JP2004053954A - 導波路型光デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】高分子樹脂における水分の吸脱着による屈折率変化を抑制し、動作の信頼性が向上した導波路型光デバイスを提供する。
【解決手段】導波路型光デバイス１は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２をヒータ３上に配置して構成されている。マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２は、マッハツエンダー干渉計４上に熱光学位相シフタである加熱電極５を形成して成る。マッハツエンダー干渉計４は、クラッド層６中に所定の導波路パターンを成すようにコア層７を形成して成る。導波路部４を構成するコア層７およびクラッド層６の少なくとも一方は、高分子樹脂から成る。ヒータ３は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の直下に配置され、６０℃以上に加熱する。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光スイッチ、光変調器などの光部品および光集積回路などのように光通信に用いられる導波路型光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムの高度化、経済化に向けて、様々な光部品の研究開発が進められている。中でも、光導波路は、高密度光配線、導波路型光デバイス実現への基本技術として注目されている。
【０００３】
一般に、光導波路の材料に対しては、導波路作製の容易性、屈折率の制御性、耐熱性、耐水耐湿性などが要求される。現在、光導波路の材料としては石英が最もよく利用されている。石英製光導波路は波長１．３μｍで０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低光損失を示す反面、製造プロセスが複雑、大面積化が困難などの問題点を有する。そのため、石英製光導波路では、経済性、汎用性に優れる導波路型光デバイスを得にくいという欠点がある。
【０００４】
一方、高分子材料製光導波路は、スピンコート法による成膜プロセスを利用できるため、石英製光導波路と比較して、作製プロセスが簡単で、大面積化も容易である。さらに、高分子材料は石英に比べて１０倍以上大きな熱光学（ＴＯ）効果（屈折率の温度依存性）を持つ場合が多く、ＴＯ効果を利用した導波路型光デバイスへの応用が特に有望である。たとえば、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）は、屈折率の温度依存性が−１．０×１０^−４／℃であり、石英の１×１０^−５／℃以下と比べて１０倍以上大きいため、ＰＭＭＡ製光導波路をマッハツエンダー型ＴＯスイッチへ応用した場合には、スイッチング電力は石英製光導波路に比べて１／１００程度に大きく低減されることが知られている［ヒダ（Ｈｉｄａ）ほか、ＩＥＥＥフォトニクス　テクノロジー　レターズ（ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第５巻、第７８２項（１９９３）］。
【０００５】
しかしながら、ＰＭＭＡは、熱変形温度が１００℃程度と低いため［井出文雄著、”オプトエレクトロニクスと高分子“、第２８項、共立出版（１９９５）］、動作時の加熱・冷却の繰り返しによってスイッチング特性が劣化する。このため、ＰＭＭＡはＴＯ効果を利用した導波路型光デバイスの形成に適しているとはいえない。また、ＰＭＭＡは吸水率が約２％と大きく、屈折率が環境湿度によって大きく変化する。たとえば、光部品の最も基本的な要素である方向性結合器をＰＭＭＡを用いて形成した場合には、設置環境によって出射光の分岐比は大きく変化してしまう。
【０００６】
このように、導波路型光デバイスとしては、耐熱性、耐水耐湿性を回避できるようなデバイス設計および高分子材料が必要である。
【０００７】
耐熱性の優れた高分子材料としては、ポリイミドがよく知られており、半導体部品の層間絶縁膜、フレキシブル配線基板などに用いられている。しかしながら、通常のポリイミドは吸湿性が大きいだけでなく、光通信波長帯である近赤外域（１．３μｍ、１．５５μｍ）の光透過性に劣る。
【０００８】
そこで、ポリイミドの耐熱性を保持しつつ光学応用可能な材料として、フッ素置換基を導入したフッ素化ポリイミドが提案されている。フッ素化ポリイミドは近赤外域で透明であること（特開平３−７２５２８号公報参照）、耐水耐湿性に優れることが明らかにされている。さらに、このフッ素化ポリイミドを共重合体として用い共重合比を制御することによって容易に屈折率を変えられること（特開平４−８７３４号公報参照）と、この屈折率制御を利用したフッ素化ポリイミド光導波路の形成法（特開平４−２３５５０５号公報および特願平４−２３５５０６号公報参照）も示されている。
【０００９】
しかし、このようなフッ素化ポリイミドについても、吸水率は０．２〜０．７％であってＰＭＭＡと比べては小さいものの、方向性結合器の特性やマッハツエンダー干渉計の特性に対する水分の影響は無視できないという欠点がある（特開平４−１９０２０２号公報参照）。特に、これらの材料で光スイッチ等のＴＯスイッチを作製した場合、加熱電極による通電加熱によって水分の吸脱着が起こるため屈折率が大きく変化し、ＴＯ効果による屈折率変化を上回り、ＴＯスイッチがうまく機能しないことがある。
【００１０】
図１０は、フッ素化ポリイミドを用いたマッハツエンダー型光スイッチにおける吸水率と位相シフト量との関係を示すグラフである。図１０のグラフによると、吸水率が上昇するとともに位相シフト量は増大し、吸湿によってドリフト現象が起こっていることがわかる。しかし、フッ素化ポリイミドを用いたマッハツエンダー型光スイッチのような導波路型光デバイスにおいて、吸湿特性を改善するような改善方法、および吸湿特性が改善されたＴＯスイッチのような導波路型光デバイスは知られていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
高分子樹脂を用いた導波路型光デバイスにおいては、高分子樹脂による水分の吸脱着が起こらないようにするための装置設計をすることが課題となっている。特に、加熱電極を備えたＴＯスイッチなどの導波路型光デバイスにおいては、加熱電極を使用して通電加熱することによる水分の吸脱着が起こらないようにするための装置設計をすることが課題となっている。
【００１２】
すなわち、高分子樹脂における水分の吸脱着による屈折率変化を抑制し、正常な動作をする光スイッチ等の導波路型光デバイスの開発が必要とされている。そのためには、高分子樹脂における水分の吸脱着による屈折率変化抑制機能の開発とともに、その抑制機能を有する導波路型光デバイスの開発が必要である。
【００１３】
本発明の目的は、高分子樹脂における水分の吸脱着による屈折率変化を抑制し、動作の信頼性が向上した導波路型光デバイスを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、クラッド層中に所定の導波路パターンを成すようにコア層を形成して成る導波路部を有し、前記コア層および前記クラッド層の少なくとも一方は高分子樹脂から成る光学素子と、
前記高分子樹脂における水分の吸脱着を抑制する抑制手段とを備えたことを特徴とする導波路型光デバイスである。
【００１５】
また本発明は、前記抑制手段は、前記光学素子の温度を６０℃以上に加熱することを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、前記抑制手段は、前記光学素子を囲む空間を密閉し、この密閉空間を減圧状態に保持することを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、前記抑制手段は、前記光学素子を囲む空間を密閉し、この密閉空間に乾燥気体を充填したことを特徴とする。
【００１８】
本発明に従えば、抑制手段によって導波路部を構成する高分子樹脂における水分の吸脱着が抑制される。これによって、高分子樹脂が水分を吸湿または脱着することによる屈折率の変化が抑制され、これに伴ってドリフト現象による位相シフトも抑制され、導波路型光デバイスの誤動作が低減し、動作の信頼性が向上した導波路型光デバイスを実現することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的に説明する。本発明に適用できるクラッド用およびコア用の高分子材料については、導波路型光デバイスが安定した性能を発揮する材料であれば特に問わない。すなわち前述したように、１）導波路材料が近赤外域、特に波長１．３μｍおよび１．５５μｍ付近で透明であること、２）熱変形温度が大きく、容易に変形しないことが望まれる。さらに、熱光学効果を利用した導波路型光デバイスの場合には、クラッド材料およびコア材料それぞれの熱光学定数と耐熱性もまた重要となる。
【００２０】
図１は、本発明の第１実施形態である導波路型光デバイス１の概略を示す平面図である。導波路型光デバイス１は、光学素子であるマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２を、抑制手段であるヒータ３上に配置して構成されている。マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２は、図２（ａ）に示すように、マッハツエンダー干渉計４上に、熱光学位相シフタである加熱電極５を形成して成る。マッハツエンダー干渉計４は、後述する基板上に形成されたクラッド６層中に所定の導波路パターンを成すようにコア層７を形成して成る。マッハツエンダー干渉計４を構成するコア層７およびクラッド層６の少なくとも一方は、高分子樹脂から成る。
【００２１】
ここでのマッハツエンダー干渉計４は、図２（ｂ）に示されるように、２つの方向性結合器９を直列に接続して構成されている。方向性結合器９は、図２（ｃ）に示されるように、並列に形成される２本の導波路で構成されており、各導波路は、それぞれ入力導波路と結合導波路と出力導波路とを有する。入力導波路間の距離と出力導波路間の距離とはほぼ同じであり、結合導波路間の距離は入力導波路間および出力導波路間の距離より短く形成されている。
【００２２】
ヒータ３は、マッハツエンダー型光スイッチ２の直下に配置され、電源８によって動作してマッハツエンダー型光スイッチ２を６０℃以上に加熱する。
【００２３】
図３は、第１実施形態の変形例である導波路型光デバイス１ａの概略を示す平面図である。この導波路型光デバイス１ａは、光学素子として、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２に代えて、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２ａを用いて構成されている。マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２ａは、図４（ａ）に示すように、マッハツエンダー干渉計４ａ上に熱光学位相シフタである加熱電極５を形成して成る。マッハツエンダー干渉計４ａは、後述する基板上に形成されたクラッド６層中に所定の導波路パターンを成すようにコア層７を形成して成る。マッハツエンダー型光スイッチ４ａを構成するコア層７およびクラッド層６の少なくとも一方は、高分子樹脂から成る。
【００２４】
マッハツエンダー干渉計４ａは、図４（ｂ）に示されるように、２つのマルチモードインターフェイス導波路（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ導波路、以下「ＭＭＩ導波路」という。）１０を直列に接続して構成されている。ＭＭＩ導波路１０は、図４（ｃ）に示されるように、１つの結合導波路と、結合導波路に光を導く２本の入力導波路と、結合導波路からの光を出力する２本の出力導波路とで構成されている。入力導波路間の距離と出力導波路間の距離とはほぼ同じである。
【００２５】
ヒータ３は、マッハツエンダー型光スイッチ２ａの直下に配置され、電源８によって動作してマッハツエンダー型光スイッチ２ａを６０℃以上に加熱する。
【００２６】
導波路型光デバイス１，１ａでは、光学素子であるマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａを加熱するヒータ３を、光学素子の直下に配置することで、光学素子を６０℃以上に加熱することを可能にしている。マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａのいずれの場合においても、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａの温度を上昇させると、高分子材料における水分の吸湿による吸水率が小さくなることが、図５に示す樹脂温度と吸水率の関係を示すグラフからわかっている。そこで、導波路型光デバイス１，１ａでは、高分子樹脂の樹脂温度を上昇させることによって、高分子樹脂内の微量な水分を除去し、かつ加熱電極５を使用して通電加熱することによる高分子樹脂における水分の吸脱着も抑制している。
【００２７】
図６は、本発明の第２実施形態である導波路型光デバイス１１の概略を示す斜視図である。導波路型光デバイス１１は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２を密閉されたハウジング１２内に収納し、ハウジング１２内を真空状態または減圧状態に保持して構成されている。製造手順は、まずマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２をハウジング１２内に収納し、ハウジング１２の一側部に設けられた真空引き用丸孔１３から図示しない真空装置を用いて脱気してハウジング１２内を減圧する。これによって、ハウジング１２内は絶乾状態となり、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２を構成する高分子樹脂内の水分が除去される。その後、真空引き用丸孔１３を封止し、たとえばハーメチックシール（ＧＴＭＳ；Ｇｌａｓｓ　ｔｏ
Ｍｅｔａｌ　Ｓｅａｌ）によってハウジング１２内を密閉して、ハウジング１２内を真空状態または減圧状態に保持する。
【００２８】
導波路型光デバイス１１は、ハウジング１２の対向する側部にそれぞれ光ファイバから成る入射側導光路１４および出射側導光路１５を備える。入射側導光路１４は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の２つの入力導波路のうちの一方に連結されている。出射側導光路１５は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の２つの出力導波路のうちの一方に連結されている。なお、出射側導光路１５を２つ設けて、２つの出力導波路にそれぞれ出射側導光路１５を連結してもよい。
【００２９】
入射側導光路１４からの入射光は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の２本の導波路のうち一方の導波路（たとえば図２（ａ）において上側の導波路）に入射される。入射光は、２本の導波路がくびれて近接した部分（図２（ａ）において左側の結合導波路部分）で干渉によって、他方の導波路（図２（ａ）において下側の導波路）にも伝わる。２本の導波路を進む光は、加熱によって制御され、２本の導波路が再びくびれて近接した部分（図２（ａ）において右側の結合導波路部分）で干渉し、２本の導波路に別れて進行する。各導波路からの出射光は、出射側導光路１５から出力される。
【００３０】
導波路型光デバイス１１では、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２を真空状態または減圧状態のハウジング１２内に収納することによって、高分子樹脂内の微量な水分を除去し、かつ加熱電極５を使用して通電加熱することによる高分子樹脂における水分の吸脱着も抑制している。
【００３１】
また、第２実施形態の変形例として、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２に代えて、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２ａを密閉されたハウジング１２内に収納し、ハウジング１２内を真空状態または減圧状態に保持して構成してもよい。製造手順は、導波路型光デバイス１１の場合と同様である。
【００３２】
また、本発明の第３実施形態として、上記の第２実施形態においてハウジング１２内に、乾燥気体を封止して、導波路型光デバイスを構成してもよい。
【００３３】
さらに、本発明の第４実施形態として、上記の第１〜第３実施形態において、光学素子として、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａに代えて、マッハツエンダー干渉計４，４ａ、方向性結合器９またはＭＭＩ導波路１０を使用して、導波路型光デバイスを構成してもよい。つまり、基板上に形成されたクラッド層中に所定の導波路パターンを成すようにコア層を形成して成る導波路部を有する光学素子であれば、その光学素子を用いて同様に本発明の導波路型光デバイスを構成することができる。
【００３４】
以下、本発明の光導波路デバイスについてより詳細に説明する。図７は、マッハツエンダー干渉計４，４ａの一般的な作製工程を示す工程図である。最初に、図７（ａ）に示すように基板２１を準備し、この基板２１上に図７（ｂ）に示すように、高分子樹脂を用いて下部クラッド層２２を形成する。次に、下部クラッド層２２上に、図７（ｃ）に示すように下部クラッド層２２よりも屈折率の大きなコア層２３を、高分子樹脂を用いて形成する。
【００３５】
次に、コア層２３上に、図７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法によってマッハツエンダー干渉計のコアパターンに対応した位置にマスクパターン２４を形成する。マスクパターン２４が形成されたコア層２３に対して、図７（ｅ）に示すようにＲＩＥ法を用いてエッチングを行い、エッチング後にマスクパターン２４を除去し、図７（ｆ）に示すようなマッハツエンダー干渉計のコアパターン２５を形成する。最後に、図７（ｇ）に示すように、コアパターン２５を覆うように上部クラッド層２６を形成する。このような作製方法によって、高分子導波路によるマッハツエンダー干渉計が形成される。
【００３６】
また、マスクパターン２４を、方向性結合器のコアパターンに対応する位置に形成すれば高分子導波路による方向性結合器を形成することができ、ＭＭＩ導波路のコアパターンに対応する位置に形成すれば高分子導波路によるＭＭＩ導波路を形成することができる。
【００３７】
方向性結合器は、導波路型光デバイスを構成する要素の中で、最も重要、かつ基本的なものの１つである。方向性結合器単体では出射光を任意の比率で分岐させる光部品として用いられ、その分岐比は相互作用長を変えることによって制御できる。
【００３８】
また、マッハツエンダー干渉計は導波路型光デバイスを構成する基本光回路であり、位相シフタとの組み合わせによって種々の光部品として利用できる。たとえば図７（ｈ）に示すように、マッハツエンダー干渉計の上部クラッド層２６上に、リフトオフ用レジストを塗布し、露光、現像過程を経て、加熱用電極（熱光学位相シフタ）のレジストパターン２７をネガ型形状に厚さ約１μｍに形成する。
【００３９】
次に、加熱用電極の密着性を高めるために、酸素ガスのプラズマによってエッチング処理することによって、上部クラッド層２６の表面に幅約１μｍの深さの溝を多数形成する。このとき、溝の内面は粗面化される。
【００４０】
次に、抵抗加熱真空蒸着あるいはスパッタ蒸着によって、図７（ｉ）に示すように、金属膜２８を厚さ約０．１ｍｍに形成する。このとき、レジストパターン２７が残っているので、金属膜２８は上部クラッド層２６の表面の溝に一部が埋込まれたように形成される。これによって、金属膜２８の密着性が向上する。
【００４１】
その後、リフトオフ用溶媒でレジストパターン２７を流すことによって、加熱用電極５のパターン以外の金属膜２８を除去し、図７（ｊ）に示すように加熱用電極（熱光学位相シフタ）５を形成する。このような作製方法によって、高分子導波路によるマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａが形成される。
【００４２】
上述した第１実施形態である導波路型光デバイス１，１ａは、このようにした作製されたマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａの基板２１直下にヒータ３を配置して作製した。また、上述した第２実施形態である導波路型光デバイス１１，１１ａは、このようにした作製されたマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａをハウジング１２内に収納し、真空装置を用いて絶乾状態にし、ハーメチックシール等で密閉して真空状態または減圧状態で保持して作製した。さらに、上述した第３実施形態である導波路型光デバイスは、第２実施形態におけるハウジング１２内に不活性気体（アルゴン、窒素等）を封止することによって作製した。
【００４３】
なお、基板２１として、任意の基板材料を用いることができるが、熱伝導率の大きなＡｌ、Ａｌ合金、ステンレス、銅などの基板材料を用いることによって、導波路部であるマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２，２ａを容易に加熱できるようになる。また、加熱電極である抵抗体薄膜形成用の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、金、銀、銅、白金、酸化スズ、およびこれらの混合物あるいはこれらの薄膜の積層体を用いることができる。
【００４４】
引き続いて、いくつかの実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。なお、分子構造の異なる種々の高分子を導波路材料に用いた高分子導波路上に本発明を用いても導波路型光デバイスのドリフトが改善されることは明らかである。したがって、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００４５】
［実施例１］
基板２１として、シリコーンウエハを用いる。２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と、２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，　４’　−ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）との１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をシリコーンウエハ２１上にスピンコートした後、オーブン中３８０℃で加熱イミド化を行い、下部クラッド層２２を形成した。
【００４６】
次に、コア材料となる６ＦＤＡと４，　４’　−オキシジアニリン（ＯＤＡ）との１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液を下部クラッド層２２上にスピンコートし、同様に加熱イミド化を行い、コア層２３を形成した。コア層２３上へフォトレジストをスピンコートした後、マッハツエンダー干渉計のコアパターンをフォトリソグラフ法によってレジストに転写させた。次に、フォトレジストの現像を行うことにより、コア層２３上にマッハツエンダー干渉計のマスクパターン２４を形成した。マスクパターン２４が形成されたコア層２３に対して、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行い、マッハツエンダー干渉計のコアパターン２５を形成した。
【００４７】
次に、マッハツエンダー干渉計のコアパターン２５上に、下部クラッド層２２と同じ（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６ＦＤＡ・４，４−ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をコア層２２上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させ、上部クラッド層２６を形成した。
【００４８】
上部クラッド層２６にリフトオフ用レジストを厚み約２．０μｍになるようにスピンコートし、９０℃で約３０分でプリベーク後、露光機により約１１０ｍＪ／ｃｍ^２紫外光を照射し、現像することによって、上部クラッド層１０上に線幅約４０μｍのネガ型状の加熱用電極（熱光学位相シフタ）のレジストパターン２７を形成する。次に酸素ガスプラズマによって、約１μｍエッチングを行い、表面の粗化および凹型形状を形成する。次に抵抗加熱真空蒸着機を用いて約０．１μｍ、クロム膜２８を表面に堆積する。次に、リフトオフ用の溶媒を用いてレジストを除去し、加熱用電極５以外のクロム膜を除去する。このとき、レジストが除去しづらい場合には超音波洗浄機を用いる場合もある。このようにして線幅４０μｍの加熱用電極（熱光学位相シフタ）５を備えたマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２が得られた。形成したマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２をパッケージングする際に、基板２１直下にヒータ３としてペルチェ素子を配置することで、光学素子であるマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の温度を一定に保てるようにした。
【００４９】
図８は、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の温度を２５℃にした場合と、６０℃にした場合のスイッチ特性を示すグラフである。図８（ａ）に示すように、温度を２５℃にした場合は、加熱を開始した後も光強度の変動が確認された。一方、図８（ｂ）に示すように、温度を６０℃にした場合は、光強度の変動はほぼなく、安定したスイッチング動作をすることが確認された。
【００５０】
［実施例２］
実施例１と同じ方法で加熱用電極（熱光学位相シフタ）５を備えたマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２を作製した後、パッケージングする際に図６に示すような真空維持装置（ハウジング１２）を作成し、真空ポンプによってハウジング１２内を真空にして絶乾状態にし、ハーメチックシールによって密閉した。
【００５１】
図９は、ハウジング１２内が大気圧である場合のスイッチ特性と真空状態にし絶乾状態である場合のスイッチ特性を示すグラフである。図９（ａ）に示すように、大気圧状態では加熱を開始した後も光強度の変動が確認された。一方、真空状態である場合は、光強度の変動はほぼなく、安定したスイッチング動作をすることが確認できた。なお、真空状態にした後、乾燥気体を充填し、封止した場合においても、光強度の変動はほぼなく、安定したスイッチング動作をすることが確認できた。
【００５２】
以上のように、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ、マッハツエンダー干渉計、方向性結合器またはＭＭＩ導波路のような、クラッド層中に所定の導波路パターンを成すようにコア層を形成して成る導波路部を有する光学素子を含む導波路型光デバイスにおいて、光学素子を６０℃以上に加熱することのできるヒータ３を設けること、もしくは光学素子をハウジング１２内に収納して密閉し、真空状態に保つことまたは乾燥気体を封入することによって、光学素子を通電加熱することによる高分子樹脂の水分の吸脱着を防いでドリフトを抑制することができ、安定して動作する導波路型光デバイスを作製できる。
【００５３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、抑制手段によって導波路部を構成する高分子樹脂の水分の吸脱着が抑制されるので、高分子樹脂が水分を吸脱着することによる屈折率の変化が抑制され、これに伴ってドリフト現象による位相シフトも抑制され、導波路型光デバイスの誤動作が低減し、動作の信頼性が向上した導波路型光デバイスを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態である導波路型光デバイス１の概略を示す平面図である。
【図２】導波路型光デバイス１を構成するマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の構成を示す平面図である。
【図３】第１実施形態の変形例である導波路型光デバイス１ａの概略を示す平面図である。
【図４】導波路型光デバイス１ａを構成するマッハツエンダー型ＴＯスイッチ２ａの構成を示す平面図である。
【図５】高分子樹脂における樹脂温度と吸水率との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態である導波路型光デバイス１１の概略を示す斜視図である。
【図７】マッハツエンダー干渉計の一般的な作製工程を示す工程図である。
【図８】導波路型光デバイス１において、マッハツエンダー型ＴＯスイッチ２の温度を２５℃にした場合と、６０℃にした場合のスイッチ特性を示すグラフである。
【図９】導波路型光デバイス１１において、ハウジング１２内が大気圧である場合のスイッチ特性と真空状態にし絶乾状態である場合のスイッチ特性を示すグラフである。
【図１０】フッ素化ポリイミドを用いたマッハツエンダー型光スイッチにおける吸水率と位相シフト量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１，１ａ，１１　導波路型光デバイス
２，２ａ　マッハツエンダー型ＴＯスイッチ
３　ヒータ
４，４ａ　マッハツエンダー干渉計
５　加熱電極
６　クラッド層
７　コア層
８　電極
９　方向性結合器
１０　マルチモードインターフェイス回路（ＭＭＩ導波路）
１２　ハウジング
１３　真空引き丸孔
２１　基板
２２　下部クラッド層
２３　コア層
２４　マスクパターン
２５　コアパターン
２６　上部クラッド層
２７　レジストパターン
２８　金属膜

Claims (4)

1. クラッド層中に所定の導波路パターンを成すようにコア層を形成して成る導波路部を有し、前記コア層および前記クラッド層の少なくとも一方は高分子樹脂から成る光学素子と、
   前記高分子樹脂における水分の吸脱着を抑制する抑制手段とを備えたことを特徴とする導波路型光デバイス。
2. 前記抑制手段は、前記光学素子の温度を６０℃以上に加熱することを特徴とする請求項１記載の導波路型光デバイス。
3. 前記抑制手段は、前記光学素子を囲む空間を密閉し、この密閉空間を減圧状態に保持することを特徴とする請求項１記載の導波路型光デバイス。
4. 前記抑制手段は、前記光学素子を囲む空間を密閉し、この密閉空間に乾燥気体を充填したことを特徴とする請求項１記載の導波路型光デバイス。

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