JP2004053997A

JP2004053997A - 誘電体多層膜フィルター用基板及び誘電体多層膜フィルター

Info

Publication number: JP2004053997A
Application number: JP2002212252A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Yoshihara; 吉原　聡
Original assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date: 2002-07-22
Filing date: 2002-07-22
Publication date: 2004-02-19

Abstract

【目的】ＯＨ基の含有量が少なく、Ｅバンド帯域内の透過率が高い誘電体多層膜フィルター用基板及び誘電体多層膜フィルターを提供する。
【構成】β−ＯＨ量が０．１５／ｍｍ以下であるため、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークがほとんどなく、１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上であることを特徴とする。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信に用いられる誘電体多層膜フィルター用基板とその製造方法及び誘電体多層膜フィルターとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信網の急速な発達により、高性能で安価な光デバイスが大量に必要となってきている。特に、誘電体多層膜フィルターは、特定の波長を透過させたり反射させたりすることにより、光の分波・合波を行うパッシブデバイスとして必要不可欠である。
【０００３】
光通信分野で用いられる代表的な誘電体多層膜フィルターには、多波長の光を極めて狭帯域に切り出すバンドパスフィルター（ＢＰＦ）、Ｃバンド（１５３０ｎｍ〜１５６５ｎｍ）とＬバンド（１５６５ｎｍ〜１６２５ｎｍ）を分けるエッジフィルター、Ｃバンドの中心をさらに短波長領域（１５３０ｎｍ〜１５４５ｎｍ：通称ブルーバンド）と長波長領域（１５４５ｎｍ〜１５６５ｎｍ：通称レッドバンド）に分ける広帯域フィルター、ＥＤＦＡ（エルビウム−ドープドファイバー−アンプリファイア）の利得をフラットにするゲインイコライザ等がある。
【０００４】
一般にカメラ用の光学フィルターの基材には、プラスティックが使用されているが、上記した誘電体多層膜フィルターの基材は、強いレーザー光が入射されるため、耐熱性に優れたガラスが用いられている。
【０００５】
光通信において、より多くの情報を伝達する（伝送容量を拡大する）ためには、一つの波長の伝送信号をより高速化（高ビットレート化）するとともに、波長の異なる複数の光信号を束ねて伝送する波長分割多重（ＷＤＭ）技術を用いる必要がある。このＷＤＭ技術では、波長の多重数を増加させ高密度化することによって、伝送容量を拡大することができるが、波長の多重数を増加させ高密度化すればするほど、これらの波長を精度よく分離する技術が要求される。誘電体多層膜フィルターを使用して波長分離の精度を向上させるためには、誘電体多層膜の層数を増加させなければならない。例えば、チャンネル間隔（波長間隔）が０．８ｎｍである１００ＧＨｚ用光フィルターでは、１００層以上、チャンネル間隔が０．４ｎｍである５０ＧＨｚ用フィルターでは、１５０層以上もの誘電体多層膜が必要とされる。
【０００６】
しかし、誘電体多層膜の層数が増加すると、基板ガラスに要求される特性もより厳しいものとなってくる。すなわち、誘電体多層膜の屈折率温度安定性を維持させるために、基材の熱膨張係数を誘電体多層膜のそれより大きくすることが求められ、また、誘電体多層膜と基材との熱膨張差によって誘電体多層膜に応力が発生しにくいようにするために、基材の弾性率を高くし、誘電体多層膜の寸法安定性を維持することが求められており、特開２００１−６６４２５号公報、特開２００１−８９１８４号公報及び特開２００１−４８５８４号公報には、このような特性を有する光フィルター用ガラス基板や光フィルター用ガラスセラミックス基板が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一方、ＷＤＭ技術において、使用波長帯域を一定とすると、波長多重チャンネル数は、チャンネル間隔の狭窄化により増やせるが、伝送ビットレートとの関係から、これ以上は狭くできないという限界がある。１チャンネル当たりの伝送ビットレートを上げていく場合も、ビットレートに応じてチャンネル間隔を広げる必要が生じる。結局のところ、ＣバンドやＬバンドを使い尽くした後、さらに伝送容量を拡大するには使用波長帯域をＳバンド（１４６０〜１５３０ｎｍ）やＵバンド（１６２５〜１６７５ｎｍ）さらにはＥバンド（１３６０〜１４６０ｎｍ）まで拡大するしかない。
【０００８】
しかしながら、上記した従来の光フィルター用ガラス基板や光フィルター用ガラスセラミックス基板は、これらの基板材料中に多く存在するＯＨ基によってＥバンド帯域内の１４００ｎｍ付近に吸収ピークが存在し、この吸収ピークによって光損失が大きくなるという問題を有していた。
【０００９】
本発明の目的は、ＯＨ基の含有量が少なく、Ｅバンド帯域内の透過率が高い誘電体多層膜フィルター用基板及び誘電体多層膜フィルターを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、含水量の少ない原料を用いること、又は溶融条件を最適化することにより、ＯＨ基の含有量を抑えることが可能となり、その結果、１４００ｎｍ付近の吸収ピークがほとんどなく、Ｅバンド帯域内の透過率が高い誘電体多層膜フィルター用基板を見出し、本発明として提案するものである。
【００１１】
すなわち、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板の製造方法は、電気炉を用いて溶融し、ガラス又は結晶化ガラスのガラス成形体を得ることを特徴とする。
【００１３】
本発明の誘電体多層膜フィルターは、１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上である誘電体多層膜フィルター用基板の表面に、誘電体多層膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１４】
また本発明の誘電体多層膜フィルターの製造方法は、電気炉を用いて溶融することによって得たガラス成形体からガラス又は結晶化ガラスからなる誘電体多層膜フィルター用基板を作製し、その基板表面に、誘電体多層膜を形成することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上、好ましくは９９．９０％以上であるため、Ｅバンド帯域内の透過率が高く、これを用いた誘電体多層膜フィルターは、光損失が小さく、ＷＤＭ技術を用いた大容量伝送の光通信システムに好適である。
【００１６】
また本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、肉厚１ｍｍにおいて、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークの高さ△Ｐが０．１％以下、好ましくは０．０３％以下であると、１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上となりやすく、光損失が小さいため好ましい。
【００１７】
尚、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークの高さ△Ｐは、下記の式によって定義される。
△Ｐ＝｜（Ｔ_１５００−Ｔ_１３００）・（λ_Ｐ−１３００）／２００＋Ｔ_１３００｜−Ｔ_Ｐ
【００１８】
ここで、Ｔ_１５００は、１５００ｎｍにおける内部透過率（％）、Ｔ_１３００は、１３００ｎｍにおける内部透過率（％）、λ_Ｐは、吸収ピーク波長（ｎｍ）、Ｔ_Ｐは、吸収ピークにおける内部透過率（％）である。
【００１９】
また、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、β−ＯＨ量が０．１５／ｍｍ以下であると、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークの高さ△Ｐが０．１％以下になりやすく、１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上となりやすいため好ましい。また、β−ＯＨ量の好ましい範囲は、０．０７／ｍｍ以下である。
【００２０】
尚、β−ＯＨ量（／ｍｍ）は下記の式によって定義される。
β−ＯＨ量（／ｍｍ）＝｛ｌｏｇ（Ｔ_３８５０／Ｔ_３５００）｝／ｔ
【００２１】
ここで、Ｔ_３８５０は、３８５０ｃｍ^−１での透過率（％）、Ｔ_３５００は、３５００ｃｍ^−１付近の吸収帯の最低透過率（％）、ｔは、測定時の試料板厚（ｍｍ）である。
【００２２】
本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、ガラス、結晶又は結晶化ガラスからなるが、特にガラスからなると、安価であり、また結晶粒界が存在せず、レーリー散乱が少ないため、赤外域での透過率が高くなりやすいため好ましい。また、結晶化ガラスの場合においても、析出結晶の結晶粒径が０．１μｍよりも小さいと、レーリー散乱が少なく、赤外域での透過率が高くなりやすいため好ましい。
【００２３】
本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、−３０〜７０℃における熱膨張係数が９０〜１３０×１０^−７／℃、好ましくは９５〜１２０×１０^−７／℃であると、基板と誘電体多層膜との熱膨張係数差により誘電体多層膜に十分な圧縮応力を印加できるため、誘電体多層膜フィルターの中心波長の温度依存性が１ｐｍ／℃以下となる。すなわち、熱膨張係数が、９０×１０^−７／℃よりも小さいと、誘電体多層膜フィルターの中心波長の温度依存性が１ｐｍ／℃よりも大きくなり、隣接波長の光が干渉する虞があり、１３０×１０^−７／℃より大きいと、誘電体多層膜が基板材料から剥がれやすくなるからである。
【００２４】
本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、ヤング率が７５ＧＰａ以上であると、基板が誘電体多層膜により変形しにくく、誘電体多層膜の寸法安定性がよくなるため好ましい。
【００２５】
また、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、ラップ法による研磨速度が１０μｍ／分以上であり、沸騰水浴での質量減が０．０５ｗｔ％／ｈｒ以下、０．０１Ｎの硝酸水溶液での質量減が０．２０ｗｔ％／ｈｒ以下であるため、安価で長期間に亘ってフィルター特性が劣化しにくい。すなわち、ラップ法による研磨速度が１０μｍ／分未満であると、基板の加工性が悪く、加工時間がかかるため、誘電体多層膜フィルターの生産効率が悪く、低価格化が実現できず、また、沸騰水浴での質量減が０．０５ｗｔ％／ｈｒより多く、０．０１Ｎの硝酸水溶液での質量減が０．２０ｗｔ％／ｈｒより多いと、誘電体多層膜フィルターの耐候性が低下し、長期に亘って、高温高湿条件に曝されると、基板表面に曇りが発生しやすく、また多層膜が劣化しやすいからである。尚、上記した加工性とは、基板の研削加工、切削加工、鏡面研磨加工等の加工性を意味する。
【００２６】
また、耐候性を評価する基板材料の質量減の測定方法は、日本光学硝子工業会規格ＪＯＧＩＳ「光学ガラスの化学的耐久性の測定方法（粉末法）０６−１９７５」に基づいている。
【００２７】
上記した熱膨張係数、ヤング率、化学的耐久性を有する基板材料としては、具体的には、質量％で、ＳｉＯ_２　３０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３　１〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ　３〜３５％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ　５〜３３％、ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２　１〜３０％、Ｇｄ_２Ｏ_３＋Ｌａ_２Ｏ_３　０〜１０％の組成を有するガラス又は結晶化ガラスが好適である。
【００２８】
次に、上記した範囲に成分含有量を限定した理由を述べる。
【００２９】
ＳｉＯ_２はガラスの骨格を構成する成分であり、耐候性を向上させる効果を有し、特にその含有量が４０〜７５％であるとさらに好ましい。ＳｉＯ_２が８０％を超えると熱膨張係数が小さく、誘電体多層膜フィルターの中心波長の温度依存性が大きくなり、研磨速度が小さく、またガラスの成形が困難になりやすい。３０％より少ないと、熱膨張係数が大きく、多層膜が基板より剥がれやすく、また耐候性が著しく悪化しやすい。
【００３０】
Ａｌ_２Ｏ_３は、ＳｉＯ_２と同様にガラスの骨格を構成する成分であり、ガラス中のアルカリ成分の溶出を抑制し、耐候性を向上させる効果が顕著であるため、１％以上含有することが望ましい。１０％より多いと、研磨速度が小さくなりやすい。
【００３１】
Ｂ_２Ｏ_３は、融剤として作用してガラスの溶融を助ける効果があり、特にその含有量が０〜１０％であるとさらに好ましい。Ｂ_２Ｏ_３が２０％よりも多いと、化学的耐久性が著しく悪化し、研磨速度が小さくなりやすく、またガラス溶融時に揮発が多くなって脈理が生じ、均質なガラスが得られにくい。
【００３２】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＺｎＯは、融剤として作用してガラスの溶融を助け、また研磨速度を大きくし、加工性を向上させる効果を有し、さらには化学的耐久性を高める効果を有する。特にこれらの含有量の合量が３〜３０％であるとさらに好ましい。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯが３５％より多いと、熱膨張係数が大きくなり誘電体多層膜が基板から剥がれやすくなり、また化学的耐久性が悪くなりやすい。３％より少ないと、熱膨張係数が小さく、誘電体多層膜フィルターの中心波長の温度依存性が大きくなりやすい。またガラスの研磨速度が小さくなりやすくなり、加工性が悪くなりやすく、またガラスの溶融が困難になりやすい。
【００３３】
Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏは、熱膨張係数を大きくし、加工性を向上させる成分であり、特に、これらの含有量の合量が５〜２２％であるとさらに好ましい。Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏが５％よりも少ないと、熱膨張係数が小さく、３３％よりも多いと、熱膨張係数が大きく、耐候性に劣るため好ましくない。
【００３４】
ＴｉＯ_２及びＺｒＯ_２は、耐候性を維持しつつ熱膨張係数を大きくする効果があり、特にこれらの含有量の合量が１〜２０％であるとさらに好ましい。ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２が３０％より多くなると、ガラスが失透しやすくなり、１％より少ないと、高い熱膨張係数が得られにくい。
【００３５】
Ｇｄ_２Ｏ_３及びＬａ_２Ｏ_３は、熱膨張係数をあまり低下させずに耐候性を向上させる効果を有し、特にこれらの含有量の合量が０〜８％であるとさらに好ましい。Ｇｄ_２Ｏ_３＋Ｌａ_２Ｏ_３が１０％よりも多いと熱膨張係数が低くなりやすい。
【００３６】
上記した以外にも本発明のガラスは、Ｓｂ_２Ｏ_３等の清澄剤を添加することが可能である。ただし、Ａｓ_２Ｏ_３は環境上好ましくないため、使用しないほうがよい。
【００３７】
ＰｂＯは、耐候性を低下させるとともに、環境上好ましくない成分であるため、ガラス成分として含有させないほうが好ましい。
【００３８】
また、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、Ｎａ_２Ｏ含有量が１０質量％以下であり、Ｂ_２Ｏ_３又はＰ_２Ｏ_５を本質的に含まないガラスからなると、ＯＨ基の含有率が少なくなり、肉厚１ｍｍにおいて、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークの高さ△Ｐが０．０３％以下となるため好ましい。すなわち、Ｎａ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３又はＰ_２Ｏ_５は、これらの成分の原料（例えば、ソーダ灰、硼酸、硼砂、リン酸ソーダ等）が含水量（結晶水＋付着水）の高い原料であるため、これらの原料を溶融し作製したガラスは、ＯＨ基を多く含み、１４００ｎｍ付近の波長の赤外光が吸収されやすくなるからである。
【００３９】
次に、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板の製造方法について詳述する。
【００４０】
まず、質量％で、ＳｉＯ_２　３０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３　１〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３　０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ　３〜３５％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ　５〜３３％、ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２　１〜３０％、Ｇｄ_２Ｏ_３＋Ｌａ_２Ｏ_３　０〜１０％の組成なるように、不純物の少ない無水原料を調合し、白金坩堝を用いて、電気炉中で１３００〜１６００℃の溶融温度で、２〜１０時間溶融し、融液をカーボン板上に流し出し、アニ−ルしてガラス成形体を得る。
【００４１】
尚、ガラスを溶融する際、ガス、石油、石炭などを燃料として用いると、燃焼反応によって発生する水蒸気によって、ガラス中の水分量が多くなり、ＯＨ基の含有量が多くなるため、水蒸気を発生しない電気を使用してガラスを溶融することが好ましい。さらに、溶融時に、乾燥エアーや酸素でバブリングすると、ガラス中の水分量をさらに減少させることができるため好ましい。また、原料として、水分量の少ない無水原料を用いたり、塩素を含む化合物（ＮａＣｌ等）を原料バッチ中に少量添加したりしても、ガラス中の水分量を減少させることができるため好ましい。
【００４２】
次に、結晶化ガラスの場合は、６００〜８００℃の温度で熱処理することによって結晶化ガラス成形体を得る。
【００４３】
最後に、ガラス成形体又は結晶化ガラス成形体を用いて、切断加工又は研磨加工を行うことによって所望のサイズを有するガラス又は結晶化ガラスからなる誘電体多層膜フィルター用基板が得られる。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板ガラス及び誘電体多層膜フィルターを実施例に基づいて詳細に説明する。
【００４５】
表１、２は、本発明の実施例１〜８を、表３は、比較例１〜３を示す。また、図１に実施例２の赤外域の透過率曲線を、図２に比較例１及び比較例２の赤外域の透過率曲線を示す。
【００４６】
【表１】

【００４７】
【表２】

【００４８】
【表３】

【００４９】
まず、実施例１〜８は、表１〜２に示す組成になるようにガラス原料を調合し、白金ルツボを用いて電気炉中で１３００〜１５００℃で４時間溶融し、融液をカーボン板上に流しだし、アニールして、ガラス成形体を得た。尚、ガラス原料として、Ｂ_２Ｏ_３は硼酸（含水量４３％）を、Ｐ_２Ｏ_５はメタリン酸アルミ（含水量３％）を、Ｎａ_２Ｏはソーダ灰（含水量０．７％）を用い、他の成分については、無水原料（含水量０．２％未満）を用いた。また、比較例１〜３は、ガス炉雰囲気中で溶融した以外は、実施例と同様にしてガラス成形体を得た。
【００５０】
次に、実施例８は、ガラス成形体を、電気焼成炉中で、５５０℃で１時間保持後、続いて７５０℃で２時間熱処理して結晶化を行い、結晶化ガラス成形体を得た。また、比較例２は、５００℃で１時間保持した以外は、実施例８と同様にして結晶化を行なった。実施例８及び比較例２は、結晶化処理によって得られた結晶化ガラス成形体の主結晶相が、いずれもＬｉ_２Ｏ・ＳｉＯ_２とα−ＳｉＯ_２であり、結晶粒径は、それぞれ０．０５μｍと０．２μｍであった。
【００５１】
ついで得られたガラス又は結晶化ガラスの成形体を平面研磨機にてアルミナ粉末を用いて１０〜２０分間ラッピングし、その後、酸化セリウム粉末を用いて３０〜６０分間ポリッシュして、誘電体多層膜フィルター用基板を作製した。
【００５２】
内部透過率は、肉厚の異なる２枚の試料（３ｍｍと１０ｍｍ）を用意し、島津製分光光度計ＵＶ−３１００ＰＣを使用して１２００〜１６００ｎｍの波長で測定した後、厚さ１ｍｍの内部透過率を計算により求めた。
【００５３】
熱膨張係数は、ディラトメーター（マックサイエンス製ＴＤ−５０００Ｓ）を使用して測定した。また、ヤング率は、三菱電機製超音波探傷装置ＦＤ−１８００を用いて超音波パルス法で測定した。
【００５４】
ラップ法による研磨速度は、一辺２５ｍｍ、肉厚３ｍｍの板状試料を水平に回転する鋳鉄製ラップ板の定位置に保持し、垂直に荷重を加えてラップ剤を供給しながら加工し、試料ガラスの質量減少量を測定して評価した。この時のラップ条件は、ラップ荷重が３５ｋＰａ、ラップ板の回転速度が１００ｒ．ｐ．ｍ、ラップ板の中心から板状試料の中心までの距離が１０ｃｍ、ラップ剤が１２００番アルミナ粉末と水との質量比が１：２０のスラリーであった。
【００５５】
耐水性及び耐酸性は、ガラス試料を粒度４２０〜５９０μｍに粉砕し、その比重グラムを秤量して白金篭に入れ、それを試薬の入ったフラスコに入れて煮沸水浴中で６０分間処理し、処理後の粉末ガラスの質量減少量（質量％）を算出したものである（日本光学硝子工業会規格ＪＯＧＩＳ「光学ガラスの化学的耐久性の測定方法（粉末法）０６−１９７５」）。尚、耐水性評価で用いた試薬は、ｐＨ６．５〜７．５に調整した純水であり、耐酸性評価で用いた試薬は、０．０１Ｎに調整した硝酸水溶液である。
【００５６】
本発明の実施例１〜８は、図１及び表１、２に示すように、β−ＯＨ量が少なく、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークが小さいため、Ｅバンド帯域内の透過率が高かった。
【００５７】
一方、比較例１〜３は、図２及び表３に示すように、β−ＯＨ量が多く、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークが大きいため、特に比較例２は、析出結晶の結晶粒径が０．２μｍと大きかったため、Ｅバンド帯域内の透過率が低かった。
【００５８】
また、上記した基板上に、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２誘電体被膜を交互に繰り返した計１００層からなる多層膜をイオンアシスト蒸着装置を用いて形成し、誘電体多層膜フィルターを作製した。
【００５９】
実施例の基板を使用した誘電体多層膜フィルターは、Ｅバンド帯域内の光損失が小さく、長期に亘ってフィルター特性が劣化することがなく、また、中心波長の温度依存性が小さく、光通信用光フィルターとして非常に優れるものである。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の誘電体多層膜フィルター用基板は、ＯＨ基の含有量が少なく、Ｅバンド帯域内の透過率が高いため、それを用いた誘電体多層膜フィルターは、光損失が小さく、大容量伝送の光通信システムに好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例２の赤外域の内部透過率曲線である。
【図２】比較例１及び２の赤外域の内部透過率曲線である。

Claims

１３００〜１５００ｎｍの波長において、肉厚１ｍｍでの内部透過率が９９．８％以上であることを特徴とする誘電体多層膜フィルター用基板。
肉厚１ｍｍにおいて、Ｏ−Ｈ伸縮振動に帰属される１４００ｎｍ付近の吸収ピークの高さ△Ｐが０．１％以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体多層膜フィルター用基板。
β−ＯＨ量が０．１５／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体多層膜フィルター用基板。
ガラス又は結晶化ガラスからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体多層膜フィルター用基板。
電気炉を用いて溶融し、ガラス又は結晶化ガラスのガラス成形体を得ることを特徴とする誘電体多層膜フィルター用基板の製造方法。
請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体多層膜フィルター用基板の表面に、誘電体多層膜が形成されてなることを特徴とする誘電体多層膜フィルター。
電気炉を用いて溶融することによって得たガラス成形体からガラス又は結晶化ガラスからなる誘電体多層膜フィルター用基板を作製し、その基板表面に、誘電体多層膜を形成することを特徴とする誘電体多層膜フィルターの製造方法。