【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に貼付ける表面保護用の粘着テープの剥離方法及び剥離テープに関し、特に、裏面を研磨して薄くなった半導体基板を破損することなく粘着テープを半導体基板から剥離することができる剥離方法及び剥離テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＧａＡｓ基板などの化合物半導体基板の場合、半導体基板表面に素子を形成した後、熱抵抗を低減するため、半導体基板の表面に表面保護用の粘着テープを貼付けて裏面を研磨し、その厚さを極めて薄く（約３０〜１００μｍ）加工する。このため、研磨後、不要となったこの粘着テープを、半導体基板を破損することなく剥離する必要があった。
【０００３】
従来の半導体基板の表面保護用の粘着テープの剥離方法及び剥離テープの一例を図６〜図８に示す。
【０００４】
先ず、図６（ａ）に示すように、粘着テープ１は、伸縮性を有する基材２の一方の主面全面に粘着剤層３が設けられており、この粘着テープ１を半導体基板４の素子形成済みの表面４ａに貼付けて素子（図示せず）を保護する。
【０００５】
次に、図６（ｂ）に示すように、粘着テープ１を貼付けた半導体基板４の裏面４ｂを裏面研磨装置（図示せず）で、所望の厚さになるまで薄く研磨する。
【０００６】
次に、研磨後の半導体基板４から不要となった粘着テープ１を剥離する。
【０００７】
第１の剥離方法は、先ず、図７（ａ）に示すように、半導体基板４の裏面４ｂを平坦な吸着ステージ５上に載置し、末端を真空ポンプ６に接続した複数の吸着孔７を通してしっかりと真空吸着し、剥離の際に、半導体基板４に不所望な変形が起きにくいように保持する。
【０００８】
次に、図７（ｂ）に示すように、熱収縮性を有する粘着テープ１全面を加熱して熱変形させ、粘着テープ１が半導体基板４から浮上ることを利用して剥離する。しかしながら、このとき、粘着テープ１全面を一斉に均一に加熱するため、粘着テープ１全体が半導体基板４の外周から中心に向って比較的急激に縮もうとする。このため、半導体基板４に半導体基板４の外周部を斜め上方に反らせる半径方向の反り応力が加わる。また、これに加えて、吸着ステージ５の平坦度の劣化や吸着孔７の詰まりなどがあったりすると、特に、半導体基板４の外周部での吸着力が低下し、半導体基板４を吸着ステージ５にしっかりと保持し切れず、半導体基板４の端が吸着ステージ５から僅かに浮上り、その結果、反り応力に負けて基板割れが生じることがあった。
【０００９】
尚、ここで、粘着テープ１を加熱する方法は、特に限定するものではなく、半導体基板４の上方に配置した熱源（図示せず）からの輻射熱、あるいは、温風吹付けなどによる加熱方法でもよく、また、吸着ステージ５にヒータなどの熱源（図示せず）を内蔵させ熱伝導で加熱する方法でもよい。
【００１０】
第２の剥離方法は、先ず、図８（ａ）に示すように、半導体基板４の裏面４ｂを平坦な吸着ステージ５上に載置し、末端を真空ポンプ６に接続した複数の吸着孔７を通してしっかりと真空吸着し、剥離の際に、半導体基板４に不所望な変形が起きにくいように保持する。尚、第２の剥離方法においては、粘着テープ１の基材２は、熱収縮性でなくてもよい。
【００１１】
次に、粘着テープ１に剥離テープ８を貼付ける。剥離テープ８は、第２基材９の一方の主面全面に粘着テープ１の粘着剤層３の粘着力よりも強い粘着力を有する第２粘着剤層１０を設けた帯状のテープであり、圧着ローラ１１で加圧して粘着テープ１に貼付ける。そして、図８（ｂ）に示すように、その剥離テープ８を斜め上方に引張り、半導体基板４側に貼付いた粘着テープ１を剥離テープ８側に移し取ることで粘着テープ１を半導体基板４から剥離する。
【００１２】
このとき、剥離テープ８及び粘着テープ１は、先ず、半導体基板４の外周から中心に向って斜め上方に引張られるため、半導体基板４に半径方向の曲げ応力が加わる。また、これに加えて、吸着ステージ５の平坦度の劣化や吸着孔７の詰まりなどがあり、半導体基板４の外周部での吸着力が低下すると、半導体基板４を吸着ステージ５にしっかりと保持し切れず、半導体基板４の端が吸着ステージ５から僅かに浮上り、その結果、曲げ応力に負けて基板割れが生じることがあった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体基板の表面保護用の粘着テープの剥離方法及び剥離テープには以下の問題があった。先ず、第１の剥離方法として、粘着テープを熱収縮性のテープとし、それを加熱して熱変形させ半導体基板から剥離する方法の場合、粘着テープ全面を一斉に均一に加熱するため、粘着テープ全体が半導体基板の外周から中心に向って比較的急激に縮もうとして、半導体基板に半径方向の反り応力が加わり、これに吸着ステージの吸着力低下が重なると、半導体基板をしっかりと保持し切れず、反り応力に負けて基板割れが生じることがあった。
【００１４】
また、第２の剥離方法として、粘着テープに剥離テープを貼付けて、その剥離テープを引張って粘着テープを半導体基板から剥離する方法の場合、剥離テープ及び粘着テープは、半導体基板の外周から中心に向って斜め上方に引張られるため、半導体基板に半径方向の曲げ応力が加わり、これに吸着ステージの吸着力低下が重なると、半導体基板をしっかりと保持し切れず、曲げ応力に負けて基板割れが生じることがあった。
【００１５】
本発明の目的は、裏面研磨で薄くなった半導体基板の裏面を吸着して表面の粘着テープを剥離する際に、半導体基板に半導体基板を半径方向に変形させる過大な応力が加わらないようにして、基板割れが発生しない粘着テープの剥離方法及び剥離テープを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の粘着テープの剥離方法は、熱収縮性を有する基材の上に粘着剤層を設けた半導体基板の表面保護用の粘着テープを半導体基板の表面に貼付けて、半導体基板の裏面を研磨した後、粘着テープを加熱して熱変形させ半導体基板から剥離する剥離方法において、先ず最初に、半導体基板に半導体基板を半径方向に変形させる過大な応力が加わらないように、粘着テープを部分的に加熱して熱変形させることを特徴とする剥離方法である。
【００１７】
本発明の他の剥離方法は、伸縮性を有する第１基材の上に、第１粘着剤層を設けた半導体基板の表面保護用の粘着テープを半導体基板の表面に貼付けて、半導体基板の裏面を研磨した後、半導体基板から粘着テープを剥離する剥離方法において、熱収縮性を有する第２基材の上に、熱変形の際に、半導体基板に半導体基板を半径方向に変形させる過大な応力が加わらないような形状に第２粘着剤層を設けた剥離テープを粘着テープに貼付けて、剥離テープを加熱して熱変形させ粘着テープを半導体基板から剥離することを特徴とする剥離方法である。
【００１８】
本発明の剥離テープは、伸縮性を有する第１基材の上に、第１粘着剤層を設けた半導体基板の表面保護用の粘着テープを半導体基板から剥離する剥離テープであって、熱収縮性を有する第２基材の上に、熱変形の際に、半導体基板に半導体基板を半径方向に変形させる過大な応力が加わらないような形状に第２粘着剤層を設けたことを特徴とする剥離テープである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体基板の表面保護用の粘着テープの剥離方法及び剥離テープの一例を図１〜図５に示す。尚、図６〜図８と同一部分には同一符号を付す。
【００２０】
先ず、図１（ａ）に示すように、粘着テープ１は、伸縮性を有する基材２の一方の主面全面に粘着剤層３が設けられており、この粘着テープ１を半導体基板４の素子形成済みの表面４ａに貼付けて素子（図示せず）を保護する。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、粘着テープ１を貼付けた半導体基板４の裏面４ｂを研磨装置（図示せず）で、所望の厚さになるまで薄く研磨する。
【００２２】
次に、研磨後の半導体基板４から不要となった粘着テープ１を剥離する。
【００２３】
本発明の第１の剥離方法は、先ず、図２（ａ）に示すように、半導体基板４の裏面４ｂを平坦な吸着ステージ５上に載置し、末端を真空ポンプ６に接続した複数の吸着孔７を通してしっかりと真空吸着し、剥離の際に、半導体基板４に不所望な変形が起きにくいように保持する。
【００２４】
次に、粘着テープ１を加熱して熱変形させ半導体基板４から剥離する。このとき、粘着テープ１全面を一斉に均一に加熱するのではなく、先ず、最初に、所望の部分だけが加熱できるような開口パターンを有する加熱用マスク１０１の開口部１０２を通して、部分的に粘着テープ１を加熱する。その後、図２（ｂ）に示すように、加熱用マスク１０１を取り去って、粘着テープ１全面を加熱する。
【００２５】
ここで、加熱用マスク１０１には、半導体基板４の外周部に対応する開口部１０２が設けてあり、最初の加熱で、半導体基板４の外周部の粘着テープ１のみを加熱して熱変形させる。この熱変形は、部分的な熱変形であり、粘着テープ１全体の熱変形に比較して緩やかである。また、粘着テープ１は、半導体基板４の円周方向に大きく熱変形するため、半径方向に生じる反り応力は小さく、半導体基板４が割れる心配がない。その後、粘着テープ１全面を加熱して熱変形させ剥離する。即ち、比較的、基板割れが生じやすい半導体基板４の外周部を最初に部分的に剥離した後、全面を剥離するのである。このようにすると、半導体基板４に急激に過大な反り応力を加えることなく粘着テープ１の剥離ができる。
【００２６】
尚、粘着テープ１の粘着剤層３を形成する接着剤の種類を、加熱により粘着力が低下する熱発泡性の接着剤とすると、一回の加熱で、粘着剤層３の粘着力低下と、粘着テープ１の熱変形とを同時に行うことができて好適である。また、加熱用マスク１０１の開口部１０２の形状は、粘着テープ１が半導体基板４の半径方向に急激に熱変形することのないように配慮した形状であれば特に限定するものではなく、例えば、図３（ａ）に示すように、半導体基板４の外周から中心に向う渦巻き形状の開口部１０２ａでもよく、図３（ｂ）に示すように、市松模様の開口部１０２ｂであってもよい。また、加熱用マスク１０１を使用せず、熱源（図示せず）自身の形状を、半導体基板４の外周部に対応する形状、渦巻き形状、市松形状などの形状としてもよく、また、熱源（図示せず）を移動可能とし、粘着テープ１を半導体基板４の外周部に対応する形状、渦巻き形状、市松形状などの形状に移動しながら加熱していく構成としてもよいことは言うまでもない。また、粘着テープ１を加熱する方法は、特に限定するものではなく、半導体基板４の上方に配置した熱源（図示せず）からの輻射熱、あるいは、温風吹付けなどによる加熱方法でもよく、また、吸着ステージ５にヒータなどの熱源（図示せず）を内蔵させ熱伝導で加熱する方法でもよい。
【００２７】
本発明の第２の剥離方法及び剥離テープは、先ず、図４（ａ）に示すように、半導体基板４の裏面４ｂを平坦な吸着ステージ５上に載置し、末端を真空ポンプ６に接続した複数の吸着孔７を通してしっかりと真空吸着し、剥離の際に、半導体基板４に不所望な変形が起きにくいように保持する。
【００２８】
次に、粘着テープ１に剥離テープ２０１を貼付ける。ここで、剥離テープ２０１は、熱収縮性を有する第２基材２０２の上に、半導体基板４の外周部に対応する形状に第２粘着剤層２０３が設けてあり、この剥離テープ２０１の第２粘着剤層２０３が、半導体基板４の外周部と丁度、相対するように圧着ローラ１１で加圧して貼付ける。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、剥離テープ２０１全面を加熱して熱変形させ、この熱変形に伴って剥離テープ２０１に貼付いた部分の粘着テープ１が変形し半導体基板４から浮上り剥離する。ここで、剥離テープ２０１には、半導体基板４の外周部に対応する部分にだけ粘着剤層２０３が設けられているため、この熱変形は、部分的な熱変形であり、粘着テープ１全体の熱変形に比較して緩やかである。また、粘着テープ１は、半導体基板４の円周方向に大きく熱変形するため、半径方向に生じる反り応力は小さく、半導体基板４が割れる心配がない。その後、半導体基板４の外周部の剥離した粘着テープ１の端をピンセット（図示せず）などを使用して、粘着テープ１全体を半導体基板４から取り去ることは容易である。即ち、比較的、基板割れが生じやすい半導体基板４の外周部を最初に部分的に剥離した後、全面を剥離するのである。このようにすると、半導体基板４に急激に過大な反り応力を加えることなく粘着テープ１の剥離ができる。
【００３０】
尚、粘着テープ１の粘着剤層３を形成する接着剤の種類を、加熱により粘着力が低下する熱発泡性の接着剤とすると、一回の加熱で、粘着剤層３の粘着力低下と、剥離テープ２０１の熱変形とを同時に行うことができて好適である。また、剥離テープ２０１の上に設ける第２粘着剤層２０３の形状は、粘着テープ１が半導体基板４の半径方向に急激に熱変形することのないように配慮した形状であれば、特に、限定するものではなく、例えば、図５（ａ）に示すように、半導体基板４の外周から中心に向う渦巻き形状の第２粘着剤層２０３ａでもよく、図５（ｂ）に示すように、市松模様の第２粘着剤層２０３ｂであってもよい。また、剥離テープ２０１を加熱する方法は、特に限定するものではなく、半導体基板４の上方に配置した熱源（図示せず）からの輻射熱、あるいは、温風吹付けなどによる加熱方法でもよく、また、吸着ステージ５にヒータなどの熱源（図示せず）を内蔵させ熱伝導で加熱する方法でもよい。
【００３１】
【発明の効果】
本発明の第１の剥離方法によれば、熱収縮性を有する粘着テープを、最初に部分的に加熱及び熱変形させるので、半導体基板の半径方向に急激に過大な応力が加わることがなく、半導体基板が割れる心配がない。また、この最初に加熱する部分の形状を、半導体基板の外周部に対応する形状、半導体基板の外周から中心に向う渦巻き形状、または、市松模様とすると好適である。また、粘着テープの粘着剤層を形成する接着剤の種類を、加熱により粘着力が低下する熱発泡性の接着剤とすると、一回の加熱で、粘着剤層の粘着力低下と、粘着テープの熱変形とを同時に行うことができる。
【００３２】
本発明の第２の剥離方法及び剥離テープによれば、熱変形の際に、半導体基板の半径方向に過大な応力が加わらないような形状に第２粘着剤層を設けた剥離テープを使用するため、半導体基板が割れる心配がない。また、この第２粘着剤層の形状を、半導体基板の外周部に対応する形状、半導体基板の外周から中心に向う渦巻き形状、または、市松模様とすると好適である。また、粘着テープの粘着剤層を形成する接着剤の種類を、加熱により粘着力が低下する熱発泡性の接着剤とすると、一回の加熱で、粘着剤層の粘着力低下と、粘着テープの熱変形とを同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の剥離方法の一例の断面図
【図２】本発明の第１の剥離方法の一例の説明図
【図３】本発明の第１の剥離方法の他の例の平面図
【図４】本発明の第２の剥離方法及び剥離テープの一例の説明図
【図５】本発明の他の剥離テープの一例の説明図
【図６】従来の剥離方法の断面図
【図７】従来の第１の剥離方法の断面図
【図８】従来の第２の剥離方法の断面図
【符号の説明】
１ 粘着テープ
２ 粘着テープの基材
３ 粘着テープの粘着剤層
４ 半導体基板
４ａ 半導体基板の表面
４ｂ 半導体基板の裏面
５ 吸着ステージ
６ 真空ポンプ
７ 吸着孔
８ 剥離テープ
９ 従来の剥離テープの基材
１０ 従来の剥離テープの粘着剤層
１１ 圧着ローラ
１０１ 加熱用マスク
１０２，１０２ａ，１０２ｂ 開口部
２０１ 本発明の剥離テープ
２０２ 本発明の剥離テープの基材
２０３，２０３ａ，２０３ｂ 本発明の剥離テープの粘着剤層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of peeling an adhesive tape for surface protection to be attached to a semiconductor substrate and a peeling tape, and in particular, it is possible to peel the adhesive tape from the semiconductor substrate without damaging the thinned semiconductor substrate by polishing the back surface. The present invention relates to a peeling method and a peeling tape which can be used.
[0002]
[Prior art]
For example, in the case of a compound semiconductor substrate such as a GaAs substrate, after an element is formed on the surface of the semiconductor substrate, an adhesive tape for protecting the surface is attached to the surface of the semiconductor substrate, and the back surface is polished to reduce the thermal resistance. Work very thin (about 30-100 μm). For this reason, it is necessary to peel off the unnecessary adhesive tape after polishing without damaging the semiconductor substrate.
[0003]
6 to 8 show an example of a conventional method of peeling an adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor substrate and an example of a peeling tape.
[0004]
First, as shown in FIG. 6A, an adhesive tape 1 is provided with an adhesive layer 3 on the entire one main surface of a stretchable base material 2. The element (not shown) is attached to the surface 4a on which the element has been formed to protect the element.
[0005]
Next, as shown in FIG. 6B, the back surface 4b of the semiconductor substrate 4 to which the adhesive tape 1 has been attached is polished thinly with a back surface polishing device (not shown) until a desired thickness is obtained.
[0006]
Next, the unnecessary adhesive tape 1 is peeled off from the polished semiconductor substrate 4.
[0007]
In the first peeling method, first, as shown in FIG. 7A, the back surface 4 b of the semiconductor substrate 4 is placed on a flat suction stage 5, and a plurality of suction holes 7 whose ends are connected to a vacuum pump 6. Through which the semiconductor substrate 4 is held in such a manner that undesired deformation is unlikely to occur during peeling.
[0008]
Next, as shown in FIG. 7B, the entire surface of the heat-shrinkable adhesive tape 1 is heated and thermally deformed, and the adhesive tape 1 is peeled off from the semiconductor substrate 4 by utilizing the floating. However, at this time, since the entire surface of the adhesive tape 1 is uniformly and uniformly heated, the entire adhesive tape 1 tends to shrink relatively rapidly from the outer periphery to the center of the semiconductor substrate 4. Therefore, a radial warping stress is applied to the semiconductor substrate 4 to warp the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 obliquely upward. In addition, if the flatness of the suction stage 5 is deteriorated or the suction holes 7 are clogged, the suction force at the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 is reduced, and the semiconductor substrate 4 is moved to the suction stage 5. And the edge of the semiconductor substrate 4 slightly floats from the suction stage 5, and as a result, the substrate may be cracked by losing the warpage stress.
[0009]
Here, the method of heating the adhesive tape 1 is not particularly limited, and may be a radiant heat from a heat source (not shown) disposed above the semiconductor substrate 4 or a heating method by blowing hot air. Alternatively, a method may be used in which a heat source (not shown) such as a heater is built in the adsorption stage 5 and heating is performed by heat conduction.
[0010]
In the second peeling method, first, as shown in FIG. 8A, the back surface 4b of the semiconductor substrate 4 is placed on a flat suction stage 5 and a plurality of suction holes 7 whose ends are connected to a vacuum pump 6. Through which the semiconductor substrate 4 is held in such a manner that undesired deformation is unlikely to occur during peeling. In the second peeling method, the base material 2 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 may not be heat-shrinkable.
[0011]
Next, a release tape 8 is attached to the adhesive tape 1. The release tape 8 is a strip-shaped tape provided with a second pressure-sensitive adhesive layer 10 having an adhesive force stronger than the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 on the entire one main surface of the second base material 9. The pressure is applied by the pressure roller 11 and the adhesive tape 1 is attached. Then, as shown in FIG. 8B, the peeling tape 8 is pulled obliquely upward and the adhesive tape 1 stuck on the semiconductor substrate 4 side is transferred to the peeling tape 8 side, whereby the adhesive tape 1 is separated from the semiconductor substrate 4. Peel off.
[0012]
At this time, since the peeling tape 8 and the adhesive tape 1 are first pulled obliquely upward from the outer periphery of the semiconductor substrate 4 toward the center, a bending stress is applied to the semiconductor substrate 4 in the radial direction. In addition to this, if the flatness of the suction stage 5 is deteriorated or the suction holes 7 are clogged, and the suction force at the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 is reduced, the semiconductor substrate 4 is firmly held on the suction stage 5. As a result, the end of the semiconductor substrate 4 slightly lifted from the suction stage 5, and as a result, the substrate was sometimes cracked by losing bending stress.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
The conventional method of peeling an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor substrate and the peeling tape have the following problems. First, as a first peeling method, in the case of using a heat-shrinkable tape as an adhesive tape and heating and thermally deforming the adhesive tape to peel it from the semiconductor substrate, the adhesive tape is heated uniformly all over at once. When the entire substrate shrinks relatively rapidly from the outer periphery to the center of the semiconductor substrate, a radial warping stress is applied to the semiconductor substrate, and when the suction force of the suction stage overlaps with this, the semiconductor substrate is firmly held and cut. In some cases, the substrate cracked due to warpage stress.
[0014]
Further, as a second peeling method, in the case of a method of sticking a peeling tape to an adhesive tape and pulling the peeling tape to peel the adhesive tape from the semiconductor substrate, the peeling tape and the adhesive tape are centered from the outer periphery of the semiconductor substrate. Since the semiconductor substrate is pulled diagonally upward, a bending stress in the radial direction is applied to the semiconductor substrate, and when the suction force of the suction stage is reduced, the semiconductor substrate cannot be firmly held. May have occurred.
[0015]
An object of the present invention is to prevent excessive stress that deforms the semiconductor substrate in the radial direction on the semiconductor substrate when the adhesive tape on the front surface is peeled off by adsorbing the back surface of the semiconductor substrate thinned by the back surface polishing. Another object of the present invention is to provide a method of peeling an adhesive tape and a peeling tape, which do not cause substrate cracking.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
The adhesive tape peeling method of the present invention is a method in which an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor substrate provided with an adhesive layer on a heat-shrinkable substrate is attached to the surface of the semiconductor substrate, and the back surface of the semiconductor substrate is polished. Then, in the peeling method of heating and thermally deforming the adhesive tape and peeling it from the semiconductor substrate, first, the adhesive tape is partially applied so that excessive stress that radially deforms the semiconductor substrate is not applied to the semiconductor substrate. This method is characterized in that the material is heated and thermally deformed.
[0017]
In another peeling method of the present invention, an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor substrate provided with a first adhesive layer on a first base material having elasticity is attached to the surface of the semiconductor substrate. In the peeling method of peeling the adhesive tape from the semiconductor substrate after polishing the back surface, an excessively large amount of the semiconductor substrate is deformed in the radial direction on the heat-shrinkable second base material when the semiconductor substrate is thermally deformed. A peeling method characterized in that a peeling tape provided with a second pressure-sensitive adhesive layer in a shape such that stress is not applied is attached to the pressure-sensitive adhesive tape, and the peeling tape is thermally deformed by heating to release the pressure-sensitive adhesive tape from the semiconductor substrate. is there.
[0018]
The peeling tape of the present invention is a peeling tape for peeling an adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor substrate provided with a first adhesive layer on a stretchable first substrate from a semiconductor substrate, The second pressure-sensitive adhesive layer is provided on a second base material having a property such that the second pressure-sensitive adhesive layer is provided in such a shape that excessive stress for radially deforming the semiconductor substrate is not applied to the semiconductor substrate during thermal deformation. Release tape.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIGS. 1 to 5 show an example of a method for peeling an adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor substrate of the present invention and a peeling tape. 6 to 8 are denoted by the same reference numerals.
[0020]
First, as shown in FIG. 1A, an adhesive tape 1 is provided with an adhesive layer 3 on the entire one main surface of a stretchable base material 2. The element (not shown) is attached to the surface 4a on which the element has been formed to protect the element.
[0021]
Next, as shown in FIG. 1B, the back surface 4b of the semiconductor substrate 4 to which the adhesive tape 1 has been attached is polished thinly to a desired thickness by a polishing device (not shown).
[0022]
Next, the unnecessary adhesive tape 1 is peeled off from the polished semiconductor substrate 4.
[0023]
In the first stripping method of the present invention, first, as shown in FIG. 2A, a plurality of semiconductor substrates 4 having a back surface 4b placed on a flat suction stage 5 and having a terminal connected to a vacuum pump 6 are provided. The semiconductor substrate 4 is firmly vacuum-sucked through the suction holes 7 and held so that undesired deformation is unlikely to occur in the semiconductor substrate 4 during peeling.
[0024]
Next, the adhesive tape 1 is heated and thermally deformed, and is separated from the semiconductor substrate 4. At this time, instead of heating the entire surface of the adhesive tape 1 all at once, first, the adhesive tape 1 is partially adhered through the opening 102 of the heating mask 101 having an opening pattern capable of heating only a desired portion. Heat tape 1. Thereafter, as shown in FIG. 2B, the heating mask 101 is removed, and the entire surface of the adhesive tape 1 is heated.
[0025]
Here, the opening 102 corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 is provided in the heating mask 101, and only the adhesive tape 1 on the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 is heated and thermally deformed by the first heating. . This thermal deformation is partial thermal deformation, and is gentler than thermal deformation of the entire adhesive tape 1. Further, since the pressure-sensitive adhesive tape 1 is largely thermally deformed in the circumferential direction of the semiconductor substrate 4, the warp stress generated in the radial direction is small, and there is no fear that the semiconductor substrate 4 is broken. Thereafter, the entire surface of the pressure-sensitive adhesive tape 1 is heated and deformed to be peeled off. That is, the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 where the substrate crack is relatively likely to occur is first partially removed, and then the entire surface is removed. By doing so, the adhesive tape 1 can be peeled without suddenly applying excessive warping stress to the semiconductor substrate 4.
[0026]
In addition, if the kind of the adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 is a heat-foamable adhesive whose pressure-sensitive adhesive strength is reduced by heating, a single heating can reduce the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 3. This is preferable because the thermal deformation of the adhesive tape 1 can be performed simultaneously. The shape of the opening 102 of the heating mask 101 is not particularly limited as long as the adhesive tape 1 is shaped so as not to be rapidly thermally deformed in the radial direction of the semiconductor substrate 4. As shown in FIG. 3A, the opening 102a may have a spiral shape extending from the outer periphery to the center of the semiconductor substrate 4, or may have a checkered pattern as shown in FIG. 3B. Further, without using the heating mask 101, the shape of the heat source (not shown) may be a shape corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4, a spiral shape, a checkered shape, or the like. (Not shown) may be moved, and the adhesive tape 1 may be heated while being moved into a shape corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4, a spiral shape, a checkered shape, or the like. The method of heating the adhesive tape 1 is not particularly limited, and may be a radiant heat from a heat source (not shown) disposed above the semiconductor substrate 4 or a heating method using hot air blowing, or the like. A method in which a heat source (not shown) such as a heater is built in the suction stage 5 and heating is performed by heat conduction may be used.
[0027]
In the second peeling method and the peeling tape of the present invention, first, as shown in FIG. 4A, the back surface 4b of the semiconductor substrate 4 is placed on a flat suction stage 5, and the terminal is connected to a vacuum pump 6. Vacuum is firmly sucked through the plurality of suction holes 7 and held so that undesired deformation of the semiconductor substrate 4 hardly occurs at the time of peeling.
[0028]
Next, a release tape 201 is attached to the adhesive tape 1. Here, the release tape 201 is provided with a second pressure-sensitive adhesive layer 203 in a shape corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 on a heat-shrinkable second base material 202. 2 The pressure-sensitive adhesive layer 203 is pressed by the pressure roller 11 so as to be directly opposed to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 and attached.
[0029]
Next, as shown in FIG. 4B, the entire surface of the release tape 201 is heated and thermally deformed, and the adhesive tape 1 attached to the release tape 201 is deformed and floats from the semiconductor substrate 4 with the thermal deformation. Peel off. Here, since the pressure-sensitive adhesive layer 203 is provided only on the portion corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 on the release tape 201, this thermal deformation is a partial thermal deformation, and Slow compared to thermal deformation. Further, since the pressure-sensitive adhesive tape 1 is largely thermally deformed in the circumferential direction of the semiconductor substrate 4, the warp stress generated in the radial direction is small, and there is no fear that the semiconductor substrate 4 is broken. Thereafter, it is easy to remove the entire adhesive tape 1 from the semiconductor substrate 4 using tweezers (not shown) at the end of the adhesive tape 1 from which the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 has been peeled off. That is, the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 where the substrate crack is relatively likely to occur is first partially removed, and then the entire surface is removed. By doing so, the adhesive tape 1 can be peeled without suddenly applying excessive warping stress to the semiconductor substrate 4.
[0030]
In addition, if the kind of the adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 is a heat-foamable adhesive whose pressure-sensitive adhesive strength is reduced by heating, a single heating can reduce the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 3. This is preferable because the thermal deformation of the release tape 201 can be performed simultaneously. The shape of the second pressure-sensitive adhesive layer 203 provided on the release tape 201 is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive tape 1 is shaped so as not to be rapidly thermally deformed in the radial direction of the semiconductor substrate 4. Instead, for example, as shown in FIG. 5A, a spiral-shaped second pressure-sensitive adhesive layer 203a extending from the outer periphery of the semiconductor substrate 4 to the center may be used. As shown in FIG. Of the second pressure-sensitive adhesive layer 203b. The method of heating the release tape 201 is not particularly limited, and may be radiant heat from a heat source (not shown) disposed above the semiconductor substrate 4 or a heating method using hot air blowing or the like. A method in which a heat source (not shown) such as a heater is built in the suction stage 5 and heating is performed by heat conduction may be used.
[0031]
【The invention's effect】
According to the first peeling method of the present invention, the adhesive tape having heat shrinkage is first partially heated and thermally deformed, so that no excessive stress is suddenly applied in the radial direction of the semiconductor substrate, There is no worry about the semiconductor substrate breaking. It is preferable that the shape of the portion to be heated first is a shape corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate, a spiral shape from the outer periphery of the semiconductor substrate toward the center, or a checkered pattern. In addition, if the type of the adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is a heat-foamable adhesive whose pressure-sensitive adhesive strength is reduced by heating, a single heating reduces the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive tape. And the thermal deformation of.
[0032]
According to the second peeling method and the peeling tape of the present invention, a peeling tape provided with a second pressure-sensitive adhesive layer in a shape such that excessive stress is not applied in the radial direction of the semiconductor substrate during thermal deformation is used. Therefore, there is no fear that the semiconductor substrate is broken. Preferably, the shape of the second pressure-sensitive adhesive layer is a shape corresponding to the outer peripheral portion of the semiconductor substrate, a spiral shape from the outer periphery of the semiconductor substrate toward the center, or a checkered pattern. In addition, if the type of the adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is a heat-foamable adhesive whose pressure-sensitive adhesive strength is reduced by heating, a single heating reduces the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive tape. And the thermal deformation of.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of one example of the peeling method of the present invention. FIG. 2 is an explanatory view of one example of a first peeling method of the present invention. FIG. 3 is a plan view of another example of the first peeling method of the present invention. FIG. 4 is an explanatory view of an example of a second peeling method and a peeling tape of the present invention. FIG. 5 is an explanatory view of an example of another peeling tape of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional peeling method. FIG. 8 is a sectional view of a conventional first peeling method. FIG. 8 is a sectional view of a conventional second peeling method.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive tape 2 Adhesive tape base material 3 Adhesive tape adhesive layer 4 Semiconductor substrate 4a Semiconductor substrate front surface 4b Semiconductor substrate back surface 5 Suction stage 6 Vacuum pump 7 Suction hole 8 Release tape 9 Conventional release tape base material 10 Conventional release tape pressure-sensitive adhesive layer 11 Pressure roller 101 Heating mask 102, 102a, 102b Opening 201 Release tape 202 of the present invention Release tape substrate 203, 203a, 203b Pressure-sensitive adhesive of the release tape of the present invention layer
