JP2004063054A

JP2004063054A - 磁気記録媒体および磁気記録装置

Info

Publication number: JP2004063054A
Application number: JP2002224023A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Yamanaka; 山中　英明; Satoru Matsunuma; 松沼　悟
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 2002-07-31
Filing date: 2002-07-31
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】低ノイズかつ優れた高密度記録用磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】高密度磁気記録媒体として、非磁性基板上に、あるいは非磁性基板上に設けた軟磁性膜上に、Ｔｉからなる下地層、Ｒｕを主成分とする中間層、酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜および保護層を順次形成する。ＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜に酸素を含有することにより、低ノイズ化が図られ、さらにＴｉ下地層、Ｒｕ中間層をもちいることにより酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の結晶性が高められ、保磁力が増大する。これにより、低ノイズかつ高保磁力の磁気記録媒体さらには高密度記録に適した磁気記録装置を提供することができる。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報の記録再生を行うための磁気ディスク装置に関し、特に高密度記録に適した磁気記録媒体および磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報化社会の発展には目覚しいものがあり、文字情報のみならず音声および画像情報を高速に処理することができる装置の１つとしてコンピュータ等に装着されている磁気記録装置が知られている。現在、このような磁気記録装置の記録密度を向上させつつ、磁気記録装置を小型化する方向に開発が進められてきている。
【０００３】
典型的な磁気記録装置は１枚または複数の磁気ディスクをスピンドル上に回転可能に装着されている。各磁気ディスクは基板とその上に形成された磁性膜（または記録層ともいう）から構成されており、情報の記録は特定の磁化方向を有する磁気を磁性膜中に形成することにより行われる。
【０００４】
磁気記録媒体の記録密度を向上させるための技術としては、高保磁力化、磁性粒子の微細化、磁性粒子間の交換相互作用の低減などがあげられる。粒子間の交換相互作用低減のため、粒子間にＣｒを偏析させる方法が一般的に行われている。Ｃｒの偏析を促進させるためにＴａ、Ｂ等の添加元素を加える方法や、約３００℃の基板加熱を行う方法、ガス圧を制御する方法などが行われている。これらの粒子間の交換相互作用低減は媒体ノイズの低減を目的としている。またその他の粒子間の交換相互作用低減の方法として、記録層に酸素を導入することが考えられる。記録層の形成時、アルゴンガスに酸素を混合させることにより、酸素を磁性粒子間に配置することができ、粒子間の交換相互作用を低減させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
記録層に酸素を含有させずに高保磁力を図ることはＣｏＰｔＣｒ媒体を用いて可能だが、その場合の磁気記録媒体は比較的媒体ノイズは大きい。このため、媒体ノイズを低減させるために記録層に酸素を含有することが考えられる。しかしながら非磁性基板上に、または非磁性基板上に配置した裏打ち軟磁性膜の上に直接あるいはＲｕ層を介して酸素を含んだ記録層を形成した場合、その保磁力は小さく、また記録層の酸素含有によって減少することがわかっている。
【０００６】
本発明の目的は、高保磁力でかつ低媒体ノイズの磁気記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に従えば、非磁性基板上にＴｉからなる下地層（以下、Ｔｉ下地層と呼ぶ）、その上にＲｕあるいはＲｕを主成分とする合金からなる中間層（以下、Ｒｕ中間層と呼ぶ）を備え、さらにその上に酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜を形成することにより粒子間の交換相互作用を低減させ、かつ磁性膜の結晶性を向上できる。この結果として低ノイズかつ高保磁力の磁気記録媒体を提供することができる。
【０００８】
一般的にＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜は六方稠密（ｈｃｐ）構造をとり、そのｃ軸が磁化容易軸となる。ここで、膜中の無数の磁性結晶粒においてｃ軸がほぼ一方向にそろって向いている状態を結晶性がよいといい、その方向に保磁力が大きくなる。
【０００９】
酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜を用いた磁気記録媒体において、非磁性基板上または裏打ち軟磁性層の上に直接あるいはＲｕ中間層を介して酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜を形成した場合、その結晶性は不十分で、保磁力は面内方向、垂直方向と同等の値を示すことがわかっている。本発明によると、酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の下にＲｕ中間層、その下にＴｉ下地層を設けることにより、酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜のｃ軸をほぼ垂直方向に向けることができる。つまり酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の結晶性を飛躍的に高め、保磁力を大きくすることができる。また記録層に酸素を含んで、粒子間の交換相互作用を低減させることができる。つまり保磁力が向上し、かつ低ノイズの高記録密度磁気記録媒体を提供することができる。
【００１０】
本発明に従えば、Ｔｉからなる下地層として、その膜厚は２〜３０ｎｍの範囲であるとなおよい。膜厚が２ｎｍ未満の場合、記録層の結晶性を向上させるのに不十分であること、また３０ｎｍ以上の場合だと結晶粒が大きくなり、媒体ノイズが増大する。
【００１１】
本発明に従えば、Ｒｕ中間層の膜厚として３〜１５０ｎｍの範囲でえらぶことにより保磁力が向上し、かつ低ノイズの高記録密度磁気記録媒体を提供することができる。Ｒｕが３ｎｍ未満の膜厚だと、酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜に十分な保磁力が得られず、また１５０ｎｍ以上だと結晶粒が大きくなること、またその結晶粒径のばらつきが大きくなり、低ノイズの媒体には適さない。
【００１２】
またＲｕ中間層は主にＲｕから形成されるが、これに限らず、Ｘ＝Ｒｈ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂ、Ｃ等から選ばれる１種以上の元素との合金ＲｕＸであってもよい。
【００１３】
本発明に従えば、酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の酸素含有量は５〜２０原子％の範囲であることが望ましい。酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜形成時はアルゴンと酸素の混合ガスを用い、この混合比を適宣調節することにより合金磁性膜中に５〜２０原子％の酸素を分散した状態で導入することができる。またはターゲット中に含まれる酸素量を調節することにより合金磁性膜中の酸素含有量を変化させることも可能である。この酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜を用いることにより、粒子間の交換相互作用を低減させ低ノイズの媒体を提供することができる。合金磁性膜中の酸素含有量が５％未満の場合、磁性粒子間の分離が不十分で媒体ノイズの低減ができないこと、また酸素含有量が２０％以上の場合、保磁力が低下するため、高密度記録媒体には適さない。
【００１４】
本発明の磁気記録媒体において酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜は結晶質であって、結晶粒内にＣｏを主成分とする合金、粒子間に酸素を含む構造をしている。該結晶質層であるＣｏ合金においては、ＣｏにＣｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐｄ、Ｖ、Ｍｇ、Ｇｄ等、またはそれらの組み合わせを含み得る。
【００１５】
ここで、ＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜中に酸素を導入したことにより記録層の結晶粒が微細化される。平面ＴＥＭによるＥＤＸ測定の結果、ＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜中の酸素はＣｒを優先的に酸化して、Ｃｒ酸化物の形でＣｏ磁性粒子を取り囲んで粒間に存在することがわかっている。上記結晶粒子の微細化と酸化物のＣｏ磁性粒子の取り囲みにより粒子間の交換相互作用が低減され、磁気記録媒体のノイズが低減できると考えられる。
【００１６】
以上の結果、本発明の磁気記録媒体は４０００Ｏｅ以上の高保磁力を得ることができ、かつ低ノイズであり、酸素を導入しない場合と比較し、Ｓ／Ｎは約１０ｄＢ向上する。ＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の酸素含有量が５原子％以下ならばＳ／Ｎは向上せず、また２０原子％以上ならＳ／Ｎは向上せず、さらに保磁力が低下する。
【００１７】
本発明の磁気記録媒体は非磁性基板材料としてガラス、アルミニウム、ポリカーボネード等のプラスチック、樹脂等を用いることができる。またＴｉからなる下地層と非磁性基板との間には単数または複数の層を設けることも可能である。
【００１８】
本発明の磁気記録媒体において、別の好ましい形態に従うと、非磁性基板とＴｉからなる下地層との間に軟磁性層があってもよい。この軟磁性層は垂直磁気記録装置において、磁気ヘッドを用いて記録再生するときに、磁気ヘッドから漏れ出した磁束を記録層に集束させる役割を持つ。この軟磁性層にはその役割から考えて、飽和磁化が大きく、保磁力が小さく、透磁率が高い材料が用いられる。本発明に用いられる軟磁性層の材料としてはＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＴａＮｂ、ＮｉＦｅ、ＣｏＢ、ＦｅＣ等を用いることができる。またこの軟磁性層の膜厚はその役割から考えて、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが望ましい。
【００１９】
本発明によると、酸素を含んだＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜を形成するには、アルゴンと酸素の混合ガスを用いること以外に、ＣｏＰｔＣｒターゲット中に数％〜十数％のＳｉＯ_２やＭｇＯを配置させることにより、純アルゴンスパッタリングにより合金磁性膜に酸素を導入することができる。この場合の合金磁性膜はＣｏ磁性結晶粒のまわりにＳｉＯ_２やＭｇＯが存在する構造をする。低ノイズ、高保磁力の観点からＳｉやＭｇの含有率は３原子から１５原子％の範囲であることが望ましい。この結果、同様に磁気記録媒体のノイズが低減できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００２１】
（実施例１〜２）
本発明に従う磁気記録媒体の典型例を図１、２の断面図に示す。磁気記録媒体１０はガラス基板１上に、Ｔｉ下地層２、Ｒｕ中間層３、酸素を含むＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜４、Ｃ保護層１８を備える。各層は以下のようにＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いてスパッタリングにより形成した。実施例１、２として以下の表にまとめる構成の試料を作製した。基板は成膜前に３４０℃まで加熱した。実施例１については、直径２・５インチ（６．２５ｃｍ）のガラス基板上にＴｉ下地層をＤＣスパッタリングによりガス圧０．２８Ｐａ、投入電力５００Ｗで形成したあと、Ｒｕ中間層をガス圧４．１Ｐａ、投入電力５００Ｗで形成、続けて酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜をガス圧４．２Ｐａ、投入電力４００Ｗで形成、さらにＣ保護層をガス圧０．２０Ｐａ、投入電力３００Ｗで順次形成した。磁性膜のみＲＦスパッタリングで形成し、他の各層はすべてＤＣスパッタリングにより形成した。実施例２については直径２．５インチのガラス基板上に膜厚５ｎｍのＴｉ膜、膜厚２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性膜をＤＣスパッタリングによりガス圧０．２８Ｐａ、投入電力５００Ｗで順次形成したあと、その上に実施例１と同様にＴｉ下地層、Ｒｕ中間層、酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜、Ｃ保護層を順次形成した。用いたターゲットは軟磁性膜としてＣｏ_８８Ｔａ_１０Ｚｒ_２（原子％）、Ｔｉ下地層としてＴｉターゲット、Ｒｕ中間層としてＲｕターゲット、ＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜として、Ｃｏ_６４Ｐｔ_２０Ｃｒ_１６（原子％）−Ｏ（ＣｏＰｔＣｒ：Ｏ＝９０：１０ｍｏｌ％）を用いた。ＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜形成時にはアルゴンと酸素の混合ガスを用い、膜中の酸素含有率が１０．５％となるように混合ガスの酸素濃度を調整した。ここで、膜中の酸素含有率はオージェ電子分光法により測定した。膜厚方向に対する酸素含有率はほぼ均一であった。また各層の膜厚は下表のとおりである。実施例１ではＴｉ下地層の膜厚を０〜４０ｎｍの範囲で変化させて複数の磁気記録媒体を作製した。
【００２２】
【表１】

【００２３】
（実施例３）
実施例２における磁気記録媒体のＲｕ中間層を膜厚４０ｎｍのＲｕＣｒ合金膜に変えた以外は同じ構成の磁気記録媒体を作製した。この媒体におけるＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の酸素含有率は１０．５％であった。ＲｕＣｒ合金中間層はターゲットとしてＲｕ_６０Ｃｒ_４０（原子％）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタにより形成した。Ａｒガス圧は０．２８Ｐａ、投入電力は３００Ｗであった。こうして得られた磁気記録媒体の断面図を図３に示す。
【００２４】
【表２】

【００２５】
（実施例４）
実施例２における酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜に８原子％のＳｉを含有させて形成した以外は同じ構成の磁気記録媒体を作製した。記録層にはターゲットとしてＣｏ_６４Ｐｔ_２０Ｃｒ_１６−ＳｉＯ_２（ＣｏＰｔＣｒ：ＳｉＯ_２＝９２：８ｍｏｌ％）を用い、ＲＦスパッタリングにより形成した。プロセスガスとして純Ａｒガスを用いた。Ａｒガス圧は４．２Ｐａ、投入電力は５００Ｗであった。こうして得られた磁気記録媒体の断面図を図４に示す。
【００２６】
【表３】

【００２７】
（静磁気特性、結晶性の評価）
上記のように作製した種々の磁気記録媒体についてその膜面垂直方向の保磁力および面内方向の保磁力を測定した。実施例１の磁気記録媒体について、図５にＴｉ膜厚に対する垂直保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）および面内保磁力Ｈｃ_／／と垂直保磁力Ｈｃ_⊥の比（Ｈｃ_／／／Ｈｃ_⊥）の変化を示す。図５によると、Ｔｉ膜厚の増加に伴い、垂直方向の保磁力のみが増加していることがわかる。また図６にＴｉ膜厚０ｎｍおよび６ｎｍの磁気記録媒体のＸ線回折グラフの一例を示す。これら媒体の飽和磁化は５００ｅｍｕ／ｃｍ^３であった。さらに図７にＴｉ膜厚に対する磁性膜のＣｏ（００２）ピークで測定したロッキングカーブの反値幅Δθ_５０（度）を示す。図６のＸ線回折グラフによると、ｈｃｐ構造のｃ軸が膜面垂直方向を向いていることを示すＣｏ（００２）ピークが膜厚６ｎｍのＴｉ下地層によって著しく増加していることがわかる。これはＴｉ下地層によって、Ｒｕ中間層、および酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜の結晶性が向上したことを示す。図７に、Ｔｉ下地膜厚と結晶配向性を表すΔθ_５０の値との関係を示す。Δθ_５０というのは膜の結晶配向性を表しており、値が小さいほど結晶配向性が高いことを示す。結晶配向性が高いと磁気記録媒体の保磁力が高められ、高記録密度に適する媒体が得られる。図７から、Ｔｉ下地膜を設けることによりΔθ_５０の値が急激に減少すること、すなわち、膜の結晶配向性が向上することがわかる。十分な結晶配向性を得るためには、Ｔｉ下地膜厚は２ｎｍ以上設けることが望ましい。以上のことから、Ｔｉ下地層、Ｒｕ中間層、酸素を含有する合金磁性膜を備えた磁気記録媒体において、その保磁力は大幅に上昇したものと考えられる。さらにＴｉ下地層の膜厚が３０ｎｍ以上だとＴＥＭ観察の結果、磁性膜の平均結晶粒が増大することがわかっている。結晶粒径が大きくなると媒体ノイズが増大することを考えると、Ｔｉ層の膜厚としては２〜３０ｎｍの範囲であることが望ましい。
【００２８】
実施例２においては、垂直磁気記録用媒体として、膜厚２００ｎｍの軟磁性層をＴｉ層の基板側に設けた。今回は軟磁性層としてＣｏＴａＺｒ膜を用いた。しかし、垂直磁気記録用として一般的に知られているほかの軟磁性膜、例えば、ＦｅＴａＣ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＣ、ＣｏＴａＮｂ、ＮｉＦｅや、またそれらとＣ膜の積層膜であってもよい。さらに軟磁性膜としての効果を示すためには軟磁性膜の膜厚は５０〜５００ｎｍの範囲であることが望ましい。実施例２における磁気記録媒体の磁気特性をＫｅｒｒ効果測定装置により評価したところ、保磁力は５．１ｋＯｅと高保磁力であった。またＸ線回折測定から得られるΔθ_５０は５．０度であり、高い結晶配向性が得られた。
【００２９】
実施例３、実施例４の磁気記録媒体の磁気特性を評価したところ、保磁力はそれぞれ、４．０ｋＯｅ、４．５ｋＯｅと高保磁力であった。またＸ線回折測定から得られるΔθ_５０はそれぞれ５．０度、５．１度であり、高い結晶配向性が得られた。
【００３０】
（実施例５：記録再生特性の評価）
実施例１から実施例４までそれぞれ複数枚の磁気ディスクを作製し、各ディスクの保護層上に潤滑材を塗布したあと、それらを磁気記録装置のスピンドルの同軸上に取り付けた。磁気記録装置の概略構成を図８および図９に示す。図８は磁気記録装置の上面の図であり、図９は図８の破線Ａ−Ａ’における磁気記録装置６０の断面図である。記録用ヘッドとして２．１Ｔの高飽和磁束密度を有する軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドを用い、再生のための巨大磁気抵抗効果を有するスピンバルブ型磁気ヘッドを用いた。記録用磁気ヘッド、再生用磁気ヘッドは一体化されており、図８および図９では磁気ヘッド５３として示した。この一体型磁気ヘッド５３は磁気ヘッド用駆動系５４により制御される。磁気ディスク１０は回転駆動系５１のスピンドル５２により回転される。磁気ディスク装置の磁気ヘッド面と磁気ディスク面との距離は１０ｎｍに保った。この磁気ディスクに記録密度７００ｋｆｃｉに相当する信号を記録して磁気ディスクの記録再生特性（Ｓ／Ｎ比）を評価した。
【００３１】
評価した結果を下表にまとめる。また比較例として、記録層にＣｏＣｒＰｔＴａ膜を用いた磁気記録媒体を作製し、同様に評価を行った。試料の作製手順は記録層以外は実施例２と同様である。実施例１については、Ｔｉ下地層の膜厚に対し、Ｓ／Ｎ比の変化を図１０に示した。Ｔｉ下地層が２ｎｍ以上の膜厚の場合、Ｓ／Ｎが向上することがわかった。また実施例２〜４の磁気記録媒体についても同様に比較例と比較して、Ｓ／Ｎ比が大幅に向上した。
【００３２】
【表４】

【００３３】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体はＴｉからなる下地層、Ｒｕを主成分とする中間層、酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ記録層を備える。酸素を含有させたＣｏＰｔＣｒ記録層を用いかつ、Ｔｉからなる下地層、Ｒｕを主成分とする中間層をもちいることにより、媒体ノイズが低減でき、さらに記録層の結晶性が向上し、保磁力が高められる。結果として、低ノイズで高記録密度の磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図２】実施例２の磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図３】実施例３の磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図４】実施例４の磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図５】実施例１においてＴｉ膜厚に対する磁気記録媒体の保磁力および面内保磁力Ｈｃ_／／と垂直保磁力Ｈｃ_⊥の比（Ｈｃ_／／／Ｈｃ_⊥）の変化を表す。
【図６】実施例１におけるＴｉ膜厚０ｎｍおよび６ｎｍの磁気記録媒体についてＸ線回折グラフの一例を示す。
【図７】実施例１の磁気記録媒体についてＴｉ膜厚に対する磁性膜のＣｏ（００２）ピークにおけるロッキングカーブの反値幅Δθ_５０の変化を表す。
【図８】本発明の実施例５に従う磁気記録装置の一例を上方から見た概略構成図である。
【図９】図８に示す磁気記録装置のＡ−Ａ’方向の断面図である。
【図１０】実施例６において、実施例１の磁気記録媒体の記録再生時におけるＳ／Ｎ特性を示す図である。
【符号の説明】
１　基板
２　Ｔｉ下地層
３　Ｒｕ中間層
４　酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜
５　軟磁性層
６　ＲｕＣｒ合金中間層
７　Ｓｉおよび酸素を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜
１０　磁気記録媒体
１１　接着層
１８　保護層
５２　スピンドル
５３　磁気ヘッド
５４　磁気ヘッド用駆動系
６０　磁気記録装置

Claims

非磁性基板上に、Ｔｉからなる下地層があり、前記Ｔｉからなる下地層の直上にＲｕあるいは、Ｒｕを主成分とする合金からなる中間層を形成し、さらにその上に、酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
上記Ｔｉからなる下地層の膜厚が２〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
上記Ｒｕあるいは，Ｒｕを主成分とする合金からなる中間層の膜厚が３及至１５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
上記Ｒｕを主成分とする合金からなる中間層がＲｕＸ　（ＸはＲｈ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｂ、Ｃの群から少なくとも１種あるいは，２種以上の元素から選ばれる）であらわされることを特徴とする請求項１から３記載のいずれかの磁気記録媒体。
上記酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜中の酸素含有率が５原子％〜２０原子％であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
上記酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜に３原子％〜１５原子％のＳｉまたはＭｇを含有することを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の磁気記録媒体。
上記非磁性基板とＴｉからなる下地層の間に、軟磁性膜を形成したことを特徴とする請求項１から６のいずれか記載の磁気記録媒体。
上記軟磁性膜の膜厚が５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体。
非磁性基板上に、少なくともＴｉからなる下地層、ＲｕあるいはＲｕを主成分とする合金中間層、酸素を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜、保護膜、潤滑膜を順に積層してなる磁気記録媒体と、これを膜面方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドの信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を有する磁気記録装置において、前記磁気記録媒体が請求項１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体で構成されることを特徴とする磁気記録装置。