JP2004079940A - メモリモジュール放熱装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】コスト、省スペースに、効率よくモジュールを冷却でき、装着や取り外しなどの作業が容易で、また、様々な配列ピッチの半導体メモリモジュールに対して適用できる汎用性の高いメモリモジュール放熱装置を提供する。
【解決手段】数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール７および８をメモリ基板を投影的に並列させて配置する場合に半導体メモリモジュール７および８間に挿入配置され、半導体メモリモジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置である。所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合う半導体メモリモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品２とを有している。
【選択図】 図２
【解決手段】数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール７および８をメモリ基板を投影的に並列させて配置する場合に半導体メモリモジュール７および８間に挿入配置され、半導体メモリモジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置である。所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合う半導体メモリモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品２とを有している。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）））素子をメモリ基板上に配置してなるＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｍｏｄｕｌｅ）等の半導体メモリモジュール（単に、モジュールとも呼ぶ）を、メモリ基板を投影的に並列させてマザーボード等の上に複数配置する場合に、モジュール間に挿入配置され、モジュールの放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＳＤＲＡＭモジュールの放熱等に関する熱設計は、１つのＤＩＭＭのみが集中的に動作した最も厳しい条件で設計する。しかし、近年ＤＩＭＭの小型化と発熱量増大にともない、１つのＤＩＭＭの放熱をＤＩＭＭ単体で処理するのことは難しくなってきた。
【０００３】
そこで、隣接するＤＩＭＭを放熱に利用することで、放熱能力を上げることが提案されている。
【０００４】
図１を参照して、従来の複数モジュールの配置では、熱は、半導体メモリモジュール（モジュール）７の表面から熱放射と対流（図中、符号ａ）や、ソケット１０およびマザーボード９を経由した熱伝導で、隣接する半導体メモリモジュール（モジュール）８へ伝えていた（図中、符号ｂ）。また、熱の一部は、ソケット１０を経由してマザーボード９を放熱先とする（図中、符号ｃ）か、雰囲気である空気に直接放熱していた（図中、符号ｄ）。尚、従来の対策では、図中符号ｃまたはｄに示すマザーボード９への放熱か、空気中への放熱が主であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記熱放射、対流、熱伝導の放熱が不足の場合、上記の放熱経路のうちどれかの放熱量を増やすことで対策していた。
【０００６】
ヒートパイプ等の利用も考えられるが、最も一般的なのは、強制送風で常にモジュールに接する空気の温度を下げ、温度差を増やすことで冷却効率をあげることである。ただし、ある風速以上では、単位時間、単位面積あたりの放熱量は飽和するため、不足の場合は、空気以外の媒体を使ったヒートパイプ等が必要である。
【０００７】
強制送風による冷却のためには、システムの筐体またはモジュールの直近にファンを設ける等の冷却装置が必要であり、その装置の費用やその設置空間が必要であるという問題点があった。
【０００８】
また、他の媒体を使うと、さらにその費用、空間が必要となる。
【０００９】
尚、熱伝導のよい金属やポリマー材を使い、マザーボードやシステムの筐体へ直接熱を伝えて冷却することも考えられるが、挿抜を前提としたモジュールでは、発熱源のモジュールと、放熱先のマザーボードや筐体との両方に、接続用のコネクタやコネクタを設置する空間が必要となり、かつシステムごとにその伝導器を設計する必要があったため、汎用品モジュールでは、一般的ではない。
【００１０】
対流は、空気の熱伝導率が低いために、放熱効果が低かった。また、熱伝導も、ソケットの熱抵抗が高いため、伝導効率に劣る。さらに、熱放射は、モジュールの表面温度、表面の熱放射係数、表面積に依存しており、モジュールが使われる１００℃前後の温度では、熱放射量はモジュールを冷却するには十分ではない。
【００１１】
それ故、本発明の課題は、低コスト、省スペースに、効率よくモジュールを冷却でき、装着や取り外しなどの作業が容易で、また、様々な配列ピッチの半導体メモリモジュールに対して適用できる汎用性の高いメモリモジュール放熱装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュールを該メモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合に該半導体メモリモジュール間に挿入配置され、該半導体メモリモジュールの放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であって、所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、前記熱伝導部品を隣り合う前記半導体メモリモジュールに当接するような力を発揮する弾性部品とを有することを特徴とするメモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１３】
本発明によればまた、前記熱伝導部品は、前記弾性部品としても機能する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１４】
本発明によればさらに、前記熱伝導部品は、互いの交差角度が変化する回動可能な対の熱伝導部回動片から成っており、前記弾性部品は、前記熱伝導部回動片同士の交差角度を変化させる向きに力を発揮する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１５】
また、本発明によれば、前記熱伝導部品は、互いの離間距離が変化する平行動作可能な対の熱伝導平行動作片から成っており、前記熱伝導平行動作片は、常に少くとも一部分同士が互いに当接しており、前記弾性部品は、前記熱伝導平行動作片同士の離間距離を増大する向きに力を発揮する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１６】
さらに、本発明によれば、前記半導体メモリモジュールは、前記メモリ素子として、少くとも前記メモリ基板の第１の板面上に配置される第１のメモリ素子ならびに該メモリ基板の第２の板面上に配置される第２のメモリ素子を含んでおり、前記熱伝導部品は、前記第１のメモリ素子に当接されるものであり、前記メモリ放熱装置は、前記第１のメモリ素子に当接する前記熱伝導部品ならびに前記第２のメモリ素子を抱き込むように延びて該熱伝導部品と該第２のメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部をさらに有し、前記延長腕部は、所定値以上の熱伝導率を有する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１７】
本発明によればまた、前記熱伝導部品が前記半導体メモリモジュール間に位置すべく、該熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部をさらに有し、前記支持脚部は、所定値以上の熱伝導率を有する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１８】
本発明によればさらに、隣り合う前記半導体メモリモジュールが前記弾性部品が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、該半導体メモリモジュールを抱き込むように保持する保持腕部をさらに有し、前記保持腕部は、所定値以上の熱伝導率を有する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
［実施の形態１］
図２（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態１によるメモリモジュール放熱装置は、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００２１】
図２（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００２２】
［実施の形態２］
図３（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態２によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなるモジュール７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し、変形し易い熱伝導部品１Ｂを有している。
【００２３】
特に、本実施の形態においては熱伝導部品１Ｂは、熱伝導部品を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としても機能する。
【００２４】
このため、部品点数が少くてよく、製造や組み立てのコストが低い。
【００２５】
図３（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は熱伝導部品１Ｂを介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００２６】
［実施の形態３］
図４（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態３によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなるモジュール７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、熱伝導部品を隣り合うモジュールに当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２Ｃとを有している。
【００２７】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品は、互いの交差角度が変化する回動可能な対の熱伝導部回動片１Ｃから成っている。そして、弾性部品２Ｃは、熱伝導部回動片１Ｃ同士の交差角度を変化させる向き、とりわけ本装置の図中左右方向の幅寸法が増加する方向に力を発揮する。
【００２８】
よって、実施の形態１および２よりも構造は複雑になるものの、熱伝導部品のサイズ、ひいては表面積を増やせるので、熱伝導部品の熱抵抗をさげられる利点がある。また、離間距離が長短様々なモジュール間に挿入して使用できる。
【００２９】
図４（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２Ｃによって半導体メモリ素子に押圧される熱伝導部回動片１Ｃを介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００３０】
［実施の形態４］
図５（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態４によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、熱伝導部品を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としてのばね２Ｄとを有している。
【００３１】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品は、互いの離間距離が変化する平行動作可能な対の熱伝導平行動作片１Ｄから成っている。熱伝導平行動作片１Ｄは、常に少くとも一部分同士が互いに当接している。そして、ばね２Ｄは、熱伝導平行動作片１Ｄ同士の離間距離を増大する向きに力を発揮する。図中、符号３Ｄは、熱伝導平行動作片１Ｄ同士の密着させるべく荷重をかけるばねである。
【００３２】
よって、実施の形態１および２よりも構造は複雑になるものの、熱伝導部品のサイズ、ひいては表面積を増やせるので、熱伝導部品の熱抵抗をさげられる利点がある。また、離間距離が長短様々なモジュール間に挿入して使用できる。さらに、実施の形態３よりもメモリ素子に密着する面積が大きく、また、熱伝導平行動作片１Ｄ同士の密着する面積も大きいため、より放熱効率に優れている。
【００３３】
図５（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱はばね２Ｄおよび３Ｄによって半導体メモリ素子に押圧される熱伝導部回動片１Ｄを介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００３４】
［実施の形態５］
図６（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態５によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００３５】
特に、本実施の形態では、モジュール８は、メモリ素子として、少くともメモリ基板の第１の板面（図中左側面）上に配置される第１のメモリ素子ならびにメモリ基板の第２の板面（図中右側面）上に配置される第２のメモリ素子を含んでいる。熱伝導部品１は、第１のメモリ素子に当接されるものである。そして、本装置は、第１のメモリ素子に当接する熱伝導部品ならびに第２のメモリ素子を抱き込むように延びて熱伝導部品と第２のメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部４をさらに有している。延長腕部４は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。延長腕部４は、弾性体２の弾性力によって、第２のメモリ素子にも密着している。
【００３６】
よって、延長腕部４は装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能し、１つのモジュールの両面のメモリ素子の放熱冷却をなすことができる。
【００３７】
図６（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール８の一方の面または他方の面で発生した熱は、モジュール８の他方の面または一方の面に接する空気への放熱もなされる。
【００３８】
尚、本実施の形態による装置は、隣り合うモジュール間に配設せずに、図６（ｃ）に示すような装着形態をとることも可能である。
【００３９】
［実施の形態６］
図７（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態６によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００４０】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５をさらに有している。支持脚部５は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。支持脚部５は、マザーボード９に既知の構造で固定されている。
【００４１】
よって、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。このことは、モジュール７または８をマザーボードから外す際にも有効であるし、片方のモジュールが未装着であっても有効である。さらに、支持脚部５は、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、マザーボード９への伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００４２】
図７（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５によって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５によってマザーボード９への放熱もなされる。
【００４３】
［実施の形態７］
図８（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態７によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００４４】
特に、本実施の形態では、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６をさらに有している。保持腕部６は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。保持腕部６は、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板に係合している。
【００４５】
よって、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、保持腕部６は、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００４６】
図８（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての保持腕部６によって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての保持腕部６によって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００４７】
［実施の形態８］
図９（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態８によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００４８】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５Ｅと、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６とをさらに有している。支持脚部５Ｅおよび保持腕部６は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。支持脚部５Ｅは、マザーボード９に既知の構造で固定されている。保持腕部６は、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板の側縁に係合している。
【００４９】
よって、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。このことは、モジュール７または８をマザーボードから外す際にも有効であるし、片方のモジュールが未装着であっても有効である。また、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、支持脚部５Ｅは、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、マザーボード９への伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。保持腕部６も、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００５０】
図９（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５Ｅおよび保持腕部６によって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５Ｅによってマザーボード９への放熱もなされる。さらに、伝熱部品としての保持腕部６によって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００５１】
［実施の形態９］
図１０（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態９によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００５２】
本実施の形態でも、実施の形態８と同様に、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５Ｆと、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６Ｆとをさらに有している。支持脚部５Ｆおよび保持腕部６Ｆは、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。支持脚部５Ｆは、保持腕部６Ｆに既知の構造で固定され、吊るされている。保持腕部６Ｆは、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板の上縁に係合している。
【００５３】
よって、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。また、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、支持脚部５Ｆは、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、保持腕部６Ｆへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。保持腕部６Ｆも、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００５４】
図１０（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５Ｆおよび保持腕部６Ｆによって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５Ｆによって保持腕部６Ｆへの放熱もなされる。さらに、伝熱部品としての保持腕部６Ｆによって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００５５】
［実施の形態１０］
図１１を参照して、本発明の実施の形態１０によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００５６】
本実施の形態でも、実施の形態５と同様に、モジュール７および８はそれぞれ、メモリ素子として、少くともメモリ基板の第１の板面（両モジュール同士が対向する各内側面）上に配置される第１のメモリ素子ならびにメモリ基板の第２の板面（各外側面）上に配置される第２のメモリ素子を含んでいる。熱伝導部品１は、第１または第２のメモリ素子に当接されるものである。そして、本装置は、第１または第２のメモリ素子に当接する熱伝導部品ならびに第２または第１ののメモリ素子を抱き込むように延びて熱伝導部品と第２または第１ののメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部４をさらに有している。また、実施の形態８と同様に、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５Ｆと、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６Ｆとをさらに有している。延長腕部４、支持脚部５Ｆ、および保持腕部６Ｆは、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。延長腕部４は、弾性体２の弾性力によって、メモリ素子に密着している。支持脚部５Ｆは、保持腕部６Ｆに既知の構造で固定され、吊るされている。保持腕部６Ｆは、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板の上縁に係合している。
【００５７】
よって、延長腕部４は装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能し、各モジュールの両面のメモリ素子の放熱冷却をなすことができる。さらに、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。また、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、支持脚部５Ｆは、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、保持腕部６Ｆへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。保持腕部６Ｆも、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００５８】
図１１を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８の一方の面または他方の面で発生した熱は、モジュール８の他方の面または一方の面に接する空気への放熱もなされる。さらに、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５Ｆおよび保持腕部６Ｆによって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５Ｆによって保持腕部６Ｆへの放熱もなされる。さらに、伝熱部品としての保持腕部６Ｆによって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によるメモリモジュール放熱装置は、低コスト、省スペースに、効率よくモジュールを冷却でき、装着や取り外しなどの作業が容易で、また、様々な配列ピッチの半導体メモリモジュールに対して適用できる汎用性の高いものである。
【００６０】
より具体的には、温度の高いモジュールから温度の低い隣接するモジュールへ熱を伝え、隣接するモジュール自体を放熱に利用することで放熱能力を上げ、最も温度の高いモジュールの温度を下げることができる。このため、モジュールを冷却システムの簡素化ができる、ないしは、同じ環境ならばモジュールの温度が低下するため、熱による特性変化量を低減することができる。
【００６１】
一つのバスライン上にある複数のモジュールのうち、データのアクセスを同時に複数できないシステムでは、アクセスされていない他のモジュールの発熱量はアクセスされているモジュールよりも発熱は少い。よって、隣接するモジュールと熱を共有することで、特定のモジュールの温度だけが突出しないようにする（最高温度を下げる）ことができる。
【００６２】
このため、温度差が大きくなる可能性があるシステムほど最高温度を下げる効果が得られる。
【００６３】
換言すれば、最高温度が下がることにより、モジュール搭載部品の熱によるの性能低下が防げる。また、システムにおける他の放熱対策（送風、ヒートパイプなど）を緩和（簡素化）、ないしは、なくすことができる。
【００６４】
尚、隣接するメモリモジュールも常に同じ温度であるシステムでは、隣接モジュールからの放熱効果が期待できな場合がある。しかし、この場合でも、従来のヒートシンクと同様に、モジュール間熱伝達器自体からの放熱はある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のモジュール間熱伝達方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の断面図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の断面図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態５によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図、（ｃ）は他の装着形態を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態６によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態７によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態８によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態９によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１０によるメモリモジュール放熱装置の使用例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１、１Ｂ 熱伝導部品
１Ｃ 熱伝導部回動片
１Ｄ 熱伝導平行動作片
２、２Ｃ 弾性体
２Ｄ、３Ｄ ばね
４ 延長腕部
５、５Ｅ、５Ｆ 支持脚部
６、６Ｆ 保持腕部
７、８ 半導体メモリモジュール（モジュール）
９ マザーボード
１０ ソケット
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）））素子をメモリ基板上に配置してなるＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｍｏｄｕｌｅ）等の半導体メモリモジュール（単に、モジュールとも呼ぶ）を、メモリ基板を投影的に並列させてマザーボード等の上に複数配置する場合に、モジュール間に挿入配置され、モジュールの放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＳＤＲＡＭモジュールの放熱等に関する熱設計は、１つのＤＩＭＭのみが集中的に動作した最も厳しい条件で設計する。しかし、近年ＤＩＭＭの小型化と発熱量増大にともない、１つのＤＩＭＭの放熱をＤＩＭＭ単体で処理するのことは難しくなってきた。
【０００３】
そこで、隣接するＤＩＭＭを放熱に利用することで、放熱能力を上げることが提案されている。
【０００４】
図１を参照して、従来の複数モジュールの配置では、熱は、半導体メモリモジュール（モジュール）７の表面から熱放射と対流（図中、符号ａ）や、ソケット１０およびマザーボード９を経由した熱伝導で、隣接する半導体メモリモジュール（モジュール）８へ伝えていた（図中、符号ｂ）。また、熱の一部は、ソケット１０を経由してマザーボード９を放熱先とする（図中、符号ｃ）か、雰囲気である空気に直接放熱していた（図中、符号ｄ）。尚、従来の対策では、図中符号ｃまたはｄに示すマザーボード９への放熱か、空気中への放熱が主であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記熱放射、対流、熱伝導の放熱が不足の場合、上記の放熱経路のうちどれかの放熱量を増やすことで対策していた。
【０００６】
ヒートパイプ等の利用も考えられるが、最も一般的なのは、強制送風で常にモジュールに接する空気の温度を下げ、温度差を増やすことで冷却効率をあげることである。ただし、ある風速以上では、単位時間、単位面積あたりの放熱量は飽和するため、不足の場合は、空気以外の媒体を使ったヒートパイプ等が必要である。
【０００７】
強制送風による冷却のためには、システムの筐体またはモジュールの直近にファンを設ける等の冷却装置が必要であり、その装置の費用やその設置空間が必要であるという問題点があった。
【０００８】
また、他の媒体を使うと、さらにその費用、空間が必要となる。
【０００９】
尚、熱伝導のよい金属やポリマー材を使い、マザーボードやシステムの筐体へ直接熱を伝えて冷却することも考えられるが、挿抜を前提としたモジュールでは、発熱源のモジュールと、放熱先のマザーボードや筐体との両方に、接続用のコネクタやコネクタを設置する空間が必要となり、かつシステムごとにその伝導器を設計する必要があったため、汎用品モジュールでは、一般的ではない。
【００１０】
対流は、空気の熱伝導率が低いために、放熱効果が低かった。また、熱伝導も、ソケットの熱抵抗が高いため、伝導効率に劣る。さらに、熱放射は、モジュールの表面温度、表面の熱放射係数、表面積に依存しており、モジュールが使われる１００℃前後の温度では、熱放射量はモジュールを冷却するには十分ではない。
【００１１】
それ故、本発明の課題は、低コスト、省スペースに、効率よくモジュールを冷却でき、装着や取り外しなどの作業が容易で、また、様々な配列ピッチの半導体メモリモジュールに対して適用できる汎用性の高いメモリモジュール放熱装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュールを該メモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合に該半導体メモリモジュール間に挿入配置され、該半導体メモリモジュールの放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であって、所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、前記熱伝導部品を隣り合う前記半導体メモリモジュールに当接するような力を発揮する弾性部品とを有することを特徴とするメモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１３】
本発明によればまた、前記熱伝導部品は、前記弾性部品としても機能する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１４】
本発明によればさらに、前記熱伝導部品は、互いの交差角度が変化する回動可能な対の熱伝導部回動片から成っており、前記弾性部品は、前記熱伝導部回動片同士の交差角度を変化させる向きに力を発揮する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１５】
また、本発明によれば、前記熱伝導部品は、互いの離間距離が変化する平行動作可能な対の熱伝導平行動作片から成っており、前記熱伝導平行動作片は、常に少くとも一部分同士が互いに当接しており、前記弾性部品は、前記熱伝導平行動作片同士の離間距離を増大する向きに力を発揮する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１６】
さらに、本発明によれば、前記半導体メモリモジュールは、前記メモリ素子として、少くとも前記メモリ基板の第１の板面上に配置される第１のメモリ素子ならびに該メモリ基板の第２の板面上に配置される第２のメモリ素子を含んでおり、前記熱伝導部品は、前記第１のメモリ素子に当接されるものであり、前記メモリ放熱装置は、前記第１のメモリ素子に当接する前記熱伝導部品ならびに前記第２のメモリ素子を抱き込むように延びて該熱伝導部品と該第２のメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部をさらに有し、前記延長腕部は、所定値以上の熱伝導率を有する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１７】
本発明によればまた、前記熱伝導部品が前記半導体メモリモジュール間に位置すべく、該熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部をさらに有し、前記支持脚部は、所定値以上の熱伝導率を有する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１８】
本発明によればさらに、隣り合う前記半導体メモリモジュールが前記弾性部品が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、該半導体メモリモジュールを抱き込むように保持する保持腕部をさらに有し、前記保持腕部は、所定値以上の熱伝導率を有する前記メモリモジュール放熱装置が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
［実施の形態１］
図２（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態１によるメモリモジュール放熱装置は、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００２１】
図２（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００２２】
［実施の形態２］
図３（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態２によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなるモジュール７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し、変形し易い熱伝導部品１Ｂを有している。
【００２３】
特に、本実施の形態においては熱伝導部品１Ｂは、熱伝導部品を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としても機能する。
【００２４】
このため、部品点数が少くてよく、製造や組み立てのコストが低い。
【００２５】
図３（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は熱伝導部品１Ｂを介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００２６】
［実施の形態３］
図４（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態３によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなるモジュール７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、熱伝導部品を隣り合うモジュールに当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２Ｃとを有している。
【００２７】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品は、互いの交差角度が変化する回動可能な対の熱伝導部回動片１Ｃから成っている。そして、弾性部品２Ｃは、熱伝導部回動片１Ｃ同士の交差角度を変化させる向き、とりわけ本装置の図中左右方向の幅寸法が増加する方向に力を発揮する。
【００２８】
よって、実施の形態１および２よりも構造は複雑になるものの、熱伝導部品のサイズ、ひいては表面積を増やせるので、熱伝導部品の熱抵抗をさげられる利点がある。また、離間距離が長短様々なモジュール間に挿入して使用できる。
【００２９】
図４（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２Ｃによって半導体メモリ素子に押圧される熱伝導部回動片１Ｃを介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００３０】
［実施の形態４］
図５（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態４によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、熱伝導部品を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としてのばね２Ｄとを有している。
【００３１】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品は、互いの離間距離が変化する平行動作可能な対の熱伝導平行動作片１Ｄから成っている。熱伝導平行動作片１Ｄは、常に少くとも一部分同士が互いに当接している。そして、ばね２Ｄは、熱伝導平行動作片１Ｄ同士の離間距離を増大する向きに力を発揮する。図中、符号３Ｄは、熱伝導平行動作片１Ｄ同士の密着させるべく荷重をかけるばねである。
【００３２】
よって、実施の形態１および２よりも構造は複雑になるものの、熱伝導部品のサイズ、ひいては表面積を増やせるので、熱伝導部品の熱抵抗をさげられる利点がある。また、離間距離が長短様々なモジュール間に挿入して使用できる。さらに、実施の形態３よりもメモリ素子に密着する面積が大きく、また、熱伝導平行動作片１Ｄ同士の密着する面積も大きいため、より放熱効率に優れている。
【００３３】
図５（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱はばね２Ｄおよび３Ｄによって半導体メモリ素子に押圧される熱伝導部回動片１Ｄを介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。
【００３４】
［実施の形態５］
図６（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態５によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００３５】
特に、本実施の形態では、モジュール８は、メモリ素子として、少くともメモリ基板の第１の板面（図中左側面）上に配置される第１のメモリ素子ならびにメモリ基板の第２の板面（図中右側面）上に配置される第２のメモリ素子を含んでいる。熱伝導部品１は、第１のメモリ素子に当接されるものである。そして、本装置は、第１のメモリ素子に当接する熱伝導部品ならびに第２のメモリ素子を抱き込むように延びて熱伝導部品と第２のメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部４をさらに有している。延長腕部４は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。延長腕部４は、弾性体２の弾性力によって、第２のメモリ素子にも密着している。
【００３６】
よって、延長腕部４は装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能し、１つのモジュールの両面のメモリ素子の放熱冷却をなすことができる。
【００３７】
図６（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール８の一方の面または他方の面で発生した熱は、モジュール８の他方の面または一方の面に接する空気への放熱もなされる。
【００３８】
尚、本実施の形態による装置は、隣り合うモジュール間に配設せずに、図６（ｃ）に示すような装着形態をとることも可能である。
【００３９】
［実施の形態６］
図７（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態６によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００４０】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５をさらに有している。支持脚部５は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。支持脚部５は、マザーボード９に既知の構造で固定されている。
【００４１】
よって、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。このことは、モジュール７または８をマザーボードから外す際にも有効であるし、片方のモジュールが未装着であっても有効である。さらに、支持脚部５は、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、マザーボード９への伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００４２】
図７（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５によって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５によってマザーボード９への放熱もなされる。
【００４３】
［実施の形態７］
図８（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態７によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００４４】
特に、本実施の形態では、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６をさらに有している。保持腕部６は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。保持腕部６は、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板に係合している。
【００４５】
よって、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、保持腕部６は、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００４６】
図８（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての保持腕部６によって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての保持腕部６によって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００４７】
［実施の形態８］
図９（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態８によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００４８】
特に、本実施の形態では、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５Ｅと、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６とをさらに有している。支持脚部５Ｅおよび保持腕部６は、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。支持脚部５Ｅは、マザーボード９に既知の構造で固定されている。保持腕部６は、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板の側縁に係合している。
【００４９】
よって、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。このことは、モジュール７または８をマザーボードから外す際にも有効であるし、片方のモジュールが未装着であっても有効である。また、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、支持脚部５Ｅは、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、マザーボード９への伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。保持腕部６も、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００５０】
図９（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５Ｅおよび保持腕部６によって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５Ｅによってマザーボード９への放熱もなされる。さらに、伝熱部品としての保持腕部６によって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００５１】
［実施の形態９］
図１０（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の実施の形態９によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００５２】
本実施の形態でも、実施の形態８と同様に、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５Ｆと、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６Ｆとをさらに有している。支持脚部５Ｆおよび保持腕部６Ｆは、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。支持脚部５Ｆは、保持腕部６Ｆに既知の構造で固定され、吊るされている。保持腕部６Ｆは、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板の上縁に係合している。
【００５３】
よって、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。また、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、支持脚部５Ｆは、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、保持腕部６Ｆへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。保持腕部６Ｆも、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００５４】
図１０（ｂ）を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５Ｆおよび保持腕部６Ｆによって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５Ｆによって保持腕部６Ｆへの放熱もなされる。さらに、伝熱部品としての保持腕部６Ｆによって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００５５】
［実施の形態１０］
図１１を参照して、本発明の実施の形態１０によるメモリモジュール放熱装置は、実施の形態１と同様に、複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュール（モジュール）７および８をメモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合にモジュール７および８間に挿入配置され、モジュール７および８の放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であり、所定値以上の熱伝導率を有し（実質的に熱伝導率が高く）、変形し易い熱伝導部品１と、熱伝導部品１を隣り合うモジュール７および８に当接するような力を発揮する弾性部品としての弾性体２とを有している。
【００５６】
本実施の形態でも、実施の形態５と同様に、モジュール７および８はそれぞれ、メモリ素子として、少くともメモリ基板の第１の板面（両モジュール同士が対向する各内側面）上に配置される第１のメモリ素子ならびにメモリ基板の第２の板面（各外側面）上に配置される第２のメモリ素子を含んでいる。熱伝導部品１は、第１または第２のメモリ素子に当接されるものである。そして、本装置は、第１または第２のメモリ素子に当接する熱伝導部品ならびに第２または第１ののメモリ素子を抱き込むように延びて熱伝導部品と第２または第１ののメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部４をさらに有している。また、実施の形態８と同様に、熱伝導部品が半導体メモリモジュール間に位置すべく、熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部５Ｆと、隣り合うモジュール７および８が弾性体２が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、モジュール７および８を抱き込むように保持する保持腕部６Ｆとをさらに有している。延長腕部４、支持脚部５Ｆ、および保持腕部６Ｆは、所定値以上の熱伝導率を有している（実質的に熱伝導率が高い）。延長腕部４は、弾性体２の弾性力によって、メモリ素子に密着している。支持脚部５Ｆは、保持腕部６Ｆに既知の構造で固定され、吊るされている。保持腕部６Ｆは、本例では、モジュール７および８それぞれのメモリ基板の上縁に係合している。
【００５７】
よって、延長腕部４は装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能し、各モジュールの両面のメモリ素子の放熱冷却をなすことができる。さらに、本装置は、モジュール７および８の好ましい高さ位置から簡単にずれてしまうことがない。また、隣り合うモジュール７および８は、その間に本装置が挿入されて弾性体２によって荷重を受けても、離間距離が大きくなることはなく、常に本装置が密着するし、ソケット１０近辺に不要な荷重が架かって、モジュール、ソケット、マザーボード等が破損する虞がない。さらに、支持脚部５Ｆは、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、保持腕部６Ｆへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。保持腕部６Ｆも、装置全体としての表面積を増やすヒートシンクとしても機能すると共に、隣り合う一方のモジュールから他方のモジュールへの伝熱部品としても機能し、よりモジュール７および８の放熱効果に優れている。
【００５８】
図１１を参照して、モジュール７および８をコネクタ１０に実装後、本メモリモジュール放熱装置をモジュール７および８の間に挿入することで、モジュール７または８で発生した熱は弾性体２の周囲にある熱伝導部品１を介して、隣接するモジュール８または７へ伝えられる。よって、モジュール７または８で発生した熱は、モジュール７または８に接する空気への放熱と、モジュール７または８のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とに加え、さらに、モジュール８または７に接する空気への放熱と、モジュール８または７のソケット１０を経由したマザーボード９への放熱とが可能になる。また、モジュール７および８の一方の面または他方の面で発生した熱は、モジュール８の他方の面または一方の面に接する空気への放熱もなされる。さらに、モジュール７および８で発生して熱伝導部品１を経由した熱は、表面積が大きいヒートシンクとしての支持脚部５Ｆおよび保持腕部６Ｆによって空気への放熱がなされると共に、伝熱部品としての支持脚部５Ｆによって保持腕部６Ｆへの放熱もなされる。さらに、伝熱部品としての保持腕部６Ｆによって一方のモジュールから他方のモジュールへの放熱もなされる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によるメモリモジュール放熱装置は、低コスト、省スペースに、効率よくモジュールを冷却でき、装着や取り外しなどの作業が容易で、また、様々な配列ピッチの半導体メモリモジュールに対して適用できる汎用性の高いものである。
【００６０】
より具体的には、温度の高いモジュールから温度の低い隣接するモジュールへ熱を伝え、隣接するモジュール自体を放熱に利用することで放熱能力を上げ、最も温度の高いモジュールの温度を下げることができる。このため、モジュールを冷却システムの簡素化ができる、ないしは、同じ環境ならばモジュールの温度が低下するため、熱による特性変化量を低減することができる。
【００６１】
一つのバスライン上にある複数のモジュールのうち、データのアクセスを同時に複数できないシステムでは、アクセスされていない他のモジュールの発熱量はアクセスされているモジュールよりも発熱は少い。よって、隣接するモジュールと熱を共有することで、特定のモジュールの温度だけが突出しないようにする（最高温度を下げる）ことができる。
【００６２】
このため、温度差が大きくなる可能性があるシステムほど最高温度を下げる効果が得られる。
【００６３】
換言すれば、最高温度が下がることにより、モジュール搭載部品の熱によるの性能低下が防げる。また、システムにおける他の放熱対策（送風、ヒートパイプなど）を緩和（簡素化）、ないしは、なくすことができる。
【００６４】
尚、隣接するメモリモジュールも常に同じ温度であるシステムでは、隣接モジュールからの放熱効果が期待できな場合がある。しかし、この場合でも、従来のヒートシンクと同様に、モジュール間熱伝達器自体からの放熱はある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のモジュール間熱伝達方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の断面図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の断面図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態５によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図、（ｃ）は他の装着形態を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態６によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態７によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態８によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態９によるメモリモジュール放熱装置の図であり、（ａ）はメモリモジュール放熱装置の斜視図、（ｂ）は本装置の使用例を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１０によるメモリモジュール放熱装置の使用例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１、１Ｂ 熱伝導部品
１Ｃ 熱伝導部回動片
１Ｄ 熱伝導平行動作片
２、２Ｃ 弾性体
２Ｄ、３Ｄ ばね
４ 延長腕部
５、５Ｅ、５Ｆ 支持脚部
６、６Ｆ 保持腕部
７、８ 半導体メモリモジュール（モジュール）
９ マザーボード
１０ ソケット
Claims (11)
- 複数のメモリ素子をメモリ基板上に配置してなる半導体メモリモジュールを該メモリ基板を投影的に並列させて複数配置する場合に該半導体メモリモジュール間に挿入配置され、該半導体メモリモジュールの放熱を行うためのメモリモジュール放熱装置であって、
所定値以上の熱伝導率を有する熱伝導部品と、
前記熱伝導部品を隣り合う前記半導体メモリモジュールに当接するような力を発揮する弾性部品とを有することを特徴とするメモリモジュール放熱装置。 - 前記熱伝導部品は、前記弾性部品としても機能する請求項１に記載のメモリモジュール放熱装置。
- 前記熱伝導部品は、互いの交差角度が変化する回動可能な対の熱伝導部回動片から成っており、
前記弾性部品は、前記熱伝導部回動片同士の交差角度を変化させる向きに力を発揮する請求項１に記載のメモリモジュール放熱装置。 - 前記熱伝導部品は、互いの離間距離が変化する平行動作可能な対の熱伝導平行動作片から成っており、
前記熱伝導平行動作片は、常に少くとも一部分同士が互いに当接しており、
前記弾性部品は、前記熱伝導平行動作片同士の離間距離を増大する向きに力を発揮する請求項１に記載のメモリモジュール放熱装置。 - 前記半導体メモリモジュールは、前記メモリ素子として、少くとも前記メモリ基板の第１の板面上に配置される第１のメモリ素子ならびに該メモリ基板の第２の板面上に配置される第２のメモリ素子を含んでおり、
前記熱伝導部品は、前記第１のメモリ素子に当接されるものであり、
前記メモリ放熱装置は、前記第１のメモリ素子に当接する前記熱伝導部品ならびに前記第２のメモリ素子を抱き込むように延びて該熱伝導部品と該第２のメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部をさらに有し、
前記延長腕部は、所定値以上の熱伝導率を有する請求項１〜４のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。 - 前記熱伝導部品が前記半導体メモリモジュール間に位置すべく、該熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部をさらに有し、
前記支持脚部は、所定値以上の熱伝導率を有する請求項１〜５のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。 - 隣り合う前記半導体メモリモジュールが前記弾性部品が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、該半導体メモリモジュールを抱き込むように保持する保持腕部をさらに有し、
前記保持腕部は、所定値以上の熱伝導率を有する請求項１〜４のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。 - 前記熱伝導部品が前記半導体メモリモジュール間に位置すべく、該熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部と、
隣り合う前記半導体メモリモジュールが前記弾性部品が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、該半導体メモリモジュールを抱き込むように保持する保持腕部とをさらに有し、
前記支持脚部および前記保持腕部はそれぞれ、所定値以上の熱伝導率を有する請求項１〜４のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。 - 前記半導体メモリモジュールは、前記メモリ素子として、少くとも前記メモリ基板の第１の板面上に配置される第１のメモリ素子ならびに該メモリ基板の第２の板面上に配置される第２のメモリ素子を含んでおり、
前記熱伝導部品は、前記第１のメモリ素子に当接されるものであり、
前記メモリ放熱装置は、
前記第１のメモリ素子に当接する前記熱伝導部品ならびに前記第２のメモリ素子を抱き込むように延びて該熱伝導部品と該第２のメモリ素子とを熱的に接続する延長腕部と、
前記熱伝導部品が前記半導体メモリモジュール間に位置すべく、該熱伝導部品を高さ方向に支持する支持脚部と、
隣り合う前記半導体メモリモジュールが前記弾性部品が発揮する力によって離間距離が拡がらないように、該半導体メモリモジュールを抱き込むように保持する保持腕部とをさらに有し、
前記延長腕部、前記支持脚部、および前記保持腕部はそれぞれ、所定値以上の熱伝導率を有する請求項１〜４のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。 - 前記弾性部品は、弾性体から成る請求項１〜９のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。
- 前記弾性部品は、ばねから成る請求項１〜９のいずれかに記載のメモリモジュール放熱装置。
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