JP2004071551A - ドナー要素及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素を提供する。
【解決手段】有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
ａ）　ドナー支持体基板；
ｂ）　該基板の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
ｃ）　該吸光層の上に配置された発光層；並びに
ｄ）　該発光層の上に配置された正孔輸送層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に、該有機発光ダイオードデバイスに対して正孔輸送性材料及び発光材料が間隙を越えて気化転写する原因となる熱が発生するように配置された正孔輸送層
を含んで成るドナー要素。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）としても知られる有機電場発光（ＥＬ）デバイスに、さらにはそのようなＯＬＥＤデバイスを製造するためのドナー要素及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
赤、緑及び青の色画素のような着色画素（通常ＲＧＢ画素という。）を配列したカラー又はフルカラー有機電場発光（ＥＬ）ディスプレイ（有機発光ダイオードデバイス又はＯＬＥＤデバイスとしても知られている）においては、ＲＧＢ画素を形成するため発色性有機ＥＬ媒体を精密にパターン化する必要がある。基本的なＯＬＥＤデバイスは、共通要素として、アノード、カソード、及び該アノードと該カソードとに挟まれた有機ＥＬ媒体を含む。有機ＥＬ媒体は１又は２層以上の有機薄膜からなることができ、その層の一つが主として発光、すなわち電場発光を担う。この特定の層を、一般に有機ＥＬ媒体の発光層と称する。有機ＥＬ媒体中に存在する他の有機層は、主として電子輸送機能を提供することができ、（正孔輸送のための）正孔輸送層又は（電子輸送のための）電子輸送層と呼ばれる。フルカラーＯＬＥＤディスプレイパネルのＲＧＢ画素を形成する際には、有機ＥＬ媒体の発光層又は有機ＥＬ媒体全体を精密にパターン化する方法を工夫する必要がある。
【０００３】
高解像度有機ＯＬＥＤディスプレイをパターン化するのに好適な方法が、米国特許第５８５１７０９号（Ｇｒａｎｄｅら）に記載されている。この方法は、（１）対向する第１表面及び第２表面を有する基板を用意し、（２）該基板の第１表面の上に透光性断熱層を形成し、（３）該断熱層の上に吸光層を形成し、（４）該基板に、該第２表面から該断熱層にまで延在する開口部の配列を設け、（５）該吸光層の上に転写可能な発色性有機ドナー層を形成し、（６）該基板の開口部とデバイス上の対応するカラー画素とが配向するように該ドナー基板をディスプレイ基板に対して精密にアラインし、そして（７）該ドナー基板上の有機層を該ディスプレイ基板に転写させるに十分な熱を該開口部上の吸光層に発生させるための輻射線源を使用する、という工程序列を含む。
【０００４】
Ｌｉｔｔｍａｎ及びＴａｎｇは、パターン化されていないドナーシートからＥＬ基板へ有機ＥＬ材料をパターン様式で転写する方法を教示している（米国特許第５６８８５５１号）。Ｗｏｌｋらの一連の特許（米国特許第６１１４０８８号、同第６１４０００９号、同第６２１４５２０号及び同第６２２１５５３号）は、ドナー要素の選ばれた部分をレーザービームで加熱することによりドナー要素から基板へＥＬデバイスの発光層を転写することができる方法を教示している。
【０００５】
譲受人共通の米国特許第５９３７２７２号（Ｔａｎｇ）に、ＥＬ材料の蒸着によって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の上に、多色画素（例、赤色、緑色、青色の各二次画素）をパターン化する方法が教示されている。このようなＥＬ材料は、支持体上のドナー被膜及び開口マスクを使用して、基板上に選ばれたパターンをなすように堆積される。開口マスクは、ドナー層と基板との間に配置される独立体であってもよいし（上記特許の図１にあるように）、またドナー層に内臓されていてもよい（上記特許の図４、図５及び図６にあるように）。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第３１８０７３０号明細書
【特許文献２】
米国特許第３５６７４５０号明細書
【特許文献３】
米国特許第３６５８５２０号明細書
【特許文献４】
米国特許第４３５６４２９号明細書
【特許文献５】
米国特許第４５３９５０７号明細書
【特許文献６】
米国特許第４７２０４３２号明細書
【特許文献７】
米国特許第４７６８２９２号明細書
【特許文献８】
米国特許第４７６９２９２号明細書
【特許文献９】
米国特許第４８８５２２１号明細書
【特許文献１０】
米国特許第５０５９８６１号明細書
【特許文献１１】
米国特許第５０５９８６２号明細書
【特許文献１２】
米国特許第５０６１５６９号明細書
【特許文献１３】
米国特許第５１４１６７１号明細書
【特許文献１４】
米国特許第５１５０００６号明細書
【特許文献１５】
米国特許第５１５１６２９号明細書
【特許文献１６】
米国特許第５２７６３８０号明細書
【特許文献１７】
米国特許第５２９４８７０号明細書
【特許文献１８】
米国特許第５４０５７０９号明細書
【特許文献１９】
米国特許第５４８４９２２号明細書
【特許文献２０】
米国特許第５５７８４１６号明細書
【特許文献２１】
米国特許第５５９３７８８号明細書
【特許文献２２】
米国特許第５６４５９４８号明細書
【特許文献２３】
米国特許第５６７７５７２号明細書
【特許文献２４】
米国特許第５６８３８２３号明細書
【特許文献２５】
米国特許第５６８８５５１号明細書
【特許文献２６】
米国特許第５７５５９９９号明細書
【特許文献２７】
米国特許第５７７６６２３号明細書
【特許文献２８】
米国特許第５８５１７０９号明細書
【特許文献２９】
米国特許第５９２８８０２号明細書
【特許文献３０】
米国特許第５９３５７２０号明細書
【特許文献３１】
米国特許第５９３５７２１号明細書
【特許文献３２】
米国特許第５９３７２７２号明細書
【特許文献３３】
米国特許第６０２００７８号明細書
【特許文献３４】
米国特許第６１１４０８８号明細書
【特許文献３５】
米国特許第６１４０００９号明細書
【特許文献３６】
米国特許第６１４０７６３号明細書
【特許文献３７】
米国特許第６１９４１１９号明細書
【特許文献３８】
米国特許第６２０８０７５号明細書
【特許文献３９】
米国特許第６２１４５２０号明細書
【特許文献４０】
米国特許第６２２１５５３号明細書
【特許文献４１】
国際公開第９８／５５５６１号パンフレット
【特許文献４２】
国際公開第００／１８８５１号パンフレット
【特許文献４３】
国際公開第００／５７６７６号パンフレット
【特許文献４４】
国際公開第００／７０６５５号パンフレット
【特許文献４５】
欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書
【特許文献４６】
欧州特許出願公開第０８９１１２１号明細書
【特許文献４７】
欧州特許出願公開第１００９０４１号明細書
【特許文献４８】
欧州特許出願公開第１０２９９０９号明細書
【非特許文献１】
Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ　ａｎｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，　Ｖｏｌｓ．　１−４，　Ｈ．Ｓ．Ｎａｌｗａ，　ｅｄ．，　Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　ａｎｄ　Ｓｏｎｓ，　Ｃｈｉｃｈｅｓｔｅｒ　（１９７７）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
これまでのドナーによるレーザー感熱転写法には、得られるＯＬＥＤデバイスの効率及び光出力安定性が所望の水準に達しないという問題がある。出力強度が時間と共に低下し、このため色相がシフトしたりコントラストが低下したりすることになりかねない。
したがって、本発明の目的は、輻射線転写型ＯＬＥＤデバイスの効率を高めることにある。
本発明のさらなる目的は、デバイスの光出力の安定性を高めることにある。
本発明のさらに別の目的は、発光層をＯＬＥＤデバイスへ転写する方法を改良することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
ａ）　ドナー支持体基板；
ｂ）　該基板の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
ｃ）　該吸光層の上に配置された発光層；並びに
ｄ）　該発光層の上に配置された正孔輸送層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に、該有機発光ダイオードデバイスに対して正孔輸送性材料及び発光材料が間隙を越えて気化転写する原因となる熱が発生するように配置された正孔輸送層
を含んで成るドナー要素によって達成される。
【０００９】
さらに上記の目的は、有機発光ダイオードデバイスの製造工程における上記のドナー要素の使用方法であって、
ａ）　該ドナー要素を、有機発光ダイオード基板と転写関係をなすように、かつ、該有機発光ダイオード基板から間隙により一定の間隔を置いて配置し、そしてｂ）　該正孔輸送材料と該発光材料との界面において該正孔輸送材料が該発光材料に混入しつつ該有機発光ダイオード基板上に該正孔輸送材料と該発光材料とをそれぞれ付着せしめるに十分な熱を発生させるに十分な光を該ドナー要素に当てる
ことを特徴とする方法によって達成される。
【００１０】
転写されるべき発光層を堆積することによりレーザー転写用ドナーが製造される。最上部には正孔輸送材料層が堆積される。レーザーを使用して、発光層をドナー要素からＯＬＥＤ基板へ転写する。まったく意外なことに、得られるＯＬＥＤデバイスは、当該正孔輸送層なしで得られたものよりも、効率及び安定性が高くなることが判明した。
【００１１】
【発明の実施の形態】
デバイスの構成要素の寸法、例えば層の厚さは、マイクロメートル以下の領域にある場合が多く、このため、図面の拡大割合は、寸法的な正確さよりも、むしろ見やすさを優先してなされていることに留意されたい。
【００１２】
用語「ディスプレイ」又は「ディスプレイパネル」は、ビデオ画像又はテキストを電子的に表示することができるスクリーンをさす。用語「画素」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、ディスプレイパネルの一領域であって、他の領域とは独立に発光するように刺激され得る領域をさす。用語「ＯＬＥＤ」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、有機発光ダイオードを画素として含む表示装置をさす。カラーＯＬＥＤデバイスは、少なくとも２色の光を発する。用語「多色」は、異なる領域で異なる色相の光を発することができるディスプレイパネルをさし、具体的には、異なる色の画像を表示することができるディスプレイパネルをさす。これらの領域は必ずしも隣接しなくてもよい。用語「フルカラー」は、可視スペクトルの赤、緑及び青の各色域で発光し、任意の組合せの色相で画像を表示することができる多色ディスプレイパネルをさす。赤、緑及び青の各色は三原色を構成し、この三原色を適宜混合することにより他のすべての色を発生させることができる。用語「色相」は、可視スペクトル内の発光強度プロファイルをさし、異なる色相は視覚的に識別できる色差を示す。画素又は二次画素とは、一般に、ディスプレイパネルにおいてアドレス可能な最小単位をさす。モノクロディスプレイの場合、画素又は二次画素の間に区別はない。用語「二次画素」は、多色ディスプレイパネルにおいて使用され、特定の色を発光するために独立にアドレスすることができる画素の部分をさす。例えば、青色二次画素は、青光を発するためにアドレスすることができる画素の当該部分である。フルカラーディスプレイの場合、一つの画素が、三原色の二次画素、すなわち青、緑及び赤で構成されることが一般的である。用語「ピッチ」は、ディスプレイパネルにおける２つの画素又は二次画素を隔てる距離をさす。したがって、二次画素ピッチは、２つの二次画素間の分離を意味する。
【００１３】
図１（ａ）に、ドナー要素１０の構造の一態様を横断面図にて示す。ドナー１０要素は、最低限、軟質のドナー支持体基板１４を含み、それがドナー要素１０の非転写面３２を構成する。ドナー支持体基板１４は、少なくとも以下の要件を満たす数種の材料のいずれでできていてもよい。ドナー支持体基板は、片面が加圧された状態での光熱誘導式転写工程に際して、また水蒸気のような揮発性成分を除去するために企図されるいかなる予備加熱工程に際しても、構造的団結性を維持できることが必要である。さらに、ドナー支持体基板は、片面上に比較的薄い有機ドナー材料のコーティングを受容し、このコーティングを、被覆された支持体の予想される保存期間内に劣化させることなく保持することができる必要もある。これらの要件を満たす支持体材料の例として、金属箔、当該支持体上のコーティングの転写性有機ドナー材料を転写させるために予測される支持体温度値よりも高いガラス転移温度を示す特定のプラスチック箔、及び繊維強化プラスチック箔が挙げられる。好適な支持体材料の選定は既知の工学的手法によることができるが、本発明の実施に有用なドナー支持体として構成されるときに、選ばれた支持体材料の特定の側面がさらなる検討に値することが認識されている。例えば、当該支持体が、転写性有機材料による予備コーティングの前に、多段階洗浄及び表面調製工程を必要とすることもあり得る。当該支持体材料が輻射線透過性材料である場合には、当該支持体の内部又は表面に輻射線吸収材料を含めると、適当なフラッシュランプからの輻射線フラッシュ又は適当なレーザーからのレーザー光を使用する時の当該ドナー支持体の加熱効果が高くなり、これに応じて転写性有機ドナー材料の当該支持体から基板への転写性が向上することとなり有利となり得る。
【００１４】
ドナー支持体基板１４は、スペクトルの所定の部分の光を吸収して熱を発生させることができる輻射線吸収性材料を含む輻射線吸収層１６によって均一に被覆される。輻射線吸収性材料１６は、米国特許第５５７８４１６号明細書に記載されている色素のような色素、カーボンのような顔料又はニッケル、クロム、チタン、等のような金属を含むことができる。
【００１５】
ドナー要素１０は、さらに、有機発光材料を含む発光層１８を含む。有用な発光性有機材料は周知である。米国特許第４７６９２９２号及び同第５９３５７２１号に詳述されているように、有機ＥＬ要素の発光層は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域において電子−正孔対が再結合する結果として電場発光が生じる。発光層は、単一材料で構成することもできるが、より一般的には、ホスト材料にゲスト化合物、すなわちドーパント、をドーピングしてなり、そこで主として当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。発光層に含まれるホスト材料は、後述する電子輸送性材料、後述する正孔輸送性材料、又は正孔−電子再結合を支援する別の材料、であることができる。ドーパント材料は、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、同第００／１８８５１号、同第００／５７６７６号及び同第００／７０６５５号に記載されているような遷移金属錯体も有用である。ドーパントは、ホスト材料に対して０．０１〜１０質量％の範囲内で塗被されることが典型的である。
【００１６】
ドーパントとしての色素を選定するための重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へのエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さいことが必須条件となる。
【００１７】
有用性が知られているホスト及び発光性分子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９号、同第５２９４８７０号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号及び同第６０２００７８号に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００１８】
８−ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の金属錯体（下記構造式Ｅ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、５００　ｎｍよりも長い波長の光（例、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００１９】
【化１】

【００２０】
上式中、Ｍは金属を表わし、ｎは１〜３の整数であり、そしてＺは、各々独立に、縮合芳香族環を２個以上有する核を完成する原子群を表わす。
上記より、当該金属は１価、２価又は３価になり得ることが明白である。当該金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウムもしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属、又はホウ素もしくはアルミニウムのような土類金属であることができる。一般に、有用なキレート化金属であることが知られているものであれば、１価、２価又は３価のいずれの金属でも使用することができる。
【００２１】
Ｚは、その少なくとも一つがアゾール環又はアジン環である２個以上の縮合芳香族環を含有する複素環式核を完成する。必要であれば、当該２個の必須環に、脂肪族環及び芳香族環の双方を含む追加の環を縮合させてもよい。分子の嵩高さが機能向上を伴うことなく増大することを避けるため、通常は環原子の数を１８以下に維持する。
【００２２】
以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例を示す。
ＣＯ−１：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）〕
ＣＯ−２：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム（ＩＩ）〕
ＣＯ−３：ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト］亜鉛（ＩＩ）
ＣＯ−４：ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
ＣＯ−５：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス（８−キノリノラト）インジウム〕ＣＯ−６：アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）〔別名、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）〕
ＣＯ−７：リチウムオキシン〔別名、（８−キノリノラト）リチウム（Ｉ）〕
【００２３】
９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセンの誘導体（下記構造式Ｆ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、４００　ｎｍよりも長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００２４】
【化２】

【００２５】
上式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、各環上の１又は２以上の置換基であってそれぞれ下記のグループから独立に選ばれるものを表わす。
第１グループ：水素、又は炭素原子数１〜２４のアルキル；
第２グループ：炭素原子数５〜２０のアリール又は置換アリール；
第３グループ：アントラセニル、ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香族環の完成に必要な４〜２４個の炭素原子；
第４グループ：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭素原子数５〜２４のヘテロアリール又は置換ヘテロアリール；
第５グループ：炭素原子数１〜２４のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ；及び
第６グループ：フッ素、塩素、臭素又はシアノ
【００２６】
ベンズアゾール誘導体（下記構造式Ｇ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、４００　ｎｍよりも長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００２７】
【化３】

【００２８】
上式中、ｎは３〜８の整数であり、
ＺはＯ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒ’は、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル（例えば、プロピル、ｔ−ブチル、ヘプチル、等）、炭素原子数５〜２０のアリールもしくはヘテロ原子置換型アリール（例えば、フェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系）、ハロ（例、クロロ、フルオロ）、又は縮合芳香族環の完成に必要な原子群、であり、
Ｌは、アルキル、アリール、置換アルキル又は置換アリールからなる結合ユニットであって、当該ベンズアゾール同士を共役的又は非共役的に連結させるものである。
有用なベンズアゾールの一例として２，２’，２”−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］が挙げられる。
【００２９】
望ましい蛍光性ドーパントには、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチアピリリウムの各化合物の誘導体並びにカルボスチリル化合物が包含される。以下、有用なドーパントの具体例を挙げるが、これらに限定はされない。
【００３０】
【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【００３１】
その他の有機発光性材料として、高分子物質、例えば、譲受人共通の米国特許第６１９４１１９号Ｂ１（Ｗｏｌｋら）及びその中の文献に記載されているポリフェニレンビニレン誘導体、ジアルコキシ−ポリフェニレンビニレン、ポリ−パラ−フェニレン誘導体及びポリフルオレン誘導体、を使用することもできる。
【００３２】
図示されていないが、得られるＯＬＥＤデバイスの発光特性の適正化にとって望ましい場合には、発光層１８は、２以上の発光層をさらに含むことができる。
【００３３】
ドナー要素１０は、正孔輸送性材料を含む正孔輸送層２０をさらに含み、これは有機発光層１８の上に配置される。正孔輸送層２０は、発光層１８の上に直接配置されてもよいし、中間層の上に配置されてもよい。有用な正孔輸送性材料は、芳香族第三アミンのような化合物を含むことがよく知られている。芳香族第三アミンとは、その少なくとも一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合している３価窒素原子を１個以上含有する化合物であると解される。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであることができる。トリアリールアミン単量体の例が、米国特許第３１８０７３０号（Ｋｌｕｐｆｅｌら）に示されている。１以上のビニル基で置換された、及び／又は少なくとも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリアリールアミンが、米国特許第３５６７４５０号及び同第３６５８５２０号（Ｂｒａｎｔｌｅｙら）に記載されている。
【００３４】
より好ましい種類の芳香族第三アミンは、米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以上含有するものである。このような化合物には、下記構造式（Ａ）で表わされるものが含まれる。
【００３５】
【化８】

【００３６】
上式中、Ｑ_１及びＱ_２は各々独立に選ばれた芳香族第三アミン部分であり、そしてＧは、アリーレン、シクロアルキレン又は炭素−炭素結合のアルキレン基のような結合基である。一つの実施態様において、Ｑ_１及びＱ_２の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である場合、それはフェニレン部分、ビフェニレン部分又はナフタレン部分であることが便利である。
構造式（Ａ）を満たし、かつ、２つのトリアリールアミン部分を含有する有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式（Ｂ）で表わされる。
【００３７】
【化９】

【００３８】
上式中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、水素原子、アリール基もしくはアルキル基を表わすか、又は、Ｒ_１及びＲ_２は一緒にシクロアルキル基を完成する原子群を表わし、そして
Ｒ_３及びＲ_４は、各々独立に、アリール基であってそれ自体が下記構造式（Ｃ）で示されるようなジアリール置換型アミノ基で置換されているものを表わす。
【００３９】
【化１０】

【００４０】
上式中、Ｒ_５及びＲ_６は各々独立に選ばれたアリール基である。一つの実施態様において、Ｒ_５及びＲ_６の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）を含有する。
別の種類の芳香族第三アミンはテトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、構造式（Ｃ）で示したようなジアリールアミノ基を２個含む。有用なテトラアリールジアミンには、下記構造式（Ｄ）で表わされるものが含まれる。
【００４１】
【化１１】

【００４２】
上式中、Ａｒｅは各々独立に選ばれたアリーレン基、例えば、フェニレン又はアントラセン部分であり、
ｎは１〜４の整数であり、そして
Ａｒ、Ｒ_７、Ｒ_８及びＲ_９は各々独立に選ばれたアリール基である。
典型的な実施態様では、Ａｒ、Ｒ_７、Ｒ_８及びＲ_９の少なくとも一つが多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）である。
【００４３】
上記構造式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン部分も、各々それ自体が置換されていてもよい。典型的な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、並びにフッ化物、塩化物及び臭化物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキル及びアルキレン部分は、典型的には約１〜６個の炭素原子を含有する。シクロアルキル部分は３〜約１０個の炭素原子を含有し得るが、典型的には、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルの環構造体のように、５個、６個又は７個の環炭素原子を含有する。アリール部分及びアリーレン部分は、通常はフェニル部分及びフェニレン部分である。
【００４４】
ＯＬＥＤデバイスの正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の単体又は混合物で形成することができる。具体的には、構造式（Ｂ）を満たすトリアリールアミンのようなトリアリールアミンを、構造式（Ｄ）が示すようなテトラアリールジアミンと組み合わせて使用することができる。トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合わせて使用する場合、後者を、トリアリールアミンと電子注入及び輸送層との間に挿入された層として配置する。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン
４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル
ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニルメタン
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン
４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）−スチリル］スチルベン
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル
Ｎ−フェニルカルバゾール
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）
Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフタレニル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４”−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン
４，４’−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４”−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（８−フルオルアンテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフタセニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン
２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン
２，６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフチル）−４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）−フェニル］アミノ｝ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル
２，６−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミン］フルオレン
１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン
【００４５】
別の種類の有用な正孔輸送性材料として、欧州特許第１００９０４１号に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも呼ばれているポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）のようなコポリマー、といった高分子正孔輸送性材料を使用することもできる。
【００４６】
このように、ドナー支持体要素１４が非転写面３２を構成し、そして正孔輸送層２０がドナー要素１０の転写面３４を構成する。正孔輸送層の厚さは、０．１ｎｍ〜５．０ｎｍの範囲内である。
【００４７】
図１（ｂ）に、ドナー要素１２の構造の別の態様を横断面図で示す。この態様では、ドナー支持体基板１４が、最初に、スペクトルの所定の部分の光を吸収して発熱することができるパターン化された吸光層２２で被覆され、次いで、発光層１８で被覆され、最後に、正孔輸送層２０で被覆されている。この場合、ドナー支持体基板１４が非転写面３２を構成し、そして正孔輸送層２０が転写面３４を構成する。パターン化吸光層２２は、スペクトルの所定の部分の光を吸収して発熱することができる輻射線吸収性材料を含む。
【００４８】
図２（ａ）に、１つの光処理法でドナー要素１０から基板３６の一部へ有機材料３０を転写する方法の横断面図を示す。ドナー要素１０は、基板３６と転写関係をなすように配置される。すなわち、ドナー要素１０は基板３６に接触するように配置されるか、又は基板３６から一定の間隔を維持しながら保持される。基板３６は、ドナーから発光材料を受容する表面を提供する有機固体、無機固体又は有機固体と無機固体の混合物であることができる。基板３６は、硬質であっても軟質であってもよく、シートやウェハのような独立片として又は連続ロールとして処理されることができる。典型的な基板材料として、ガラス、プラスチック、金属、セラミック、半導体、金属酸化物、半導体酸化物、半導体窒化物又はこれらの組合せが挙げられる。基板３６は、材料の均質混合物、材料の複合材、又は材料の多層であることができる。基板３６は、ＯＬＥＤ基板、すなわちＯＬＥＤデバイス製造用の一般的な基板、例えば、アクティブ型低温ポリシリコンＴＦＴ基板であることができる。基板３６は、所期の発光方向に依存して、透光性又は不透明であることができる。当該基板を通してＥＬ発光を観察する場合には、透光性が望まれる。このような場合には、一般に、透明なガラス又はプラスチックが用いられる。上部電極を通してＥＬ発光を観察する用途の場合には、底部支持体の透過性は問題とならないので、透光性であっても、吸光性であっても、また光反射性であってもよい。このような場合に用いられる基板として、ガラス、プラスチック、半導体材料、セラミックス、回路基板材料その他のＯＬＥＤデバイス（パッシブ型又はアクティブ型のいずれでもよい）の形成に汎用されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。本工程の前に、基板３６に他の層を被覆してもよい。例えば、基板３６に予め正孔輸送層４３を被覆しておくことができる。この層は、第１電極４１とも呼ばれるＴＦＴの上に被覆される。
【００４９】
この態様では、ドナー要素１０は輻射線吸収層１６を具備して調製されており、ＯＬＥＤ基板３６から間隙４４により一定の間隔を置いて配置される。該間隙は、薄膜トランジスタ４０と介在する隆起表面部分４２との構造により、ドナー要素１０とＯＬＥＤ基板３６との間に維持される。別の態様として、間隙４４を他の方法で、例えば、ドナー要素１０の転写面３４の上にスペーサ要素を使用する方法で維持できることを理解されたい。間隙４４には、圧力１トル以下の真空又は減圧雰囲気を設ける。その際、平均自由行程、すなわち気体分子が他の気体分子と衝突する間に移動する平均距離、が間隙の距離よりも大きくなる。このことは、当該間隙を横断する材料が何らかの残留気体と衝突する確率が低くなることを意味する。レーザー源２８からのレーザー光４８のパターンが、非転写面３２を照明する。レーザー源２８は、可視光レーザー又は赤外レーザーであることができる。レーザー光４８が輻射線吸収層１６に吸収され、レーザー光４８に応じた熱５０が発生する。このため、レーザー光４８の近傍にある有機材料３０が加熱される。この態様では、ドナー１０に当たる光の大部分が熱に変換されるが、これは、ドナー１０の選択的に照射された部分においてのみ起こることである。有機材料３０の加熱された部分の一部又は全部が気化転写を経て、ＯＬＥＤ基板３６の受容面４６の上に転写有機材料５２として堆積し、パターン化転写をなす。気化転写とは、材料が個別分子又は小さな分子クラスターとして間隙を横断して輸送されるプロセスとして定義される。これには、昇華、気化及びアブレーションのようなプロセスが含まれ得る。有機材料３０は、明瞭化のため、単一層として図示されているが、それが本明細書に記載した多層コーティングを代表し得ることを理解されたい。具体的には、有機材料３０は、先に記載したような発光層１８及び正孔輸送層２０を含むことができる。基板の正孔輸送層４３が、ドナーの正孔輸送層２０よりも厚いことが好ましい。ドナー要素上に多層コーティングが存在する場合には、正孔輸送材料と発光材料との界面２４において正孔輸送材料が発光材料中に混入することとなる。
【００５０】
図２（ｂ）に、別の光処理法により、ドナー要素１２から、ＯＬＥＤ基板３８の一部に有機材料３０を転写する方法の横断面図を示す。ドナー要素１２は、基板３８と転写関係をなすように配置される。この態様では、ドナー要素１２は、パターン化層をなす吸光層２２を具備して調製されており、ＯＬＥＤ基板３８から間隙５４により一定の間隔を置いて配置される。該間隙は、外的手段、例えばスペーサによって設けられる。フラッシュ光５６が非転写面３２を照射する。フラッシュ光５６が吸光性材料２２を照明し、これにより熱５０が発生する。このため、パターン化層をなしている吸光層２２の近傍にある有機材料３０が加熱される。この態様では、ドナー要素１２に当たる光の一部（すなわち、吸光層２２に直接当たる光）のみが熱に変換される。有機材料３０の加熱された部分の一部又は全部が昇華し、気化し又はアブレートされ、そしてＯＬＥＤ基板３８の受容面４６の上に転写有機材料５２として堆積し、パターン化転写をなす。有機材料３０は、明瞭化のため、単一層として図示されているが、それが本明細書に記載した多層コーティングを代表していることを理解されたい。ドナー要素上に多層コーティングが存在する場合には、正孔輸送材料と発光材料との界面２４において正孔輸送材料が発光材料中に混入することとなる。
【００５１】
図３に、ＯＬＥＤデバイスの発光部分の構造の一例を横断面図で示す。ＯＬＥＤデバイス５８は基板３６の上に形成されている。基板３６は、重要な領域において、アノード層６０で被覆されている。導電性アノード層は基板上に形成され、そしてＥＬ発光を当該アノードを介して観察する場合には、当該発光に対して透明又は実質的に透明であることが必要である。本発明に用いられる一般的な透明アノード材料はインジウム錫酸化物及び酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、アノード材料として、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用することもできる。ＥＬ発光を上部電極を介して観察する用途の場合には、アノード材料の透過性は問題とならず、透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料でも使用することができる。このような用途向けの導体の例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくても、４．１　ｅＶ以上の仕事関数を有する。望ましいアノード材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。アノードは、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。
【００５２】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、正孔注入層６２を含むことができる。常に必要であるものではないが、有機発光ディスプレイに正孔注入層を設けることが有用となる場合が多い。正孔注入層は、後続の有機層の薄膜形成特性を改良し、かつ、正孔を正孔輸送層に注入し易くするように機能し得る。正孔注入層に使用するのに適した材料として、米国特許第４７２０４３２号に記載されているようなポルフィリン系化合物や、米国特許第６２０８０７５号に記載されているようなプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマーが挙げられるが、これらに限定はされない。有機ＥＬデバイスにおいて有用であることが報告されている別の正孔注入性材料が、欧州特許出願公開第０８９１１２１号Ａ１及び同第１０２９９０９号Ａ１に記載されている。
【００５３】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、正孔輸送層６４を含む。正孔輸送層６４は、上述した正孔輸送性材料のいずれでも含むことができる。望ましい正孔輸送性材料は、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。正孔輸送性材料は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。
【００５４】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、発光層６６を含む。発光層は、本明細書中に記載した発光性材料及び正孔輸送性材料のいずれを含むこともできる。発光層６６は、本発明の技法により堆積される。
【００５５】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、電子輸送層６８を含む。望ましい電子輸送性材料は、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。電子輸送性材料は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。本発明の有機ＥＬデバイスに使用するのに好ましい電子輸送性材料は、オキシン（通称８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）それ自体のキレートをはじめとする金属キレート化オキシノイド系化合物である。このような化合物は、電子の注入及び輸送を助長し、しかも高い性能レベルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。企図されるオキシノイド系化合物の例は、既述の構造式（Ｅ）を満たす化合物である。
【００５６】
その他の電子輸送性材料として、米国特許第４３５６４２９号に記載されている各種ブタジエン誘導体、及び米国特許第４５３９５０７に記載されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。既述の構造式（Ｇ）を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送性材料となる。
【００５７】
その他の電子輸送性材料として、高分子物質、例えば、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ−パラ−フェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアセチレンその他の導電性高分子有機材料、例えば、譲受人共通の米国特許第６２２１５５３号及びその中の文献に記載されているもの、を使用することもできる。
【００５８】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、カソード７０を含む。アノードを介して発光させる場合には、カソード材料は、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、低仕事関数金属（＜３．０ｅＶ）又は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の１種に、米国特許第４８８５２２１号明細書に記載されているＭｇ：Ａｇ合金（銀含有率１〜２０％）を含むものがある。別の好適な種類のカソード材料として、低仕事関数金属又は金属塩の薄層に、これより厚い導電性金属の層をキャップしてなる二層形が挙げられる。このようなカソードの一つに、米国特許第５６７７５７２号明細書に記載されている、ＬｉＦ薄層にこれより厚いＡｌ層を載せてなるものがある。その他の有用なカソード材料として、米国特許第５０５９８６１号、同第５０５９８６２号及び同第６１４０７６３号明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００５９】
カソードを介して発光を観察する場合には、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならない。このような用途の場合、金属が薄くなければならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合せを使用しなければならない。米国特許第５７７６６２３号明細書に透光性カソードが詳述されている。カソード材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により付着させることができる。必要な場合には、例えば、マスク介在蒸着法、米国特許第５２７６３８０号及び欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書に記載の一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション法及び選択的化学的気相成長法をはじめとする多くの周知の方法により、パターンを形成させてもよい。
【００６０】
図２を参照しながら図４について説明する。図５に、本発明の方法により処理された後の基板８２の平面図を示す。有機材料３０の所定の部分が基板３６に転写されて転写パターン８０をなしている。転写パターン８０は処理後基板８２の最終用途に合致するように形成される（例えば、転写パターン８０は、基板３６上の薄膜トランジスタの存在位置に転写されたＯＬＥＤ発光材料のものとなる）。転写パターン８０は、それを調製するのに用いた方法を反映する（例えば、図２（ｂ）のパターン化層をなす輻射線吸収性材料２２又は図２（ａ）のレーザー光４８の照射パターン）。
【００６１】
【実施例】
本発明とその利点を以下の実施例で説明する。
例１
以下のように、比較用ドナー要素からＯＬＥＤデバイスを構築した。
１）厚さ１０４μｍのポリイミド系ドナー支持体要素の上に、厚さ６０ｎｍのクロム金属からなるコーティングを蒸着した。
２）上記ドナー支持体要素の上に、厚さ２０ｎｍの２−ｔ−ブチル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）からなるコーティングを蒸着した。次いで、そのＴＢＡＤＮ層の上に、厚さ０．１５ｎｍの緑色ドーパントＩからなるコーティングをさらに蒸着した。
３）清浄なガラス基板に、マスクを介してインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を真空蒸着させて厚さ４０〜８０ｎｍの透明電極のパターンを形成した。
４）得られたＩＴＯ面にプラズマ酸素エッチング処理を施し、次いで、米国特許第６２０８０７５号に記載されているように厚さ０．１ｎｍのフルオロカーボンポリマー（ＣＦｘ）をプラズマ蒸着した。
５）得られた基板に、厚さ７５ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）からなる正孔輸送層を真空蒸着した。
６）第２工程で調製したドナー要素の被覆面を、第５工程で調製した基板の処理面と接触させ、真空を適用して両者を密接に保持した。７５μｍのスペーサを利用して小さな間隙を維持した。
７）ドナー要素に赤外レーザー光線を照射することによりドナー要素から基板へ発光層を転写した。光線の大きさは、強度点１／ｅ^２に対して約１６μｍ×８０μｍとした。走査は、幅広光線方向に対して平行とした。保持時間は、出力密度〜０．５３Ｊ／ｃｍ^２につき２７マイクロ秒とした。転写は、所望の発光領域のみを選択的に照射することによって行った。
８）その基板の上に、加熱タンタルボート源を含むコーティングステーションにおいて、厚さ３５ｎｍのトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡＬＱ）からなる電子輸送層を真空蒸着した。
９）その受容体要素の上に、一方に銀を含み、他方にマグネシウムを含む別個のタンタルボートを備えたコーティングステーションにおいて、厚さ２２０ｎｍのカソード層を蒸着した。カソード層のマグネシウムと銀の原子比は１０：１とした。
【００６２】
緑色ドーパントＩ
【化１２】

【００６３】
例２
第２工程後に、当該ドナー要素の上に厚さ０．８ｎｍのＮＰＢからなる層をさらに蒸着させたことを除き、例１に記載したように、本発明の要件を満たすドナー要素からＯＬＥＤを構築した。この追加のコーティング工程に続き、例１の後続工程において当該ドナー要素を使用した。
【００６４】
例３
第２工程を下記のように実施したことを除き、例１に記載したように、比較用ドナー要素からＯＬＥＤを構築した。
２）上記ドナー支持体要素の上に、厚さ８．５ｎｍのＡＬＱからなるコーティングを蒸着した。次いで、そのＡＬＱ層の上に、厚さ０．２ｎｍの４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）からなるコーティングを蒸着した。さらに、そのＤＣＪＴＢ層の上に、厚さ８．５ｎｍのＴＢＡＤＮからなるコーティングを蒸着した。
【００６５】
例４
第２工程後に、当該ドナー要素の上に厚さ０．８ｎｍのＮＰＢからなる層をさらに蒸着させたことを除き、例３に記載したように、本発明の要件を満たすドナー要素からＯＬＥＤを構築した。この追加のコーティング工程に続き、例３の後続工程において当該ドナー要素を使用した。
【００６６】
例５
第２工程後に、当該ドナー要素の上に厚さ０．８ｎｍの正孔輸送性材料１（ＨＴＭ−１）からなる層をさらに蒸着させたことを除き、例３に記載したように、本発明の要件を満たすドナー要素からＯＬＥＤを構築した。この追加のコーティング工程に続き、例３の後続工程において当該ドナー要素を使用した。
【００６７】
【化１３】

【００６８】
例６
第２工程後に、当該ドナー要素の上に厚さ５．０ｎｍのＨＴＭ−１からなる層をさらに蒸着させたことを除き、例３に記載したように、本発明の要件を満たすドナー要素からＯＬＥＤを構築した。この追加のコーティング工程に続き、例３の後続工程において当該ドナー要素を使用した。
【００６９】
例７
第２工程を下記のように実施したことを除き、例１に記載したように、比較用ドナー要素からＯＬＥＤを構築した。
２）上記ドナー支持体要素の上に、厚さ２０ｎｍのＴＢＡＤＮからなるコーティングを蒸着した。次いで、そのＴＢＡＤＮ層の上に、厚さ０．２５ｎｍのテトラ（ｔ−ブチル）ペリレン（ＴＢＰ）からなるコーティングをさらに蒸着した。
【００７０】
例８
第２工程後に、当該ドナー要素の上に厚さ０．８ｎｍのＮＰＢからなる層をさらに蒸着させたことを除き、例７に記載したように、本発明の要件を満たすドナー要素からＯＬＥＤを構築した。この追加のコーティング工程に続き、例７の後続工程において当該ドナー要素を使用した。
【００７１】
結果
デバイスの試験を、電極間に２０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流して当該スペクトルを測定することによって行った。次いで、電流を一定にした場合の強度の経時変化をモニターした。結果を以下の表に示す。
【００７２】
【表１】

【００７３】
正孔輸送層によって被検試料の安定性が常に高められたことが明白である。薄い正孔輸送層を適用したことにより、放射輝度が通常は高くなり、そして駆動電圧が一般に低下する。安定性の向上は最重要であるが、駆動電圧の低下又は放射輝度の増加による高効率化も望まれ、それが本発明により達成され得る。本効果は材料の選択に依存する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明により製造されたドナー要素の構造の一態様を示す略横断面図である。（ｂ）本発明により製造されたドナー要素の構造の別の態様を示す略横断面図である。
【図２】（ａ）１つの光処理法によりドナーから基板へ有機材料を転写することを示す略横断面図である。（ｂ）別の光処理法によりドナーから基板へ有機材料を転写することを示す略横断面図である。
【図３】一例としてのＯＬＥＤデバイスの構造を示す略横断面図である。
【図４】本発明により製造された基板を示す平面図である。
【符号の説明】
１０、１２…ドナー要素
１４…ドナー支持体基板
１６…輻射線吸収層
１８…発光層
２０…正孔輸送層
２２…パターン化吸光層
２４…界面
３０…有機材料
３２…非転写面
３４…転写面
３６、３８…基板
４０…薄膜トランジスタ
４１…第１電極
４２…隆起表面部分
４４、５４…間隙
４６…受容面
４８…レーザー光
４９…レーザー源
５０…熱
５２…転写有機材料
５６…フラッシュ光
５８…ＯＬＥＤデバイス
６０…アノード層
６４…正孔輸送層
６６…発光層
６８…電子輸送層
７０…カソード
８０…転写パターン
８２…処理後基板

Claims (8)

1. 有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
   ａ）　ドナー支持体基板；
   ｂ）　該基板の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
   ｃ）　該吸光層の上に配置された発光層；並びに
   ｄ）　該発光層の上に配置された正孔輸送層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に、該有機発光ダイオードデバイスに対して正孔輸送性材料及び発光材料が間隙を越えて気化転写する原因となる熱が発生するように配置された正孔輸送層
   を含んで成るドナー要素。
2. 該発光層がホスト材料及びドーパントを含む、請求項１に記載のドナー要素。
3. 該正孔輸送層が該発光層の上に直接配置されている、請求項２に記載のドナー要素。
4. 該正孔輸送層の厚さが０．１ｎｍ〜５．０ｎｍの範囲内にある、請求項３に記載のドナー要素。
5. 該正孔輸送層が４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルである、請求項１に記載のドナー要素。
6. 有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
   ａ）　ドナー支持体基板；
   ｂ）　該基板の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
   ｃ）　該吸光層の上に配置された２以上の発光層；並びに
   ｄ）　該発光層の上に配置された正孔輸送層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に、該有機発光ダイオードデバイスに対して正孔輸送性材料及び発光材料が間隙を越えて気化転写する原因となる熱が発生するように配置された正孔輸送層
   を含んで成るドナー要素。
7. 有機発光ダイオードデバイスの製造工程における請求項１に記載のドナー要素の使用方法であって、
   ａ）　該ドナー要素を、有機発光ダイオード基板と転写関係をなすように、かつ、該有機発光ダイオード基板から間隙により一定の間隔を置いて配置し、そしてｂ）　該正孔輸送材料と該発光材料との界面において該正孔輸送材料が該発光材料に混入しつつ該有機発光ダイオード基板上に該正孔輸送材料と該発光材料とをそれぞれ付着せしめるに十分な熱を発生させるに十分な光を該ドナー要素に当てる
   ことを特徴とする方法。
8. 有機発光ダイオードデバイスの製造工程における請求項６に記載のドナー要素の使用方法であって、
   ａ）　該ドナー要素を、有機発光ダイオード基板と転写関係をなすように、かつ、該有機発光ダイオード基板から間隙により一定の間隔を置いて配置し、そしてｂ）　該正孔輸送材料と該発光材料との界面において該正孔輸送材料が該発光材料に混入しつつ該有機発光ダイオード基板上に該正孔輸送材料と該発光材料とをそれぞれ付着せしめるに十分な熱を発生させるに十分な光を該ドナー要素に当てる
   ことを特徴とする方法。

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