JP2004047964A

JP2004047964A - 電気光学装置および半導体装置

Info

Publication number: JP2004047964A
Application number: JP2003132001A
Authority: JP
Inventors: Tsukasa Eguchi; 江口　司
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-05-22
Filing date: 2003-05-09
Publication date: 2004-02-12
Anticipated expiration: 2023-05-09
Also published as: JP4244695B2

Abstract

【課題】信頼性の低下の問題を回避でき、高集積化にも対応し得る構造の接続部を有する電気光学装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明における接続部１は、第１絶縁膜９上に形成された第１導電層２と、第１導電層２を覆うように形成された第２絶縁膜１１と、第２絶縁膜１１上に形成された第２導電層３と、第２絶縁膜１１、第１絶縁膜９を貫通するコンタクトホール４を含み、第１導電層２と第２導電層３とがコンタクトホール４の側面で接触することによりこれら配線が電気的に接続されたものである。そして、コンタクトホール４の少なくとも底面にあたる領域に、第１絶縁膜９のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層６が設けられている。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置および半導体装置に関し、特に電気光学装置や半導体装置に用いられるコンタクトホールを含む接続部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置あるいはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を搭載する表示装置等の電気光学装置、もしくは半導体装置においては、基板上に例えば所定の回路を構成するトランジスタ、ダイオードなどの多数の素子が形成され、これらの素子を相互に接続するための多数の配線が形成される。この種の配線には、絶縁膜を介して上下に位置する２層の導電層からなる配線をコンタクトホールを介して接続する構成が多用されている（例えば、特許文献１参照）。この種の接続部の従来の構成を図６（ａ）、（ｂ）に示す。
【０００３】
図６（ａ）に示すように、この接続部６０は、図示横方向に延びる第１配線６１と図示縦方向に延びる第２配線６２とがその交差個所に設けられたコンタクトホール６３を介して接続されたものである。なお、この接続部６０の右側に第２配線６２と略平行に延びる配線６４は、第１配線と同一層で形成された隣接配線である。
【０００４】
図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図６（ｂ）に示すように、基板６５上に第１絶縁膜６６、第２絶縁膜６７が順次積層され、第２絶縁膜６７上に第１配線６１が形成され、第１配線６１を覆うように第２絶縁膜６７上に第３絶縁膜６８が形成されている。そして、第１配線６１上に第３絶縁膜６８を貫通して第１配線６１の表面に達するコンタクトホール６３が形成されており、コンタクトホール６３内に第２配線６２が形成されてコンタクトホール６３の底面で第１配線６１と第２配線６２とが接触することにより、これら配線６１，６２が電気的に接続されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−３２６６６６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の図６（ａ）の構造においては、平面的には第１配線６１の端部と第２配線６２の縁が揃っている。そのため、用いるフォトリソグラフィー技術や露光装置等で決まる設計ルールに則って考えると、同一層で構成するパターン間の最小スペース寸法をＳとした場合、第１配線６１の端部と隣接配線６４の縁との間隔はＳであり、第２配線６２の縁と隣接配線６４の縁との間隔もＳとなる。したがって、互いに平行に延びる第２配線６２の縁と隣接配線６４の縁との間隔はこれ以上小さくすることはできない。液晶表示装置や半導体装置などの電子デバイスにおいては、素子の微細化、高集積化が要求されており、上記のような接続部の構成ではこの要求に応えることができなかった。
例えば、周辺回路を内蔵した液晶表示装置において、ビデオ信号をサンプリングする入出力配線部では、ビット数が多くなる程、平行に延びるビデオ信号線の本数が増え、第２導電層とビデオ信号線とのコンタクトホール数が飛躍的に多くなり、当該入出力配線部が占める面積が増大する。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、素子の微細化、高集積化に対応し得る構造の接続部を有する電気光学装置および半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を有する電気光学装置であって、基板上に、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された第１導電層と、前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部とを具備し、少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の電気光学装置は、第１導電層と第２導電層とがコンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することでこれら導電層が電気的に接続された接続部を具備している。よって、この構成によれば、第１導電層と第２導電層とからなる隣接パターンを密に配置することができ、高集積化を図ることができる。しかしながら、コンタクトホール形成工程における絶縁層のエッチング時にコンタクトホール底面に他の絶縁層が露出していたとすると、エッチングが深くまで進行してしまう恐れがある。その場合、コンタクトホール内壁面に沿って形成する第２導電層のカバレッジが悪くなり、断線不良、信頼性不良等の原因になることが考えられる。これに対して、本発明の場合、少なくともコンタクトホールの底面の下方にあたる領域に第１絶縁層のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられているので、第２絶縁層、第１絶縁層を順次エッチングしたとしても、エッチャントがエッチング停止層に到達した時点でエッチングが停止し、それ以上進行することがない。よって、コンタクトホールの形状が異常に深くなることがなく、その内壁面に沿って第２導電層が確実に形成されるため、信頼性低下の問題を回避することができる。
【００１０】
前記エッチング停止層の構成材料としては、第１絶縁層のエッチングにおけるエッチング選択比が充分大きく取れるものであれば、導電膜、半導体膜を問わず用いることができる。例えばアクティブマトリクス方式の電気光学装置における走査線等の配線、もしくはトランジスタ等の素子を構成する導電膜や半導体膜の中で、コンタクトホールの底面にあたる位置に形成し得る膜があれば、その膜を用いることが望ましい。その場合、エッチング停止層を形成するためだけに特別な工程を設ける必要がなく、製造プロセスが複雑にならなくて済む。なお、前記導電膜もしくは前記半導体膜は、これらが素子や配線を構成して電気的に機能するものである必要はなく、他の素子や配線から電気的に絶縁されているものであればよい。
【００１１】
また、平面視した際にコンタクトホールのパターンが第１導電層のパターンの外方にはみ出しており、コンタクトホールのパターンがはみ出した側に第１導電層と同一層の他のパターンが配置されていることが望ましい。
この構成によれば、第１導電層の設計ルールが変わらなくても、例えば第１導電層と第２導電層とからなる隣接パターンを密に配置する構成を具体的に実現することができ、高集積化を図ることができる。
【００１２】
本発明の半導体装置は、基板上に、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された第１導電層と、前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部とを具備し、少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層が形成されたことを特徴とする。
【００１３】
エッチング停止層としては、導電膜、半導体膜のいずれかを用いることができる。これら導電膜もしくは前記半導体膜は、素子や配線を構成して電気的に機能するものである必要はなく、他の素子や配線から電気的に絶縁されているものであればよい。また、平面視した際にコンタクトホールのパターンが第１導電層のパターンの外方にはみ出しており、コンタクトホールのパターンがはみ出した側に第１導電層と同一層の他のパターンが配置されていることが望ましい。
【００１４】
本発明の半導体装置においても、上記本発明の電気光学装置と同様の作用、効果を奏することができ、高集積化に対応し得るとともに信頼性の高い接続部を有する半導体装置を実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図１（ａ）は、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）における配線間の接続部を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。本実施の形態の液晶表示装置は周辺回路を内蔵したアクティブマトリクス方式のものであり、素子基板と対向基板との間に液晶が挟持されている。そして、素子基板上に多数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，　以下、ＴＦＴと略記する）を有しており、これらＴＦＴを構成するシリコン層、第１導電層、第２導電層、画素電極等の導電膜が絶縁膜を介して基板側から順に形成されている。
【００１６】
本実施の形態における接続部１は、平面的には図１（ａ）に示すように、図示横方向に延びる第１導電層２と図示縦方向に延びる第２導電層３とがその交差個所に設けられたコンタクトホール４を介して接続されたものである。なお、この接続部１の右側に第２導電層３と略平行に延びる配線５は隣接第１導電層である。ただし、第１導電層２と第２導電層３とは完全に交差しているわけではなく、第１導電層２の端部は第２導電層３の幅方向の一部で第２導電層３と重なっているのみである。矩形状のコンタクトホール４は第２導電層３の幅方向の略中央に配置され、第１導電層２の端部の外方（隣接第１導電層５側）にはみ出しており、コンタクトホール４の一部に第１導電層２が重なっている。そして、コンタクトホール４のパターンを囲むように矩形状のエッチング停止層６が設けられている。
周辺回路を内蔵したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を想定すると、周辺回路において、配線と配線との接続部、あるいは配線と素子との接続部に本発明の構成が適用される。ここでは図１（ａ）に示すように第２導電層３を１本とし、第１導電層２のみを第２導電層３に接続した場合を例として説明するが、本発明は、第１導電層が１本の場合に限らず、第１導電層が多数本の場合、前記第１導電層のそれぞれに第２導電層を接続する場合にも適用できるものである。
【００１７】
断面構造を見ると、図１（ｂ）に示すように、基板７上に下地絶縁膜８、第１絶縁膜９が順次積層され、第１絶縁膜９上に第１導電層２が形成され、第１導電層２を覆うように第１絶縁膜９上に第２絶縁膜１１が形成されている。そして、第２絶縁膜１１を完全に貫通し、第１絶縁膜９を完全には貫通しないコンタクトホール４が形成されている。つまり、コンタクトホール９の底面が第１絶縁膜９の膜厚方向の途中に位置しており、コンタクトホール９の下方に第１絶縁膜９が残存している。また、コンタクトホール４の側面の一部に第１導電層２の端部が位置しており、コンタクトホール４の内壁面に沿って第２導電層３が形成され、第２導電層３と第１導電層２とが接触することにより、これら導電層２，３が電気的に接続されている。そして、下地絶縁膜８上のコンタクトホール４底面の下方にあたる位置に、エッチング停止層６が形成されている。このエッチング停止層６は、第１絶縁膜９とのエッチング選択比が高く、第１絶縁膜９に対するエッチング耐性が充分に高いものである。
【００１８】
なお、具体的な構成材料の例としては、下地絶縁膜８、第１、第２絶縁膜９，１１としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アクリル等の樹脂膜等が用いられ、第１導電層２および第２導電層３としてＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属膜、もしくは導電性を有する多結晶シリコン膜等が用いられ、エッチング停止層６としてシリコン等の半導体膜、金属膜等の種々の膜が用いられる。ただし、本実施の形態の場合、エッチング停止層６としてＴＦＴを構成する半導体層と同一層からなるシリコン膜を用いることが望ましい。本実施の形態において、エッチング停止層６として用いたシリコン膜はＴＦＴの半導体層と一体のものではなく、ＴＦＴの半導体層から孤立した別個のパターンである。よって、このエッチング停止層６は、電気的にはフローティングの状態にある。
【００１９】
上記構成の接続部１を形成する際には、第１導電層２を覆うように第２絶縁膜１１を積層した後、周知のフォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて第２絶縁膜１１のエッチングを行う。ここで、第１導電層２の端部が、形成されつつあるコンタクトホール４の側面に露出する。次いで、コンタクトホール４をより深くして次工程で形成する第２導電層３との接続を確実にするために、第１絶縁膜９の一部をエッチングする。図１（ｂ）では第１絶縁膜９の膜厚方向の一部のみしかエッチングされていないが、仮に第１絶縁膜９の膜厚方向の全てがエッチングされたとしても、エッチャントがエッチング停止層６に到達した時点でエッチングは自然に停止する。その後、第２導電層３となる導電層を成膜し、パターニングすることによって第２導電層３を形成すると、本実施の形態の接続部１が完成する。
【００２０】
なお、第１絶縁膜９と第２絶縁膜１１として異種の材料を用いた場合には、エッチャントを変えることで上記２段階の絶縁膜エッチングを行うことができる。第１絶縁膜９と第２絶縁膜１１として同種の材料を用いた場合には、エッチャントを変えることなく、第２絶縁膜１１のオーバーエッチングで第１絶縁膜９もエッチングされ、図１（ｂ）のような状態となる。また、異種の材料であっても、両者のエッチング選択比が小さい場合には、エッチャントを変えなくても図１（ｂ）のような状態となることが充分に考えられる。このような種々の場合において本実施の形態の構成が有効となる。
【００２１】
本実施の形態の液晶表示装置においては、コンタクトホール４のパターンを第１導電層２の端部の外側にはみ出させる構成とし、それに伴って第２導電層３を隣接第１導電層５寄りに配置したことによって隣接パターンを密に配置することができ、高集積化を図ることができる。例えば、ゲート層のパターン間の最小スペース寸法が図６（ａ）の場合と同様、Ｓであったとしても、結果的に第２導電層３と隣接第１導電層５との間隔を図６（ａ）の場合よりも狭めることができる。このように、この接続部１の構成を採用することによって隣接パターンを密に配置することができ、高集積化を図ることができる。
【００２２】
また、下地絶縁膜８上のコンタクトホール４の底面の下方にあたる領域に第１絶縁層９のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層６が設けられているので、第１絶縁層９のエッチング時にエッチャントがエッチング停止層６に到達した時点でエッチングが停止し、それ以上進行することがない。よって、コンタクトホール４が異常に深くなることでコンタクトホール４の最深部で第２導電層３を構成する導電膜のカバレッジが悪くなり、第２導電層３が断線して信頼性が低下するような不具合が生じない。すなわち、コンタクトホール４の内壁面に沿って第２導電層３が確実に形成されるため、第２導電層３の断線による信頼性低下の問題を回避することができる。
【００２３】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図２（ａ）は、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）における配線間の接続部を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。なお、図３（ａ）および図３（ｂ）は、図２（ａ）と対比して説明するための従来の接続部を示す平面図である。本実施の形態も第１の実施の形態と同様、周辺回路を内蔵したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置であり、基板側からシリコン層、第１導電層、第２導電層、画素電極等の導電膜を有する例を挙げて説明する。
【００２４】
本実施の形態の接続部３１は、図２（ａ）に示すように、図示縦方向に略平行に延びる３本の第１導電層３２ａ，３２ｂ，３２ｃのうち、右側の第１導電層３２ａを跨ぐようにして中央の第１導電層３２ｂに第２導電層３３を接続した例である。周辺回路を内蔵したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を想定すると、ビデオ信号をサンプリングする入出力配線部において、第１導電層３２ａ，３２ｂ，３２ｃがビデオ信号を供給するビデオ信号線に対応し、第２導電層３３がサンプリングのための素子に接続される配線に対応する。ビデオ信号線はビット数に応じて増加する。例えばビデオ信号線を３本に展開した３ビットの場合のブロック図を図７に示す。ビデオ信号線３２ａ，３２ｂ，３２ｃが略平行に配置され、それぞれのビデオ信号線に接続された配線３３ａ，３３ｂ，３３ｃが設けられ、配線３３ａ，３３ｂ，３３ｃがそれぞれサンプリング素子７１ａ，７１ｂ，７１ｃを介してソース線に接続されている。本発明は、ビデオ信号線３２ａ，３２ｂ，３２ｃが配線３３ａ，３３ｂ，３３ｃとそれぞれ接続されるコンタクト部分に適用される。サンプリング素子７１ａ，７１ｂ，７１ｃは例えばＴＦＴで構成される。ここでは図２（ａ）に示すように第１導電層を３本とし、その中央に配置された第１導電層３２ｂのみに第２導電層３３を接続した場合を例として説明するが、本発明は、第１導電層が３本の場合に限らず、上述したようにビット数に応じてビデオ信号線（第１導電層）が増大し、その全てのビデオ信号線のそれぞれに第２導電層を接続する場合にも適用できるものである。
図２（ａ）の説明に戻る。中央の第１導電層３２ｂの幅方向から両側方にはみ出すようにコンタクトホール３４が形成され、コンタクトホール３４のパターンを囲むように矩形状のエッチング停止層３５が設けられている。そして、第２導電層３３が、エッチング停止層３５のパターンと重なるように右側の第１導電層３２ａを跨いで延びている。
【００２５】
断面構造を見ると、図２（ｂ）に示すように、基板３７上に下地絶縁膜３８、第１絶縁膜３９が順次積層され、第１絶縁膜３９上に第１導電層３２ａ，３２ｂ，３２ｃが形成され、これら第１導電層３２ａ，３２ｂ，３２ｃを覆うように第１絶縁膜３９上に第２絶縁膜４０が形成されている。そして、第２絶縁膜４０を貫通するコンタクトホール３４が形成され、コンタクトホール３４の底面の一部に第１導電層３２ｂが位置しており、コンタクトホール３４の内壁面に沿って第２導電層３３が形成され、第２導電層３３と第１導電層３２ｂとが接触することにより、これら配線が電気的に接続されている。そして、下地絶縁膜３８上のコンタクトホール３４底面にあたる位置に、エッチング停止層３５が形成されている。このエッチング停止層３５は、第１絶縁膜３９とのエッチング選択比が高く、第１絶縁膜３９に対するエッチング耐性が充分に高いものである。つまり、本実施の形態の図２（ｂ）では、第１の実施の形態の図１（ｂ）と異なり、コンタクトホール３４の箇所で第１絶縁膜３９が全てエッチングされた状態を示している。
【００２６】
なお、各層の具体的な構成材料としては、第１の実施の形態で例示したものと同じものを用いることができる。上記構成の接続部３１を形成する手順についても第１の実施の形態と同様である。
【００２７】
この例のように、１本の第１導電層を跨いで他の第１導電層と第２導電層とを接続する接続部を設計する場合、従来の構造では、図３の上側に示すように、コンタクトホール４４が完全に第１導電層４２ｂ上に位置するような配置としていた。これに対して、図３の下側に示すように、接続部を設ける第１導電層４２ｅの線幅を細くして第１導電層４２ｅの両側方にコンタクトホール４４がはみ出す構成を採れば、ゲート層のパターン間の最小スペース寸法のルールＳを維持したままで両側の第１導電層４２ｄ，４２ｆを中央の第１導電層４２ｅ寄りに寸法ｔだけ近づけることができるので、図３の上側の構造に比べて隣接パターンを密に配置することができ、高集積化を図ることができる。本実施の形態の接続部３１は基本的に図３の下側の構成を採用したものであり、この高集積化の効果を得ることができる。
【００２８】
それと同時に、コンタクトホール３４の底面にあたる領域に第１絶縁膜３９のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層３５が設けられているので、第１絶縁膜３９のエッチング時にエッチャントがエッチング停止層３５に到達した時点でエッチングが停止し、それ以上進行することがない。よって、コンタクトホール３４の形状が異常に深くなることがなく、その内壁面に沿って第２導電層３３が確実に形成されるため、第２導電層３３の断線による信頼性低下の問題を回避することができる。前述したように、例えば周辺回路を内蔵したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の、ビデオ信号をサンプリングする入出力配線部に本発明を適用すると、さらに大きな高集積化の効果を得ることができる。
【００２９】
［液晶表示装置の全体構成］
本実施の形態の液晶表示装置１００は、図４、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００３０】
上記実施の形態で述べたような接続部１，３１は、例えばデータ線駆動回路２０１、走査線駆動回路２０４等の周辺回路に多く用いられている。例えば、周辺回路にＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｎａｌｏｇ　Ｃｏｎｖｅｒｔｏｒ）等の回路を内蔵する場合、周辺回路部のデジタルデータをサンプリングするラッチの入出力配線部においては、ビット数が多くなる程、第２導電層と第１導電層のコンタクトホール数が飛躍的に多くなり、入出力配線部の占める面積が増大してしまう。さらに、面積の増大を抑えようとすると、コンタクトを配置する余裕がなくなる。その点、本発明によれば、個々の接続部に対して、上で説明したように高集積化が図られる結果、液晶表示装置全体として周辺回路が小型化できるため、表示領域外の周辺領域を狭くすることで狭額縁化が図れる、という効果を奏することができる。
【００３１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば第１、第２の実施の形態においては、下層側の第１導電層に上層側の第２導電層を接続する接続部に対して、第１導電層よりも下層側にあるシリコン層をエッチング停止層に用いる例を示した。この例に代えて、例えば同じ層構成において、下層側の第２導電層と上層側の画素電極とを接続する接続部の場合は、第２導電層よりも下層側にある第１導電層をエッチング停止層に用いてもよい。その他、種々の層を用いて本発明の構成を実現することができる。また、上では液晶表示装置に代表される電気光学装置の例を挙げたが、本発明は、液晶表示装置に限らず、ＥＬ素子を搭載する表示装置等のあらゆる電気光学装置、もしくはその他の半導体装置に適用することも可能である。
【００３２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、電気光学装置や半導体装置を構成する各種回路等において、隣接パターンを密に配置することができ、高集積化が図れるのと同時に、接続部のコンタクトホール形状が異常に深くなることがなく、その内壁面に沿って導電層が確実に形成されるため、信頼性低下の問題を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）における配線間の接続部を示す図であって、図１（ａ）は接続部の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）における配線間の接続部を示す図であって、図２（ａ）は接続部の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。
【図３】同、接続部の高集積化の効果を説明するための従来の接続部の構成を示す平面図である。
【図４】同、液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図５】図４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図６】従来の接続部を示す図であって、図６（ａ）は接続部の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図７】本発明の接続部の適用箇所の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
１，３１　接続部
２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ　第１導電層
３，３３　第２導電層
４，３４　コンタクトホール
５　隣接第１導電層
６，３５　エッチング停止層
７，３７　基板
８，３８　下地絶縁膜
９，３９　第１絶縁膜
１１，４０　第２絶縁膜

Claims

電気光学物質を有する電気光学装置であって、
基板上に、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された第１導電層と、前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部とを具備し、
少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする電気光学装置。
前記エッチング停止層が、導電膜、半導体膜のいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
前記導電膜もしくは前記半導体膜が、他の素子もしくは配線から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
平面視した際に前記コンタクトホールのパターンが前記第１導電層のパターンの外方にはみ出しており、前記コンタクトホールのパターンがはみ出した側に前記第１導電層と同一層の他のパターンが配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
基板上に、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された第１導電層と、前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部とを具備し、
少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする半導体装置。
前記エッチング停止層が、導電膜、半導体膜のいずれかからなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
前記導電膜もしくは前記半導体膜が、他の素子もしくは配線から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
平面視した際に前記コンタクトホールのパターンが前記第１導電層のパターンの外方にはみ出しており、前記コンタクトホールのパターンがはみ出した側に前記第１導電層と同一層の他のパターンが配置されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載の半導体装置。