JPS58103674A - 磁力計測定ヘツド及びそのヘツドを含む磁力計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁力計測定ヘッドとそのようなヘッドを含む磁
力針とに＠する。

米１１４１許！１４．１１２，３６７号Ｇ１、通常ＹＩ
Ｇと呼ばれるイツトリウム鉄ガーネットのような特別な
材料−ら成る薄層のファラデー効果を用いる磁力針を開
示している。この磁力針ではレーザーにより生起され電
光ビームは数マイクロメーターの厚みを有する薄層で伝
搬される・このビームは単一モード、例えばＴＭモード
、により置場８れて伝搬される。このモードを選択する
丸め且つ層の薄い厚みを考慮して、このビームは結合プ
リズムによりξのＩＩＫ浸遥するようにされねばならな
い０薄噛に浸透する磁界の作用下で、伝搬モードは部分
的にＴＢモー白こ転換される。１からビームを抽出する
丸め、一方はＴｌｌモー目と対応し、他方はＴＭモード
化対応す、る２つの角度で分離されたビームを供給する
複屈折材料から成るプリズムが用いられる。

Ｔｌｌモードに対応するビームの強度は薄層に浸透する
磁界の強度の関数である。これは−次関数でないため、
測定演算をセとなう丸め零位法が用いられ、この演算は
コイル番こより生成された対立し九調整し得る界により
測定される界の薄層内で補償することから成る。この補
償作用を検出するため、この直接界はその上に、ＴＢモ
ードに対応するビーム内で変調を出現させる交番磁界を
重ね合わせた。この変調は、平衡演算がおこなわれると
舎、ファラデー効果は磁界の値に依存しており、そのｈ
向−こ依存していないため、文書磁界の周波数の偶数調
波だけを含む。補償がおこなわれない場合、奇数成分、
特に基本成分が変調され九ビーム番と検出され、これら
の成分はこれらの奇数成分を消失させるため補償界を調
整する豐−ポ機構を制御する九めに帛いられる◎ 闘定聯は小さな豐イズであるが、この層を用いるのに必
要とされる関連エレメントはもつとかさが大きく、調整
が微妙である。更に単一モード伝搬は強力レーザーを、
従って光源として大会な苧イズのレーザーを必要とする
０最後に出カブリズムから到来するビームの角分離は小
さく、検出−が選択され九単−ビーム番とよってのみ励
起される丸め光分離れて配置されることが必要とされる
。

これらの先行技術化よる欠点を克服する丸めフランス特
許出願第２，４７１，６０８号には特別なシステムが説
明されており、これは狭い空間での１界を測定し得る小
さなナイズのヘッドを得ることを可能にし、磁気勾配図
を作成することを可能番こしている。この目的の丸め磁
気材料の厚みは、ビームのマルチモードガイド伝搬と、
ビーム伝送手段及び回転測定手段と協働する層のエツジ
を介してのビームの出入りとを許容するように選択され
る。

本デバイスの利点を保持しながら、本発明は、同時番と
有効的な測定距峻を増加させ、ヘッドの装着を簡単にし
、その寸法を減らし得る変形された測定ヘッド構造物を
攪供する。

本発明の第１の目的はビームを磁気材料の薄層内で外側
へ及び後へ動かせるととｋより達成され、ファラデー効
果は被合よう導波の伝搬方向番こ依存していない。

第２の目的は、本質的に光伝送−受容エレメントからの
磁気材料の薄層により構成された実際の測定探針を分離
することにより達成され得る。これらの２つの豐ブアセ
ンブリは光学ファイバにより結合されており、特にホト
ダイオードにより構成され九検出エレメントを正確化配
置する困−性を減少する。

嬉３の目的は特に、電極がこの層上に配置され九磁気材
料聯での横磁界を誘導する永久磁石又は同様な手段を置
換すること番こより達成遣れ得る・ 本発明は磁力計理の測定ヘッドを提供し、これは直線偏
光され電光のビームの伝送の丸めの手段と、磁気材料の
平面表面魯こ平行な前記ビームの伝送中の拘束伝搬のた
めの、及び伝書中傷光方向を回転させるための磁気材料
の平＊＊と、このＩｌ＠を一定する丸めの手段とを含ん
でおり、−気材料層の厚みはビームの拘束伝搬を許容す
るよう化遭択され、光ビーム伝送用の、及び回転一定量
の前記手段は共通の光学ファイバーこよりそのエツジを
介して磁気材料の平面層の端部の１つ〈連結されており
、−の反対側の端部には、共通の光学ファイｌ引こ再注
入され、偏光器に、磁気材料層内でビームを外側へ及び
後へ動かすように誘導されたビームを反射させるための
手段が与えられている。　　　□ 本発明は又この種のヘットを含む磁力計に関する。

添付図面に関する次の説明から本発明がより明確に理解
され、他の特徴も明らかとなる。

最初にフランス特許出願第２，４７１，６０８号化明記
の先行技術による′磁気ヘッド装置を想起して頂き丸い
。このシステムを第１図に図示する。

この図に図示され九磁力針ヘッドはヘッドの作用エレメ
ント化対し支持部分とじて作用するセラミックプレート
１０１を含む。このプレートの真中にはＧＧＧとして示
されたがトリニウムガリウムガーネットから切断された
より小さ゛なプレー）１０２が接着されて怠り、その寸
法は約長さが１０　ａｍ　ｓ巾が３酬、厚みが０．１晴
である。ＧＧＧの表面上ことはエピタキシにより実質的
に組成Ｇｄｅ、ａ　Ｉ　ｙ、、、、　ｉ’ｅ　ａ、ｌｏ
ｎに対応するＹＩＧの比較的厚い層１０３が生長される
。

得られ九厚みは６及び１１０ミクロンの間にあり、２０
ｉクロンが通常の値である。

そのようなＹＩＧの厚みは誘導されているカーしかしマ
ルチモード方式での光の伝搬を可能にし、これらの条件
下では磁界により生起されたファラデー効果は光の偏光
平面のｅ転によってのみそれ自身現われ、ＴＭモードの
ＴＩモードへの転換−ζよってはもはや現われない。こ
れによりＹＩＧ＠の端表面を介しての光ビームの結合が
可能となる。

し、かしこの結合を確保するためこれらの入力及び出力
ａｍは出来るだけ完全でなければならない。通常材料の
不均等性の丸めｇＩＩＩ１１面を見つけ出すことは不可
能である◎これらの表面上での研摩作用が必ず必要とな
る。

全知の異なる方法が用いられ、これらの中にはこ仁で想
起される必要のない前記特許出願で詳細に説明された方
法があげられる。

光源は、エツジを介してコヒーレントな光ビームを発し
た接合部が実質的基こＹＩＧＩＩの中心に配置されるよ
うにプレート１０１上に固定されたレーザーダイオード
１０４から成る。そのようなダイオードの伝送表面は実
質的に０．２マイクロメータの厚みとＩＳマイクロメー
タの巾とを有する。このダイオードには２つの入力接続
部により適轟な電圧ＶＢが供給される。

レーザーダイオードとＹＩＧ＠を有する基板間に偏光１
１１０５が配置され、これはレーザーダイオードにより
ＹＩＧ＠に放出された光の直線偏光を可１！番こする。

例えばこの偏光ｌは光学関係で最近用いられている種類
の偏光フィルムから切断される。ダイオードとプレート
１１１間で適度に偏光器をグリップするような注意が払
われるなら、その厚みは放出ダイオードとＹ　Ｉ　Ｇ＠
藺の結合を乱さないような厚みにされている。プレー）
１０１に形成され九グループ１Ｇ１１は偏光ｌの装着を
春ｍ＋こする。

偏光ＳＳＣ比吠して交差装着されていること以外は偏光
５ｔｏｓＫ類似しえ、別の俵着スロツ）１Ｇ−に固定さ
れ充分析１１１０７がプレート１０２の他端−と配置さ
れている◎ この分析器はプレート１０２と検出器ホトダイオード１
０１１間で軽くグリップされている。

例えばこのホトダイオードは数十ボルトの逆バイアスに
露出され九ゲルマニウム臘であり、その活性表面はＹＩ
ＧＩＩＩから現れる最大限の光を遮断する丸め実質的に
長方形の形状暑こ作製される＠これらの条件下では検出
され九発光エネルギを表わす電気出力信号ｖＳが集めら
れる。

ボード１０１とボードが有する活性エレメントのセット
とは一気平衡磁界と交番測定磁界とを付加することを可
能−こするソレノイド１１０内に配置される。

ＹＩＧ層のファラデー効果を測定するため。

この畷の初期磁化は層での光の伝搬方向蕃こ対し横断方
向でなければならない。この目的のため約１０″″１　
アンペア−ターン／メータの値を有するこの横磁界を生
起する手段が用いられねばならない。例えばこれらの手
段は第ｉｌｌにブロック１１１及び１１２の形状で図示
され九永久磁石である０この磁界の値が確保される１べ
赤感１１１！ｌζ従って最大にされる場合、これらの磁
石１１１及び１１２の代り番ζヘルムホルツコイルを用
いることも同様に可能である。

採用された構造により有効的な小さなナイズの測定ヘッ
ドが得られるが、その全体的な寸法はプレー）１０１の
最大寸法のオーダ、即ち約１ａ＋であり、このシステム
の利点を有しながらその性能は増加され、その寸法は滅
ら８れる。

この目的のため本発明はエレメントが前記と異なる方法
で配置され九構造を提案する。

第２図は本発明によるシステムを図式的に示す。初期の
侍許声願の測定ヘッドと共通であり、嬉１図に関して説
明され九成分は同一符号を有しており、それら化ついて
は特番ζ再び説明しないＯ 最も重要な特徴は固定ヘッドの成分を２つの別個のナブ
ユニットに分割することであり、これらの雪つの苧プユ
ニットは単一モード又はマルチモード麿の光学ファイバ
ｆｉ（より結合されている〇 最初のナブユニット■は光エネルギ伝送−受容エレメン
トを含む。レーザー１０４及び例えばホトダイオードで
ある検出５１０９とは別に、ナプユニットは偏光と、偏
光の分離とこれに結合され電光学ファイバーｆへ伝送さ
れ且つこの光学ファイバーから受容される光の分析との
ための手段１０Ｇを含む。

本発明の好ましい形では手段１００は一緒に接着された
屈折材料から成るセうのプリズムで構成され先立方体に
より形成され得る。２つのプリズムの斜辺により形成さ
れ充分離表面は偏光隔離板表なるように処−されている
。このエレメントは優先的な光学軸を有する。入射光線
はこの軸に平行な直線偏光で伝送され、光学ファイバｆ
［送られる。ファイバｆから来る光線は直交する偏光方
向を有する２つの成分に分割される。優先的な光学軸に
対し直角の偏光方向を有する成分は、入射方向に対し直
角の出口方向番こ沿って、即ち検出器１０Ｇの方へ、全
面的に反射される。更番ヒ立方体のフェース−とは反射
の乱れ番阻止す名九め表面処−がほどこされている。こ
の処理は当業者には全知である。

本発−の範囲内で、特にグラン（ＧＬＡＮ　）プリズム
のような特例な複屈折偏光器の場合、他の光学エレメン
トが用いられ得る。しかし、変更なく最初の偏光方向に
入射する光線を伝送し、鎗の方向に対し直角の偏光方向
を有する光線を全面的に反射させる偏光ｌが選択されね
ばならない。

最後に、より一般的に、偏光による分離を提供する光学
エレメントが光線を偏光しない場合、例えば第１図に関
し説明され九一定ヘッドで用いられるエレメント（１０
５，１０７）ｉｃＩｌｌ似の１対の偏光器及び分析器エ
レメントが用いられ得る。最後番ζ幾つかの半導体レー
ザーはすで番こ偏光され先光ビームを伝送する。偏光方
向は立方体ｌＯＯの、叉は立方体として作用する他のエ
レメントの優先的な光学軸と合致するように８れねばな
らない。

特にこの場合、活性層１０ｍでの回転により影響されな
い成分の再注入を阻止することが同様に１蜜しい。この
目的の丸め好ましいが、しかし限定されない変更では、
好ましくはｉフジアン偏光回転させるエレメント１００
１を含み、レーザー源１０４１Ｃより伝送された光の偏
光方向と同じ偏光軸を有する入口表面上に偏光器１００
ｍを含む分離５ｉｏｏｏがレーザー源１０４と立方体１
００間に挿入されている。従って偏光器は一体的に放出
され電光を伝送する。

エレメント１００１はファラデー効果−こより偏光回転
させ、ブロック１００に接合され九ＹＩＧ材料のブロッ
クを含み得る。

立方体１００の優先的光学軸は分離器エレメントにより
伝送されるように光の新しい偏光に平行でなければなら
ない。戻り／ｆスでは、回転せず、立方体１０Ｇにより
ブロック１０００にに 再伝送された光は再びτラジアン回転され九個光軸を有
する。次にこの直す成分は偏光器→１　Ｇ　０２゛によ
り減ら専れる〇 第３のψプユニット■は実際の闘定探針を構成する。

ＳＳＳ＋＜はとのサブユニットの第一の実際的な異体例
が図示されている。これは前記エレメント、即ち支持プ
レート１０１と、ＧＧＧプレー）１０ｍと、？！ｉ性材
料層１０３と、ソレノイド１１０と、１ｌｔｏｓ内に横
の磁界を付加する丸めの手段１１１及び１１２とを會む
。前記のようにこれらの手段は２つの永久磁石番ζより
構成８れ得る。

本発明の範囲内では中間プレート１０２はキャリヤ上に
伸ばされており、光学ファイバと活性材料層１０８間の
満足すべき光学結合を確保するため光学ファイバｆが配
置されている関連ノツチを含む。仁の結合技術は轟業者
には公知である。図示されていない密封手段が光学ファ
イバを配置し良後ファイバを固定されるために同様に適
用される。指標液体が同様−ζ用いらベセクシ目ンと光
学ファイバ間に挿入され得る。

最後に、支持体１０１と一体であり、図示されたように
プレート１０２と一体でない手段番こより配置がなδれ
得るっ 、別の重要な特徴は、光、学ファイバｆと共屹結合表面
に対向する層１０３０真面上にミラーＭを配置すること
である。

このミラーＭはセクション１０３を金属処理すること化
より簡単に作製され得る。測定ヘッドの全面的な操作は
第１図に関し説明し九測定ヘッドの操作と同じである・
これらの条件下では、再び第２図に関し、考慮されるべ
き有効的な長さは１１０３の１個の長さ１から成る。フ
ァラデー効果は光波の伝搬方向により影響されず、ミラ
ーＭ上での反射により生起された液が外側へ及び戻り動
く丸め適用され得るのは２倍の長さ２１である。ｌ１１
’０３’（及び同様な割合でのプレー）１０１）の同等
な感度は半分に減らされ得る。反対の場合、１１１０３
は同じ寸法を維持しながら、縮重は２倍になる。

従ってファラデー効果により、光学ファイバｆに再注入
される前に、光波は前記測定ヘッドの回転の２倍纏幅の
偏光回転を受ける。

入射後は、ファイバｆ８から出ると相互に直交する偏光
を有する２つの成分に分割される。立方体ｌＯＯの優先
的光学軸に直交する偏光方向を有する成分だけが検出１
！１０９の方へ反射される。

この成分はファラデー効果により生起され九回転の振幅
を表わす。

前記利点以外に、本発明による測定ヘッド装置では、光
学ファイバがＭｌｏＢに関して配置されることだけが必
要とされるため、測定ヘッドの実際の測定探針セクシ■
ン（サブユニット冒）の特に簡単なコンパクトな設計が
可能になる。更に光伝送−受容エレメントは静止させら
れ、ソレノイド１１０への電気供給とファイバるＯ 第４図及び第５図化図示された他の変形例では測定探針
サブユニット冒の寸法を減らすことも可能である。実際
、層１０３の表面が被きよう導波の伝搬方向に実質的化
平行な方向化石って直流轟が横断している電極でおおわ
れている場合、電磁気宇の法則番ζ対応する結果では、
層１０３の材料内の磁界ラインが実質的にこの層の主要
平面に平行であり、伝搬方向に直角である直接磁界が生
起される。

第４図に図示された第一変形具体例では、この電極１１
３は材料１０３の表面全体をおおう。

それは層の最上部表面を金属処理することから成る・ 電Ｒ１が横Ｊる外部ＩＩ続タワイヤ含む電気接続部１１
４及び１１５が、波の伝搬方向に平行でこの層を２つの
同等な部分に分ける軸ノの近傍部分での１１１１０１の
３つの端部に与えられている。被会よう導波とこのよう
に形成された金属プレー）１１３間の相互作用により７
Ｍモードが弱くなるのを鋳止する丸め、通常１μｍの小
さな厚みの霞電材料から成る中間１１１１６が提供され
る。

第５ｓｓｃｓ示された第２変形具体例に従いξの状態を
避けるため、電極は３つのセクシ薔ン１１１０及び１１
３１に分割され、実質的番ζ被含よう導液が伝搬される
中心ストリップを愈おわず番ζお（。従ってこれ以上の
相互作用はなく、鱒電曽料から成る層は余分となる。相
補的接続１１１１４０及び１１５０は電極の２つのセク
シ曹ン聞の電気的連続性を提供する０ ８０１ｍの厚みを有する材料から成る畷１０３を伴う通
常の＾゛体例は、前記１０−１　アンペア−ターン／メ
ータのマグニチュードのオーダーの横磁界を生起するた
め約２５ｍ人の電流量が必要とされる。

前記変形化よる測定ヘッドと連結され良電子回路は前記
特許請求の範囲内で用いられ九回路とは異なるが、しか
し少し異なるだけであり、次に簡単に説明する。第６図
は伝送−受容エレメント即ちナプユニット■ζ共通なケ
ース内に収容され得るこれらの回路の簡単な配線図であ
る（第２図）。

最初番と、これらの回路はレーザー源１０４に給電する
のに必要とされる電力を提供する安定化され丸供給源２
０１を含む。これが半導体レーザーである場合、ナーボ
回路２０１０も与えられており、供給源２０１ｉＣより
供給され大電力を制御し、この種のレーザーは温度番こ
非常に敏感である。これらの回路は機業者には全知であ
る。例工ば１．３マイクロメータの波長で赤外線の範囲
で伝送されるレーザーダイオードに対し、２００ミリア
ンペアの供給強さで４ミリワットの光エネルギーが得ら
れる。

発振５ｚｏｉは比較的高い周波数、例えば１００　ＫＨ
ｚ　で信号を供給する。この信゛号は、ソレノイド１１
Ｇに給電され九電圧ＶＢを出す増幅５ｚｏｓでの直接的
な或いは少し−イヒし得゛る信号番ζ付加される。

バイアス電１′ゼネレータ２０４は、光ビームを門出す
るとｉ号ｖ８を供給するホトダイオニ゛ド１０９の／−
イ゛アス電圧を供給する仁とを可能にする。゛この信号
ｖ８は発振１１２０２１ζ工り供給され九信号の周波数
の中心上に位置する一択的増幅１ｌＩ２０ｓで増幅ＩＩ
−れる。

この増幅５ｚｏｓの出力信号は、基本周波数での信号の
振幅と、この振幅゛が零を通過゛する間の位相変化との
両方を一定する同期検出器での発振ｓ２０雪の出力信号
と比較”され“る。この検出ｌはエラー儒−を提供する
。

このエラー信号はサーボ機＠２０丁に送ら札このナーボ
機構は例えば電圧ゼネレータと、増幅［１２０３を介し
てソレノイド１１０に送られると、ＹＩＧ＠１０３内で
一定されるべき磁界の平衡を保つことにより比較！！２
１Ｇから出るエラー信号を暇消す帰還電圧を発生させ得
る修正フィルタとを誉む。　　　　　　　　゛測定さ゛
れるべき磁界の値を得る丸め、磁気平衡界の値は磁界を
発生させ、ナーボ機構２０７により増幅１１２０３に適
用される信号の値により一定される。この目的の丸め測
定器真２０８がナーボ機構２０７と増幅１１２０３との
間に挿入される９ 第４図及び第５図に図示された変形では、制御回路は又
、材料１０Ｓ内での横磁界を発生させるのに必要な電極
１１３（又は電極１１３０及び１１３１）で流れるよう
にされた電流量源２１Ｇを含む。

本発明は一記異体例に限定されるのではなく、食ゆる一
定ヘッドの形を含んでセリ、これらの形では偏光され電
光伝送−受容エレメントは双方向光学結合によりそのセ
クションを介して活性輯−に結合されており、被きよう
導波はこの材料での外側への及び戻りの動きをおこなう
。

【図面の簡単な説明】

第１図はフランス轡許出願第２，４７１，６０８号によ
る一定ヘッドの断面図、第２図は本発明による測定ヘッ
ドの具体例の設計図、第３図はこのヘッドの特別なナブ
ユニットの実際的な異体例を示す説明図、第４図及び第
５図はこのナプユニットのエレメントの２つの変形を示
す説明図、第６図は一定ヘッドと連結された電気回路の
簡単な回路配線図である。 １０１・・・セラミックプレー）、１０２・・・プレー
ト、１０６・・・ダルーブ、１０ト・・偏光器、１０丁
・・・分析１１）、１０８・・・スロット、１０９・・
・検出ｌホトダイオード、１１０・・・ソレノイド、１
１１．１１２・・・磁石。　　　　　　　　　　−代理
人斧聰士今　　村　　　　元

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）直線偏光専れ九党のビームの伝送の丸めの手段と
   、磁気材料の千ｍｕｍに平行な前記ビームの伝送中の拘
   束伝搬の丸めの艮、び伝搬中傷光方向をｉｃｉ＠するた
   めの磁気材料の平面１と、この回転を測定するための手
   段とを含んでおり、磁気材料層の厚みはビームの拘束伝
   搬を許、容するよう化遥択専れて怠り、光ビーム伝送用
   の及びａ＠測定層の鎗記手段は共通の光学ファイバによ
   りそのエツジを介して磁気材料の平面場の嶋−の１つに
   結合されて自り、層の反対側の端部には、共通の光学フ
   ァイバに再注入され且つ偏光方向の一転を測定する丸め
   の手段へ伝ｍｉｓれる＊に、磁気材料層内でビームを外
   側へ及び後へ動かすように誘導されたビームを反射させ
   る丸めの手段が与えられていることを特徴とする磁力針
   量の測定ヘッド。 ■　ビーム伝送手段はレーザーダイオードを含１ んでおり、偏光方向の一転を測定する丸めの手□ 段はホトダイオ−Ｖを含んでいることを特徴とする特許
   →京の範囲第１項に記載の測定へツＶ０（３）　　レー
   ザーダイオードとホトダイオードとは優先的光学軸を有
   する光学手段により光学ファイバに結合されて詔り、伝
   送さ５九ビームを直線偏光し、ビームを共通の光学ファ
   イバに挿入し、光学ファイバから磁気材料層に上り再伝
   送されたビームを受容し、受容され九ビームを夫々前記
   優先的光学軸に平行な及び直交する偏光を有する３つの
   成分に分離し、直交する成分をホトダイオードに伝送す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の測定
   ヘッド。 （４１優先的光学軸を有する光学手段は屈折材料から成
   る３つの直角プリズムの接合により形成され電文方体を
   含んでおり、２つのプリズムの斜辺により形成され充分
   離表面は偏光分離器となるよう化処１ｍ８れていること
   を特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の測定ヘッド
   。 （５）優先的光学軸を有する光学手段はＧＬＡＮプリズ
   ムを含むことを特徴とする特許請求の範囲＄Ｉ　Ｚ　ｌ
   ［Ｋ　Ｅ　ＩＥ　）ＩＩ　定ヘツＩ／〇（８）更にレー
   ザーダイオードにより伝送され九ビームを受容し、偏光
   器エレメントにより伝送され九ビームにｉラジアンの偏
   光回転を与える入力表面上に配置され九個光ｌエレメン
   トと結舎専れ九個光回転のためのエレメントを含む分離
   器を會んで怠り、光学手段は、優先的光学軸が前記分離
   ｌエレメントから到来するビームの偏光方向と合致する
   ように空間的魯ζ配備されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第３項一こ記載の一定へツｙ。 （７）磁気材料層は支持プレート上に位置し、共通の光
   学ファイバを磁気材料から成るレーザーと結合させる丸
   めの手段と一体を成す基板番こより推持されており、こ
   れらの手段には結合されるべきファイバが配置される基
   準位置が与えられていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の測定ヘッド。 （８）Ｂ転を一定する丸めの手段は又、磁気材料層内に
   この層の平面番と平行で、置場され九ビームの伝書方向
   番ζ平行な磁界を生起し得るコイルを含むことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の測定ヘッド。 （９）磁気材料１内にこの層の平面に平行で光ビームの
   伝搬方向に直角な磁界を生起し得る手段を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項に記載の一定ヘッド。 （至）前記手段は磁気材料層の両Ｉｌ−と位置する２つ
   の永久磁石を含むことを特徴とする特許請求の範囲第ｓ
   ｍｚ記載の測定ヘッド。 ａ珍　　前記手段は磁気材料−を完全に被覆しており、
   導電材料から成る絶縁層により磁気材料層から分離され
   九導電せ料から成る平面電極と、この電極てビームの伝
   搬方向に平行な方向に沿って片方の端から他方の端へ流
   れる直流を確立する丸めの手段とを含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第９項番ζ記載の測定ヘッド。 υ　前記手段は、前記ビームの丸めの導波管を形成する
   磁気材料層の中心ストリップを被覆せずにセ（ように、
   ビームの伝搬方向に平行な中心軸の両側に磁気材料層内
   番こ位置する導電材料から成る２つの平面電極と、これ
   らの電極でビームの伝書方向に平行な方向で片方の端か
   ら他方の端へ流れる直流を確立する丸めの手段とを含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の一定ヘ
   ッド。 −誘導ビームを反射させる手段は磁気材料Ｉのエツジを
   金属処理することにより形成され九ミラーにより構成さ
   れることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の測
   定ヘッド。 鋳　磁気材料は、５及び１１０マイクロメ一タ間の厚み
   を有するがトリニウムとガリウムのガーネット、にエビ
   タクシ−成長され九イツト襲つムと鉄ガーネットである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項番こ記載の測定
   ヘッド〇鵠　偏光され電光の波長は実質的に１．３マイ
   クロメータであることを特徴とする特許請求の範［１１
   １１項に記載の測定ヘッド。 ０　測定されるべ舎外に対立する磁界を生起するための
   手段と、対立し九磁界上に重ね合わされ友交ａｉｍ界を
   生起するための手段と、これらの３つの界の作用下での
   光ビームの偏光平面の回転を測定するための手段と、光
   ビームの偏光回転が変化する間文書磁界の周波数の奇数
   調波の消失を検出することにより測定さ゛れるべ會界と
   同じ値魯ζ対向し電界を調整する丸めの手段とを含んで
   おり、特許請求の範囲第１項に記載の測定ヘッドを含む
   ことを特徴とする磁界を測定する丸めの磁力針。