0037】
図6は、ラップトップ型のパーソナルコンピュータの一例を示す正面図である。このパーソナルコンピュータ1200は、本体1204にCPU,メモリ,モデム,キーボード1202を備え、更に、上述した電気光学装置10を表示部としてトップカバーケース内に備えている。
【0038】
図7は、ページャの一例を示す分解斜視図である。ページャ1300は、前述の電気光学装置10を表示部として備え、この電気光学装置10は、バックライト1306aを含むライトガイド1306、回路基板1308、第1及び第2のシールド板1310及び1312、二つの弾性導電体1314及び1316、並びにフィルムキャリアテープ1318と共に金属フレーム1302内に収容されている。
【0039】
なお、このページャ1300は、図8に示すように、回路部を外付けすることもできる。例えば、このようなページャでは、表示情報処理回路1002を含むIC1324がポリイミドテープ1322上に実装されたTCP(Tape Carrier Package)1320が、異方性導電フィルムを介して、アクティブマトリクス基板1に物理的且つ電気的に接続されている。
【0040】
なお、本実施形態の電気光学装置は、図5〜図8に示した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の表示部として用いることができる。
【0041】
したがって、本電子機器は、上記実施形態の電気光学装置を表示部として備えているので、信号なまりの少ない高品位の画像表示が可能な表示部を有する電子機器を実現することができる。
【0042】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【0043】
例えば、アクティブマトリクス基板100には、上述の走査線駆動回路120,データ線駆動回路110,サンプルホールド回路130の他に、プリチャージ回路を形成してもよい。このプリチャージ回路はデータ線駆動回路の信号線156への画像信号の書き込み負荷を低減するために、信号線156を、画像信号のサンプリングに先行するタイミングで所定電位にプリチャージするものであり、データ線駆動回路の補助的機能とみなすこともできる。このプリチャージ回路は、サンプルホールド回路130と同様に高速駆動が要求されることから、アクティブマトリクス基板100上にプリチャージ回路を形成する場合には、対向基板200の共通電極220の内、このプリチャージ回路やプリチャージ回路に信号を供給するプリチャージ信号線と平面視で重なる部分をエッチング等により除去することが望ましい。
【0044】
また、本実施形態では、共通電極220の内、上述の周辺駆動回路に対向する部分のみ除去した構成となっているが、表示に寄与しない部分(即ち、表示領域150以外の領域)の共通電極を全て除去することも可能である。ただし、この場合、導通部材106によりアクティブマトリクス基板100と対向基板200との導通をとるため電極部分は確保する必要がある。
【0045】
さらに、本実施形態では、走査線155を二つの走査線駆動回路120により両側から駆動する構成となっているが、走査線155に供給される走査信号の遅延が問題にならない場合には、一方の走査線駆動回路120を省略して、一つの走査線駆動回路120により走査線155を駆動するようにしてもよい。
【0046】
また、対向基板200には、電気光学装置の用途に応じてカラーフィルタが設けられ、隣接するカラーフィルタの間にはCr,Ni,Al等の金属材料或いは、C(カーボン)やTi(チタン)等をフォトレジストに分散させた樹脂ブラック等の遮光層が設けられる。なお、電気光学装置を、例えばプロジェクタのライトバルブ等の色光変調素子として用いる場合には、対向基板200には、カラーフィルタは設けられずに遮光膜が形成される。また、必要に応じて電気光学装置に光を照射するフロントライトやバックライトを設けてもよい。
【0047】
さらに、電気光学装置の液晶層50には、TN液晶,STN液晶等のように初期の配向状態を配向膜によって規定されるものの他、高分子中に液晶分子を、配向状態がランダムとなるように分散させた高分子分散型液晶を用いることもできる。また、上述した説明にあっては、電気光学装置を、液晶装置として説明したが、本発明はこれに限るものではなく、エレクトロルミネッセンス(EL)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、或いは、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子を用いた電気光学装置および該電気光学装置を備えた電子機器に対しても適用可能であるということは言うまでもない。
【0048】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明によれば、対向基板上に形成された共通電極の内、周辺駆動回路と平面視で重なる部分が除去されているため、周辺駆動回路と共通電極との間の寄生容量の発生が未然に防止される。これにより、周辺駆動回路を高速で駆動した場合でも、信号なまりが少なく、高品質な表示が得られる。また、周辺駆動回路等と対向する部分の共通電極を除去するだけで上述の寄生容量の発生が防止されるため、周辺駆動回路等の配置の自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の一例としての液晶装置のアクティブマトリクス基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の一例としての液晶装置の断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の一例としての液晶装置の電気的な回路構成を示すブロック図である。
【図4】本発明の電子機器の機能的な構成を示すブロック図である。
【図5】本発明の電子機器の一例としての液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図6】本発明の電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図7】本発明の電子機器の他の例としてのページャを示す分解斜視図である。
【図8】本発明の電子機器の他の例としてのTCPを用いた液晶装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
50 液晶層
100 アクティブマトリクス基板
110 データ線駆動回路
111 サンプリング駆動信号線(画像信号選択線)
112 画像信号線
130 サンプルホールド回路
155 走査線
156 信号線
200 対向基板
220 共通電極
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device having a built-in driving circuit in which a peripheral driving circuit for driving a pixel portion in a matrix is integrally formed on an active matrix substrate, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
In a conventional electro-optical device, for example, an active matrix substrate used in a liquid crystal device, a driving circuit built-in type in which a peripheral driving circuit for driving a pixel portion, such as a scanning line driving circuit and a data line driving circuit, is formed on the substrate. Things are being developed. In this type of electro-optical device, components of a peripheral driving circuit and switching elements for driving a pixel portion are manufactured by a common process. For example, in a liquid crystal device, an element forming a peripheral driver circuit is formed simultaneously with a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) for driving a pixel portion. This is advantageous in reducing the size and cost of the entire device as compared with those on which a substrate is mounted.
[0003]
In the above-described liquid crystal device, the active matrix substrate and the opposing substrate are bonded to each other with a fixed interval by a sealing material mixed with a spacer, and liquid crystal is sealed in a space formed by the pair of substrates and the sealing material. Structure.
[0004]
A common electrode made of ITO or the like is formed on the inner surface (liquid crystal side) of the opposing substrate over the entire surface, and the above-described sealing material is provided in a frame shape along the outer periphery of the opposing substrate. On the other hand, on the inner surface side of the active matrix substrate, scanning lines and signal lines are formed in a matrix, and a pixel portion including a TFT and a pixel electrode is formed at the intersection. Then, a rectangular display area is formed by an area where the pixel portions are formed in a matrix.
[0005]
In addition, in a peripheral portion of the display area, a scanning line driving circuit that sequentially supplies a pulsed scanning signal to each scanning line, a data line driving circuit that supplies a predetermined image signal to each signal line, and the like are provided. Peripheral driving circuit is arranged along the edge of the rectangular display area. The data line driving circuit includes a horizontal shift register for selecting a predetermined signal line, and a sample and hold circuit for supplying an image signal sampled to the selected signal line. When a predetermined scanning line and a signal line are selected, image signals are supplied to the pixel portion located at the intersection of the selected lines.
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-8-248405 [Patent Document 2]
JP-A-11-109408
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, the above-described scanning line driving circuit and data line driving circuit are usually driven at a frequency of about several MHz, and a signal is supplied to the common electrode on the opposite substrate and the peripheral driving circuit on the active matrix substrate and the peripheral driving circuit. There is almost no problem with the parasitic capacitance formed between the wiring and the wiring for supplying the voltage. That is, even if a signal delay occurs due to such a parasitic capacitance, the delay time is sufficiently shorter than the signal writing time, so that there is little possibility that the image signal will be dull.
[0008]
On the other hand, in recent years, in order to obtain a higher quality display, a peripheral drive circuit has been required to be driven at a high speed of about several tens of MHz. In this case, since the writing time is not sufficiently large compared to the delay time, the image signal may be distorted due to the above-mentioned parasitic capacitance, and the image quality may be degraded.
[0009]
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to provide an electro-optical device, a method of manufacturing the same, and an electronic apparatus capable of preventing image signal blunting under high-speed driving.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of signal lines provided so as to intersect the scanning lines, and an intersection between the scanning lines and the signal lines. A plurality of pixel electrodes respectively provided on the same surface, an active matrix substrate having a peripheral drive circuit for driving each of the pixels in a matrix on the same surface, a common electrode provided on one surface, and the common electrode and the pixel electrode And a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, wherein the liquid crystal layer is interposed between the active matrix substrate and the counter substrate. A portion that overlaps with a wiring for supplying a signal to the peripheral drive circuit in a plan view is removed.
[0011]
According to this configuration, the occurrence of a parasitic capacitance between the peripheral drive circuit and the common electrode is prevented beforehand, and even when the peripheral drive circuit is driven at a high speed, signal rounding is reduced and a high-quality display can be obtained. In addition, since the above-described parasitic capacitance is prevented from being generated only by removing the common electrode in a portion facing the peripheral driving circuit and the like, the degree of freedom in arrangement of the peripheral driving circuit and the like can be increased.
In particular, the above-described effect is particularly large when the peripheral driving circuit includes a thin film transistor having a channel region made of single-crystal silicon and can be driven at a high speed of 10 MHz or more.
[0012]
The peripheral drive circuit includes one of a data line drive circuit and a sample hold circuit, and the wiring includes at least one of a clock signal line, an image signal selection line, and an image signal line. It is desirable to do so.
Since the above-mentioned peripheral driving circuit is required to be driven at a particularly high speed, there is a possibility that large signal rounding may occur due to a parasitic capacitance generated between the peripheral driving circuit and the common electrode. Therefore, by preventing the common electrode from overlapping with the above-described peripheral driving circuit in a plan view, display quality can be significantly improved.
[0013]
The method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention further includes a step of forming a plurality of pixel electrodes and a peripheral driving circuit for driving the plurality of pixel electrodes in a matrix on one surface of the active matrix substrate; Forming a common electrode over the entire surface, and removing a portion of the common electrode of the counter substrate that overlaps in plan view with the peripheral drive circuit or a wiring for supplying a signal to the peripheral drive circuit, As the pixels and the common electrode face each other, bonding the active matrix substrate and the opposing substrate at a constant interval by a sealant, and the active matrix substrate, the opposing substrate and the sealant, Forming a liquid crystal layer by injecting liquid crystal into a space formed by the method.
According to the present manufacturing method, it is possible to easily prevent the occurrence of the parasitic capacitance between the peripheral drive circuit and the common electrode by only etching a part of the common electrode, and to follow the conventional manufacturing process almost as it is. .
[0014]
According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the above-described electro-optical device. According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus including an electro-optical device capable of displaying high-quality images with less signal distortion.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate of a liquid crystal device as an example of the electro-optical device according to the present embodiment, as viewed from a counter substrate side together with components formed thereon, and FIG. FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of various wirings, peripheral circuits, and the like provided on the active matrix substrate.
[0016]
The liquid crystal device according to the present embodiment is configured as an electro-optical device having a built-in peripheral circuit in which a peripheral drive circuit is integrally formed, and as shown in FIG. 3, a central portion of an active matrix substrate 100 made of hard glass, quartz, or the like. A rectangular display area 150 is provided in the area, and a scanning line driving circuit 120, a data line driving circuit 110, and predetermined signals such as a clock signal and an image signal are supplied to these circuits 110 and 120 around the outside of the display area 150. A peripheral drive circuit including various wirings to be supplied is provided.
[0017]
Here, in the display area 150, a plurality of scanning lines 155 and signal lines 156 are formed in the X direction and the Y direction, respectively, and a TFT (thin film transistor) 152 is formed at the intersection of each scanning line 155 and signal line 156. A pixel portion including the rectangular pixel electrode 151 is formed. The gate and the source of the TFT 152 are connected to the scanning line 155 and the signal line 156, respectively, and the drain is connected to the pixel electrode 151. In addition, a storage capacitor 151a is connected to the drain in parallel with the pixel electrode 151 in order to enhance the holding characteristics.
[0018]
The scanning line driving circuit 120 mainly includes a vertical shift register, and performs scanning in one vertical scanning period based on a reference clock or the like supplied from an external control device via a clock signal line (not shown). .., Gm are applied to the line 155 in a line-sequential manner.
[0019]
The data line drive circuit 110 sequentially sends the sampling drive signals S1, S2,... Sn to each sampling drive signal line 111 based on a reference clock supplied from an external control device via a clock signal line (not shown). It comprises a horizontal shift register 110 to be supplied and a sample and hold circuit 130 for sampling the image signals VID1 to VID6 supplied via the image signal line 112.
[0020]
The sample hold circuit 130 includes a sampling switch (TFT) 131 provided for each signal line. Each sampling switch 131 receives sampling drive signals S1, S2,..., Sn from the horizontal shift register 110. Then, the image signals VID1 to VID6 sampled for each of the six image signal lines 112 are sequentially applied to each group including six adjacent signal lines 156. Accordingly, the sampled image signal is supplied to each signal line 156 during one horizontal scanning period (that is, a period during which the scanning signal is supplied to one scanning line 155 by the scanning line driving circuit 120). It has become.
[0021]
As shown in FIG. 1, a mounting terminal 140 for mounting an external control device is provided at an end on the lower side of the active matrix substrate 100. Various signals are supplied to the scanning line driving circuit 120 and the data line driving circuit 110.
Further, an alignment film (not shown) made of polyimide or the like is formed on the active matrix substrate 100 configured as described above, and a sealing material 160 is applied in a rectangular frame shape so as to surround the display region 150. .
[0022]
Note that the TFTs constituting each of the above-described peripheral driving circuits and the TFTs 152 constituting each pixel portion of the display region 150 are manufactured by a common process. In order to enhance the driving capability, single-crystal silicon is used for the channel region of the TFT, and is formed on the active matrix substrate 100 using, for example, an SOI (Silicon on Insulator) technique. By using single-crystal silicon having high charge mobility in the channel region of the TFT, high-speed driving of several tens to several hundreds of MHz can be supported.
[0023]
The layout of these circuits 110 and 120 is defined so that the display quality can be maximized when the size of the active matrix substrate is fixed. For example, as shown in FIG. 1, the scanning line driving circuit 120 and the horizontal register 170 of the data line driving circuit 110 in which the driving voltage includes a DC component are arranged in a region not facing the liquid crystal (that is, outside the frame of the sealing material). In addition, the liquid crystal layer 50 is prevented from being deteriorated by the DC voltage leaking into the liquid crystal layer 50 from these circuits.
[0024]
In addition, the sample and hold circuit 130 that is driven by an alternating current with respect to the counter electrode potential is arranged in the frame of the seal material 160 so that the seal material 160 is arranged between the sample and hold circuit 130 and the horizontal shift register 170. Has become. By arranging in this manner, when the substrates 100 and 200 are bonded to each other, the seal material 160 is less likely to be spread in the display region 150 due to the collapse of the seal material 160, so that the seal width margin can be set small. it can. Accordingly, the size of the active matrix substrate 100 can be reduced, which is advantageous in cost. Further, since the output signal voltage of the sample and hold circuit 130 does not include a DC component with respect to the potential of the light-shielding film 210 and the common electrode 220 provided through the liquid crystal, the liquid crystal does not deteriorate due to leakage voltage from the circuit. .
[0025]
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 2, on the inner surface side (the liquid crystal layer 50 side) of the counter substrate 200 made of glass or the like, along the outer periphery of the display region 150, Cr (chromium), Ni (nickel), A light-shielding film (peripheral parting) 210 made of a metal material such as Al (aluminum) is formed in a rectangular frame shape, and a transparent common electrode 220 made of ITO or the like is formed so as to cover the light-shielding film 210 and the substrate surface. Have been.
[0026]
The light-shielding film 210 and the common electrode 220 include a data line driving circuit 110 that performs high-speed driving, an image signal line 112 that supplies various signals to the data line driving circuit 110, and a sampling driving signal line (image signal selection line). 306, a clock signal line (not shown) and the like are arranged so as not to overlap in plan view.
For example, the lower side edge of the light-shielding film 210 is disposed closer to the display area 150 than the data line driving circuit 110 and the above-described various wirings in a plan view. When the sample and hold circuit 130 is arranged closest to the display area 150, the lower edge of the light-shielding film 210 is arranged between the sample and hold circuit 130 and the display area 150 in plan view. You. On the other hand, in the common electrode 220, the electrode surface of the portion 220a overlapping the data line driving circuit 110 and the above-described various wirings in plan view is removed.
[0027]
By not providing a conductive material such as the light-shielding film 210 and the common electrode 220 at a position facing the peripheral drive circuit where high-speed driving is performed, a parasitic capacitance between the conductive material and the peripheral drive circuit is eliminated. Is prevented from occurring, and a high quality display with less signal rounding can be obtained. The common electrode 220 of the opposing substrate 200 may be formed, for example, by forming a light-shielding film 210 on the opposing substrate 200, forming a transparent electrode made of ITO or the like over the entire surface of the substrate, and viewing the data line driving circuit 110 or the like in plan view. Is obtained by removing a portion overlapping with the above by etching.
[0028]
The opposing substrate 200 is bonded to the active matrix substrate 100 by the above-described sealing material 160, and is held at a constant interval by a spacer (not shown) provided in the sealing material 160. Then, a space formed by the substrates 100 and 200 and the sealing material 160 is filled with a liquid crystal, and a liquid crystal layer 50 is formed. In addition, conduction between the active matrix substrate 100 and the opposing substrate 200 is achieved by the conduction agent 161 provided in at least one of the four corners of the sealing material 160.
[0029]
In such a configuration, when a scanning signal Gm is supplied to a certain scanning line 155 from the external control device, first, all the TFTs 152 connected to this scanning line 155 are turned on. In parallel with this, six parallel image signals VID1 to VID6 supplied from the image signal line 112 are sampled by the sample hold circuit 130. Next, when the sampling drive signals S1, S2,..., Sn are sequentially supplied, the sampled image signals VID1 to VID6 are written into the liquid crystal layer 50 corresponding to the turned-on TFT 152, and are held for a predetermined period. You. At this time, since the orientation and order of the liquid crystal molecules change according to the voltage level applied to the liquid crystal layer 50 of each pixel, gradation display is performed by the light modulation.
[0030]
Therefore, according to the electro-optical device of the present invention, the parasitic drive is required between the common electrode 220 and the peripheral drive circuit, such as the data line drive circuit 110, which is required to drive at high speed, and various wirings for supplying signals to the peripheral drive circuit. Since the generation of the capacitance can be prevented, even when such a peripheral driving circuit is driven at a high speed, signal rounding is reduced and a high quality display can be obtained. Further, since the above-described parasitic capacitance is prevented from being generated only by removing the portion of the common electrode 220 facing the peripheral driving circuit and the like, the degree of freedom in circuit arrangement can be increased.
[0031]
The generation of such a parasitic capacitance can be achieved only by removing a part of the common electrode 220 formed over the entire surface of the counter substrate 200 (that is, a part overlapping with the peripheral driving circuit in plan view) by etching or the like. Therefore, the conventional manufacturing process can be substantially followed as it is.
[0032]
(Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus including the electro-optical device described in detail above will be described with reference to FIGS.
[0033]
First, FIG. 4 shows a schematic configuration of an electronic apparatus having such an electro-optical device.
4, the electronic apparatus includes a display information output source 1000, a display information processing circuit 1002, a liquid crystal panel 10 as the above-described electro-optical device, a clock generation circuit 1008, and a power supply circuit 1010.
[0034]
The display information output source 1000 includes a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), a memory such as an optical disk device, a tuning circuit, and the like. Based on a clock signal from the clock generation circuit 1008, an image signal of a predetermined format, etc. Is output to the display information processing circuit 1002. The display information processing circuit 1002 includes various well-known processing circuits such as an amplification / polarity inversion circuit, a phase expansion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit. A digital signal is sequentially generated from the information and output to the driving circuit 1004 together with the clock signal CLK.
[0035]
The driving circuit 1004 drives the liquid crystal panel 10 by the scanning line driving circuit 120 and the data line driving circuit 110 according to the driving method described above. The power supply circuit 1010 supplies a predetermined power to each of the above-described circuits. Note that the drive circuit 1004 may be mounted on the TFT array substrate constituting the liquid crystal panel 10, and in addition, the display information processing circuit 1002 may be mounted.
[0036]
Next, FIGS. 5 to 8 show specific examples of the electronic device configured as described above.
FIG. 5 is a sectional view showing an example of the liquid crystal projector. The liquid crystal projector 1100 is configured as a projection type projector including the above-described electro-optical device 10 as light valves 10R, 10G, and 10B for RGB. In the liquid crystal projector 1100, white light projected from a lamp unit 1102 of a white light source is guided to a plurality of mirrors 1106 inside a light guide 1104, and light components R corresponding to three primary colors of RGB are guided by two dichroic mirrors 1108. , G, and B. These light components R, G, and B are modulated by light valves 10R, 10G, and 10B corresponding to the respective colors, recombined by a dichroic prism 1112, and then projected on a screen or the like via a projection lens 1114. .
[0037]
FIG. 6 is a front view illustrating an example of a laptop personal computer. The personal computer 1200 includes a main body 1204, a CPU, a memory, a modem, and a keyboard 1202, and further includes the above-described electro-optical device 10 as a display unit in a top cover case.
[0038]
FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of the pager. The pager 1300 includes the above-described electro-optical device 10 as a display unit. The electro-optical device 10 includes a light guide 1306 including a backlight 1306a, a circuit board 1308, first and second shield plates 1310 and 1312, and two The elastic conductors 1314 and 1316 and the film carrier tape 1318 are housed in a metal frame 1302.
[0039]
Note that this pager 1300 can also have an external circuit section as shown in FIG. For example, in such a pager, a TCP (Tape Carrier Package) 1320 in which an IC 1324 including a display information processing circuit 1002 is mounted on a polyimide tape 1322 is physically attached to the active matrix substrate 1 via an anisotropic conductive film. And are electrically connected.
[0040]
The electro-optical device according to the present embodiment includes, in addition to the electronic devices shown in FIGS. It can be used as a display unit of a word processor, a workstation, a mobile phone, a video phone, a POS terminal, a device including a touch panel, or the like.
[0041]
Therefore, since the electronic apparatus includes the electro-optical device according to the above-described embodiment as a display unit, it is possible to realize an electronic apparatus including a display unit capable of displaying high-quality images with less signal rounding.
[0042]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with various modifications without departing from the spirit of the present invention.
[0043]
For example, a precharge circuit may be formed on the active matrix substrate 100 in addition to the above-described scanning line driving circuit 120, data line driving circuit 110, and sample and hold circuit 130. This precharge circuit precharges the signal line 156 to a predetermined potential at a timing prior to the sampling of the image signal in order to reduce the load of writing the image signal to the signal line 156 of the data line driving circuit. It can be regarded as an auxiliary function of the data line driving circuit. Since the precharge circuit requires high-speed driving similarly to the sample and hold circuit 130, when the precharge circuit is formed on the active matrix substrate 100, the precharge circuit is provided in the common electrode 220 of the counter substrate 200. It is desirable to remove a portion overlapping in plan view with a precharge signal line for supplying a signal to the charge circuit or the precharge circuit by etching or the like.
[0044]
In the present embodiment, only the portion of the common electrode 220 facing the peripheral driving circuit is removed, but the common electrode of a portion that does not contribute to display (that is, a region other than the display region 150) is removed. Can be completely removed. However, in this case, it is necessary to secure an electrode portion in order to establish conduction between the active matrix substrate 100 and the counter substrate 200 by the conduction member 106.
[0045]
Further, in the present embodiment, the scanning line 155 is driven from both sides by the two scanning line driving circuits 120. However, if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 155 does not matter, one of The scanning line driving circuit 120 may be omitted, and the scanning line 155 may be driven by one scanning line driving circuit 120.
[0046]
A color filter is provided on the counter substrate 200 according to the use of the electro-optical device, and a metal material such as Cr, Ni, Al, or C (carbon) or Ti (titanium) is provided between adjacent color filters. Is provided with a light-shielding layer such as resin black in which the above is dispersed in a photoresist. When the electro-optical device is used as a color light modulator such as a light valve of a projector, for example, a light-shielding film is formed on the counter substrate 200 without providing a color filter. Further, a front light or a backlight for irradiating the electro-optical device with light may be provided as necessary.
[0047]
Further, in the liquid crystal layer 50 of the electro-optical device, in addition to the one in which the initial alignment state is defined by the alignment film, such as TN liquid crystal and STN liquid crystal, liquid crystal molecules in a polymer and the alignment state are random. Can be used. In the above description, the electro-optical device is described as a liquid crystal device. However, the present invention is not limited to this, and electroluminescence (EL), digital micromirror device (DMD), or plasma emission It is needless to say that the present invention can also be applied to an electro-optical device using various electro-optical elements using fluorescence or the like due to electron emission, and an electronic apparatus including the electro-optical device.
[0048]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, of the common electrode formed on the counter substrate, the portion overlapping the peripheral drive circuit in plan view is removed, so that the peripheral drive circuit and the common electrode The occurrence of parasitic capacitance between them is prevented. As a result, even when the peripheral driving circuit is driven at a high speed, a high-quality display can be obtained with less signal rounding. In addition, since the above-described generation of the parasitic capacitance is prevented only by removing the portion of the common electrode facing the peripheral driving circuit and the like, the degree of freedom in arranging the peripheral driving circuit and the like can be increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate of a liquid crystal device as an example of an electro-optical device according to an embodiment of the present invention, together with components formed thereon, viewed from a counter substrate side.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a liquid crystal device as an example of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
FIG. 3 is a block diagram illustrating an electric circuit configuration of a liquid crystal device as an example of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
FIG. 4 is a block diagram illustrating a functional configuration of an electronic apparatus according to the invention.
FIG. 5 is a sectional view showing a liquid crystal projector as an example of the electronic apparatus according to the invention.
FIG. 6 is a front view showing a personal computer as another example of the electronic apparatus according to the invention.
FIG. 7 is an exploded perspective view showing a pager as another example of the electronic apparatus according to the invention.
FIG. 8 is a perspective view showing a liquid crystal device using TCP as another example of the electronic apparatus of the present invention.
[Explanation of symbols]
50 liquid crystal layer 100 active matrix substrate 110 data line drive circuit 111 sampling drive signal line (image signal selection line)
112 Image signal line 130 Sample hold circuit 155 Scan line 156 Signal line 200 Counter substrate 220 Common electrode

Claims (6)

複数の走査線と、上記走査線に交差するように設けられた複数の信号線と、上記走査線と上記信号線との交差部にそれぞれ設けられた複数の画素電極と、上記各画素をマトリクス駆動する周辺駆動回路とを同一面上に有するアクティブマトリクス基板と、
一方の面に共通電極が設けられ、上記共通電極と上記画素電極とが向かい合うように上記アクティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、
上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、
上記共通電極の内、上記周辺駆動回路又は上記周辺駆動回路に信号を供給する配線と、平面視で重なる部分が除去されたことを特徴とする、電気光学装置。
A plurality of scanning lines, a plurality of signal lines provided so as to intersect the scanning lines, a plurality of pixel electrodes provided at intersections of the scanning lines and the signal lines, and a matrix of the pixels An active matrix substrate having a peripheral driving circuit to be driven on the same surface;
A common electrode is provided on one surface, and a counter substrate disposed to face the active matrix substrate so that the common electrode and the pixel electrode face each other;
A liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate,
An electro-optical device, wherein a portion of the common electrode that overlaps with the peripheral driving circuit or a wiring for supplying a signal to the peripheral driving circuit in a plan view is removed.
上記周辺駆動回路が、単結晶シリコンからなるチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えて構成されたことを特徴とする、請求項1記載の電気光学装置。2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the peripheral driving circuit includes a thin film transistor having a channel region made of single crystal silicon. 上記周辺駆動回路に入力される駆動信号のうち少なくとも1つが10MHz以上の周波数であることを特徴とする、請求項1又は2記載の電気光学装置。3. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the driving signals input to the peripheral driving circuit has a frequency of 10 MHz or more. 上記周辺駆動回路がデータ線駆動回路とサンプルホールド回路とのいずれかを含み、上記配線がクロック信号線,画像信号選択線,画像信号線の内の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項に記載の電気光学装置。The peripheral drive circuit includes one of a data line drive circuit and a sample hold circuit, and the wiring includes at least one of a clock signal line, an image signal selection line, and an image signal line. Item 5. The electro-optical device according to any one of Items 1 to 3. アクティブマトリクス基板の一面に、複数の画素電極と、上記複数の画素電極をマトリクス駆動する周辺駆動回路とを形成する工程と、
対向基板の一面に、共通電極を全面に亘って形成する工程と、
上記対向基板の上記共通電極の内、上記周辺駆動回路又は上記周辺駆動回路に信号を供給する配線と平面視で重なる部分を除去する工程と、
上記画素と上記共通電極とが向かい合うように、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板とを、シール材により一定の間隔を保って貼り合わせる工程と、
上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板と上記シール材とにより形成される空間に液晶を注入して液晶層を形成する工程とを備えたことを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
Forming a plurality of pixel electrodes and a peripheral drive circuit for driving the plurality of pixel electrodes in a matrix on one surface of an active matrix substrate;
A step of forming a common electrode over one surface of the counter substrate,
Removing the portion of the common electrode of the counter substrate that overlaps in plan view with the peripheral drive circuit or a wiring for supplying a signal to the peripheral drive circuit,
As the pixels and the common electrode face each other, the step of bonding the active matrix substrate and the counter substrate with a constant spacing by a sealant,
Forming a liquid crystal layer by injecting a liquid crystal into a space formed by the active matrix substrate, the counter substrate, and the sealant.
請求項1〜4のいずれかの項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする、電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013047806A (en) * 2012-09-14 2013-03-07 Nec Corp Display device
JP2015135515A (en) * 2015-03-09 2015-07-27 Nltテクノロジー株式会社 Display device
WO2015166857A1 (en) * 2014-04-28 2015-11-05 シャープ株式会社 Active matrix substrate and display device having same
US9489903B2 (en) 2005-11-21 2016-11-08 Nlt Technologies, Ltd. Data-holding circuit and substrate for a display device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289413A (en) * 1993-04-06 1994-10-18 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH10198292A (en) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPH1152328A (en) * 1997-07-31 1999-02-26 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH11101985A (en) * 1997-09-26 1999-04-13 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JPH11109408A (en) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd Display device with built-in driving circuit
JP2002189228A (en) * 2000-09-29 2002-07-05 Seiko Epson Corp Electro-optical device and manufacturing method therefor, and projective display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289413A (en) * 1993-04-06 1994-10-18 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH10198292A (en) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPH1152328A (en) * 1997-07-31 1999-02-26 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH11101985A (en) * 1997-09-26 1999-04-13 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JPH11109408A (en) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd Display device with built-in driving circuit
JP2002189228A (en) * 2000-09-29 2002-07-05 Seiko Epson Corp Electro-optical device and manufacturing method therefor, and projective display device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9489903B2 (en) 2005-11-21 2016-11-08 Nlt Technologies, Ltd. Data-holding circuit and substrate for a display device
US9947279B2 (en) 2005-11-21 2018-04-17 Nlt Technologies, Ltd. Data-holding circuit and substrate for a display device
JP2013047806A (en) * 2012-09-14 2013-03-07 Nec Corp Display device
WO2015166857A1 (en) * 2014-04-28 2015-11-05 シャープ株式会社 Active matrix substrate and display device having same
CN106255921A (en) * 2014-04-28 2016-12-21 夏普株式会社 Active-matrix substrate and the display device possessing it
JPWO2015166857A1 (en) * 2014-04-28 2017-04-20 シャープ株式会社 Active matrix substrate and display device including the same
JP2015135515A (en) * 2015-03-09 2015-07-27 Nltテクノロジー株式会社 Display device

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