JP2004061707A

JP2004061707A - 液晶装置及び電子機器

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Publication number: JP2004061707A
Application number: JP2002217911A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Ito; 伊藤　智
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-07-26
Filing date: 2002-07-26
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】横電界の影響を軽減して、高コントラストの画像を得る。
【解決手段】第１基板１１上にはマトリクス状に画素電極１１１を形成すると共に、画素電極１１１間に、ストライプ状に信号電極１１２を形成する。一方、第２基板１２上には、カラーフィルタ１２２及び遮光膜１２３を形成し、遮光膜１２３及びカラーフィルタ上に、走査電極１２５を形成する。第１基板１１の信号電極１１２上には、信号電極１１２を覆うように絶縁膜１２１を形成する。絶縁膜１２１は、走査電極１２５相互間の隙間に対向する部分にも形成されることになる。信号電極１１２から第２基板１２側へのリーク電流の発生は絶縁膜１２１によって抑制される。こうして、信号電極１１２からのリーク電流による横電界の発生が抑制されて、高コントラストの画像が得られる。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２端子型のスイッチング素子を備えたアクティブ方式の液晶装置及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置の構造としては、基板の表面に画素をマトリクス状に配列させたパッシブ方式のものや、各画素毎にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ：薄膜ダイオード）等の非線形素子を設け、この非線形素子を介して信号電極と画素電極とを接続したアクティブ方式のもの等がある。
【０００３】
アクティブ方式の液晶装置は、一方の基板に、能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向する電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。例えば、ＴＦＤ素子をスイッチング素子として、マトリクス状に配列された画素電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ））に選択的に画像信号を供給し、画素電極と対向する電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、各画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
なお、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板（アクティブマトリクス基板（以下、第１基板ともいう））及び他方の基板（以下、第２基板ともいう）の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理を施している。
【０００５】
ところで、ＴＦＤ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）構造の素子を用いることがある。ＭＩＭ素子は、金属膜−絶縁膜−金属膜の積層構造を有し、その非線形特性を利用して、画素への画像信号の供給を制御するスイッチング素子として用いられている。
【０００６】
図８はこのようなＴＦＤを用いた液晶装置の電極の構成を示す説明図である。
【０００７】
一方の基板（第１基板）５０側にはＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いた画素電極５１がマトリクス状に形成されている。一方、他方の基板（第２基板）５５には、行方向に延設された走査電極５６がストライプ状に形成されている。
【０００８】
各画素のＭＩＭ素子は走査電極５６に印加する駆動電圧に従ってオンとなり、信号電極５７を介して供給された画像信号を各画素電極５１に書込む。即ち、所定の駆動電圧が供給された走査電極５６に対向する位置のＭＩＭ素子がオンとなって、１ラインの全ての画素電極５１に各信号電極５７からの画像信号が供給される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＭＩＭ素子は、信号電極が延設されて形成された下層の金属層、この下層の金属層上に形成された絶縁膜層及びこの絶縁膜層上に形成された上層の金属層によって形成され、上層の金属層を画素電極に接続した構成となっている。
【００１０】
ところが、下層の金属層上に絶縁膜層を形成する工程において、下層の金属層と一体形成される信号電極上にも絶縁膜層が形成される。更に、信号電極上の絶縁膜層上には、ＭＩＭ素子を構成する上層の金属層と同一材料の金属層が形成される。
【００１１】
信号電極上に形成される絶縁層及び金属層によって、信号電極もＭＩＭ構造を有する。
【００１２】
しかしながら、信号電極のＭＩＭ構造によって、信号電極に対向する位置の走査電極にＭＩＭスイッチング素子をオンにする駆動電圧が印加されると、信号電極とその対向する位置の走査電極との間で、液晶分子の配列が影響を受けてしまう。
【００１３】
図９はこの問題点を説明するための説明図であり、図８のＢ方向から見た断面構造を示している。
【００１４】
第１基板５０上には画素電極（斜線部）５１が形成されている。そして、画素電極５１の直上の位置には第２基板５５上に走査電極５６が形成されている。画素電極５１と走査電極５６との間で画像信号に応じて液晶分子５９の配列が制御される。
【００１５】
一方、画素電極５１相互間には信号電極（網線部）５７も形成されている。ところが、この信号電極５７の直上には走査電極５６が形成されていない部分が存在する。このため、信号電極５７は直上の位置に隣接する走査電極５６との間で電界（以下、横電界という）を生じさせる。信号電極５７からのリーク電流による横電界によって、画素電極５１縁辺部においては、液晶分子５９の配列が悪影響を受けてしまう。即ち、画素電極５１縁辺部においては、液晶分子５９の配向不良が発生してしまい、配向不良個所の光抜けによってコントラスト比が低下し、ぼけた画像が表示されてしまう。
【００１６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、信号電極からのリーク電流を抑制して、横電界を減少させることを可能にすることにより、充分なコントラスト比を得て画質を向上させることができる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶装置は、第１基板上に形成されマトリクス状に配置される複数の画素電極と、前記第１基板上の列方向に延設され各列の前記画素電極に信号を供給するためのストライプ状の信号電極と、前記第１基板に対向配置される第２基板上の行方向に延設され各行の前記画素電極に対向配置されるストライプ状の走査電極と、前記信号電極上であって、少なくとも、前記走査電極が形成されていない部分に対向する部分に形成される絶縁膜とを具備したことを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、第１基板上には、マトリクス状に配置される複数の画素電極と、列方向に延設されて各列の画素電極に信号を供給するためのストライプ状の信号電極が形成される。一方、第２の基板上には、行方向に延設されて各行の画素電極に対向配置されるストライプ状の走査電極が形成される。そして、第１基板の信号電極上には、少なくとも、走査電極が形成されていない部分に対向する部分に、絶縁膜が形成される。第２基板側の信号電極に対向する部分において、走査電極が形成されていない場合でも、信号電極からこの部分に進行するリーク電流は絶縁膜によって抑制される。従って、リーク電流による横電界の発生を防止することができ、高いコントラスト比を得ると共に、鮮明な高画質の画像を得ることができる。
【００１９】
また、前記絶縁膜は、前記信号電極上の全域に形成されることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、信号電極からのリーク電流の第２基板側への信号が抑制され、横電界の発生を防止することができる。
【００２１】
また、前記絶縁膜は、前記信号電極上の前記走査電極が形成されていない部分に対向する部分に形成されることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、走査電極が形成されている部分では、信号電極からのリーク電流は対向する走査電極側に進行し、走査電極が形成されていない部分では、信号電極からのリーク電流の進行は抑制され、横電界の発生が防止される。
【００２３】
本発明に係る電子機器は、前記液晶装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、液晶装置にリーク電流による横電界の発生を防止することができるので、高コントラスト比の鮮明な高画質の画像を得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の構成を示す断面図であり、図２はこの液晶装置の要部を拡大して示す斜視図である。図２におけるＡ−Ａ′線の断面図が図１に相当する。
【００２６】
第１の実施の形態は本発明をアクティブマトリクス方式の透過型の液晶装置に適用したものである。なお、以下では、スイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）を用いた場合を例示する。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２７】
本実施の形態は、第１基板に形成する信号電極上に、第２基板側へのリーク電流の発生を抑制するための絶縁膜を形成することにより、信号電極からのリーク電流による横電界の発生を防止するようにしたものである。
【００２８】
図１及び図２において、液晶装置１は、相互に対向する第１基板１１と第２基板１２とがシール材１３を介して貼り合わされ、両基板の間に液晶１４が封入された構成となっている。第１基板１１及び第２基板１２は、ガラスや石英、プラスティック等の光透過性を有する板状部材である。なお、実際には、第１基板１１及び第２基板１２の外側（液晶１４とは反対側）の表面に、入射光を変更させるための偏光板や位相差板等が貼着されるが、本発明の内容とは直接の関係がないため、その図示及び説明を省略する。
【００２９】
第２基板１２の内側（液晶１４側）の表面には、カラーフィルタ１２２（１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂ）、遮光層１２３、オーバーコート層１２４、複数の走査電極１２５及び配向膜１２６が形成されている。各走査電極１２５は、ＩＴＯ等の透明導電材料によってオーバーコート層１２４の表面に形成された帯状の電極である。各走査電極１２５は、上述した信号電極１１２と交差する方向（図１における左右方向）に延在し、第１基板１１上に行をなす複数の画素電極１１１と対向するようになっている。
【００３０】
カラーフィルタ１２２（１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂ）は、第２基板１２上に樹脂材料によって形成された層であり、染料や顔料によってＲ（赤色）、Ｇ（緑色）及びＢ（青色）のうちのいずれかに着色されている。図１及び図２においては、同一列の画素に同一色のカラーフィルタ１２２を配置する、いわゆるストライプ配列を採用した場合が例示されている。
【００３１】
遮光層１２３は、マトリクス状に配列された各画素の間隙部分、つまり、画素電極１１１と走査電極１２５とが対向する領域以外の領域を覆うように格子状に形成され、各画素間の隙間を遮光して表示画像のコントラストを向上させる役割を担っている。なお、例えば、遮光層１２３は、カーボンブラックや顔料といった黒色着色剤を含む樹脂材料によって形成されている。
【００３２】
ここで、遮光層１２３は、第２基板１２の面上にカラーフィルタ１２２が形成された後に、当該カラーフィルタ１２２の面上に形成されるようになっている。したがって、遮光層１２３は、図１及び図２に示すように、カラーフィルタ１２２よりも第１基板１１側に位置する。
【００３３】
オーバーコート層１２４は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等により形成された層である。このオーバーコート層１２４は、カラーフィルタ１２２及び遮光層１２３によって第２基板１２上に形成された凹凸を平坦化するとともに、カラーフィルタ１２２及び遮光層１２３から有機材料が染み出して液晶１４を劣化させるのを防ぐ役割を担っている。
【００３４】
一方、第１基板１１の内側（液晶１４側）の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極１１１と、各画素電極１１１の間隙部分において画面のＹ方向（図１における紙面垂直方向）に延在する複数の信号電極１１２とが形成されている。各画素電極１１１は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料により形成される。
【００３５】
各画素電極１１１と、当該画素電極１１１に隣接する信号電極１１２とは、ＴＦＤ１１３（図１においては図示省略）を介して接続されている。各ＴＦＤ１１３は、非線形な電流−電圧特性を有する二端子型スイッチング素子であり、ＭＩＭ構造を有する。
【００３６】
本実施の形態においては、信号電極１１２上には、絶縁膜１２１が形成されている。絶縁膜１２１は、信号電極１１２の表面を覆うように形成される。
【００３７】
画素電極１１１、信号電極１１２、ＴＦＤ１１３及び絶縁膜１２１が形成された第１基板１１の表面は、上記配向膜１１６と同様の配向膜１１４によって覆われている。配向膜１１４は、ポリイミド等の有機薄膜であり、電圧が印加されていないときの液晶１４の配向方向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３８】
行方向に配列された信号電極１１２は、各行の各画素電極１１１に与える画像信号を伝送する。各ラインの走査電極１２５には、ＴＦＤ１１３をオンにする駆動電圧が順次供給されて、この駆動電圧によって、各ラインの全ＴＦＤ１１３がオンとなる。信号電極１１２を介して伝送された画像信号がＴＦＤ１１３を介して画素電極１１１に書込まれる。こうして、第１基板１１上の画素電極１１１と、これに対向する走査電極１２５との間に電圧が印加されることになり、両電極によって挟まれた液晶１４の配向状態が画像信号に応じて変化して、光の透過率が変化して画像表示が行われる。
【００３９】
次に、図３の工程図、図４及び図５の説明図を参照して図１及び図２に示す液晶装置の製造方法について説明する。図４はバック・トゥ・バック構造のＴＦＤである。図３（ａ）乃至（ｇ）は製造方法を工程順に示している。また、図４（ａ）は１画素を構成する信号電極１１２、ＴＦＤ１１３及び画素電極１１１の平面形状を示し、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ′線によって切断した断面を示している。また、図５は図４のＭＩＭ構造部分を製造順に示している。
【００４０】
先ず、図３（ａ）に示すガラス基板等の第１基板１１の一方の表面に、ＴａＯｘ（タンタルオキサイド）の下地材料６１（図４（ｂ）に図示、図３では図示省略）を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、基板１１上（下地材料６１上）にＭＩＭ構造の絶縁膜を形成するための陽極酸化用配線３４及びＭＩＭ構造の下層の電極の金属膜３２となるＴａ（タンタル）をスパッタリング等によって形成する。
【００４１】
次に、Ｔａ上に図示しないレジストを形成し、図３（ｂ）に示すように、信号電極１１２が形成される領域からＭＩＭ構造に至る領域以外の領域に開口部３１ａを有するマスク３１によって覆うと共に、このマスク３１を介してレジストに紫外線を照射し露光・現像によって、陽極酸化用配線とＭＩＭ構造領域のマスクパターンを形成する。次に、フォトエッチングによって陽極酸化用配線とＭＩＭ構造領域をパターン形成し、レジストを剥離して、図３（ｃ）に示す陽極酸化用配線３４とＭＩＭの下層電極の金属膜３２を形成する。
【００４２】
次に、陽極酸化によって陽極酸化膜６２であるＴａＯ５　（五酸化タンタル）６２を形成して、アニール処理を施す。この結果、ＭＩＭの下層電極の金属膜３２上に陽極酸化膜６２が形成されると共に、陽極酸化用配線３４上にも陽極酸化膜６２が形成される（図５（ａ））。
【００４３】
次に、信号電極１１２及びＭＩＭ構造の上層の金属膜６３となるクロムをスパッタリング等によって形成する。次に、クロム上に図示しないレジストを形成し、信号電極１１２の領域及びＭＩＭの上層電極の金属膜６３の領域以外の領域に開口部を有するマスクによって覆うと共に、このマスクを介してレジストに紫外線を照射し露光・現像によって、信号電極１１２及びＭＩＭの上層電極の金属膜６３のマスクパターンを形成する。次に、フォトエッチングによって信号電極１１２及びＭＩＭの上層電極の金属膜６３をパターン形成し、レジストを剥離する。（図４（ｂ）及び図５（ｂ）、図３では図示省略）なお、信号電極１１２は、図５（ｂ）に示すように、画素電極１１１側に延びる接続部を有する。
【００４４】
次に、信号電極１１２の下層からＭＩＭ構造領域に延びる、陽極用配線上の陽極酸化膜及び陽極用配線を取り除く（図５（ｃ））。この構成では図５（ｃ）の○で囲った部分の２カ所においてＴＦＤが構成される。
【００４５】
次に、図４（ａ）に示す信号電極１１２、画素電極１１１相互間に、絶縁のためのＰＡＤを形成する（図示省略）。
【００４６】
次に、画素電極１１１となるＩＴＯ膜をスパッタリング等によって形成する（図３では図示省略）。次に、ＩＴＯ膜上に図示しないレジストを形成し、画素電極１１１を形成する領域以外の領域に開口部を有するマスクによって覆うと共に、このマスクを介してレジストに紫外線を照射し露光・現像によって、画素電極１１１のマスクパターンを形成する。次に、フォトエッチングによって画素電極１１１をパターン形成し、レジストを剥離する。次に、アニール処理を施す。
【００４７】
次に、絶縁膜１２１をスパッタリング、ＣＶＤ等によって堆積させ、図示しないレジストを用いてマスクパターンを形成する。そして、フォトエッチングによって絶縁膜１２１をパターン形成し、レジストを剥離する。こうして、信号電極１１２上に、信号電極１１２を覆う絶縁膜１２１を形成する。
【００４８】
一方、第２基板１２の表面に、カラーフィルタ１２２、遮光膜１２３、走査電極１２５及びオーバーコート層１２６を形成する。これらの各部は、公知の各種方法を用いて形成することができるためその説明を省略する。次に、第２基板１２上に、第２基板１２の縁部を囲む枠状のシール材１３を印刷するとともに、第２基板１２と、図３の工程により得られた第１基板１１とをシール材１３を介して接合する。この後、両基板間に液晶１４を封入するとともに、両基板の外側表面に偏光板や位相差板を貼着することにより、図１及び図２に示した液晶装置１を得る。
【００４９】
図６は本実施の形態において生じるリーク電流を説明するための説明図である。図６は図２のＣ方向から見て、画素電極１１１、信号電極１１２、走査電極１２５及び絶縁膜１２１の位置関係を示している。
【００５０】
第１基板１１においては、信号電極１１２は、画面のＹ方向に延設されており、走査線方向には延びていない。信号電極１１２はＹ方向の全域に形成されており、画素電極１１１は、各行毎に所定の間隔を有して形成されている。一方、第２基板１２においては、走査電極１２５は、画素電極１１１上に形成されており、各行毎に所定の間隔を有する。従って、走査電極１２５同士の隙間部分において、信号電極１１２は走査電極１２５に対向していない。
【００５１】
本実施の形態においては、第１基板１１上において、信号電極１１２上に絶縁膜１２１を形成している。即ち、絶縁膜１２１は、走査電極１２５同士の隙間部分に対向する位置にも形成される。
【００５２】
従って、図６に示すように、信号電極１１２から走査電極１２５側へのリーク電流の発生は、絶縁膜１２１によって抑制される。特に、走査電極１２５相互間の隙間部分に対向する位置の信号電極１１２上においても絶縁膜１２１が形成されており、走査電極１２５相互間の隙間部分に対向する位置の信号電極１１２から、隣接した走査電極１２５に斜めに進行するリーク電流の発生が抑制される。このように、信号電極１１２がＭＩＭ構造を有することによって生じようとするリーク電流の発生が抑制され、横電界の発生が防止される。
【００５３】
このように本実施の形態においては、第１基板上に形成されたストライプ状の信号電極を覆うように絶縁膜を形成することで、走査電極相互間の隙間部分においても信号電極から走査電極側に進行するリーク電流の発生が抑制される。これにより、横電界の発生を防止することができる。従って、画素電極縁辺部において、液晶の配向不良が発生することを防止することができ、コントラスト比を向上させて鮮明な高画質の画像を表示することができる。
【００５４】
なお、上記実施の形態においては、信号電極１１２上の全域に絶縁膜１２１を形成するものとして説明したが、上述したように、絶縁膜は、走査電極１２５相互間の隙間部分で、且つ信号電極１１２に対向する部分、即ち、上下左右に隣接する４つの画素電極同士の隙間部分にのみ形成すればよい。
【００５５】
なお、上記実施の形態においては、カラーフィルタを備えてカラー表示が可能な装置について説明したが、カラーフィルタを有していない液晶装置においても同様に適用可能である。また、透過型の液晶装置に適用した例について説明したが、反射型の液晶装置や半透過型の液晶装置にも適用可能であることは明らかである。
【００５６】
また、ＭＩＭ構造を構成する金属としては種々のものが考えられる。例えば、クロムに代えてアルミニウム等を採用してもよい。この場合には、アルミニウムによる上層の金属膜を形成後にアニール処理を追加する。
【００５７】
図７は本発明の第２の実施の形態に係る電子機器を示す斜視図であり、上記実施の形態に係る液晶装置を電子機器に適用した例を示している。
【００５８】
（１）モバイル型コンピュータ
まず、本発明に係る液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータの表示部に適用した例について説明する。図７（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ４１は、キーボード４１１を備えた本体部４１２と、本発明に係る液晶装置を用いた表示部４１３とを備えている。この場合、外光が十分に存在しない状況下であっても表示の視認性を確保すべく、背面側にバックライトを備えた液晶装置を用いることが望ましい。
【００５９】
（２）携帯電話機
次に、本発明に係る液晶装置を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図７（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機４２は、複数の操作ボタン４２１のほか、受話口４２２、送話口４２３とともに、本発明に係る液晶装置を用いた表示部４２４を備えている。
【００６０】
なお、本発明に係る液晶装置を適用可能な電子機器としては、図７（ａ）に示したパーソナルコンピュータや同図（ｂ）に示した携帯電話機のほかにも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。上述したように、本発明に係る液晶装置によれば、横電界による悪影響を軽減することができ、この液晶装置を用いた電子機器においては、コントラス比が高く、鮮明な画像を表示することができる。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、信号電極からのリーク電流を抑制して、横電界を減少させることを可能にすることにより、充分なコントラスト比を得て画質を向上させることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の構成を示す断面図。
【図２】液晶装置の要部を拡大して示す斜視図。
【図３】第１の実施の形態の液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図４】１画素の構成を示す説明図である。
【図５】１画素の構成を示す説明図である。
【図６】本実施の形態において生じるリーク電流を説明するための説明図。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る電子機器を示す斜視図。
【図８】ＴＦＤを用いた液晶装置の電極の構成を示す説明図。
【図９】従来例の問題点を説明するための説明図。
【符号の説明】
１……液晶装置
１１……第１基板
１１１……画素電極
１１２……信号電極
１１３……ＴＦＤ
１１４，１２６……配向膜
１２……第２基板
１２１……絶縁膜
１２２，１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂ……カラーフィルタ
１２３……遮光層
１２４……オーバーコート層
１２５……走査電極
１３……シール材
１４……液晶

Claims

第１基板上に形成されマトリクス状に配置される複数の画素電極と、
前記第１基板上の列方向に延設され各列の前記画素電極に信号を供給するためのストライプ状の信号電極と、
前記第１基板に対向配置される第２基板上の行方向に延設され各行の前記画素電極に対向配置されるストライプ状の走査電極と、
前記信号電極上であって、少なくとも、前記走査電極が形成されていない部分に対向する部分に形成される絶縁膜とを具備したことを特徴とする液晶装置。
前記絶縁膜は、前記信号電極上の全域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
前記絶縁膜は、前記信号電極上の前記走査電極が形成されていない部分に対向する部分に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の液晶装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする電子機器。