JP2004103292A

JP2004103292A - 複層フィルム

Info

Publication number: JP2004103292A
Application number: JP2002260266A
Authority: JP
Inventors: Narikazu Hashimoto; 橋本　斉和
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2002-09-05
Filing date: 2002-09-05
Publication date: 2004-04-02

Abstract

【課題】液晶表示素子やＥＬ素子等のプラスチック基板として用いることができ、配向膜を付与する操作を行っても、導電性やガスバリア性が低下しないフィルムを提供する。
【解決手段】基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられており、熱処理した後の透明導電層の表面電気抵抗の変化率が２０％以下、７５℃３０分熱処理した後の水蒸気透過度の変化率が２０％以下、あるいは１７５℃３０分熱処理した後の酸素透過度の変化率が２０％以下の複層フィルム。
【選択図】　　　　　　　　　　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子、ＥＬ素子等のプラスチック基板として用いられ、良好な配向膜付与特性を有するプラスチックフィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子等のフラットパネルディスプレイ分野において、耐破損性の向上、軽量化、薄型化の要望から、基板をガラスからプラスチックに変えることが検討されている。この基板には導電性を必要とするため、プラスチックフィルム上に、酸化インジウム、酸化錫、或いは錫−インジウム合金の酸化物等の半導体膜、金、銀、パラジウム合金の酸化膜等の金属膜、該半導体膜と該金属膜とを組み合わせて形成された膜を透明導電層として設けた透明導電性基板を液晶表示素子の電極基板として用いることが検討されている。またプラスチックフィルムを通過し表示素子内に拡散した酸素や水蒸気が画像の劣化をもたらすため、プラスチックフィルムには高いガスバリア性が要求されている。
【０００３】
このような透明導電層が設けられた複層プラスチックフィルムは、例えば、下記特許文献１、特許文献２、特許文献３等の各公報に記載されている。しかし、これらのものに配向膜を付けようとすると導電性、ガスバリア性が大きく低下し改善が望まれていた。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２２７６０３号公報（特許請求の範囲及び段落番号０００１）
【特許文献２】
特開２０００−２８４７１７号公報（特許請求の範囲及び段落番号０００１）
【特許文献３】
特開２００１−１５０５８４号公報（特許請求の範囲及び段落番号０００１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、液晶表示素子やＥＬ素子等のプラスチック基板として用いることができ、配向膜を付与する操作を行っても、導電性やガスバリア性が低下しないフィルムを提供することにある。
本発明の他の目的は、上記フィルムを基板に用いた液晶表示素子及びＥＬ素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下記構成の複層フィルム、液晶表示素子及びＥＬ素子が提供され、本発明の上記目的が達成される。さらには、該複層フィルムを用いた円偏光板、タッチパネルが提供される。
１．基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
透明導電層の２５℃６０％ＲＨで測定した表面電気抵抗が１Ω／□以上５００Ω／□以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の透明導電層の表面電気抵抗の変化率が２０％以下であることを特徴とする複層フィルム。
２．２００℃３０分熱処理した後の表面電気抵抗の変化率が２０％以下であることを特徴とする上記１に記載の複層フィルム。
３．基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
４０℃９０％ＲＨで測定した水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ^２・日以上５ｇ／ｍ^２・日以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の水蒸気透過度の変化率が２０％以下であることを特徴とする複層フィルム。
４．２００℃３０分熱処理した後の水蒸気透過度の変化率が２０％以下であることを特徴とする上記３に記載の複層フィルム。
５．基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
４０℃９０％ＲＨで測定した酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ^２・日以上１ｃｃ／ｍ^２・日以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の酸素透過度の変化率が２０％以下であることを特徴とする複層フィルム。
６．２００℃３０分熱処理した後の酸素透過度の変化率が２０％以下であることを特徴とする上記５に記載の複層フィルム。
７．透明導電層が形成される前に、透明導電層が形成される面に水との接触角を３度以上下げる表面処理が施されていることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の複層フィルム。
８．透明導電層が形成される前にまたは透明導電層を形成するための操作中に、基材プラスチックフィルムが５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理されることを特徴とする上記１〜７のいずれかに記載の複層フィルム。
９．基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
透明導電層が形成される前に、透明導電層が形成される面に水との接触角を３度以上下げる表面処理が施されていること、かつ透明導電層を形成するための操作中に、基材プラスチックフィルムが５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理されていることを特徴とする複層フィルム。
１０．透明導電層及びガスバリア層に隣接して基材側に、破断伸度が３％以上５０％以下の緩衝層が設けられていることを特徴とする上記１〜９のいずれかに記載の複層フィルム。
１１．緩衝層の含水率が６質量％以下であることを特徴とする上記１０に記載の複層フィルム。
１２．基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
透明導電層及びガスバリア層に隣接して基材側に、破断伸度が３％以上５０％以下の緩衝層が設けられていることを特徴とする複層フィルム。
１３．緩衝層の含水率が６質量％以下であることを特徴とする上記１２に記載の複層フィルム。
１４．透明導電層が形成される前にまたは透明導電層を形成するための操作中に、基材プラスチックフィルムが５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理されることを特徴とする上記１２または１３に記載の複層フィルム。
１５．基材プラスチックフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）が１６０℃以上であることを特徴とする上記１〜１４のいずれかに記載の複層フィルム。
１６．上記１〜１５に記載の複層フィルムを用いた液晶表示素子。
１７．上記１〜１５に記載の複層フィルムを用いた有機ＥＬ素子。
１８．上記１〜１５に記載の複層フィルムを用いた円偏光板。
１９．上記１〜１５に記載の複層フィルムを用いたタッチパネル。
【０００７】
本発明者は、上記の目的を達成すべく鋭意検討した結果、従来の問題点が、透明導電層、ガスバリア層と基材に用いたプラスチックフィルムの熱膨張係数の差に起因することを明らかにした。
即ち、透明導電層には酸化インジウム、酸化錫、或いは錫−インジウム合金の酸化物等の半導体膜、金、銀、パラジウム合金の酸化膜等の金属膜、該半導体膜と該金属膜とを組み合わせて形成された膜が用いられるが、これらの熱膨張係数は３×１０^−６／℃〜１０×１０^−６／℃であり、プラスチックフィルムの熱膨張係数（４×１０^−５／℃〜１０×１０^−５／℃）に比べ約１／１０である。一方、導電層の上に液晶素子を配向させるための配向膜（例えばポリイミドから成る配向膜）は塗布液の塗布・乾燥により形成されるが、乾燥時になるべく高温にするほどその膜の強度を高めることができ望ましい。しかし、１７５℃以上の温度では両者の線膨張係数に起因する寸法歪により、導電膜が破断し、導電性が低下することが解った。即ち基材プラスチックフィルム（以下、「基材フィルム」とも称する）は熱膨張で伸びようとするのに対し、導電層の伸びは小さいため、これに引っ張られ破断する。このような故障は、さらに高温の２００℃において顕著であった。
【０００８】
ガスバリア層についても同様である。５ｇ／ｍ^２・日以下の小さな水蒸気透過度、１ｃｃ／ｍ^２・日以下のような小さな酸素透過度を実現するには、プラスチックフィルム単独（ポリビニルアルコールやポリビニルアルコールとエチレンの共重合体等）では達成できず、通常、珪素、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム等の金属の酸化膜や窒化膜等からなる無機ガスバリア層、あるいは無機微粒子（珪素、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム等の金属の酸化物や窒化物、ゾルゲル反応物の微粒子、雲母、クレー、タルク等の鉱物の微粒子等）を分散したプラスチック膜からなる有機ガスバリア層が積層されるが、特にバリア性及び耐熱性に優れる無機ガスバリア層は熱膨張係数は３×１０^−６／℃〜２０×１０^−６／℃であり、プラスチックフィルムの熱膨張係数（４×１０^−５／℃〜１０×１０^−５／℃）に比べ約１／１０である。この結果、配向膜形成のための加熱の際に、無機ガスバリヤア層が破断し、ガスバリア性が低下することが解った。
【０００９】
導電性、ガスバリア性の低下の原因となる導電層、無機ガスバリア層の破断を防止する手法として、本発明者は以下の３つの方法を見出し、本発明で用いられる。これらの方法は、単独で使用してもよいが、組み合わせて使用することが好ましい。特に好ましいのが下記（１）と（２）の方法の組合せである。
（１）透明導電層、無機ガスバリア層を形成する前に、各々の層が形成される面に表面処理を行い、該表面の水との接触角を３度以上下げる方法。
この方法により、下層と導電層及び無機ガスバリア層と各層の下層との密着を上げることができる。密着が悪いほうが、これらの層間の寸法歪を密着が剥がれることで解消するように通常思われるが、予想外に実際にはこの反対であり密着を上げることで、これらの層の破断を抑制することができる。これは、密着が低下し、局部的に密着が剥がれたところが発生すると、そこに応力集中点が発生し、これらの層が破断し易くなるためと発明者は推定している。
【００１０】
透明導電層及び無機ガスバリア層は、無機性の素材であり、極性が大きいため、これらの層と密着を出すためには、これらの層を形成する面（すなわち、これらの層の基材フィルムに近い隣接した層の表面、以下、下層表面ともいう）について表面処理を行い、極性を上げることが有効である。さらにこれらの表面処理は、表面に凹凸を付与する効果も有し、接触面積が増えることで密着性を上げる効果も有する。
なお、本明細書で、下層とは基材フィルムに近い隣接した層を指す。
このような表面処理による下層表面の極性増加の効果を検出する方法として、接触角を用いる方法が有効である。表面処理前の下層表面と水の接触角を基準にして、表面処理後の下層表面と水の接触角が３度以上、より好ましくは５度以上、さらに好ましくは１０度以上低下するように表面処理するのが好ましい。
【００１１】
上記表面処理方法としては、コロナ処理、プラズマ処理が好ましく挙げられるが、より好ましくはプラズマ処理である。これは、導電層及び無機ガスバリア層は真空中でスパッタあるいは蒸着法により形成することができるが、プラズマ処理も真空中で行われるので、これらの層の形成の前に連続した製造ライン上で処理できる利点を有するためである。
プラズマ処理に使用する放電周波数は、直流から数１０００ＭＨｚ、好ましくは５０Ｈｚ以上２０ＭＨｚ以下、さらに好ましくは５０Ｈｚ以上１ＭＨｚ以下である。放電処理強度は、０．１以上２０ｋＷ以下が好ましく、より好ましくは０．５以上１５ｋＷ以下、さらに好ましくは１以上１２ｋＷ以下である。プラズマ処理時の真空度は、０．０１ｍＴｏｒｒ以上２Ｔｏｒｒ以下（１．３３×１０^−３Ｐａ以上２．６６×１０^２Ｐａ以下）が好ましく、より好ましくは０．０５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下（６．６５×１０^−３Ｐａ以上６．６５×１０Ｐａ以下）である。好ましい処理時間は、０．１秒以上２０分以下であり、より好ましくは０．５秒以上１０分以下、さらに好ましくは１秒以上５分以下である。
【００１２】
コロナ放電処理は、放電周波数は５０Ｈｚ以上５０００ｋＨｚ以下、好ましくは５ｋＨｚ以上数１００ｋＨｚ以下が適当である。好ましい出力は、０．００１ＫＶ・Ａ・分／ｍ^２以上５ＫＶ・Ａ・分／ｍ^２以下、好ましくは０．０１ＫＶ・Ａ・分／ｍ^２以上１ＫＶ・Ａ・分／ｍ^２以下である。電極と基材フィルムとのギャップクリアランスは０．５以上２．５ｍｍ以下、好ましくは１．０以上２．０ｍｍ以下である。
【００１３】
透明導電層や無機ガスバリア層の下層となり、表面処理の対象となる層としては、基材フィルム、緩衝層などが挙げられる。これらの層については、後に詳しく説明される。
【００１４】
（２）基材フィルム上に透明導電層、無機ガスバリア層を形成する前または形成する操作中に、該基材フィルムを５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理する方法。
基材フィルム中には、一般に０．０１％〜５％の水を吸着している。透明導電層または無機ガスバリア層を蒸着、スパッタ等の真空法で該フィルム上に設けようとした場合、これらの水分が、スパッタ、蒸着時の衝撃で真空中に放出され、これが透明導電層または無機ガスバリア層に取り込まれるため、これらの層の密度が低下し、かつ隙間の多い脆い層になり、破断しやすい層となり易い。
これを防止するため、これらの蒸着またはスパッタの前に、基材フィルムを５０℃以上２００℃以下、より好ましくは７０℃以上１８０℃以下、さらに好ましくは９０℃以上１６０℃以下、１秒以上２０分以下、より好ましくは３秒以上１５分以下、さらに好ましくは５秒以上１０分以下加熱するのが好ましい（前加熱）。上記加熱処理は０．００５以上２０Ｔｏｒｒ以下（６．６５×１０Ｐａ以上２．６６×１０^３Ｐａ以下）、より好ましくは０．０２以上５Ｔｏｒｒ以下（２．６６Ｐａ以上６．６５×１０^２Ｐａ以下）の真空下で行うことが好ましい。これらの加熱処理を行った後、連続して蒸着またはスパッタを真空中で実施することができ、好ましい方法である。
【００１５】
さらに、基材フィルム上に透明導電層または無機ガスバリア層を形成するための蒸着またはスパッタを行っている際に、基材フィルムを５０℃以上２００℃以下、より好ましくは７０℃以上１８０℃以下、さらに好ましくは９０℃以上１６０℃以下の温度で、１秒以上２０分以下、より好ましくは３秒以上１５分以下、さらに好ましくは５秒以上１０分以下加熱することが好ましい。この加熱により、上述と同様の脱水効果を層の形成と共に得ることができる。
このときの加熱処理は、透明導電層の形成が無機ガスバリア層の形成より先に行われるのであれば、透明導電層の形成のときに行えば十分である。反対に、無機ガスバリア層の形成が先に行われるのであれば、無機ガスバリア層の形成のときに行えば十分である。
【００１６】
いずれの場合でも、これらの加熱処理は、赤外線ヒータによる加熱、熱ロールに接触させることによる加熱等がある。例えばフィルム面を１１５℃に加熱したい場合、１１５℃の熱ロールにフィルムを高々１秒間接触するだけで十分である。加熱方法は上記の方法に限らず、広く公知の加熱方法を利用することができる。
【００１７】
（３）導電層及びガスバリア層の下層として、破断伸度が３％以上５０％以下の緩衝層を設ける方法。
導電層及びガスバリア層の下層として、即ち導電層及びガスバリア層と基材フィルムの間に破断伸度が大きな層を設ける。即ち、破断伸度が１０％以上５０％以下、より好ましくは１２％以上４５％以下、さらに好ましくは１５％以上４０％以下の層（緩衝層：Ｂ）を設ける。これにより、導電層及びガスバリア層と基材フィルムの間の熱膨張の差に起因する寸法歪を緩和する効果を有する。
さらに、緩衝層を構成するポリマーとしては、含水率（２５℃の水に浸漬した時の飽和含水率）が６質量％以下のポリマーを用いることが好ましい。含水率が６質量％を超えて大きいと、脱水、吸水に伴う寸法変化が大きく、これより導電層及びバリア層が破断しやすくなる。
破断伸度が１０％以上５０％以下で含水率が６質量％以下のポリマーとして、具体的に以下のポリマーが挙げられる（括弧内の前半は破断伸度（％）を示し、後半は含水率（質量％）を示す）。
即ち、ポリ酢酸ビニル（２０／３）、トリアセチルセルロース（４０／４）、ポリスチレン（１５／０．１）、スチレンと無水マレイン酸の共重合体またはその半エステル（２０〜４０／０．１〜０．６）、ポリアクリル酸（１０／１．５）、ポリアクリル酸エステル（１５／１．０）、ポリメタクリル酸（１０／１．４）、ポリメタクリル酸エステル（１５／０．９）、アクリルニトリル（５０／０．８）、塩化ビニリデン（２５／０．１）等が挙げられる。
【００１８】
緩衝層の厚みは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上２０μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下である。厚みが０．１μｍ未満では緩衝効果が得られない。また、３０μｍを超えると、破断伸度が比較的小さい場合に、裁断したときに切り屑を発生し易く、成形加工性が悪化する。
緩衝層は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機微粒子またはポリメチルメタクリレート共重合体微粒子等の有機微粒子を含有することができる。緩衝層は、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、或いは米国特許第２，６８１，２９４号明細書に記載のホッパーを使用するエクストルージョンコート法等により塗布、乾燥して形成することができる。
【００１９】
これらの手法により、２５℃６０％ＲＨで測定した表面電気抵抗が１Ω／□以上５００Ω／□以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の表面電気抵抗の変化率が２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下の複層フィルムが得られる。
また、４０℃９０％ＲＨで測定した水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ^２・日以上５ｇ／ｍ^２・日以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の水蒸気透過度の変化率が２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下の複層フィルムが得られる。
また、４０℃９０％ＲＨで測定した酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ^２・日以上１ｃｃ／ｍ^２・日以下であり、これを１７５℃３０分熱処理した後の酸素透過度の変化率が２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下複層フィルムが得られる。
この結果、本発明の複層フィルムを、配向膜を付与しても導電性及びガスバリア性が低下しないプラスチック基板に供することができる。
以下に工程手順に従って、詳細な説明を加える。
【００２０】
〔基材フィルム：Ｓ〕
基材フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、１６０℃以上が好ましく、より好ましくは１８０℃以上３００℃以下、さらに好ましくは１９０℃以上２５０℃以下である。このような基材フィルムの素材として、以下のポリマーが挙げられる（括弧内の温度はＴｇを示す）。
即ち、ポリアリレート（ＰＡｒ：２１０℃）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：２２０℃）、ポリスルホン（ＰＳＦ：１９０℃）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ：特開２００１−１５０５８４の実施例１の化合物：１６２℃、変性ポリカーボネート樹脂（ＭＰＣ：特開２０００−２２７６０３の実施例４の化合物：２２５℃）、アクリロイル化合物（特開２００２−８０６１６の実施例−１の化合物：３００℃以上）が挙げられる。
これらの中で、好ましいものが、ＰＡｒ、ＰＥＳ、ＭＰＣであり、特に好ましいものが、ＭＰＣである。ＭＰＣとしては、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、下記式［Ｉ］で表わされるビスフェノールをビスフェノール成分とするポリカーボネート樹脂が挙げられる。
【００２１】
【化１】

【００２２】
ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、同一または異なり、水素原子あるいはメチル基であり、Ｘは炭素数５〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１５のアラアルキレン基、炭素数１〜５のハロアルキレン基である。
Ｘの具体例としては、シクロアルキレン基として１，１−シクロペンチレン、１，１−シクロヘキシレン、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン、ノルボルナン−２，２−ジイル、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８、８’−ジイルが挙げられ、特に１，１−シクロヘキシレン、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレンが好適である。また、アラアルキレン基としては、フェニルメチレン、ジフェニルメチレン、１，１−（１−フェニル）エチレン、９，９−フルオレニレンが挙げられる。またハロアルキレン基としては、２，２−ヘキサフルオロプロピレン、２，２−（１，１，３，３−テトラフルオロ−１，３−ジシクロ）プロピレン等が好適に挙げられる。これらのビスフェノール成分は一種でもよいし二種以上併用してもよい。なかでも、耐熱性と液晶表示素子に要求される光学特性の観点から、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレンまたは９，９−フルオレニレンが好ましい。
これらのビスフェノール成分は２種類以上組み合わせて用いることができる。
【００２３】
上記のポリカーボネート樹脂は、共重合体であってもよく、２種類以上併用して用いてもよい。このようなポリカーボネート系樹脂としては、ビスフェノール成分が（ｉ）ビスフェノールＡであるホモポリマー及び（ｉｉ）ビスフェノールＡと、上記式［Ｉ］においてＸが１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレンまたは９，９−フルオレニレンであるビスフェノールとからなる共重合体が好ましい。上記共重合体の組成は、好ましくはビスフェノールＡが１０〜９０モル％である。
【００２４】
基材フィルムの厚みは、４０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、より好ましくは６０μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以上２００μｍ以下である。基材フィルムの全光透過率は、８０％以上が好ましく、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは８８％以上である。ヘーズは３％以下が好ましく、より好ましくは２％以下、さらに好ましくは１％以下である。リターデーション値は３０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以下である。遅相軸のバラツキは±３０度以内が好ましく、より好ましくは±１５度以内、さらに好ましくは±８度以内である。
このような基材フィルムは、溶液製膜法及び溶融製膜法のいずれの方法で製造されてもよいが、より好ましくは平面性に優れる溶液流延法である。
【００２５】
〔ガスバリア層（Ｘ）〕
上記基材フィルムの少なくとも一方の面に有機または無機のガスバリア層（Ｘ）を少なくとも一層を積層することが好ましい。
（１）有機ガスバリア層（Ｘｏ）
有機ガスバリア層を構成するポリマーとしては、例えばポリビニルアルコール、ビニルアルコール−エチレン共重合体等のビニルアルコール系高分子、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリル−アクリル酸メチル共重合体やアクリロニトリル−スチレン共重合体などのアクリロニトリル系高分子、あるいはポリ塩化ビニリデンなどのポリマーが挙げられる。
【００２６】
さらにこれらの中に無機化合物を添加することがより好ましい。無機化合物としては、球状、棒状、層状の無機粒子が挙げられ、好ましくは層状の無機粒子である。具体的にはベントナイト、ヘクトライト、サポナイト、ビーデライト、ノントロナイト、スチブンサイト、バイデライト、モンモリナイト等の膨潤性粘度鉱物類、膨潤性合成雲母、膨潤性合成スメクタイトなどが挙げられる。これらの無機粒子のサイズとしては１〜２０μｍが好ましく、アスペクト比（平面の円相当径と厚みの比）は１００以上が好ましい。
さらに無機化合物として、エポキシ基及びアルコキシシリル基を有するエポキシ基含有珪素化合物、その（部分）加水分解物、その（部分）縮合物、またはこれらの混合物を用いることができ、該エポキシ基含有珪素化合物として、例えば下記式［ＩＩ］で表される化合物を挙げることができる。
Ｘ−Ｒ^１１−Ｓｉ（Ｒ^１２）_ｎ（ＯＲ^１３）_３−ｎ　　　　　　　　　［ＩＩ］
ここで、Ｒ^１１は炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ^１２及びＲ^１３は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘはグリシドキシ基またはエポキシシクロヘキシル基であり、ｎは０または１の数である。
特に好ましいエポキシ基含有珪素化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランである。これらの化合物は単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
さらに無機化合物として、アミノ基及びアルコキシシリル基を有するアミノ基含有珪素化合物、その（部分）加水分解物、その（部分）縮合物、またはこれらの混合物を用いることができる。アミノ基含有珪素化合物として、例えば下記式［ＩＩＩ］で表される化合物を挙げることができる。
Ｙ−ＨＮ−Ｒ^１４−Ｓｉ（Ｒ^１５）_ｍ（ＯＲ^１６）_３−ｍ　　　　　　　　［ＩＩＩ］
ここで、Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ^１５及びＲ^１６は同一または異なって炭素数１〜４のアルキル基、Ｙは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアミノアルキル基であり、ｍは０または１の数である。
この中で特に好ましいアミノ基含有珪素化合物は、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランである。これらの化合物は単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
また、エポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合物は組み合わせて用いることができる。
【００２８】
本発明におけるエポキシ基含有珪素化合物またはアミノ基含有珪素化合物の（部分）加水分解物及びその（部分）縮合物は、上述のエポキシ基含有珪素化合物またはアミノ基含有珪素化合物の一部または全部が加水分解したもの、該加水分解物の一部または全部が縮合反応した縮合物、該縮合物と加水分解していないエポキシ基含有珪素化合物またはアミノ基含有珪素化合物とが縮合したものを含み、これらはいわゆるゾルゲル反応させることにより得られる。ここで加水分解物は、例えば塩酸等の無機酸、酢酸等の有機酸などの酸性水溶液または水と混合した後、１００℃から２００℃に」加熱することにより得られる。
なお、エポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合物を組み合わせる場合、その混合比率は、エポキシ基量（モル）Ｅｐとアミノ基量（モル）Ａｐとの比率で１／６＜Ｅｐ／Ａｐ＜６／１の範囲内が好ましい。
【００２９】
これらの無機粒子、ゾルゲル成分の有機ガスバリア層への添加率は、有機ガスバリア層の全質量に対して５質量％以上７０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以上５０質量％以下である。
この層の厚みは０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下である。
【００３０】
以上説明した有機ガスバリア層は基材フィルムや緩衝層と密着性が良いので、有機ガスバリア層の下層について、表面処理は通常行われない。
【００３１】
（２）無機ガスバリア層（Ｘｉ）
無機ガスバリア層としては、例えば珪素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ジルコニウム、チタン、イットリウム、及びタンタルから選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする金属酸化物；珪素、アルミニウム、及びホウ素から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする金属窒化物；及びこれらの混合物を挙げることができる。
この中でも、ガスバリア性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜応力、コスト等の点から、珪素原子数に対する酸素原子数の割合が１．５〜２．０の珪素酸化物を主成分とする金属酸化物が良好である。
【００３２】
無機ガスバリア層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法により作製することができる。なかでも、特に優れたガスバリア性が得られるという観点から、スパッタ法が好ましい。
このようなスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法の好ましい真空度は、０．０１ｍＴｏｒｒ以上５０ｍＴｏｒｒ以下（１．３３×１０^−３Ｐａ以上６．６５Ｐａ以下）、より好ましくは０．０５ｍＴｏｒｒ以上１０ｍＴｏｒｒ以下（６．６５×１０^−３Ｐａ以上１．３３Ｐａ以下）である。
【００３３】
上述のように、このような無機バリア層を形成する前に、あるいは形成する操作中に、下記の処理（１）〜（３）の少なくともいずれかを行うことが好ましい。その詳細については、既に述べた。
（１）無機バリア層を設ける前に、無機バリア層の下層（例えば基材フィルム）の表面に表面処理を施す。
（２）無機バリア層を形成する前に、基材フィルムを５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理する。
（３）無機ガスバリア層を形成する操作中に、基材フィルムを５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理する。
【００３４】
無機ガスバリア層の膜厚は１０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
【００３５】
有機ガスバリア層あるいは無機ガスバリア層のバリヤー性は、４０℃９０％ＲＨで測定した水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ^２・日以上５ｇ／ｍ^２・日以下が好ましく、より好ましくは０．０３ｇ／ｍ^２・日以上３ｇ／ｍ^２・日以下、さらに好ましくは０．０５ｇ／ｍ^２・日以上２ｇ／ｍ^２・日以下である。
４０℃９０％ＲＨで測定した酸素透過度は、０．０１ｃｃ／ｍ^２・日以上１ｃｃ／ｍ^２・日以下であり、より好ましくは０．０１ｃｃ／ｍ^２・日以上０．７ｃｃ／ｍ^２・日以下であり、さらに好ましくは０．０１ｃｃ／ｍ^２・日以上０．５ｃｃ／ｍ^２・日以下である。
【００３６】
〔透明導電層（Ｅ）〕
透明導電層（Ｅ）としては、公知の金属膜、金属酸化物膜等が適用できるが、中でも、透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましい。例えば、不純物としてスズ、テルル、カドミウム、モリブテン、タングステン、フッ素、亜鉛、ゲルマニウム等を添加した酸化インジウム、酸化カドミウム及び酸化スズ、不純物としてアルミニウムを添加した酸化亜鉛、酸化チタン等の金属酸化物膜が挙げられる。中でも酸化スズから主としてなり、酸化亜鉛を２〜１５質量％含有した酸化インジウムの薄膜が、透明性、導電性が優れており、好ましく用いられる。
透明導電層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法により作製することができる。なかでも、特に優れた導電性・透明性が得られるという観点から、スパッタリング法が好ましい。
このようなスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法の好ましい真空度は、０．０１ｍＴｏｒｒ以上５０ｍＴｏｒｒ以下（１．３３×１０^−３Ｐａ以上６．６５Ｐａ以下）、より好ましくは０．０５ｍＴｏｒｒ以上１０ｍＴｏｒｒ以下（６．６５×１０^−３Ｐａ以上１．３３Ｐａ以下）である。
【００３７】
上述のように、このような透明導電層を形成する前にあるいは形成する操作中に、下記の処理（１）〜（３）の少なくともいずれかを行うことが好ましい。その詳細については既に述べた。
（１）透明導電層を形成する前に、透明導電層の下層（例えば緩衝層）の表面に表面処理を施す。
（２）透明導電層を形成する前に基材フィルムを５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理する。
（３）透明導電層を形成する操作中に、基材フィルムを５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理する。
【００３８】
透明導電層の膜厚は、２０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。
【００３９】
透明導電層の２５℃６０％ＲＨで測定した表面電気抵抗は１Ω／□以上５００Ω／□以下が好ましく、より好ましくは２Ω／□以上２００Ω／□以下であり、さらに好ましくは３Ω／□以上６０Ω／□以下である。
さらに、透明導電層の全光透過率は８０％以上が好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。
【００４０】
〔保護層（Ｄ）〕
ガスバリア層及び導電層の割れの防止、基材フィルムの耐溶剤性を得るために保護層（Ｄ）を設けることが好ましい。保護層を形成する材料としては、一般に、保護コート剤、ハードコート剤として用いられるものであれば特に限定されない。たとえば、アクリル系、メラミン系、アルキッド系、ウレタン系などの紫外線硬化型あるいは熱硬化型のハードコート剤、脂環式構造含有重合体などの樹脂が挙げられる。中でも、透明性および耐熱性に優れ、しかも隣接する層との密着性の観点からは、好ましくはアクリル系ハードコート剤、シリコン系ハードコート剤、より好ましくは硬化型アクリル系ハードコート剤、さらに好ましくは紫外線硬化型アクリル系ハードコート剤、特に好ましくは多官能のアクリル系紫外線硬化型ハードコート剤である。
【００４１】
上記紫外線型アクリル系ハードコート剤は、反応性モノマー及び／又は反応性オリゴマーと、光重合開始剤とを含有する。反応性モノマーとしては、例えば、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、その他の高級アルキルアクリレート等の単官能アクリレートモノマー；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリプロピレングリコール、ブチレングリコール、テトラメチロールプロパン、トリメチロールプロパン、ペンタエリストール等のポリオール類に２個以上のアクリレートが結合した多官能性アクリレートモノマー等を挙げることができる。中でも、１〜６官能性アクリレートが好ましく、より好ましくは２，３官能性アクリレート、さらに好ましくは脂環式構造を含有する２，３官能性アクリレートである。
反応性オリゴマーとしては、たとえば、末端にアクロイル基を持つポリエステルアクリレート、分子鎖中にエポキシ基を、かつ末端にアクリロイル基を持つエポキシアクリレートまたはポリウレタンアクリレート、分子鎖中に二重結合を持つ不飽和ポリエステル、１，２−ポリブタジン等を挙げることができる。
【００４２】
上記光重合開始剤としては、たとえば、２，２−ジメトキシ−２フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２フェニルアセトフェノン、塩素化アセトフェノン等のアセトフェノン類；ベンゾフェノン類；ベンジル、メチルオルソベンゾイルベンゾエート、ベンゾイルアルキルエーテル等のベンゾインエーテル類；α，α’−アゾイソブチルニトリル、２，２’−アゾビスプロパン、ヒドラゾン等のアゾ化合物；ベンゾイルパーオキサイド、ジターシャリーブチルパーオキサイド等の有機パーオキサイド類；ジフェニルサルファイド、ジベンゾイルサルファイト等のジフェニルジサルファイド類を挙げることができる。更にシランカップリング剤を含むのが好ましい。
【００４３】
このような保護層に密着改良のためにシランカップリング剤を配合することがより好ましい。シランカップリング剤としては、けい素原子に直接に、または酸素原子もしくは−ＯＣＯ−基を介して結合した炭化水素基を有し、これらの炭化水素基の少なくとも一つは二重結合，ハロゲン原子，エポキシ基，酸無水物基，アルコキシカルボニル基，アミノ基，アクロイル基，メタクリロイル基，アクリルアミノ基，メタクリルアミノ基またはハロアシルアミノ基を有するものが挙げられる。このうち特にエポキシ基やアミノ基を有する化合物が好ましい。前記樹脂とシランカップリング剤との混合比は、樹脂１００質量部に対して、シランカプリング剤０．１〜１０質量部であり、好ましくはシランカプリング剤１〜５質量部である。
【００４４】
保護層（Ｄ）を積層する方法としては、グラビアコーティング，リバースコーティング，キスコーティング，スピンコーティング，ワイヤーバーコーティング，ロールコーティング，ナイフコーティングなどが挙げられるが、特に限定されるものではない。保護層の塗布・乾燥後には、高圧水銀灯等の紫外線を発生する光源から紫外線を照射することにより、硬化が短時間で起こり、保護層（Ｄ）が形成される。
保護層（Ｄ）の厚みは、好ましくは０．０１〜１０μｍであり、０．１〜４μｍがより好ましい。
保護層（Ｄ）には、適宜、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、滑剤、ブロッキング防止剤などを配合してよい。このような添加剤を添加する場合、その添加量は、アクリル系樹脂の１０質量％以内である。
形成される保護コート層（Ｄ）は、最終的に得られる層の必要機能が得られていれば、２重積層や多重積層でもよく、異種類のシランカップリング剤を添加した異種類のアクリル系樹脂を積層してもよい。
【００４５】
〔複層フィルムの層構成〕
上述の、基材フィルム（Ｓ）、透明導電層（Ｅ）、無機ガスバリア層（Ｘｉ）、有機ガスバリア層（Ｘｏ）、緩衝層（Ｂ）、保護層（Ｄ）を積層して構成される本発明の複層フィルムの層構成例を以下に示す。この中で、／／で示したところで表面処理が行われている。
透明導電層は最外層にあれば、無機ガスバリア層（Ｘｉ）、有機ガスバリア層（Ｘｏ）、および保護層（Ｄ）と基材フィルム（Ｓ）に対して同じ側にあってもよいし、反対側にあってもよい。
（１）Ｄ／Ｘｏ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（２）Ｓ／Ｂ／／Ｘｉ／Ｘｏ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（３）Ｄ／Ｘｏ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（４）Ｘｏ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｄ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（５）Ｘｏ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｄ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（６）Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｘｉ／Ｘｏ／Ｂ／／Ｅ
（７）Ｘｏ／Ｄ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（８）Ｘｏ／Ｄ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（９）Ｄ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｘｏ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（１０）Ｄ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｘｏ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（１１）Ｓ／Ｂ／／Ｘｉ／Ｂ／Ｄ／／Ｅ
（１２）Ｘｏ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（１３）Ｘｏ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（１４）Ｘｉ／／Ｂ／Ｘｏ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（１５）Ｘｉ／／Ｂ／Ｘｏ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（１６）Ｄ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（１７）Ｓ／Ｂ／Ｘｉ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（１８）Ｄ／Ｘｉ／／Ｂ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（１９）Ｘｉ／／Ｂ／Ｄ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（２０）Ｘｉ／／Ｂ／Ｄ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（２１）Ｄ／Ｘｏ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（２２）Ｓ／Ｘｏ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（２３）Ｄ／Ｘｏ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
（２４）Ｘｏ／Ｄ／Ｓ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（２５）Ｓ／Ｘｏ／Ｄ／Ｂ／／Ｅ
（２６）Ｘｏ／Ｄ／Ｓ／Ｂ／／Ｅ
【００４６】
〔測定法〕
本発明において規定する各種物性値は下記の方法で測定される。
（１）表面電気抵抗
・初期表面電気抵抗：２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製の８００９　　ＲＥＳＩＳＴＩＶＩＴＹ　　ＴＥＳＴ　　ＦＩＸＴＵＲＥとＫＥＩＴＨＬＥＹ製の６５１７Ａ型とを用いて初期抵抗（Ｒ０）を測定した。
・熱処理後の表面電気抵抗：このサンプルを空気恒温槽を用い無張力下で吊るして１７５℃３０分熱処理を行った。これを２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、上と同様にして表面電気抵抗（Ｒ１７５）を測定した。
・表面電気抵抗変化率：（Ｒ１７５）と（Ｒ０）の差の絶対値を（Ｒ０）で割り、百分率で示したものを表面電気抵抗変化率（％）とした。
・２００℃３０分熱処理の場合も同様にして表面電気抵抗変化率を測定した。
【００４７】
なお、本明細書で透明導電層の表面電気抵抗（Ｒａ）とは、透明導電層そのものの電気抵抗であり、透明導電層を含む複層フィルム全体の電気抵抗（Ｒｂ）、および透明導電層のみを除いた複層フィルムの電気抵抗（Ｒｃ）を用いて以下のように表される。
１／Ｒａ＝１／Ｒｂ−１／Ｒｃ
すなわち、透明導電層の有る層と無い層のそれぞれの電気抵抗を測定することで求めることができる。
【００４８】
（２）水蒸気透過度
・初期水蒸気透過度：ＭＯＣＯＮ社製、パーマトランＷ１Ａを用いて、４０℃、９０％ＲＨ雰囲気下において２４時間測定し水蒸気透過度を測定した。これをＷ０とした。
・熱処理後の水蒸気透過度：このサンプルを空気恒温槽を用い無張力下で吊るして、１７５℃３０分熱処理を行った。これを２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、上と同様にして水蒸気透過度（Ｗ１７５）を測定した。
・水蒸気透過度の変化率：（Ｗ１７５）と（Ｗ０）の差の絶対値を（Ｗ０）で割り、百分率で示したものを水蒸気透過度の変化率（％）とした。
・２００℃３０分熱処理の場合も同様にして水蒸気透過度の変化率を測定した。
【００４９】
（３）酸素透過度
・初期酸素透過度：ＭＯＣＯＮ社製、ＯＸ−ＴＲＡＮ　１０／５０Ａを用いて４０℃、９０％ＲＨ雰囲気下において２４時間測定し酸素透過度を測定した。これをＯ０とした。
・熱処理後の酸素透過度：このサンプルを空気恒温槽を用い無張力下で吊るして、１７５℃３０分熱処理を行った。これを２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、上と同様にして酸素透過度（Ｏ１７５）を測定した。
・酸素透過度の変化率：（Ｏ１７５）と（Ｏ０）の差の絶対値を（Ｏ０）で割り、百分率で示したものを水蒸気透過度の変化率（％）とした。
・２００℃３０分熱処理の場合も同様にして酸素透過度の変化率を測定した。
【００５０】
なお、本明細書で水蒸気透過度または酸素透過度とは、前記〔複層フィルムの層構成〕で示したような複層フィルムについて測定した値であり、その上に機能性材料（例えば、円偏光膜、ＴＮ型液晶表示装置）を搭載した複層フィルムについて測定した値ではない。
【００５１】
（４）ガラス転移温度（Ｔｇ）
・サンプルを２０ｍｇサンプルパンに入れ、これを一度３００℃まで２０℃／分で昇温後、急冷する。これを再び窒素気流中で２０℃／分で３００℃まで昇温しながら示差熱分析系（ＤＳＣ）を用いて測定する。ベースラインがＴｇを挟んで平行移動するが、低温側のベースラインの外挿線と、ベースラインが２本の平行線の間で移動している領域の外挿線の交点をＴｇとした。
（５）接触角
・２５℃６０％ＲＨにおいて、サンプル表面に純水をマイクロシリンジを用い１滴下し、２分経過した時の水滴と基材フィルムの成す角を読みとった。
（６）破断伸度
・テフロン基板等の剥離性基材の上にサンプルの塗布液を流延、乾燥し、これを剥ぎ取り２０〜４０μｍのサンプルを作成した。
・これを１ｃｍ×２０ｃｍに剃刀を用い切り出し、２５℃６０％ＲＨにおいて、チャック間１０ｃｍ、引っ張り速度２ｃｍ／分で引っ張り、破断したときの引っ張り長（Ｌｃｍ）から、破断伸度（％）＝１００×（Ｌｃｍ／１０ｃｍ）を求めた。
【００５２】
（７）含水率
・ガラス板上に流延製膜したサンプルを１ｃｍ×３ｃｍに裁断し、これを３枚作成する。これを２５℃１０％ＲＨに３時間以上調湿した後、秤量する。
・これを２５℃の水中に２時間浸漬した後、引き上げ、両面の水をふき取った後、直ちに下記気化器付きのカールフィッシャー水分計で測定する。
気化器：三菱化学製ＶＡ−０５型を用い、１５０℃にてサンプル中の水分揮発させ水分計に導入する。
カールフィッシャー水分計：三菱化学製ＣＡ−０３型
・下記式に従い含水率を計算する。
水分計の示した水分量（μｇ）をＷとし、秤量したサンプル量をＦ（ｍｇ）とすると、含水率（％）＝０．１×（Ｗ／Ｆ）
【００５３】
〔円偏光板、液晶表示素子及びタッチパネルの作成〕
（円偏光板）
本発明の複層フィルムにλ／４板と偏光板を積層し円偏光板を作成することができる。この場合λ／４の遅相軸と偏光板の吸収軸を４５度になるように積層する。このような偏光板は長手方向（ＭＤ）に対し４５度方向に延伸されているものを用いるのがより好ましく、特開２００２−８６５５５４号公報に記載のものを好ましく用いることができる。
（液晶表示素子）
反射型液晶表示装置に用いる場合は、下から順に、下基板、反射電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、透明電極、上基板、λ／４板、そして偏光膜からなる。本発明の複層フィルムは、透明電極、上基板として使用することができる。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を反射電極と下配向膜との間、または上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。
透過型液晶表示装置に用いる場合は、下から順に、バックライト、偏光板、λ／４板、下透明電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、上透明電極、上基板、λ／４板、そして偏光膜からなる。本発明のプラスチック基板は、上透明電極、上基板として使用することができる。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を下透明電極と下配向膜との間、または上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。
液晶セルは特に限定されないが、より好ましくはＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　）型、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型またはＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ　Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｙ　Ａｌｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ＥＣＢ型（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｇｅｎｃｅ）、ＯＣＢ型（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ　Ｂｅｎｄ）、ＣＰＡ型（Ｃｏｎｔｉｎｉｏｕｓ　Ｐｉｎｗｈｅｅｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）であることが好ましい。
（タッチパネル）
タッチパネルは、特開平５−１２７８２２号公報、特開２００２−４８９１３号等に記載のものに応用することができる。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中、部および％は、特に断らない限り質量基準である。
また、実施例中における（１）表面電気抵抗、（２）水蒸気透過度、（３）酸素透過度、（４）ガラス転移温度（Ｔｇ）、（５）接触角、（６）破断伸度、および（７）含水率の測定は、前記の方法にしたがって測定した。
【００５５】
なお、後掲の化合物名は以下の略号を用いた。
・ＢｉｓＡ／ＢＣＦ−ＰＣ：ビスフェノールＡと９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（ＢＣＦ）をビスフェノール成分とするポリカーボネート共重合体
・ＢｉｓＡ／ＩＰ−ＰＣ：ビスフェノールＡと３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン（ＩＰ）をビスフェノール成分とするポリカーボネート共重合体
・ＰＥＳ：ポリエーテルスルホン
・ＣＯＣ：環状オレフィンコポリマー
・ＩＴＯ：インジウム−スズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）
【００５６】
（実施例１）
（１）基材フィルム（Ｓ）
（ｉ）ＭＰＣ
・ＭＰＣ−１
ＢｉｓＡ／ＢＣＦ＝１／１（モル比）でＴｇが２２５℃のポリカーボネート共重合体（ＢｉｓＡ／ＢＣＦ−ＰＣ）をメチレンクロライドに２０質量％になるように溶解した。得られた溶液をダイコーティング法によりステンレスバンド上に流延した。次いで、乾燥炉で残留溶媒濃度が１３質量％になるまで乾燥し、ポリエステルフィルムから剥離した。そして、得られたフィルムを温度１２０℃の乾燥炉で縦横の張力をバランスさせながら、該フィルム中の残留溶媒濃度が０．０８質量％になるまで乾燥させた。
・ＭＰＣ−２
ＢｉｓＡ／ＩＰ＝２／３（モル比）で、Ｔｇが２０５℃のポリカーボネート共重合体（ＢｉｓＡ／ＩＰ−ＰＣ）をＭＰＣ−１と同様に流延製膜した。
（ｉｉ）ＰＥＳ
溶融押し出し法を用いて製膜した未延伸ＰＥＳフィルム（住友ベークライト製スミライトＦＳ−１３００）を用いた。
（ｉｉｉ）ＣＯＣ
溶融押し出し法を用いて製膜したポリノルボルネンフィルム（日本ゼオン製ゼオノアＺＦ１６−１００）を用いた。
（ｉｖ）ＰＣ（比較例）
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ；ＢｉｓＡ）のみをビスフェノール成分とするポリカーボネートを用い、ＭＰＣ−１と同様にして製膜した。
これらの支持体は全て塗布面側にコロナ放電処理を施した。
【００５７】
（２）緩衝層（Ｂ）
下記素材を各々、下記表１の右端に記載の溶剤に２０質量％になるように溶かし、バーコーターで表２記載の乾燥膜厚に成るように塗布し、１３０℃で３分乾燥した。
【００５８】
【表１】

【００５９】
（３）ガスバリア層（Ｘ）
（３−１）有機ガスバリア層
（ｉ）ＥＶＯＨ＋シラノール（Ｘｏ−１）
エチレンビニルアルコール共重合体（クラレ製「エバール」：ＥＶＯＨ）１００部を、水７２０部、ｎ−プロパノール１０８０部の混合溶媒に加熱溶解させ、均一溶液を得た。この溶液にレベリング剤（東レダウコーニング社製「ＳＨ３０ＰＡ」を０．１部、酢酸３９部加えた後、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（ＥＣＨＥＴＭＯＳ）　２１１部を加え１０分間撹拌した。更にこの溶液に３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＰＴＭＯＳ）　７７部を加えて３時間撹拌しコーティング組成物を得た。コーティング組成物の組成は、（ＥＶＯＨ）／［（ＥＣＨＥＴＭＯＳ）＋（ＡＰＴＭＯＳ）］＝１／２、（ＥＣＨＥＴＭＯＳ）／（ＡＰＴＭＯＳ）＝２／１とした。このコーティング組成物を、表３の構成で、表２に記載の厚みでバーコーティングし、１３０℃３分熱処理を行った。
（ｉｉ）ＰＶＯＨ＋合成雲母（Ｘｏ−２）
ポリビニルアルコール（クラレ製「エクセバール」：ＰＶＡ）１００部を、水１０００部、に加熱溶解させた。これに合成雲母（コープケミカル（株）製ソマシフ）を２０部添加し良く溶解した。このコーティング組成物を、表３の層構成で、表１に記載の厚みでカーテンコーティングし、１３０℃で３分乾燥した。
【００６０】
（３−２）無機ガスバリア層
表２記載の温度、時間で基材フィルムを加熱したあと（前加熱）、５ｍＴｏｒｒ（６．６５×１０^−１Ｐａ）の減圧下で、出力２５００Ｗで表２記載の時間プラズマ表面処理をした。この後表２記載の温度で加熱しながら（スパッタ加熱）、下記スパッタを行った。
（ｉ）ＳｉＯ_２層（Ｘｉ−１）
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、ＳｉＯ_２をターゲットとしスパッタリングし表２記載の厚みのＳｉＯ_２膜を製膜した。なお、スパッタは５ｍＴｏｒｒ（６．６５×１０^−１Ｐａ）の真空下で、Ａｒ雰囲気下、出力５ｋＷで行った。
（ｉｉ）ＳｉＯｘＮｙ層（Ｘｉ−２）
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、Ｓｉをターゲットとし、Ｏ_２、Ｎ_２を導入しながら、５ｍＴｏｒｒ（６．６５×１０^−１Ｐａ）の真空下で、出力５ｋＷで、スパッタリングし、表２記載の厚みのＳｉＯｘＮｙ膜（ｘ＝１、ｙ＝１）を製膜した。
【００６１】
【表２】

【００６２】
（４）透明導電層（Ｅ）
表２記載の温度、時間で基材フィルムを加熱したあと（前加熱）、５ｍＴｏｒｒ（６．６５×１０^−１Ｐａ）の真空下で、出力２５００Ｗで表２記載の時間、基材フィルムについてプラズマ表面処理をした。この後、表２記載の温度で加熱しながら、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３　９５質量％、ＳｎＯ_２　５質量％）をターゲットとしＤＣマグネトロンスパッタリング法により、５ｍＴｏｒｒ（６．６５×１０^−１Ｐａ）の真空下で、Ａｒ雰囲気下、出力５ｋＷで表２記載の厚みのＩＴＯ膜からなる透明導電層（Ｅ）を設けた。
【００６３】
（５）保護層（Ｄ）
下記処方の塗布液を常温にて攪拌溶解後、バーコーターで３μｍ（乾燥後）の厚みになるように塗工し、８０℃、１０分の条件で加熱した後、紫外線を照射した。
・エポキシアクリレートポリマー（昭和高分子（株）製ＶＲ−６０）；１００質量部
・ジエチレングリコール；２００質量部
・酢酸エチル；１００質量部
・ベンゼンエチルエーテル；２質量部
・シランカップリング剤（信越化学（株）製ＫＢＭ−５７３）；１質量部
【００６４】
（６）層構成
これらの層構成を表３に示した。
【００６５】
【表３】

【００６６】
（７）評価
このようにして得た複層フィルムにつき、熱処理前の（未処理の）表面抵抗、水蒸気透過度、酸素透過度を上記の方法で測定し、表３に記載した。さらに１７５℃で３０分、２００℃で３０分空気恒温槽中で熱処理した後、表面抵抗、水蒸気透過度、酸素透過度を測定し、これらの値と未処理の値の差を未処理の値で割り百分率で示した、表面抵抗、水蒸気透過度、酸素透過度の変化率を表３に示した。本発明のものは、これらの処理でも表面抵抗、水蒸気透過度、酸素透過度は変化せず、良好な値を示した。
また本発明のプラスチックフィルムはいずれも光線透過率８８％以上。ヘーズ２％以下、面内、厚み方向いずれのレターデーションも１０ｎｍ以下の良好な光学特性を示した。
【００６７】
（８）円偏光膜の作製
本発明の複層フィルムの透明導電層の反対側に、特開２０００−８２６７０５号公報、特開２００２−１３１５４９号公報に記載のλ／４板を積層し、さらにその上に特開２００２−８６５５５４号公報に記載の偏光板を積層し円偏光板を作成した。なお偏光膜の透過軸とλ／４板の遅相軸との角度は４５°となるように配置した。
【００６８】
（９）液晶表示装置の作成
（ｉ）ＴＮ型液晶表示装置の作製
複層フィルム、微細な凹凸が形成されたアルミニウム反射電極を設けたガラス基板の透明導電（ＩＴＯ）層、電極側に、それぞれポリイミド配向膜（ＳＥ−７９９２、日産化学（株）製）をこの順に形成した。
これにラビング処理を行った後、１．７μｍのスペーサーを介して、二枚の基板（ガラス基板とプラスチックフィルム）を配向膜が向かい合うように重ねた。二つの配向膜のラビング方向は、１１０゜の角度で交差するように、基板の向きを調節した。基板の間隙に、液晶（ＭＬＣ−６２５２、メルク社製）を注入し、液晶層を形成した。このようにして、ツイスト角が７０゜、Δｎｄの値が２６９ｎｍのＴＮ型液晶セルを作製した。
複層フィルムのＩＴＯと反対面に上記λ／４板、偏光板を積層し反射型液晶表示装置を作成した。本発明の複層フィルムを用いたものは良好な画像が得られた。一方比較例の複層フィルムを用いたものは、ガスバリア性の低下に起因する黒点故障（画層部に細かな黒い点となり画像が表示されない）や、導電層の割れに起因する色ずれが発生した。
【００６９】
（ｉｉ）ＳＴＮ型液晶表示装置の作製
複層フィルム、ＩＴＯ層を積層したガラス基板の透明導電（ＩＴＯ）層側に、それぞれポリイミド配向膜（ＳＥ−７９９２、日産化学（株）製）をこの順に形成した。
６．０μｍのスペーサーを介して二枚の基板を配向膜が向かい合うように重ねた。二つの配向膜のラビング方向は、６０゜の角度で交差するように、基板の向きを調節した。基板の隙間に、液晶（ＺＬＩ−２９７７、メルク社製）を注入し、液晶層を形成した。このようにしてツイスト角が２４０゜、Δｎｄの値が７９１ｎｍのＳＴＮ型液晶セルを作製した。
この液晶セルのガラス基板側に上記λ／４板、偏光板を積層し、その下に導光板、光源を置いた。プラスチックフィルム側に上記λ／４板、偏光板を積層し、透過型液晶表示装置を得た。本発明の複層フィルムを用いたものは良好な画像が得られた。一方比較例の複層フィルムを用いたものは、ガスバリア性の低下に起因する黒点故障（画層部に細かな黒い点となり画像が表示されない）や、導電層の割れに起因する色ずれが発生した。黒点故障の発生量（１０ｃｍ^２に発生した黒点の数を目視で数えた）および色ずれの発生量（１０ｃｍ^２に色ズレの発生した領域を目視で評価し、全面積に対する百分率で示した）を表３に記載した。
【００７０】
（１０）タッチパネルの作成
タッチパネルは、特開平５−１２７８２２号公報、特開２００２−４８９１３号公報等に記載に従い作成した。本発明のものは良好な性能を示し上記故障は発生しなかた。
【００７１】
（１１）有機ＥＬ素子の作成
本発明の複層フィルムを用いて特開２０００−２６７０９７号公報に従い、観察者側から順に保護タック（最表面に反射防止機能層付き）／上記円偏光板（本発明の複層フィルムのＩＴＯ層を有機ＥＬ側にする）／有機ＥＬ素子／反射電極の構成の有機ＥＬ表示素子とした。本発明の複層フィルムを用いたものは良好な性能を示し上記故障は発生しなかった。
【００７２】
【発明の効果】
本発明の複層フィルムは、配向膜を付与する操作を行っても、導電性やガスバリア性が低下せず、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等のプラスチック基板として用いることができる。
本発明の複層フィルムを基板に用いた液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子及びタッチパネルは、ガスバリア性の低下に起因する黒点故障や導電層の割れに起因する色ずれが発生しない。

Claims

基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
透明導電層の２５℃６０％ＲＨで測定した表面電気抵抗が１Ω／□以上５００Ω／□以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の表面電気抵抗の変化率が２０％以下であることを特徴とする複層フィルム。
基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
４０℃９０％ＲＨで測定した水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ^２・日以上５ｇ／ｍ^２・日以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の水蒸気透過度の変化率が２０％以下であることを特徴とする複層フィルム。
基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
４０℃９０％ＲＨで測定した酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ^２・日以上１ｃｃ／ｍ^２・日以下であり、かつ１７５℃３０分熱処理した後の酸素透過度の変化率が２０％以下であることを特徴とする複層フィルム。
基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
透明導電層が形成される前に、透明導電層が形成される面に水との接触角を３度以上下げる表面処理が施されていること、かつ透明導電層を形成するための操作中に、基材プラスチックフィルムが５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理されていることを特徴とする複層フィルム。
基材プラスチックフィルム上に無機ガスバリア層及び有機ガスバリア層の少なくともいずれかのガスバリア層が設けられ、かつ該フィルムの片面上の最外層として透明導電層が設けられている複層フィルムであって、
透明導電層及びガスバリア層に隣接して基材側に、破断伸度が３％以上５０％以下の緩衝層が設けられていることを特徴とする複層フィルム。
基材プラスチックフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）が１６０℃以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の複層フィルム。