JP2004032557A - 高周波部品 - Google Patents
高周波部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004032557A JP2004032557A JP2002188676A JP2002188676A JP2004032557A JP 2004032557 A JP2004032557 A JP 2004032557A JP 2002188676 A JP2002188676 A JP 2002188676A JP 2002188676 A JP2002188676 A JP 2002188676A JP 2004032557 A JP2004032557 A JP 2004032557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission lines
- line
- filter
- transmission line
- main transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
【課題】全体構造の小型化が可能で、かつ設計の自由度を向上させることができる高性能の高周波部品を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層からなる積層体5の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体5の両主面等にグランド電極6を被着させた高周波部品において、前記フィルタ用ストリップライン及び前記トラップ用ストリップラインは異なる誘電体層間に介在された主伝送線路1a、2a、2b及び副伝送線路3と、両伝送線路間の誘電体層内に埋設され、両伝送線路を電気的に接続するビアホール導体4とで構成されており、且つ主伝送線路−副伝送線路間に位置する誘電体層間で、フィルタ用ストリップライン2の主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域からトラップ用ストリップライン1の主伝送線路1a、2a、2bと副伝送線路3とで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体7を配設する。
【選択図】図1
【解決手段】複数の誘電体層からなる積層体5の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体5の両主面等にグランド電極6を被着させた高周波部品において、前記フィルタ用ストリップライン及び前記トラップ用ストリップラインは異なる誘電体層間に介在された主伝送線路1a、2a、2b及び副伝送線路3と、両伝送線路間の誘電体層内に埋設され、両伝送線路を電気的に接続するビアホール導体4とで構成されており、且つ主伝送線路−副伝送線路間に位置する誘電体層間で、フィルタ用ストリップライン2の主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域からトラップ用ストリップライン1の主伝送線路1a、2a、2bと副伝送線路3とで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体7を配設する。
【選択図】図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話やパーソナルコンピュータ等の各種通信機器に組み込まれて用いられる高周波部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、携帯電話等の通信機器に組み込まれる高周波部品として積層型の誘電体フィルタが用いられている。
【0003】
従来の積層型誘電体フィルタとしては、複数の誘電体層を積層してなる積層体の内部に、フィルタ回路とトラップ回路とを併設したタイプのものが知られており、フィルタ回路の入力側もしくは出力側にトラップ回路を接続することによってフィルタの減衰周波数領域を広くするようにしていた。
【0004】
かかる従来の積層型誘電体フィルタの構造について図8〜図10を用いて説明する。図8は従来の積層型誘電体フィルタの分解斜視図、図9は図8の積層型誘電体フィルタを上面側より見た平面図、図10は図9のA−A線断面図である。
【0005】
同図に示す積層型誘電体フィルタ100は、複数の誘電体層500a〜500fからなる積層体500の両主面及び端面にグランド電極600a、600b、600cが形成され、積層体500の内部にフィルタ回路とトラップ回路とが併設されている。フィルタ回路及びトラップ回路は、誘電体層500dの一主面に被着された主伝送線路201a,202a、202bと誘電体層500b,500fの一主面に被着された副伝送線路300a,300b,300c,300d,300e,300fとこれらの伝送線路を相互に接続する複数個のビアホール導体とによって構成されており、フィルタ回路は主伝送線路202a,202b及び副伝送線路300b,300c,300e,300fを対応するもの同士組み合わせて構成される2個の平行なストリップラインからなり、トラップ回路は主伝送線路201a及び副伝送線路300a,300dをビアホール導体を介して接続した1個のストリップラインからなっている。そして、各ストリップラインの主伝送線路201a,202a、202bは、その一端側が開放端に、他方側がグランド電極600cと接続されて短絡端となっており、その近傍には入出力電極800、900が形成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の積層型誘電体フィルタ100においては、誘電体層500a〜500fを形成する誘電体材料の誘電率や各ストリップラインの主伝送線路202a、202bの長さ等を調整することにより所望する中心周波数を得、また各ストリップライン間に形成される電磁結合の度合いや静電結合の度合いによってフィルタの通過帯域幅及び減衰極の位置が決定されるようになっている。従って、フィルタ特性の異なる複数種の積層型誘電体フィルタ100を製作する場合には、ストリップライン間の間隔やストリップラインの長さ、幅等を個々に調整することで所望する通過帯域幅を有した積層型誘電体フィルタを設計する必要があり、高周波部品の設計が複雑で、その自由度も低い上に、通過帯域幅によってはストリップライン間の間隔が大きくなることによって全体構造が大型化してしまうものもあり、高周波部品の小型化に供しないという欠点も有していた。
【0007】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、全体構造の小型化が可能で、かつ設計の自由度を向上させることができる高性能の高周波部品を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波部品は、少なくとも4層の誘電体層を積層してなる積層体の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体の両主面及び一端面にグランド電極を被着させた高周波部品において、前記フィルタ用ストリップライン及び前記トラップ用ストリップラインは、異なる誘電体層間に介在される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路間の誘電体層内に埋設され、両伝送線路を電気的に接続するビアホール導体とで構成されており、且つ前記主伝送線路−副伝送線路間に位置する誘電体層間で、フィルタ用ストリップラインの主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域からトラップ用ストリップラインの主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体を配設したことを特徴とするものである。
【0009】
本発明によれば、トラップ用ストリップラインとフィルタ用ストリップラインとの間に電磁界結合を最適化するための結合導体を配設したことにより、フィルタの減衰域特性が良好で、しかも設計の自由度を向上させることが可能な、小型の高周波部品を得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る高周波部品の分解斜視図、図2は図1の高周波部品を上面側から見た透視図、図3は図2のB−B線断面図であり、同図に示す高周波部品Fは、少なくとも4層の誘電体層を積層してなる積層体5の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体5の両主面及び一端面に、基準電位(GND)に保持されるグランド電極6(6a,6b,6c)を被着させた構造を有している。尚、本実施形態においては、積層体5を形成する誘電体層の積層数を6層としており、6層の誘電体層5a〜5fを厚み方向に積層することによって積層体5を構成している。
【0011】
前記積層体5の各誘電体層5a〜5fは、比較的低温での焼成が可能な酸化物やガラス材料、例えば、BaO−TiO2系、Ca−TiO2系、MgO−TiO2系ガラスやBiVO4、CuO、Li2O、B2O3等の酸化物によって形成されており、各層5a〜5fの厚みは例えば50〜300μmに設定される。このような積層体5は従来周知のセラミックグリーンシート積層法等を採用し、6枚のセラミックグリーンシートを積層してプレス成形した後、これを高温で焼成することによって一体的に製作される。
【0012】
また前記誘電体層5b〜5eには、その内部に複数(各誘電体層に3個ずつ)のビアホール導体4a〜4cが埋設されており、これらのビアホール導体4a〜4cによって後述する各ストリップラインの主伝送線路1a,2a、2bと副伝送線路3a,3b,3c,3d,3e,3fとを相互に電気的に接続している。
【0013】
更に上述した6層の誘電体層のうち、誘電体層5dの一主面には、一端側を開放端とし、他端側をグランド電極6cに接続させて基準電位(GND)に短絡させた3個の主伝送線路1a,2a,2bが平行に形成されており、これらの主伝送線路1a,2a,2bをグランド電極6a,6bに対し間に誘電体層5a〜5fを介して対向配置させてある。
【0014】
また更に上述した6層の誘電体層のうち、誘電体層5bの一主面には副伝送線路3a,3b,3cが、誘電体層5fの一主面には副伝送線路3d,3e,3fが先に述べた主伝送線路1a,2a,2bと誘電体層5b〜5eを介して対面するようにしてパターン形成されており、各副伝送線路3a,3b,3c,3d,3e,3fを各一端側でビアホール導体4a,4b,4cを介して主伝送線路1a,2a,2bと接続させることにより、3個のストリップラインを形成している。具体的には、主伝送線路1aと副伝送線路3a,3dとビアホール導体4aとによってトラップ回路用のストリップライン(トラップ用ストリップライン)が1個形成され、主伝送線路2a,2bと副伝送線路3b,3c,3e,3fとビアホール導体4b、4cとによってフィルタ回路用のストリップライン(フィルタ用ストリップライン)が2個形成され、合計3個のストリップラインが平行に併設された形となっている。尚、本実施形態においては、副伝送線路3a、3b、3cと副伝送線路3d、3e、3fの長さを略等しく設定している。
【0015】
更にまた上述した6層の誘電体層のうち、誘電体層5cの一主面には入力ライン8と出力ライン9とが各ストリップラインの伝送線路に対し略直交する方向に形成されており、入力ライン8は、誘電体層5cの一端からトラップ用ストリップラインの主伝送線路1aと副伝送線路3aとで囲まれた領域を経てトラップ用ストリップラインの隣に位置する一方のフィルタ用ストリップライン(3個のストリップラインのうち中央のもの)の主伝送線路2aと副伝送線路3bとの間の領域まで導出され、一方、出力ライン9は他方のフィルタ用ストリップラインの主伝送線路2bと副伝送線路3cとの間の領域から誘電体層5cの他端まで導出されている。
【0016】
そして上述した積層体5内の所定位置、具体的には、主伝送線路1a,2a,2b−副伝送線路3a,3b,3c間に位置する誘電体層間5c−5dで、フィルタ用ストリップラインの主伝送線路2aと副伝送線路3bとで囲まれる領域からトラップ用ストリップラインの主伝送線路1aと副伝送線路3aとで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体7が帯状に配設されている。
【0017】
前記結合導体7は、誘電体層5cの一主面上で、ビアホール導体4a,4bよりも外側位置に、入力ライン8と平行な方向(各伝送線路と直交する方向)に配設されており、上述した如く、フィルタ用ストリップラインとトラップ用ストリップラインとの間に所定の静電結合を形成することによって主伝送線路1a、2aとグランド電極6aとの間に新たな容量成分が形成される。これにより、結合導体7の幅や長さを可変させて、フィルタ用ストリップラインとトラップ用ストリップラインとの静電結合の度合いを調整するだけで、フィルタの減衰極特性を最適化することができるようになり、各ストリップライン間の間隔やストリップラインの長さ、幅等を個々に調整するといった煩わしい設計を行うことなく、所望する通過帯域幅を有した高周波部品を比較的簡単に得ることが可能となる。従って、高周波部品の設計の自由度が向上される。
【0018】
またこの場合、通過帯域幅によってストリップライン間の間隔を変化させる必要がないことから、全体構造の大型化を有効に防止することができ、高周波部品の小型化に供することもできる。
【0019】
尚、上述した積層体5の内部や表面に設けられる主伝送線路1a、2a、2b、副伝送線路3a〜3f、ビアホール導体4a〜4c、グランド電極6a〜6c及び結合導体7の材質としては、例えば、Ag、Ag−Pd合金、Cu等の金属を主成分とする導体材料が用いられ、かかる導電材料を含む導電ペーストを例えば従来周知のスクリーン印刷等によって各誘電体層5a〜5fの主面等に所定パターンに印刷・塗布し、これらを誘電体層5a〜5fを一体焼成する際に同時に焼成することにより形成される。
【0020】
かくして上述した高周波部品Fは、主伝送線路1a、2a、2b、副伝送線路3a〜3fとビアホール導体4a〜4c及びグランド電極6a〜6cとの間に容量成分と誘導成分とがそれぞれ形成され、1/4λのL−C共振回路が3つ構成された共振器として機能する。
【0021】
次に上述した高周波部品Fの作用効果について図4〜図7を用いて説明する。尚、図4は結合導体を用いて形成した本発明品の周波数特性を示す図、図5は結合導体を用いずに形成した従来品の周波数特性を示す図であり、図6は本発明品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図、図7は従来品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図である。
【0022】
フィルタ用ストリップラインとトラップ用ストリップラインとの静電結合の度合いは、先に述べたように結合導体7の幅や長さを変えることによって調整され、これによりフィルタの電磁界結合の度合いを変化させて減衰極特性が最適化される。
【0023】
結合導体7を用いて形成した本発明品の通過帯域特性(図4参照)によれば、通過帯域の右肩側の減衰域周波数帯の減衰域中心周波数fsにおける減衰量が約29dBであるのに対し、結合導体を形成しなかった従来品の通過帯域特性(図5参照)では減衰域中心周波数fsにおける減衰量が約17dBとなっており、本発明品が従来品に比べて約12dBほど改善されている。
【0024】
また減衰域周波数帯における電磁界分布を比較すると、本発明品の電磁界分布図(図6参照)では電磁界分布が主伝送線路2aに殆どかかっておらず、主伝送線路1a近傍に閉じ込められているため、フィルタ特性に悪影響を及ぼすことがないのに対し、従来品の電磁界分布図(図7参照)では減衰域周波数帯での電磁界分布が主伝送線路1a近傍に閉じ込めらておらず、主伝送線路2aの全面に漏れているため、この漏れがフィルタ回路を形成する主伝送線路2a、2bに達して、減衰域中心周波数fsにおける減衰量に悪影響を及ぼすこととなる。
【0025】
これらの比較より、本発明品における減衰域中心周波数fsの減衰量が従来品に比し大幅に改善されていることが判る。
【0026】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【0027】
例えば、上述の実施形態においては、積層体5を形成する誘電体層の積層数を6層としたが、積層体5を形成する誘電体層の積層数は4層以上であれば何層であっても良い。
【0028】
また上述の実施形態においては、1個の主伝送線路とその上下両側に配されている2個の副伝送線路を用いて各ストリップラインを構成するようにしたが、1個の主伝送線路と1個の副伝送線路とで各ストリップラインを構成するようにしても構わない。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、トラップ用ストリップラインとフィルタ用ストリップラインとの間に電磁界結合を最適化するための結合導体を配設したことにより、フィルタの減衰域特性が良好で、しかも設計の自由度を向上させることが可能な、小型の高周波部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る高周波部品の分解斜視図である。
【図2】図1の高周波部品を上面側から見た透視図である。
【図3】図2のB−B線断面図である。
【図4】本発明品の周波数特性を示す図である。
【図5】従来品の周波数特性を示す図である。
【図6】本発明品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図である。
【図7】従来品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図である。
【図8】従来の高周波部品の分解斜視図である。
【図9】図8の高周波部品を上面側から見た透視図である。
【図10】図9のA−A線断面図である。
【符号の説明】
1・・・トラップ用ストリップライン
1a・・・主伝送線路
2・・・フィルタ用ストリップライン
2a,2b・・・主伝送線路
3a〜3f・・・副伝送線路
4a〜4c・・・ビアホール導体
5a〜5f・・・誘電体層
6a〜6c・・・グランド電極
7・・・結合導体
8・・・入力ライン
9・・・出力ライン
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話やパーソナルコンピュータ等の各種通信機器に組み込まれて用いられる高周波部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、携帯電話等の通信機器に組み込まれる高周波部品として積層型の誘電体フィルタが用いられている。
【0003】
従来の積層型誘電体フィルタとしては、複数の誘電体層を積層してなる積層体の内部に、フィルタ回路とトラップ回路とを併設したタイプのものが知られており、フィルタ回路の入力側もしくは出力側にトラップ回路を接続することによってフィルタの減衰周波数領域を広くするようにしていた。
【0004】
かかる従来の積層型誘電体フィルタの構造について図8〜図10を用いて説明する。図8は従来の積層型誘電体フィルタの分解斜視図、図9は図8の積層型誘電体フィルタを上面側より見た平面図、図10は図9のA−A線断面図である。
【0005】
同図に示す積層型誘電体フィルタ100は、複数の誘電体層500a〜500fからなる積層体500の両主面及び端面にグランド電極600a、600b、600cが形成され、積層体500の内部にフィルタ回路とトラップ回路とが併設されている。フィルタ回路及びトラップ回路は、誘電体層500dの一主面に被着された主伝送線路201a,202a、202bと誘電体層500b,500fの一主面に被着された副伝送線路300a,300b,300c,300d,300e,300fとこれらの伝送線路を相互に接続する複数個のビアホール導体とによって構成されており、フィルタ回路は主伝送線路202a,202b及び副伝送線路300b,300c,300e,300fを対応するもの同士組み合わせて構成される2個の平行なストリップラインからなり、トラップ回路は主伝送線路201a及び副伝送線路300a,300dをビアホール導体を介して接続した1個のストリップラインからなっている。そして、各ストリップラインの主伝送線路201a,202a、202bは、その一端側が開放端に、他方側がグランド電極600cと接続されて短絡端となっており、その近傍には入出力電極800、900が形成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の積層型誘電体フィルタ100においては、誘電体層500a〜500fを形成する誘電体材料の誘電率や各ストリップラインの主伝送線路202a、202bの長さ等を調整することにより所望する中心周波数を得、また各ストリップライン間に形成される電磁結合の度合いや静電結合の度合いによってフィルタの通過帯域幅及び減衰極の位置が決定されるようになっている。従って、フィルタ特性の異なる複数種の積層型誘電体フィルタ100を製作する場合には、ストリップライン間の間隔やストリップラインの長さ、幅等を個々に調整することで所望する通過帯域幅を有した積層型誘電体フィルタを設計する必要があり、高周波部品の設計が複雑で、その自由度も低い上に、通過帯域幅によってはストリップライン間の間隔が大きくなることによって全体構造が大型化してしまうものもあり、高周波部品の小型化に供しないという欠点も有していた。
【0007】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、全体構造の小型化が可能で、かつ設計の自由度を向上させることができる高性能の高周波部品を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波部品は、少なくとも4層の誘電体層を積層してなる積層体の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体の両主面及び一端面にグランド電極を被着させた高周波部品において、前記フィルタ用ストリップライン及び前記トラップ用ストリップラインは、異なる誘電体層間に介在される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路間の誘電体層内に埋設され、両伝送線路を電気的に接続するビアホール導体とで構成されており、且つ前記主伝送線路−副伝送線路間に位置する誘電体層間で、フィルタ用ストリップラインの主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域からトラップ用ストリップラインの主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体を配設したことを特徴とするものである。
【0009】
本発明によれば、トラップ用ストリップラインとフィルタ用ストリップラインとの間に電磁界結合を最適化するための結合導体を配設したことにより、フィルタの減衰域特性が良好で、しかも設計の自由度を向上させることが可能な、小型の高周波部品を得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る高周波部品の分解斜視図、図2は図1の高周波部品を上面側から見た透視図、図3は図2のB−B線断面図であり、同図に示す高周波部品Fは、少なくとも4層の誘電体層を積層してなる積層体5の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体5の両主面及び一端面に、基準電位(GND)に保持されるグランド電極6(6a,6b,6c)を被着させた構造を有している。尚、本実施形態においては、積層体5を形成する誘電体層の積層数を6層としており、6層の誘電体層5a〜5fを厚み方向に積層することによって積層体5を構成している。
【0011】
前記積層体5の各誘電体層5a〜5fは、比較的低温での焼成が可能な酸化物やガラス材料、例えば、BaO−TiO2系、Ca−TiO2系、MgO−TiO2系ガラスやBiVO4、CuO、Li2O、B2O3等の酸化物によって形成されており、各層5a〜5fの厚みは例えば50〜300μmに設定される。このような積層体5は従来周知のセラミックグリーンシート積層法等を採用し、6枚のセラミックグリーンシートを積層してプレス成形した後、これを高温で焼成することによって一体的に製作される。
【0012】
また前記誘電体層5b〜5eには、その内部に複数(各誘電体層に3個ずつ)のビアホール導体4a〜4cが埋設されており、これらのビアホール導体4a〜4cによって後述する各ストリップラインの主伝送線路1a,2a、2bと副伝送線路3a,3b,3c,3d,3e,3fとを相互に電気的に接続している。
【0013】
更に上述した6層の誘電体層のうち、誘電体層5dの一主面には、一端側を開放端とし、他端側をグランド電極6cに接続させて基準電位(GND)に短絡させた3個の主伝送線路1a,2a,2bが平行に形成されており、これらの主伝送線路1a,2a,2bをグランド電極6a,6bに対し間に誘電体層5a〜5fを介して対向配置させてある。
【0014】
また更に上述した6層の誘電体層のうち、誘電体層5bの一主面には副伝送線路3a,3b,3cが、誘電体層5fの一主面には副伝送線路3d,3e,3fが先に述べた主伝送線路1a,2a,2bと誘電体層5b〜5eを介して対面するようにしてパターン形成されており、各副伝送線路3a,3b,3c,3d,3e,3fを各一端側でビアホール導体4a,4b,4cを介して主伝送線路1a,2a,2bと接続させることにより、3個のストリップラインを形成している。具体的には、主伝送線路1aと副伝送線路3a,3dとビアホール導体4aとによってトラップ回路用のストリップライン(トラップ用ストリップライン)が1個形成され、主伝送線路2a,2bと副伝送線路3b,3c,3e,3fとビアホール導体4b、4cとによってフィルタ回路用のストリップライン(フィルタ用ストリップライン)が2個形成され、合計3個のストリップラインが平行に併設された形となっている。尚、本実施形態においては、副伝送線路3a、3b、3cと副伝送線路3d、3e、3fの長さを略等しく設定している。
【0015】
更にまた上述した6層の誘電体層のうち、誘電体層5cの一主面には入力ライン8と出力ライン9とが各ストリップラインの伝送線路に対し略直交する方向に形成されており、入力ライン8は、誘電体層5cの一端からトラップ用ストリップラインの主伝送線路1aと副伝送線路3aとで囲まれた領域を経てトラップ用ストリップラインの隣に位置する一方のフィルタ用ストリップライン(3個のストリップラインのうち中央のもの)の主伝送線路2aと副伝送線路3bとの間の領域まで導出され、一方、出力ライン9は他方のフィルタ用ストリップラインの主伝送線路2bと副伝送線路3cとの間の領域から誘電体層5cの他端まで導出されている。
【0016】
そして上述した積層体5内の所定位置、具体的には、主伝送線路1a,2a,2b−副伝送線路3a,3b,3c間に位置する誘電体層間5c−5dで、フィルタ用ストリップラインの主伝送線路2aと副伝送線路3bとで囲まれる領域からトラップ用ストリップラインの主伝送線路1aと副伝送線路3aとで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体7が帯状に配設されている。
【0017】
前記結合導体7は、誘電体層5cの一主面上で、ビアホール導体4a,4bよりも外側位置に、入力ライン8と平行な方向(各伝送線路と直交する方向)に配設されており、上述した如く、フィルタ用ストリップラインとトラップ用ストリップラインとの間に所定の静電結合を形成することによって主伝送線路1a、2aとグランド電極6aとの間に新たな容量成分が形成される。これにより、結合導体7の幅や長さを可変させて、フィルタ用ストリップラインとトラップ用ストリップラインとの静電結合の度合いを調整するだけで、フィルタの減衰極特性を最適化することができるようになり、各ストリップライン間の間隔やストリップラインの長さ、幅等を個々に調整するといった煩わしい設計を行うことなく、所望する通過帯域幅を有した高周波部品を比較的簡単に得ることが可能となる。従って、高周波部品の設計の自由度が向上される。
【0018】
またこの場合、通過帯域幅によってストリップライン間の間隔を変化させる必要がないことから、全体構造の大型化を有効に防止することができ、高周波部品の小型化に供することもできる。
【0019】
尚、上述した積層体5の内部や表面に設けられる主伝送線路1a、2a、2b、副伝送線路3a〜3f、ビアホール導体4a〜4c、グランド電極6a〜6c及び結合導体7の材質としては、例えば、Ag、Ag−Pd合金、Cu等の金属を主成分とする導体材料が用いられ、かかる導電材料を含む導電ペーストを例えば従来周知のスクリーン印刷等によって各誘電体層5a〜5fの主面等に所定パターンに印刷・塗布し、これらを誘電体層5a〜5fを一体焼成する際に同時に焼成することにより形成される。
【0020】
かくして上述した高周波部品Fは、主伝送線路1a、2a、2b、副伝送線路3a〜3fとビアホール導体4a〜4c及びグランド電極6a〜6cとの間に容量成分と誘導成分とがそれぞれ形成され、1/4λのL−C共振回路が3つ構成された共振器として機能する。
【0021】
次に上述した高周波部品Fの作用効果について図4〜図7を用いて説明する。尚、図4は結合導体を用いて形成した本発明品の周波数特性を示す図、図5は結合導体を用いずに形成した従来品の周波数特性を示す図であり、図6は本発明品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図、図7は従来品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図である。
【0022】
フィルタ用ストリップラインとトラップ用ストリップラインとの静電結合の度合いは、先に述べたように結合導体7の幅や長さを変えることによって調整され、これによりフィルタの電磁界結合の度合いを変化させて減衰極特性が最適化される。
【0023】
結合導体7を用いて形成した本発明品の通過帯域特性(図4参照)によれば、通過帯域の右肩側の減衰域周波数帯の減衰域中心周波数fsにおける減衰量が約29dBであるのに対し、結合導体を形成しなかった従来品の通過帯域特性(図5参照)では減衰域中心周波数fsにおける減衰量が約17dBとなっており、本発明品が従来品に比べて約12dBほど改善されている。
【0024】
また減衰域周波数帯における電磁界分布を比較すると、本発明品の電磁界分布図(図6参照)では電磁界分布が主伝送線路2aに殆どかかっておらず、主伝送線路1a近傍に閉じ込められているため、フィルタ特性に悪影響を及ぼすことがないのに対し、従来品の電磁界分布図(図7参照)では減衰域周波数帯での電磁界分布が主伝送線路1a近傍に閉じ込めらておらず、主伝送線路2aの全面に漏れているため、この漏れがフィルタ回路を形成する主伝送線路2a、2bに達して、減衰域中心周波数fsにおける減衰量に悪影響を及ぼすこととなる。
【0025】
これらの比較より、本発明品における減衰域中心周波数fsの減衰量が従来品に比し大幅に改善されていることが判る。
【0026】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【0027】
例えば、上述の実施形態においては、積層体5を形成する誘電体層の積層数を6層としたが、積層体5を形成する誘電体層の積層数は4層以上であれば何層であっても良い。
【0028】
また上述の実施形態においては、1個の主伝送線路とその上下両側に配されている2個の副伝送線路を用いて各ストリップラインを構成するようにしたが、1個の主伝送線路と1個の副伝送線路とで各ストリップラインを構成するようにしても構わない。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、トラップ用ストリップラインとフィルタ用ストリップラインとの間に電磁界結合を最適化するための結合導体を配設したことにより、フィルタの減衰域特性が良好で、しかも設計の自由度を向上させることが可能な、小型の高周波部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る高周波部品の分解斜視図である。
【図2】図1の高周波部品を上面側から見た透視図である。
【図3】図2のB−B線断面図である。
【図4】本発明品の周波数特性を示す図である。
【図5】従来品の周波数特性を示す図である。
【図6】本発明品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図である。
【図7】従来品のフィルタ特性の減衰域周波数帯における電磁界分布図である。
【図8】従来の高周波部品の分解斜視図である。
【図9】図8の高周波部品を上面側から見た透視図である。
【図10】図9のA−A線断面図である。
【符号の説明】
1・・・トラップ用ストリップライン
1a・・・主伝送線路
2・・・フィルタ用ストリップライン
2a,2b・・・主伝送線路
3a〜3f・・・副伝送線路
4a〜4c・・・ビアホール導体
5a〜5f・・・誘電体層
6a〜6c・・・グランド電極
7・・・結合導体
8・・・入力ライン
9・・・出力ライン
Claims (1)
- 少なくとも4層の誘電体層を積層してなる積層体の内部にフィルタ用ストリップライン及びトラップ用ストリップラインを配設するとともに、前記積層体の両主面及び一端面にグランド電極を被着させた高周波部品において、
前記フィルタ用ストリップライン及び前記トラップ用ストリップラインは、異なる誘電体層間に介在される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路間の誘電体層内に埋設され、両伝送線路を電気的に接続するビアホール導体とで構成されており、且つ前記主伝送線路−副伝送線路間に位置する誘電体層間で、フィルタ用ストリップラインの主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域からトラップ用ストリップラインの主伝送線路と副伝送線路とで囲まれる領域にかけて両ストリップライン間に静電結合を形成するための結合導体を配設したことを特徴とする高周波部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002188676A JP2004032557A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | 高周波部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002188676A JP2004032557A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | 高周波部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004032557A true JP2004032557A (ja) | 2004-01-29 |
Family
ID=31183353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002188676A Pending JP2004032557A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | 高周波部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004032557A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008066198A1 (fr) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Filtre passe-bande multicouche, composant haute fréquence et appareil de communication les utilisant |
-
2002
- 2002-06-27 JP JP2002188676A patent/JP2004032557A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008066198A1 (fr) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Filtre passe-bande multicouche, composant haute fréquence et appareil de communication les utilisant |
JPWO2008066198A1 (ja) * | 2006-12-01 | 2010-03-11 | 日立金属株式会社 | 積層型バンドパスフィルタ、高周波部品及びそれらを用いた通信装置 |
US8093963B2 (en) | 2006-12-01 | 2012-01-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Laminated bandpass filter, high-frequency component and communications apparatus comprising them |
JP5532604B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2014-06-25 | 日立金属株式会社 | 積層型バンドパスフィルタ、高周波部品及びそれらを用いた通信装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002057543A (ja) | 積層型lc部品 | |
JP3567885B2 (ja) | 積層型lcフィルタ | |
JP2004180032A (ja) | 誘電体フィルタ | |
JP4693587B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
JPH07263908A (ja) | チップ型高周波ローパスフィルタ | |
JP4926031B2 (ja) | フィルタ装置 | |
JP4245265B2 (ja) | 複数のフィルタを有する多層配線基板 | |
JP2004032555A (ja) | 高周波部品 | |
JP2004032557A (ja) | 高周波部品 | |
JP4628262B2 (ja) | フィルタ装置 | |
JP4535267B2 (ja) | 電子部品 | |
JP2721626B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
JP4280131B2 (ja) | 積層フィルタ | |
JP2009200988A (ja) | フィルタ装置 | |
JPH11225033A (ja) | 積層型バンドパスフィルタ | |
JP2004266697A (ja) | 積層型バンドパスフィルタ | |
JPH05283906A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
US8130062B2 (en) | Microstripline filter | |
JPH09153703A (ja) | 誘電体積層フィルタ | |
JP4873274B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
JP3860800B2 (ja) | トラップ回路内蔵型フィルタ装置 | |
JP5489745B2 (ja) | フィルタ装置 | |
JP2024024438A (ja) | 電子部品 | |
JPH11355008A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
JPH09153704A (ja) | 誘電体積層フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061017 |