JP2004108886A - 1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置 - Google Patents

1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004108886A
JP2004108886A JP2002270354A JP2002270354A JP2004108886A JP 2004108886 A JP2004108886 A JP 2004108886A JP 2002270354 A JP2002270354 A JP 2002270354A JP 2002270354 A JP2002270354 A JP 2002270354A JP 2004108886 A JP2004108886 A JP 2004108886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
current
crystal
optical crystal
measured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002270354A
Other languages
English (en)
Inventor
Choushou Ri
リ チョウショウ
Toshihiko Yoshino
芳野 俊彦
Hidenobu Koide
小出 英延
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Holdings Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Holdings Ltd filed Critical Fuji Electric Holdings Ltd
Priority to JP2002270354A priority Critical patent/JP2004108886A/ja
Publication of JP2004108886A publication Critical patent/JP2004108886A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

【課題】簡単かつ安価に、しかも絶縁性良く電流,電圧または電力を測定し得るようにする。
【解決手段】ファラデー効果とポッケルス効果の両方を示す光学素子1を用いて、これに被測定電流に応じた磁界,被測定電圧に応じた電界を印加し、その結果素子1から出射される変調光を無偏光ビームスプリッタ8で2方向に分割し、一方の光ビームは0°方位偏光子72およびフォトダイオード101を経て、他方の光ビームは1/4波長板9,0°方位偏光子73およびフォトダイオード102を経てそれぞれ取り出すと、前者のフォトダイオード101の出力は電流量に、また、後者のフォトダイオード102の出力は電圧量に比例したものとなる。検出素子1が1つだけで済むため、構成が簡単で低コストとなる。
【選択図】    図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、BiGe12(BGO)結晶のように、ファラデー効果とポッケルス効果の両方を示す1つの光学的結晶を用いた電流,電圧または電力などの電気量の測定方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
光学的電流および電圧センサは、伝統的な電流および電圧変換器に比べて、小型,電気的な絶縁,電磁ノイズの影響を受けないという多くの利点をもつことから、急速に発展してきた。特に、電流および電圧の同時測定のための光学式ファイバセンサが提案されており、その1つとして電流については磁歪効果、電圧に対してはピエゾ電気効果を有する低複屈折(Lo−Bi)ファイバを用いるもの、同じく低複屈折ファイバを検出素子として用い、電流に対してはファラデー効果、電圧についてはカー効果を利用するもの等がある(例えば、非特許文献1参照)。また、ポッケルス結晶およびファラデー素子を含むSagnac干渉計を用いて、電界および磁界の同時測定も行なわれている(例えば、非特許文献2参照)。さらには、Bi12SiO20(BSO)結晶を使用し、電流および電圧の同時測定方法の理論的な提案がなされたが、実験までには至らなかった例もある(例えば、非特許文献3参照)。
【0003】
【非特許文献1】
ゼット.ウォング,ワイ.リアオ,エス.ライ,エイチ.ザオ アンド エックス.チェン,“ア ノベル メソッド フォア サイマルテニアス メジャメント オブ カレント アンド ボルテージ ユージング ワン ロウ−バイリフリンジェンス ファイバ”,オプティクス アンド レーザ テクノロジー30,257−262,1998(Z.Wang,Y.Liao,S.Lai,H.Zhao and X.Chen,“A novel methodfor simultaneous measurement of current and voltage using one low−birefringence fiber”,Optics & Laser Technology30,257−262,1998)
【非特許文献2】
アール.ティ.ディーイー カルバルオ アンド ジェイ.ブレイク,“サイマルテニアス メジャメント オブ エレクトリック アンド マグネティック フィールズ ユージング ア サニャック インターファラミター”,イン テンス インターナショナル カンファレンス オン オプティカル ファイバー センサーズ,ビー.カルショウ アンド ジェイ.ディー.ジョーンズ,イーディーエス.,ピーアールオーシー.エスピーアイイー2360,411−414,1994(R.T.de Carvarlho and J.Blake,“Simultaneous measurement of electric and magnetic fields using a Sagnac Interferometer”,in Tenth International Conference on Optical FiberSensors,B.Culshaw and J.D.Jones ,eds.,Proc.SPIE2360,411−414,1994)
【非特許文献3】
シー.リー アンド エックス.クイ,“カプルド−ウエイブ アナリシス オン ジ エレクトロ−オプティック アンド マグネト−オプティック インタラクション イン ビーエスオー クリスタル アンド イッツ アプリケーション ツー センサーズ”,アクタ フォトニカ シニカ27,122−126,1998(C.Li and X.Cui,“Coupled−Wave analysis on the electro−optic and magneto−optic interaction in BSO crystal and its application to sensors”, Acta Potonica sinica27,122−126,1998)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ポッケルス効果およびファラデー効果の双方を呈するBiGe12結晶は、電気光学効果の温度依存性が少なく高抵抗で、光学活性,線形な自然複屈折,焦電効果がない等、電磁気測定に当たって多くの利点があり、これまでも、光学的電圧センサまたは電界センサに用いて成功を収めてきた。しかしながら、1つの光学的結晶を用いて電流および電圧の同時測定をするものについての実用的な提案は殆どないのが現状である。
したがって、この発明の課題は、1つの光学的結晶を用いた簡単な構成で電流および電圧の同時測定、さらには電力の測定をも可能とすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、請求項1の発明では、ファラデー効果とポッケルス効果の両方を示す1つの光学的結晶に光を入射するとともに、被測定電流に応じた磁界および被測定電圧に応じた電界を同時に印加し、その結果得られる変調光を2つの経路に分岐し、その1つを偏光軸を基準軸に一致させた第1の偏光子を通過せしめたのち電気信号に変換して電流量を、他の1つは1/4波長板を介し偏光軸を基準軸に一致させた第2の偏光子を通過せしめたのち電気信号に変換して電圧量を同時に得ることを特徴とする。
この請求項1の発明においては、前記電流量と電圧量とを乗算して電力量を得ることができ(請求項2の発明)、請求項1または2の発明においては、前記光学的結晶を4バー3m結晶構造を持つものとすることができる(請求項3の発明)。
【0006】
請求項4の発明では、ファラデー効果とポッケルス効果の両方を示し被測定電流に応じた磁界および被測定電圧に応じた電界を同時に印加される1つの光学的結晶と、この結晶に光を入射して得られる変調光を2つの経路に分岐するビームスプリッタと、分岐された変調光の一方を偏光する第1の0°方位偏光子と、分岐された変調光の他方を1/4波長板を介した後偏光する第2の0°方位偏光子とを備え、前記第1の0°方位偏光子の出力を電気信号に変換して電流量を、前記第2の0°方位偏光子の出力を電気信号に変換して電圧量を同時に得ることを特徴とする。
この請求項4の発明においては、前記電流量と電圧量とを乗算する乗算器を設け、この乗算器出力から電力量を得ることができ(請求項5の発明)、請求項4または5の発明においては、前記光学的結晶を4バー3m結晶構造を持つものとすることができる(請求項6の発明)。
【0007】
【発明の実施の形態】
まず、図3から説明する。
図3に、BiGe12(BGO)結晶の結晶学的方位,寸法を示す。l,w,hはそれぞれ結晶の長さ,幅,高さである。ここでは、[110]方向に沿う横型電気−光変調、および[10](これは[110]に対しx軸成分のみが180°回転していることをアンダーラインを付して示し、以下、同様とする)方向に沿う縦型磁気−光変調を利用する。(xyz)座標は安定な誘電性軸である。電界誘起の直線的複屈折の主軸は、[11√2],[11√2]および[10]に沿う方向で、新座標系(x’y’z’ )を形成する。結晶に対し電界Eと磁界Hを同時に印加すると、結晶にはポッケルス効果とファラデー効果に従って直線および円状の複屈折が生じる。電気光学的位相遅延Γと磁気光学的なファラデー回転角Φが、[10]方向に沿う偏光に対して同時にもたらされる。
【0008】
結晶におけるこの種の光学的伝達特性は、ΓとΦの関数であるジョーンズ行列で説明できる。なお、ジョーンズ行列に関しては、W.J.Tabor等が、ファラデー回転と複屈折の双方の機能を持つ、イッテルビウムオルソフェライトのような物質を通過する電磁気的伝搬について、理論的な解析および実験的な考察をしている。また、S.Huardは自著で、ジョーンズ行列に関し一様な直線および円状の複屈折媒体の光学的伝達特性について述べている。さらに、BiGe12結晶と同じように、ファラデー効果とポッケルス効果を示すBi12SiO20結晶についても、同様の理論的研究がなされて来た。
【0009】
以上のような経緯から、図3のようなデカルト座標系(x’y’z’ )のz’軸を伝搬する偏光について、BGO結晶のジョーンズ行列は次の数1の(1)式で表わされる。
【数1】
Figure 2004108886
【0010】
ここに、Θは次の(2)式で表わされ、磁界および電界によって生じた位相遅延を示す。
Θ=√[(Γ/2)+Φ]                                    (2)
直線偏光がx’軸に対して結晶に45°で入射したとすると、正規化されたジョーンズベクトルは次の数2の(3)式となる。Iは光強度を示す。
【数2】
Figure 2004108886
【0011】
そうすると、BGO結晶から出る光のジョーンズベクトルは、数3の(4)式となる。
【数3】
Figure 2004108886
【0012】
したがって、結晶から出る光強度のx,y偏光成分はそれぞれ、次の(5)式で表わされる。
ox=|Jox=(1−Φ(sin2Θ)/Θ)I/2
oy=|Joy=(1+Φ(sin2Θ)/Θ)I/2    (5)
Θが小さいと、sin2Θ≒2Θであり、(5)式は近似的に次の(6)式となる。
【0013】
ox≒(1−2Φ)I/2=(1−2ki(t))I/2
oy≒(1+2Φ)I/2=(1+2ki(t))I/2   (6)
i(t)は電流測定値で、結晶に与えられる磁界を生成するために空心コイル(単に巻線を巻いただけのもの)を使用するものとするとΦ=ki(t)であり、k=μVnlで定数、μは自由空間の透磁率、VはBGO結晶のベルデ定数、nは空隙コイルの単位長当たりの巻数、lは結晶の長さである。
(6)式によれば、測定すべきi(t)はIoxまたはIoyのいずれかのac(交流)成分から、測定できる。
【0014】
電圧を測定するため、発せられた光の左回りまたは右回りの円偏光成分を考える。円偏光についてのジョーンズベクトルは、直線偏光に関するジョーンズベクトルから、次の数4の(7)式により計算できる。
【数4】
Figure 2004108886
【0015】
対応する光強度は、それぞれ次の(8)式となる。
ol=|Jol=(1+Γ(sin2Θ)/2Θ)I/2
or=|Jor=(1−Γ(sin2Θ)/2Θ)I/2  (8)
Θが小さいと、sin2Θ≒2Θで、(8)式は次の(9)式のようになる。
ol≒(1+Γ)1/2=(1+ku(t))I/2
or≒(1−Γ)1/2=(1−ku(t))I/2   (9)
【0016】
このとき、Γ=ku(t)であり、u(t)は測定電圧値である。また、kはk=(2πn 4ll)/(λh)で示される定数であり、λは自由空間における光の波長、nはBGO結晶の屈折率、r4lはポッケルス定数、hは結晶の高さ(厚み)である。(9)式は、出てくる光の左回りまたは右回りの円偏光成分から、電圧を測定することを可能にする。
このように、sin2Θ≒2Θが満足される限り、BGO結晶から発せられた光の直線偏光および円偏光成分をともに検出することで、電流と電圧を同時に測定することができる。
【0017】
以上のような原理に基づき、電流と電圧の同時測定のために、図1のような具体的な光ファイバ検出システムを設計し、組みたてた。ここに、光源は波長λ=635nmのレーザダイオード(LD)4である。単一モードファイバ(SMF)51およびコリメートレンズ61を通過した後、光ビームは45°に向けられたプリズム偏光子(P)71、およびコイル2に挿入されたBGO結晶1に送り込まれる。結晶は2つの(110)面に例えばメッキされた金電極3を持ち、2つの(110)面は磨かれ、寸法は、l=40mm,w=4mm,h=2mmである。印加された電圧および電流が、結晶に沿って伝搬する光を同時に変調する。
【0018】
電流と電圧を同時に測定するため、BGO結晶1から出た光を立体の無偏光ビームスプリッタ(NPBS)8により、2つの同じ光ビームに分割する。直線偏光成分に含まれる測定電流信号は0°方位偏光子(偏光軸が基準軸と一致するように配置された偏光子:P1)72により一方の光ビームから得られる一方、円偏光成分に含まれる測定電圧信号は、45°に向けられた1/4波長板(QW)9および0°方位偏光子(P2)73により他方の光ビームから得られる。最後に、2つのレンズ62,63およびプラスティックの光ファイバ(POF)52,53を通過し、2つの検出信号がフォトダイオード(PD)101,102によってそれぞれ検出される。測定量は負荷電流,電圧およびインピーダンスZの電力であり、これらは電力計(W)によって調整され、表示される。
【0019】
図2に信号処理回路の概略図を示す。高域(HP)フィルター121〜123と増幅器111〜115等を用いて測定され、交流電流,電圧信号はそれぞれ次の(10),(11)式から得られる。
01=ri(t)                (10)
02=0.5ru(t)             (11)
ここに、r,rはフォトダイオード(Si−PINタイプ)の応答度、A,Aは増幅定数である。
【0020】
また、電力を同時に測定するため、ここでは図2のように、u01,u02の積を求める電子式アナログ乗算器131を用いている。その出力電圧u03は、次の(12)式で表わされる。なお、u01,u02をデジタル値に変換すれば、乗算器131をデジタル式にすることもできる。
03=A0102=ku(t)i(t)         (12)
は増幅定数、kはk=0.5A で、入射光強度に依存する定数である。したがって、瞬時電力信号、すなわち、p(t)=u(t)i(t)はu03から得られ、kは電力測定感度を示すことになる。
【0021】
測定すべき交流電圧および電流が次の(13)式で示されるとすると、
u(t)=√2Usinωt
i(t)=√2Isin(ωt−φ)            (13)
UおよびIはそれぞれ電圧,電流の実効値(または二乗平均)を示し、ωは角周波数、φはu(t)とi(t)の位相差を示す。そこで、(12)式を書きかえると次の(14)式となる。
Figure 2004108886
ここに、P=UIcosφは有効電力値を、S=UIは皮相電力値を表わす。
(14)式によれば、PおよびSはそれぞれu03の直流および交流成分、すなわち図2に示す低域(ローパス:LP)フィルター141の出力U05および高域フィルター123の出力u04から得ることができる。
【0022】
図1,図2の構成において、まず、BGO結晶に対し、1KHzの方形パルス電圧と、50Hzの正弦波電流を同時に印加して、図示されないオシロスコープでu01とu02の波形を観測した。0〜10Aで0〜250Vにおいて、u01波形はパルス電圧とは無関係に正弦波電流信号のみである一方、u02波形は正弦波電流とは無関係にパルス電圧信号のみである。このことは、電流と電圧の同時測定が互いに独立に実施できることを示している。
【0023】
図1で、50Hzの電流,電圧,負荷ZLの電力を測定した。容量性負荷Z=(11.76−j20.36)Ωとしたときの、観測された代表的なu01,u02およびu03のオシロスコープ軌跡を図4に示す。u03はu01とu02の積であり、u02はu01より約3.3ms遅れで、これは約59.4°の位相差φに相当する。実効値(RMS)電圧U01,U02の実験データをそれぞれ負荷電流,負荷電圧の関数とし、その最適直線とともに図5,図6に示す。測定し得る最小値は電流で0.05A,電圧で1Vであり、静的感度は電流測定では99mV/A、電圧測定では4.6mV/Vである。電流電圧とも直線的な応答が得られている。
【0024】
上記と同じ負荷の皮相電力,有効電力も同時に測定した。P=300Wにおけるu04とU05の典型的な波形を図7に示すが、同図のU04mはu04の振幅値である。出力電圧U05,U04mの実験データを、図8,図9にそれぞれPおよびSの関数として示す。その結果、良好な直線応答性があることがわかる。
上記実験結果の応答特性は、力率pf(=cosφ)が1から0.1の間で不変であり、電力測定の通常の要求を満たすに十分な値である。
【0025】
なお、光学素子としては上述のBiGe12結晶に限らず、一般に次の数5のように記述される“4バー3m”と呼ばれる結晶構造を持つ光学素子を用いることができ、これはBSO素子についても同様である。
【数5】
Figure 2004108886
【0026】
【発明の効果】
この発明によれば、検知用の光学素子を1つとしたので、著しく簡単な構成でしかも高絶縁の電圧,電流の同時測定が可能となるだけでなく、電力の測定も併せて可能となる利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態を示す構成図である。
【図2】図1に対応する信号処理回路を示すブロック図である。
【図3】この発明で用いられる光学的結晶とその原理を説明する説明図である。
【図4】オシロスコープで観測されたu01,u02,u03の波形図である。
【図5】負荷電流に対する実効値電圧U01の関係説明図である。
【図6】負荷電圧に対する実効値電圧U02の関係説明図である。
【図7】オシロスコープで観測される皮相電圧u04と有効電力U05の波形図である。
【図8】有効電力に対する出力電力U05の関係説明図である。
【図9】皮相電力に対する出力電圧U04mの関係説明図である。
【符号の説明】
1…光学的結晶、2…コイル、3…電極、4…レーザダイオード(LD)、51〜53…光ファイバ、61〜63…レンズ、71〜73…偏光子、8…無偏光ビームスプリッタ、9…1/4波長板、101,102…フォトダイオード、111〜115…増幅器、121〜123…高域(ハイパス:HP)フィルター、131…乗算器、141…低域(ローパス:LP)フィルター。

Claims (6)

  1. ファラデー効果とポッケルス効果の両方を示す1つの光学的結晶に光を入射するとともに、被測定電流に応じた磁界および被測定電圧に応じた電界を同時に印加し、その結果得られる変調光を2つの経路に分岐し、その1つを偏光軸を基準軸に一致させた第1の偏光子を通過せしめたのち電気信号に変換して電流量を、他の1つは1/4波長板を介し偏光軸を基準軸に一致させた第2の偏光子を通過せしめたのち電気信号に変換して電圧量を同時に得ることを特徴とする1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法。
  2. 前記電流量と電圧量とを乗算して電力量を得ることを特徴とする請求項1に記載の1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法。
  3. 前記光学的結晶は4バー3m結晶構造を持つことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法。
  4. ファラデー効果とポッケルス効果の両方を示し被測定電流に応じた磁界および被測定電圧に応じた電界を同時に印加される1つの光学的結晶と、この結晶に光を入射して得られる変調光を2つの経路に分岐するビームスプリッタと、分岐された変調光の一方を偏光する第1の0°方位偏光子と、分岐された変調光の他方を1/4波長板を介した後偏光する第2の0°方位偏光子とを備え、前記第1の0°方位偏光子の出力を電気信号に変換して電流量を、前記第2の0°方位偏光子の出力を電気信号に変換して電圧量を同時に得ることを特徴とする1つの光学的結晶を用いた電気量の測定装置。
  5. 前記電流量と電圧量とを乗算する乗算器を設け、この乗算器出力から電力量を得ることを特徴とする請求項4に記載の1つの光学的結晶を用いた電気量の測定装置。
  6. 前記光学的結晶は4バー3m結晶構造を持つことを特徴とする請求項4または5のいずれかに記載の1つの光学的結晶を用いた電気量の測定装置。
JP2002270354A 2002-09-17 2002-09-17 1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置 Pending JP2004108886A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002270354A JP2004108886A (ja) 2002-09-17 2002-09-17 1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002270354A JP2004108886A (ja) 2002-09-17 2002-09-17 1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004108886A true JP2004108886A (ja) 2004-04-08

Family

ID=32268011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002270354A Pending JP2004108886A (ja) 2002-09-17 2002-09-17 1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004108886A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018112442A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本電気硝子株式会社 電流センサ用ファラデー回転子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018112442A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本電気硝子株式会社 電流センサ用ファラデー回転子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2333498B1 (en) Sagnac interferometer-type fiber-optic current sensor
JP4046243B2 (ja) 精密電流検知のための光ファイバ装置及び方法
US4112367A (en) Magnetomer using a thin magnetic film optical waveguide with a.c. modulation and automatic nulling
JP4812799B2 (ja) 電界センサ
US4933629A (en) Method and apparatus for optically measuring electric and magnetic quantities having an optical sensing head exhibiting the Pockel's and Faraday effects
JPS58103674A (ja) 磁力計測定ヘツド及びそのヘツドを含む磁力計
WO2000019217A9 (en) In-line electro-optic voltage sensor
Li et al. Optical voltage sensor based on electrooptic crystal multiplier
CN105137147B (zh) 光学电压测量装置
JP2004108886A (ja) 1つの光学的結晶を用いた電気量の測定方法および装置
JP2004525361A (ja) 温度補償した形で電圧を電気光学的に測定する方法とその方法を実施するための装置
Li et al. Optical voltage sensor using a pulse-controlled electrooptic quarter waveplate
Tatam et al. Faraday effect magnetometry utilizing high Verdet constant glass
KR20110039808A (ko) 광전자 발진기를 이용한 자기장 측정장치
Li et al. Optical magnetic field sensor based on electrogyratory and electrooptic compensation in single quartz crystal
US7102757B2 (en) Current measurement method and device based on a fiber optic in-line Sagnac interferometer
CN114370928B (zh) 一种直线型萨格纳克干涉式光纤振动传感器
JP3179316B2 (ja) 光センサ
Rochford Improved fiber-optic magnetometer based on iron garnet crystals
JP3301324B2 (ja) 光電圧・電界センサ
JP2003279601A (ja) ファラデー回転子とこれを用いた偏光制御方法および電流計測方法
JP2003279605A (ja) ファラデーセルおよびポッケルスセルを用いた電力測定方法および装置
JPH0743397B2 (ja) 光学式直流変成器
Li Stepped polarization states: representation and its applications to optical sensing and measurement
JPH01153924A (ja) コヒーレント光測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A625 Written request for application examination (by other person)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625

Effective date: 20040914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070712

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080626