JP2004069391A - リニア変位センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るリニア変位センサは、リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのセンサであって、磁場を発生する磁場発生器(23)を備え、前記被検出体の変位に応じて移動する移動手段(20)と、前記磁場発生器(23)を共通の磁場発生源として形成され、前記移動手段(20)の移動に応じて一方の磁束密度が増加した場合に他方の磁束密度が減少する関係となる第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2と、この第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれの磁束密度を個別に測定する磁束密度測定手段(14a,14b)とを備えてなるものである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのリニア変位センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのセンサとして接触抵抗式のものが利用されてきた。この接触抵抗式センサは、抵抗体と、この抵抗体上を接触しながら移動する接触子と、該抵抗体および該接触子を有する電気回路とを備えて構成されている。
【0003】
接触抵抗式センサは、被検出体の変位に伴って接触子が移動することにより該接触子が接触している抵抗体の分圧電圧値が変化するので、この分圧電圧値の変化から接触子の位置を検出して被検出体の変位位置を検出するためのものである。そのため、接触抵抗式センサは、被検出体の変位位置を十分に高い精度で検出するには、接触子と抵抗体との接触抵抗値が十分に小さいことが望ましい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の接触抵抗式センサでは、接触子と抵抗体との接触個所に粉塵等が進入してしまうと次のような問題がある。すなわち、接触個所に絶縁性の粉塵等が進入した場合には、上記の接触抵抗値が過大になってしまい、接触子の位置を良好に検出することができなくなる結果、被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができない、という問題がある。また、接触個所に導電性の粉塵等が進入した場合には、上記の接触抵抗値が進入した粉塵等の量により大きく変動してしまい、接触子の位置を良好に検出することができなくなる結果、被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができない、という問題がある。
【0005】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、リニアに変位する被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができると共に、十分に高い耐環境性を有するリニア変位センサを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るリニア変位センサは、リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのセンサにおいて、磁場を発生する磁場発生器を備え、前記被検出体の変位に応じて移動する移動手段と、前記磁場発生器を共通の磁場発生源として形成され、前記移動手段の移動に応じて一方の磁束密度が増加した場合に他方の磁束密度が減少する関係となる第1の磁気回路および第2の磁気回路と、前記第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれの磁束密度を個別に測定する磁束密度測定手段とを備えてなることを特徴とする。
【0007】
また、本発明の請求項2に係るリニア変位センサは、リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのセンサにおいて、磁場を発生する磁場発生器を備え、直線状に移動するスライド部と、前記スライド部を移動可能に支持する略四角形の枠体を成し、前記磁場発生器を共通の磁場発生源として形成される第1の磁気回路および第2の磁気回路を構成するための磁気回路基部と、前記被検出体の変位を前記スライド部に伝達する伝達子と、前記第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれの磁束密度を個別に測定する磁束密度測定手段とを備えてなることを特徴とする。
【0008】
また、本発明の請求項3に係るリニア変位センサは、上記の請求項2において、前記磁場発生器と前記磁気回路基部との間に、緩衝用ギャップを設けたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、本発明に係るリニア変位センサの好適な実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係るリニア変位センサを模式的に示した平面図であり、図2は、図1におけるA−A線断面図である。
【0010】
これら図1および図2において、リニア変位センサは、磁気回路基部10と、スライド部20とを有して構成してある。
【0011】
磁気回路基部10は、略四角形の枠体であり、相対する二つの長手直線状部分であるガイド部11a,11bと、このガイド部11a,11bの延在方向と直交する方向に延在する二つの直線状部分たる測定領域部12a,12bとを有している。この磁気回路基部10は、磁界中において磁化されるが、磁界外においてはその磁化された状態が保持されずに消えてしまう、いわゆる軟磁性を示し、かつ比透磁率が例えば100以上の大きさとなる高透磁率の材料により形成されている。ここに、磁気回路基部10を形成する材料としては、例えば電磁軟鉄、パーマロイ等が挙げられる。
【0012】
ガイド部11a,11bは、図2に示すように、それぞれの内側部分に該ガイド部11a,11bの延在方向に沿って通用溝部13a,13bが形成されており、後述するようにその通用溝部13a,13bを通じてスライド部20を支持する。
【0013】
測定領域部12a,12bには、それぞれ互いに対応する位置に磁束密度を測定するホール素子14a,14bが設けられている。より詳細には、図3に示すように、測定領域部12a,12bのそれぞれの中間位置に形成された素子用ギャップ部15a,15bにホール素子14a,14bが埋め込まれた態様で設けられている。ここに、素子用ギャップ部15a,15bは、非磁性の材料により形成されており、それぞれの大きさは略同一である。
【0014】
スライド部20は、磁気回路基部10の内方を上記ガイド部11a,11bの延在方向に沿って直線的に移動するものであり、磁場発生部21とスライド基部22とを有して構成してある。
【0015】
磁場発生部21は、永久磁石23と、この永久磁石23を支持する磁性体部24とにより構成されている。永久磁石23は、磁場を発生させるものであり、N極がガイド部11a、S極がガイド部11bに対向するよう支持されている。磁性体部24は、磁性を示し、かつ比透磁率が例えば1000以上の大きさとなる高透磁率の材料により形成されている。ここに、磁性体部24が示す磁性は、上記ガイド部11a,11bと同様の軟磁性であっても良いし、一旦磁界中において磁化されると磁界外においてもその磁化された状態を維持する、いわゆる硬磁性であっても良い。また、磁性体部24を形成する材料としては、例えば、鉄等が挙げられる。
【0016】
スライド基部22は、磁場発生部21を支持するものであり、図2に示すように、該スライド基部22の端部22aがガイド部11aの通用溝部13a内に配置され、該スライド基部22の端部22bがガイド部11bの通用溝部13b内に配置された状態で、それぞれのガイド部11a,11bの延在方向に沿って直線的に移動自在となる態様で該ガイド部11a,11bに支持されている。このスライド基部22は、例えばプラスチック等の非磁性の材料により形成されている。また、このスライド基部22には、伝達ピン30を設けてある。この伝達ピン30は、図1に示すように矢印方向に変位した場合に、その変位をスライド部20に伝達してこれを移動させるためのものである。
【0017】
従って、このような構成を有するスライド部20は、図1に示すように、矢印方向に移動自在となっている。より詳細には、図4(a)および(b)に示すように、スライド基部22の左端部分が一の測定領域部12aに接する個所から該スライド部20の右端部分が他の測定領域部12bに接する個所までの範囲で移動自在となっている。ここに、スライド基部22の左端部分から磁場発生部21の左端部分までの距離L1は、スライド部20が最も左側に位置するときに(図4(a)参照)、永久磁石23のN極よりの磁束が短絡して測定領域部12aに流れることを防止することができる大きさとなっている。また、スライド基部22の右端部分から磁場発生部21の右端部分までの距離L2についても、同様にスライド部20が最も右側に位置するときに(図4(b)参照)、永久磁石23のN極よりの磁束が短絡して測定領域部12bに流れることを防止することができる大きさとなっている。
【0018】
以上のような構成を有するリニア変位センサにおいては、永久磁石23を共通の磁場発生源として、磁気回路基部10上に第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2が形成されることになる。
【0019】
第1の磁気回路K1は、磁場発生部21、ガイド部11aの一部分、測定領域部12aおよびガイド部11bの一部分を含んで構成されており、第2の磁気回路K2は、磁場発生部21、ガイド部11aの残りの部分、測定領域部12bおよびガイド部11bの残りの部分を含んで構成されている。
【0020】
この第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2は、スライド部20の移動量に応じて一方の回路の長さが大きくなると他方の回路の長さが小さくなる関係、すなわち、一方の回路の磁気抵抗が大きくなると他方の回路の磁気抵抗が小さくなる関係にある。このように、回路の長さの大きさと回路の磁気抵抗の大きさとは比例関係にある。そのため、第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2は、スライド部20の移動量に応じて一方の回路の磁束密度が増加すると他方の回路の磁束密度が減少する関係にある。
【0021】
また、磁場発生部21の磁性体部24とガイド部11a,11bとの間には、スライド基部22の存在により緩衝用ギャップGが設けられている。この緩衝用ギャップGの大きさは、スライド部20の移動に伴う該移動方向と例えば直交する方向等の異なる方向への変動量(以下、異方向変動量ともいう)の大きさと、相対するガイド部11a,11bにおける平行度の誤差の大きさとを考慮して定められている。つまり、異方向変動量等の大きさが第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれで測定される磁束密度に影響を与えない大きさに設定してあり、上記異方向変動量の最大値の例えば10倍以上の大きさである。
【0022】
上記のような構成を有するリニア変位センサは、次のようにして被検出体の変位位置の検出に供することができる。
【0023】
まず、伝達ピン30を被検出体(図示せず)に直接的、あるいは間接的に接触させる。その状態から被検出体の変位に伴って伝達ピン30が変位すると、スライド部20が被検出体の変位量分だけ移動する。このスライド部20の移動量に応じて第1の磁気回路K1の回路の長さと、第2の磁気回路K2の回路の長さとが変化する。すなわち、第1の磁気回路K1の回路の長さが大きくなると、第2の磁気回路K2の回路の長さが小さくなり、逆に、第1の磁気回路K1の回路の長さが小さくなると、第2の磁気回路K2の回路の長さが大きくなる。そして、上述のように回路の長さの大きさと回路の磁気抵抗の大きさとは比例関係にあるから、永久磁石23より分岐して第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれに流れる磁束の磁束密度が変化する。つまり、図4(a)に示すように、第1の磁気回路K1の方が第2の磁気回路K2に比して回路の長さが小さい場合には、第1の磁気回路K1よりも第2の磁気回路K2の方が磁気抵抗が大きくなるので、第1の磁気回路K1の磁束密度の方が第2の磁気回路K2のものより大きくなる。一方、図4(b)に示すように、第1の磁気回路K1の方が第2の磁気回路K2に比して回路の長さが大きい場合には、第1の磁気回路K1よりも第2の磁気回路K2の方が磁気抵抗が小さくなるので、第2の磁気回路K2の磁束密度の方が第1の磁気回路K1のものより大きくなる。
【0024】
次に、第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれのホール素子14a,14bが各回路の磁束密度を測定する。ホール素子14a,14bにより測定された磁束密度の数値は、該ホール素子14a,14bと電気的に接続された外部の検出装置(図示せず)に送出される。そして、この検出装置において、第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2の磁束密度の相対的な割合によりスライド部20の変位位置を検出することにより、被検出体の変位位置を検出することに供することができる。
【0025】
以上のような構成を有するリニア変位センサによれば、被検出体の変位位置の検出に第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2を利用するので、粉塵等の影響を受けにくい。また、被検出体の変位位置の検出に第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれにおける磁束密度の大きさの割合を用いるので、磁場発生源である永久磁石23が経時的に劣化することにより、あるいは温度変化により第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれにおける磁束密度が小さくなった場合においても、第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれにおける磁束密度の大きさの比例関係が維持されている結果、そのような環境の変化においても被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができる。従って、被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができると共に、十分に高い耐環境性を有することができる。
【0026】
また、上記のリニア変位センサによれば、磁場発生部21とガイド部11a,11bとの間には、緩衝用ギャップGが設けられているので、異方向変動量の変化や、相対するガイド部11a,11bにおける平行度の誤差の大きさにより、第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2のそれぞれにおける磁束密度の大きさが変動する割合を十分に小さくすることができ、これにより、両磁気回路K1,K2を流れる磁束密度の大きさの比例関係は良好に維持されることなり、その結果、被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができる。
【0027】
更に、上記のリニア変位センサによれば、スライド基部22は、端部22a,22bのそれぞれがガイド部11a,11bの通用溝部13a,13b内に配置した状態で移動するので、永久磁石23よりの磁束を有効に第1の磁気回路K1および第2の磁気回路K2に伝達することができ、漏れ磁束の発生を十分に抑制することができる。
【0028】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、上記の実施の形態においては、ホール素子14a,14bの位置を各測定領域部12a,12bの中間位置に設けたが、ホール素子の配置個所はこれに限定されず、第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれの回路内に配置しても構わない。また、上記の実施の形態においては、スライド部20と、ガイド部11a,11bとを摺動させることにより、該スライド部20を移動させたが、本発明はこれに限定されず別個に摺動部を設けてスライド部20を直線的に移動させてもよい。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1に記載の発明によれば、被検出体の変位位置の検出に磁気回路を利用するので、粉塵等の影響を受けにくい。また、被検出体の変位位置の検出に第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度の大きさの割合を用いるので、磁場発生源である磁場発生器が経時的に劣化することにより、あるいは温度変化により第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度が小さくなった場合においても、第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度の大きさの比例関係は維持される。従って、環境の変化においても被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができ、十分に高い耐環境性を有するものとなる。
【0030】
また、請求項2に記載の発明によれば、第1の磁気回路と第2の磁気回路とは、一方の回路の長さが大きくなる場合に他方の回路の長さが小さくなるので、一方の磁束密度が増加した場合に他方の磁束密度が減少する関係となる。従って、被検出体の変位位置の検出に第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度の大きさの割合を用いるので、磁場発生源である磁場発生器が経時的に劣化することにより、あるいは温度変化により第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度が小さくなった場合においても、第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度の大きさの比例関係は維持されている結果、そのような環境の変化においても被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができ、十分に高い耐環境性を有するものとなる。
【0031】
また、請求項3に記載の発明によれば、磁場発生器と磁気回路基部との間には緩衝用ギャップが設けられているので、異方向変動量の変化や、相対する磁気回路基部における平行度の誤差の大きさにより、第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれにおける磁束密度の大きさが変動する割合を十分に小さくすることができ、これにより、両磁気回路における磁束密度の大きさの比例関係は良好に維持されることなり、その結果、被検出体の変位位置を良好に検出することに供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施の形態に係るリニア変位センサを模式的に示した平面図である。
【図2】図2は、図1におけるA−A線断面図である。
【図3】図3は、図1における測定領域部の要部を拡大して示した拡大断面図である。
【図4】図4は、本発明の実施の形態に係るリニア変位センサを模式的に示したものであり、(a)はスライド部が左端にある状態を示した平面図であり、(b)はスライド部が右端にある状態を示した平面図である。
【符号の説明】
10 磁気回路基部
11a,11b ガイド部
12a,12b 測定領域部
13a,13b 通用溝部
14a,14b ホール素子
15a,15b 素子用ギャップ部
20 スライド部
21 磁場発生部
22 スライド基部
23 永久磁石
24 磁性体部
30 伝達ピン
K1 第1の磁気回路
K2 第2の磁気回路
G 緩衝用ギャップ
Claims (3)
- リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのセンサにおいて、
磁場を発生する磁場発生器を備え、前記被検出体の変位に応じて移動する移動手段と、
前記磁場発生器を共通の磁場発生源として形成され、前記移動手段の移動に応じて一方の磁束密度が増加した場合に他方の磁束密度が減少する関係となる第1の磁気回路および第2の磁気回路と、
前記第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれの磁束密度を個別に測定する磁束密度測定手段と
を備えてなることを特徴とするリニア変位センサ。 - リニアに変位する被検出体の変位位置を検出するためのセンサにおいて、
磁場を発生する磁場発生器を備え、直線状に移動するスライド部と、
前記スライド部を移動可能に支持する略四角形の枠体を成し、前記磁場発生器を共通の磁場発生源として形成される第1の磁気回路および第2の磁気回路を構成するための磁気回路基部と、
前記被検出体の変位を前記スライド部に伝達する伝達子と、
前記第1の磁気回路および第2の磁気回路のそれぞれの磁束密度を個別に測定する磁束密度測定手段と
を備えてなることを特徴とするリニア変位センサ。 - 前記磁場発生器と前記磁気回路基部との間に、緩衝用ギャップを設けたことを特徴とする請求項2に記載のリニア変位センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002226593A JP2004069391A (ja) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | リニア変位センサ |
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JP2002226593A JP2004069391A (ja) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | リニア変位センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004069391A true JP2004069391A (ja) | 2004-03-04 |
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JP (1) | JP2004069391A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008070249A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Hitachi Cable Ltd | トルクセンサ用の一体化部品およびトルクセンサ |
JP2014134535A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Bourns Inc | 可変磁束コレクタを使用する位置測定 |
-
2002
- 2002-08-02 JP JP2002226593A patent/JP2004069391A/ja active Pending
Cited By (2)
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JP2008070249A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Hitachi Cable Ltd | トルクセンサ用の一体化部品およびトルクセンサ |
JP2014134535A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Bourns Inc | 可変磁束コレクタを使用する位置測定 |
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