JP2004040030A - 電圧非直線抵抗体素子 - Google Patents

Abstract

【課題】バリスタ電圧および静電容量を低減可能であり、しかもエネルギー耐量の低下も抑制可能な電圧非直線抵抗体素子構造を提供する。
【解決手段】電圧非直線抵抗体素子１Ａは、第一の電極３Ａ、第二の電極３Ｂ、および第一の電極３Ａと第二の電極３Ｂとの間に介在し、多結晶材料からなる電圧非直線抵抗部６を備えている。電圧非直線抵抗部６が、電極３Ａと電極３Ｂとを接続する複数の抵抗領域６ａ、６ｂ、６ｃを備えている。複数の抵抗領域の粒径や組成等が互いに異なっている。
【選択図】　　　　　　　　　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧非直線抵抗体素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】いわゆるバリスタ素子（電圧非直線抵抗体素子）は、電源回路の安定化、サージ電圧の吸収といった用途に用いられる。最近は、インターフェースなどの信号回路系における静電気対策にバリスタの需要が増加している。電子機器の超小型化、省電力化の推進により、機器の低電圧化が進むに伴い、サージだけでなく静電気放電の脅威が高まり、電子機器の静電気対策が重要課題となってきた。回路の駆動電圧が小さくなるほど、異常電圧による電子機器の誤作動や回路部品の破壊が起こりやすいからである。携帯電話やノートパソコンあるいは携帯型情報端末機器といった電子機器は、外部からの信号を受けるための様々なＩＯ端子を持つため、インターフェースケーブルの接続時等の静電気放電が直接内部信号回路にダメージを与える可能性が高い。携帯電話の場合には、アンテナ部分からの静電気放電も問題である。こうした電圧非直線抵抗体素子の従来技術としては、特開平１１−２０４３０９号公報、特開２０００−３３１８０５号公報が挙げられる。
【０００３】信号回路やアンテナ回路用の静電気放電対策用の電圧非直線抵抗体素子は、信号ラインへの影響をできる限り小さくするために、静電容量が数ｐＦから十数ｐＦといった小さなものであることが望ましい。また、信号線を伝搬してくるノイズを低減するためには、バリスタ電圧をできる限り低くすることが必要である。更に、信号線に過大な電圧が加わったときに対応するため、電圧非直線抵抗体素子は高いエネルギー耐量を有していることが必要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電圧非直線抵抗体素子のバリスタ電圧を低減するためには、一対の対向電極の間隔を小さくすることが必要である。なぜなら、対向電極の間隔を小さくすると、電極間に存在するセラミック粒子の粒界数が減少し、バリスタ電圧が低下するからである。また、対向電極の面積を小さくすることによって、電極間の静電容量も低減することが可能である。
【０００５】しかし、本発明者の検討では、対向電極面積を小さくすると、エネルギー耐量が著しく低下する。これは、電極間の電圧非直線抵抗材料において、サージ電流が一部に集中しやすい傾向があり、対向電極面積が小さくなると、こうした電流集中の傾向が一層強くなるためであった。
【０００６】本発明の課題は、バリスタ電圧および静電容量を低減可能であり、しかもエネルギー耐量の低下も抑制可能な電圧非直線抵抗体素子構造を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第一の態様に係る発明は、第一の電極、第二の電極、および第一の電極と第二の電極との間に介在し、多結晶材料からなる電圧非直線抵抗部を備えている電圧非直線抵抗体素子であって、
電圧非直線抵抗部が複数の抵抗領域を備えていることを特徴とする。
【０００８】また、第二の態様に係る発明は、第一の電極、第二の電極、および第一の電極と第二の電極との間に介在する電圧非直線抵抗部を備えている電圧非直線抵抗体素子であって、電圧非直線抵抗部が、多結晶材料および単結晶材料を備えていることを特徴とする。
【０００９】以下、適宜図面を参照しながら、本発明を詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る素子１Ａの表面電極のパターンを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の素子１のＩｂ−Ｉｂ線断面図である。
【００１０】素子１Ａでは、セラミック基体７の表面７ａにバリスタ構造を形成している。即ち、基体７の両側面７ｃ上に外部電極２Ａ、２Ｂが設けられている。基体７の上面７ａには一対の対向電極３Ａ、３Ｂが形成されており、電極３Ａ、３Ｂはそれぞれ対応する外部電極２Ａ、２Ｂに接続されている。対向電極３Ａと３Ｂとの間に細長いギャップ１０が形成されている。電圧非直線材料６は、対向電極３Ａ、３Ｂを被覆するのと共に、ギャップ１０内に充填されており、これによって対向電極３Ａ、３Ｂ間での抵抗値を制御する。７ｂは底面である。
【００１１】ここで、対向電極３Ａ、３Ｂ間において電流が一部に集中するのは、電圧非直線抵抗部の各導電経路において抵抗値に偏差があり、対向電極の最短距離に沿って電流が集中しやすいからであった。この点について、図２（ａ）を参照しつつ説明する。第一の電極３Ａと第二の電極３Ｂとの間に、多結晶材料からなる電圧非直線抵抗部１６を設ける。このとき、電圧非直線抵抗部１６は、ギャップ１０内に充填されるだけでなく、更にギャップ１０上を被覆し、電極３Ａ、３Ｂの少なくとも一部も被覆する。ここで、対向電極間のバリスタ電圧は組成にも依存するが、一般的に、電極間に介在する多結晶材料の粒界数に比例する傾向がある。つまり、粒界数が多ければバリスタ電圧が高く、粒界数が少なければバリスタ電圧が低くなる。従って、バリスタ電圧を低減するためには、電極間隔を小さくし、粒界数を減らすことが効果的である。
【００１２】しかし、図２（ａ）に示す素子２１のように、電圧非直線抵抗部１６の各部分でのバリスタ電圧は、微視的に見ると一定ではない。なぜなら、導電経路Ａにおけるバリスタ電圧は低く、導電経路Ｂにおけるバリスタ電圧は若干高くなり、導電経路Ｃにおけるバリスタ電圧が最も高くなるからである。この結果、素子にサージ電圧が加わったときには、最短の導電経路Ａにおいて最初に所定のバリスタ電圧に到達し、導電経路Ａに電流が集中し、多量の電流が流れる。このとき、導電経路Ｂ、Ｃにおいては今だ抵抗値が高く、このために電流が流れにくいからである。
【００１３】本発明者は、このような電圧非直線抵抗部の微視的な構造に着目し、以下の変更を加えた。即ち、電圧非直線抵抗部を複数の抵抗領域に区分し、各抵抗領域における粒径を適宜変化させるようにした。
【００１４】例えば、図２（ｂ）に示す素子１Ａにおいては、電圧非直線抵抗部６を、３つの抵抗領域６ａ、６ｂ、６ｃに区分している。そして、ギャップ１０内の最短距離にある抵抗領域６ａの粒径を相対的に小さくし、抵抗領域６ｂ、６ｃの粒径を順に大きくしている。これによって、抵抗領域６ａにおける電極間の粒界数は相対的に多くなり、抵抗領域６ｃにおける電極間の粒界数は少なくなる。従って、図２（ａ）の場合に比べて、抵抗領域６ａ、６ｂ、６ｃの間での粒界数のバラツキは少なくなる。この結果、抵抗領域６ａ、６ｂ、６ｃ間のバリスタ電圧の差を小さくでき、あるいはバリスタ電圧をほぼ同じに調整できる。
【００１５】これによって、サージ電圧が加わったときに、導電経路Ａ、Ｂ、Ｃにそれぞれ電流を流し、最短の導電経路Ａへの電流集中を抑制できる。この結果、電圧非直線抵抗部全体としてのエネルギー耐量が増大する。
【００１６】好適な実施形態においては、複数の抵抗領域のうち、第一の電極と第二の電極との間での導電経路が最短である最短抵抗領域６ａの粒径を、他の抵抗領域６ｂ、６ｃの粒径よりも小さくする。これによって、最短抵抗領域６ａへの電流集中を抑制でき、エネルギー耐量を向上させることができる。
また、上記において、各抵抗領域の組成を異ならせることによって、各抵抗領域におけるバリスタ電圧が同程度になるように調整することもできる。
【００１７】好適な実施形態においては、複数の抵抗領域がそれぞれ層状をなしており、電圧非直線抵抗部が複数の抵抗領域の積層体である。
【００１８】本発明の素子の形態は特に限定されない。好適な実施形態においては、素子がセラミック基体を備えており、セラミック基体の表面に第一の電極および第二の電極が設けられており、第一の電極と第二の電極との間にギャップが形成されており、電圧非直線抵抗部が少なくともギャップを被覆している。
【００１９】この場合、好適な実施形態においては、最短抵抗領域がギャップ内に設けられている。図２（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ）、図６は、この実施形態に係るものである。
【００２０】図３の素子１Ｂにおいては、基体７上の各電極３Ａ、３Ｂの端面８が傾斜面になっている。この結果、ギャップ１０内において、最短の導電経路Ａは基体７の表面７ａに最も近く、基体から離れた導電経路Ｂの距離はＡに比べて若干大きくなる。従って、電圧非直線抵抗部９を複数の抵抗領域９ａ、９ｂ、９ｃに区分する際に、ギャップ１０内の電圧非直線抵抗部も複数の抵抗領域９ａ、９ｂに区分し、抵抗領域９ａの粒径を抵抗領域９ｂの粒径よりも小さくする。
【００２１】図３（ｂ）の素子１Ｃにおいては、基体７上の各電極３Ａ、３Ｂの端面１８が傾斜面になっており、この結果、ギャップ１０の幅が、表面７ａに近いほど大きくなり、電極表面に近づくのにつれて小さくなっている。このため、ギャップ１０内において、最短の導電経路Ａは電極表面に近く、基体表面７ａに隣接する導電経路Ｂの距離はＡに比べて若干大きくなる。従って、電圧非直線抵抗部１１を複数の抵抗領域１１ａ、１１ｂ、１１ｃに区分する際に、ギャップ１０内の電圧非直線抵抗部も複数の抵抗領域１１ａ、１１ｂに区分する。そして、基体表面７ａに近い抵抗領域１１ｂの粒径を、電極表面に近い抵抗領域１１ａの粒径よりも大きくする。
【００２２】好適な実施形態においては、ギャップ内に絶縁体を設け、電圧非直線抵抗部によって絶縁体を被覆する。これによって、一定の高さのエネルギー耐量を確保しつつ、素子の静電容量を一層低減することが可能である。図４は、この実施形態に係る素子１Ｄの要部拡大図である。
【００２３】素子１Ｄにおいては、対向電極３Ａと３Ｂとの間のギャップ１０に低誘電率の絶縁性材料２０を充填する。絶縁性材料２０は、ギャップ１０の全体を充填していてよいが、一部分を充填していてもよい。このようにギャップ１０に低誘電率の絶縁性材料２０を充填することによって、素子の静電容量を低減させることができる。
【００２４】ただし、従来の素子においては、ギャップ１０内の対向電極３Ａと３Ｂとの間の最短導電経路Ａに一層電流集中が起こりやすくなり、エネルギー耐量が低下する。しかし、本発明によれば、絶縁性材料２０を電圧非直線抵抗部１２によって被覆するのに際して、電圧非直線抵抗部１２を複数の抵抗領域１２ａ、１２ｂ、１２ｃに区分する。そして、絶縁性材料２０に最も近い抵抗領域１２ａの粒径を最も小さくし、その上の抵抗領域１２ｂの粒径を若干大きくし、最も上の抵抗領域１２ｃの粒径を最も大きくする。これによって、導電経路Ａ、Ｂ、Ｃにおける各粒界数の差を小さくし、バリスタ電圧が同程度となるように調整する。これによって、素子のエネルギー耐量を高く維持することが可能である。
【００２５】好適な実施形態においては、第一の電極が第一の突出部を備えており、第二の電極が第二の突出部を備えており、ギャップが第一の突出部と第二の突出部との間に形成されている。
【００２６】第一の突出部と第二の突出部との間のギャップの幅を小さくすることによって、バリスタ電圧を低減できる。そして、第一の電極層と第二の電極層とが基体表面上で対向していることから、電極対向面の面積が小さく、従って静電容量を比較的に低く抑制することが可能である。その上、ギャップ数を増加させること、あるいはギャップを長くすることによって、エネルギー耐量を高くすることが可能である。図５、図６はこの実施形態に係るものである。
【００２７】本例ではセラミック基体７は平板形状である。基体７の両側面７ｃ上には外部電極２Ａ、２Ｂが形成されており、各外部電極２Ａ、２Ｂの端部は表面７ａ上に延びている。表面７ａには、外部電極２Ａ、２Ｂの縁部と平行に延びるベース電極５Ａ、５Ｂが形成されており，各ベース電極５Ａ、５Ｂは、それぞれ外部電極２Ａ、２Ｂと接続されている。ベース電極５Ａからは、電極５Ａに対して略垂直方向に延びる複数列の第一の突出部１３Ａ、１３Ｂが形成されている。ベース電極５Ｂからは、電極５Ｂに対して略平行な第二の突出部１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃが延びている。各突出部と各ベース電極とによって、第一の電極３Ａ、第二の電極３Ｂが構成される。各突出部１３Ａ、１３Ｂと、各突出部１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃとの間には、それぞれ細長い矩形のギャップ１９が形成されている。各突出部１３Ａ、１３Ｂとベース電極５Ｂとの間には各先端ギャップ１０が形成されており、各突出部１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃとベース電極５Ａとの間には各先端ギャップ１０が形成されている。各ギャップ１９と各先端ギャップ１０とはつながっている。
【００２８】本例では、第一の突出部１３Ａ、１３Ｂと第二の突出部１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃとの間のギャップ１９の幅を小さくすることによって、バリスタ電圧を低減できる。そして、突出部１３Ａ、１３Ｂと突出部１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃは基体表面７ａ上で対向していることから、電極対向面の面積が小さく、従って静電容量を比較的に低く抑制することが可能である。その上、先端ギャップ１０に加えて突出部間のギャップ１９を設けることによって、素子のエネルギー耐量を向上させることができる。各ギャップ１９を長くしたり、ギャップ１９の個数を増加させることで、エネルギー耐量を一層増大させることができる。
【００２９】そして、図６の拡大図に示すように、電圧非直線抵抗部１５は、ギャップ１９内に充填されている最短の抵抗領域１５ａと、抵抗領域１５ａを被覆する抵抗領域１５ｂと、抵抗領域１５ｂおよび各電極を被覆する抵抗領域１５ｃとからなる。本発明に従い、抵抗領域１５ａの粒径を小さくし、抵抗領域１５ｂの粒径を抵抗領域１５ａの粒径よりも大きくし、抵抗領域１５ｃの粒径を抵抗領域１５ｂの粒径よりも大きくする。これによって、各抵抗領域間での粒界数の差を小さくし、バリスタ電圧の差を小さくする。
【００３０】第二の態様においては、電圧非直線抵抗部が多結晶材料および単結晶材料を備えている。図７（ａ）、（ｂ）を参照しつつ、この発明の利点について述べる。
【００３１】図７（ａ）に示すように、一対の電極２５によって電圧非直線抵抗部２２を挟んだものとする。雷サージが素子に加わると、矢印Ｄのように電流が流れる。ここで、素子のバリスタ電圧を小さくするためには、前述したように電圧非直線抵抗部２２を薄くすることによって、対向電極２５間における粒界数を減らす必要がある。また、素子の静電容量を低くするためには、対向電極２５の間隔を小さくするのと共に、対向電極２５の幅を小さくする必要がある。
【００３２】ところが、対向電極２５の幅を小さくし、かつ間隔を小さくすると、矢印Ｄで示すようなサージ電流が小さい面積に集中し、絶縁破壊を起こしやすくなるので、エネルギー耐量が著しく低下する。
【００３３】そこで、本発明者は、電圧非直線抵抗部の一部を単結晶材料によって形成することを想到した。例えば、図７（ｂ）に示す素子１Ｆにおいては、対向電極２１Ａと２１Ｂとの間に、平板形状の電圧非直線抵抗部２３を設けている。そして、電圧非直線抵抗部２３は、多結晶材料部２２と、多結晶材料部２２を挟む一対の単結晶材料部２４Ａ、２４Ｂとを備えている。
【００３４】このような構造によれば、単結晶材料部２４Ａ、２４Ｂを設けることによって、電極２１Ａと２１Ｂとの間隔を大きくすることができる。これによって、静電容量を一層低減できる。言い換えると、図７（ａ）の素子と対比すると、同程度の静電容量を前提とすると、電極２１Ａ、２１Ｂの幅Ｗを大きくする余地がある。そして、幅Ｗが大きくなると、雷サージ時に矢印Ｅのように広い面積にわたって電流が流れるので、エネルギー耐量が増加する。
【００３５】ただし、図７（ａ）の構造では、電圧非直線抵抗部２２の厚さを大きくし、電極２５の間隔を大きくすると、バリスタ電圧Ｖ_１ｍＡが増大する。しかし、図７（ｂ）の素子においては、単結晶材料部２４Ａ、２４Ｂには１粒界しかない。従って、電極２１Ａと２１Ｂとの間の粒界数は、単結晶材料部２４Ａ、２４Ｂの付加によってほとんど変化せず、従ってバリスタ電圧を低く抑えることができる。以上によって、バリスタ電圧および静電容量の低減とエネルギー耐量の向上とを達成することができる。
【００３６】図８は、第二の態様の発明の一実施形態に係る素子１Ｇを示す断面図である。素子１Ｇでは、セラミック基体７の表面７ａにバリスタ構造を形成している。基体７の両側面７ｃ上に外部電極２Ａ、２Ｂが設けられている。基体７の上面７ａには一対の対向電極３Ａ、３Ｂが形成されており、電極３Ａ、３Ｂはそれぞれ対応する外部電極２Ａ、２Ｂに接続されている。対向電極３Ａと３Ｂとの間に細長いギャップ１０が形成されている。
【００３７】ギャップ１０内には電圧非直線抵抗部２３Ａが形成されている。この電圧非直線抵抗部２３Ａは、中央の多結晶材料部２２Ａと、多結晶材料部２２Ａを挟む一対の単結晶材料部２４Ｃ、２４Ｄからなっている。
【００３８】第一および第二の態様において、好ましくは、本発明素子の８×２０μｓにおけるサージ耐量がすべて５Ａ以上であり、国際電気標準会議（ＩＥＣ）の定める静電気放電イミニュティ試験要求であるＩＥＣ−１０００−４−２のレベル４のＥＳＤ耐量をすべてクリアする。
【００３９】好適な実施形態においては、素子のバリスタ電圧Ｖ１ｍＡが１００Ｖ以下であり、特に好ましくは２０Ｖ以下である。
【００４０】セラミック基体の材質は特に限定されないが、絶縁性を有することが好ましく、以下のものが特に好ましい。
Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ
【００４１】第一の電極層、第二の電極層の材質は特に限定されないが、導電性を有する金属であることが好ましく、銀、銅、金、白金、パラジウム、ニッケルあるいはこれらの合金など、電圧非直線材料と同時焼成できるものが特に好ましい。
【００４２】第一の突出部、第二の突出部の形態は特に限定されないが、細長いストライプ状、あるいは矩形であることが好ましい。
【００４３】第一の突出部と第二の突出部との間のギャップは細長い平面形状を有している。ここで、好ましくはギャップの幅がその全長にわたって略同一である。また，ギャップの平面的形状は、縦横比が３倍以上であることが好ましく、５倍以上であることが更に好ましく、１０倍以上であることが一層好ましい。ギャップの幅は、バリスタ電圧を低減するという観点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００４４】電圧非直線抵抗体材料は特に限定されないが、以下のものを主成分とした材料が特に好ましい。
ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ３
【００４５】第一の態様においては、各抵抗領域の粒径の大小を制御する必要がある。このためには、抵抗領域を生成させるための原料中に、粒子成長促進材を添加することによって、その抵抗領域を構成する多結晶材料の粒径を大きくすることができる。このような粒子成長促進剤としては、ＴｉＯ２を例示できる。
【００４６】また、抵抗領域を生成させるための原料中に、粒子成長を抑制する抑制材を添加することによって、その抵抗領域を構成する多結晶材料の粒径を小さくすることができる。このような粒子成長抑制剤としては、Ｓｂ２Ｏ３を例示できる。
【００４７】抵抗領域中の多結晶材料の粒径は、一般的には１μｍ〜２０μｍとすることが好ましい。また、本発明の観点からは、（最も粒径の大きい抵抗領域における粒径）／（最も粒径の小さい抵抗領域における粒径）は、１．５
以上とすることが好ましく、２以上とすることが更に好ましい。
【００４８】抵抗領域の個数や形態も特に限定されない。しかし、前述のように層状をなしていることが好ましい。また、各抵抗領域は、それぞれ、第一の電極および第二の電極に対して接触していて、独立して導電経路を構成していることが好ましい。
【００４９】また、一つの素子内において、電圧非直線抵抗部を構成する単結晶材料と多結晶材料とは、同種、同組成のものであってよいが、別種，別組成のものであってもよい。しかし、多結晶材料と単結晶材料との熱膨張を合わせるという観点からは、両者が同種のものであることが好ましい。
【００５０】前記単結晶材料としては、以下のものが特に好ましい。
ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ３
【００５１】好適な実施形態においては、外部電極上にニッケル−スズメッキやニッケル−半田メッキ等のメッキを施す。
【００５２】本発明の素子の大きさは特に限定するものではなく、数ミリ〜数百ミクロンオーダーが一般的であるが、さらに小さくてもまた大きくてもよい。素子の外形は、通常は角柱、四角柱もしくはその角がとれた形が多いが、他の形態でもよい。
【００５３】
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べる。
図１に示す素子１Ａを製造した。具体的には、アルミナ基板７の表面７ａに、電極３Ａ、３Ｂのパターンに合わせて銀／鉛ペーストを塗布した。
【００５４】一方、主成分のＺｎＯに副成分としてＢｉ_２Ｏ_３，Ｃｏ_２Ｏ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３，Ａｌ_２Ｏ_３等を添加した原料に、酢酸ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合し、抵抗領域６ａ用のスラリーを得た。このスラリー中には、更に成長抑制剤として酸化アンチモンを添加した。このスラリーをギャップ１０内に塗布した。
【００５５】次いで、主成分のＺｎＯに副成分としてＢｉ_２Ｏ_３，Ｃｏ_２Ｏ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３，Ａｌ_２Ｏ_３等を添加した原料に、酢酸ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合し、抵抗領域６ｂ用スラリーを得た。このスラリー中には、成長促進剤、抑制剤は添加しなかった。このスラリーを抵抗領域６ａ用スラリー上に塗布する。
【００５６】次いで、主成分のＺｎＯに副成分としてＢｉ_２Ｏ_３，Ｃｏ_２Ｏ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３，Ａｌ_２Ｏ_３等を添加した原料に、酢酸ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合し、抵抗領域６ｃ用スラリーを得た。このスラリー中には、成長促進剤として酸化チタンを添加した。このスラリーは、抵抗領域６ｂ用スラリーおよび電極を被覆するように塗布する。
【００５７】得られた積層体を９００〜９５０℃の酸化性雰囲気下で焼成し、焼結体を得た。焼結体をバレル研磨後、基板７の両側面７ｃにニッケルメッキ電極２Ａ、２Ｂを形成し、素子１Ａを得た。
【００５８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、バリスタ電圧および静電容量を低減可能であり、しかもエネルギー耐量の低下も抑制可能な電圧非直線抵抗体素子構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、第一の態様の発明の一実施形態に係る素子１Ａを示す平面図であり、（ｂ）は、素子１ＡのＩｂ−Ｉｂ線断面図である。
【図２】（ａ）は、従来の素子２１の要部拡大断面図であり、（ｂ）は、本発明の素子１Ａの要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、第一の態様の発明に係る素子１Ｂ、１Ｃの要部拡大断面図である。
【図４】第一の態様の発明に係る素子１Ｄの要部拡大断面図であり、ギャップ１０内に絶縁性材料２０が充填されている。
【図５】（ａ）は、第一の態様の発明に係る素子１Ｅを示す平面図であり、（ｂ）は、素子１ＥのＶｂ−Ｖｂ線断面図であり、（ｃ）は、素子１ＥのＶｃ−Ｖｃ線断面図である。る。
【図６】図５の素子１Ｅの要部拡大断面図である。
【図７】（ａ）は、従来素子の断面図であり、（ｂ）は、第二の態様の発明に係る素子１Ｆを示す断面図である。
【図８】第二の態様の発明に係る素子１Ｇを示す断面図である。
【符号の説明】１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ　電圧非直線抵抗体素子
２Ａ、２Ｂ　外部電極　　　　　３Ａ　第一の電極　　　　３Ｂ　第二の電極　　　　６、９、１１、１２、１５、２３　電圧非直線抵抗部　　　　６ａ、９ａ、１１ａ、１２ａ、１５ａ　最短の抵抗領域　　　　６ｂ、６ｃ、９ｂ、９ｃ、１１ｂ、１１ｃ、１２ｂ、１２ｃ、１５ｂ、１５ｃ　抵抗領域　　　　７セラミック基体　　　　１０　ギャップ　　　　　１３Ａ、１３Ｂ　第一の突出部
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ　第二の突出部　　　　２２　多結晶材料部
２４Ａ、２４Ｂ　単結晶材料部

Claims (12)

1. 第一の電極、第二の電極、および前記第一の電極と前記第二の電極との間に介在し、多結晶材料からなる電圧非直線抵抗部を備えている電圧非直線抵抗体素子であって、
   前記電圧非直線抵抗部が複数の抵抗領域を備えていることを特徴とする、電圧非直線抵抗体素子。
2. 前記複数の抵抗領域が、異なる粒径または組成からなることを特徴とする、請求項１記載の素子。
3. 前記複数の抵抗領域のうち、前記第一の電極と前記第二の電極との間での導電経路が最短である最短抵抗領域を構成する多結晶材料の粒径が、他の抵抗領域を構成する多結晶材料の粒径よりも小さいことを特徴とする、請求項２記載の素子。
4. 前記複数の抵抗領域がそれぞれ層状をなしていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の素子。
5. セラミック基体を備えており、このセラミック基体の表面に前記第一の電極および前記第二の電極が設けられており、前記第一の電極と前記第二の電極との間にギャップが形成されており、前記電圧非直線抵抗部が少なくとも前記ギャップを被覆していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の素子。
6. 前記最短抵抗領域が前記ギャップ内に設けられていることを特徴とする、請求項５記載の素子。
7. 前記ギャップ内に絶縁体が設けられており、前記電圧非直線抵抗部が前記絶縁体を被覆していることを特徴とする、請求項５記載の素子。
8. 前記第一の電極が第一の突出部を備えており、前記第二の電極が第二の突出部を備えており、前記ギャップが前記第一の突出部と前記第二の突出部との間に形成されていることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一つの請求項に記載の素子。
9. 第一の電極、第二の電極、および前記第一の電極と前記第二の電極との間に介在する電圧非直線抵抗部を備えている電圧非直線抵抗体素子であって、
   前記電圧非直線抵抗部が、多結晶材料および単結晶材料を備えていることを特徴とする、電圧非直線抵抗体素子。
10. 前記第一の電極と前記第二の電極との最短導電経路に前記多結晶材料および前記単結晶材料が介在していることを特徴とする、請求項９記載の素子。
11. セラミック基体を備えており、このセラミック基体の表面に前記第一の電極および前記第二の電極が設けられており、前記第一の電極と前記第二の電極との間にギャップが形成されており、前記電圧非直線抵抗部が少なくとも前記ギャップを被覆していることを特徴とする、請求項９または１０記載の素子。
12. 前記ギャップ内に前記多結晶材料および前記単結晶材料が設けられていることを特徴とする、請求項１１記載の素子。

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