JP2004005045A - 携帯端末装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源が投入され、システムが起動しても誤動作を起こすことのない携帯端末装置を提供する。
【解決手段】メイン電源１およびバックアップ電池１３が共に電源遮断した場合でも、メイン電源１の電源遮断日数およびバックアップ電池１３のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報がＥＥＰＲＯＭ１１に記憶されているので、再度電源投入時にはメイン電源１の電源遮断日数およびバックアップ電池１３のバックアップ可能日数を算出して、ＳＲＡＭ１０の保持データの有効性を判断することができ、有効でない場合はＳＲＡＭ１０を初期化することにより、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがない。
【選択図】 図１
【解決手段】メイン電源１およびバックアップ電池１３が共に電源遮断した場合でも、メイン電源１の電源遮断日数およびバックアップ電池１３のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報がＥＥＰＲＯＭ１１に記憶されているので、再度電源投入時にはメイン電源１の電源遮断日数およびバックアップ電池１３のバックアップ可能日数を算出して、ＳＲＡＭ１０の保持データの有効性を判断することができ、有効でない場合はＳＲＡＭ１０を初期化することにより、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがない。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源供給によりデータを保持できる所定回路への電源をバックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯電話機などの携帯端末装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から携帯電話機などの携帯端末装置は、内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）と、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭなどを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成されている。
【０００３】
ところで、メイン電源の電源遮断状態においてＳＲＡＭのデータを保持するにはバックアップ電池が必要となり、このバックアップ電池として充電可能な二次電池が用いられていることが多い。また、携帯電話機などでは、メイン電源としては、充電可能な二次電池が用いられるのが、一般的である。メイン電源が電源遮断した状態では、バックアップ電池のみでＳＲＡＭのデータ保持とＲＴＣ回路の駆動を行っているが、バックアップ電池さえも長時間充電せずに使用すると、バックアップ電池の蓄積電気量が少なくなり、バックアップ電源が遮断されてしまうことになる。
【０００４】
この状態で再度、メイン電源が投入され、携帯端末装置が起動した際に、バックアップ電池が電源遮断していたことを検出できなければ、ＳＲＡＭの記憶データが破壊されているにもかかわらず、ＳＲＡＭを初期化せずに通常の起動処理を行ってしまい、これによりシステムは誤動作を起こす虞がある。
【０００５】
そこで、従来の携帯端末装置では、図６に示すようにＳＲＡＭのメモリ領域６００の既定アドレスに、データ破壊検出用に既定のデータ（以後マジックナンバーと呼ぶ）６０１を予め書き込んでおき、システムの起動時には必ずマジックナンバーが全て規定値と等しいことを確認することでＳＲＡＭの記憶データの破壊を検出している。
【０００６】
図５は、従来の携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。先ずメイン電源が投入されると、ＳＲＡＭのメモリ領域６００内の全てのマジックナンバー６０１が既定の正常な値となっているかどうかを判断し（ステップＳ５０１）、正常な値であれば、通常の電源起動処理を行い（ステップＳ５０４）、マジックナンバー６０１が既定値と異なっている場合はＳＲＡＭのメモリ領域６００の初期化を行い、キャッシュデータなど処理に必要なデータを再構築する（ステップＳ５０２）。次に、ＳＲＡＭの既定のアドレスにマジックナンバーを書き込み（ステップＳ５０３）、この後、通常の電源起動処理を行う（ステップＳ５０４）。
【０００７】
以上説明したように、バックアップ電池が電源遮断し、ＳＲＡＭの記憶データが破壊された場合に、同時にマジックナンバーも破壊されるので、マジックナンバーを検出することで他のデータの有効性を判断することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の携帯端末装置では、バックアップ電池が完全に電源遮断してしまえば、ＳＲＡＭに記憶されているマジックナンバーが確実に破壊されるため、ＳＲＡＭの記憶データが全部無効であることを検出することができるが、完全には電源遮断していない状態でメイン電源が再投入されると、ＳＲＡＭの各セルにおけるデータ保持力のばらつきにより、データが破壊されるセルと破壊されないセルが出てくる。
【０００９】
この場合、ＳＲＡＭに記憶されているマジックナンバーは正常な値を示しているが、ＳＲＡＭ内の実際のデータは一部破壊されているといった現象が起こり得る。このような理由により、従来の携帯端末装置では、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した後、再度電源を投入し、システムを起動すると、誤動作を起こす可能性が残る。
【００１０】
なお、ＳＲＡＭに記憶させるマジックナンバーの個数を増やしていけば、そのような現象が起こる確率は次第に小さくなっていくが、完全に回避する事はできず、また、マジックナンバーの個数を増やす場合、ＳＲＡＭの全メモリ領域に均一にマジックナンバーを記憶させる方が効果的であるが、均一の記憶させると、ＳＲＡＭのメモリ領域がマジックナンバーによって細切れになってしまい、システムのデータ管理が複雑化し、かつ非効率になってしまうので実用的でない。
【００１１】
本件とは適用分野が異なるが、例えば、特開平２−１９２３５９号公報に示されるファクシミリ装置では、バックアップ用コンデンサの有効期間と電源遮断時間とを比較してバックアップ内容の有効性を判断するようになっているが、この場合、ＳＲＡＭへの電源が存在することが前提となっており、システム全体の電源が完全に遮断された場合には対処できない。
【００１２】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源が投入され、システムが起動しても誤動作を起こすことのない携帯端末装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
斯かる課題を解決するべく請求項１の発明は、電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源を供給することによりデータを保持できる所定回路への電源を前記バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報を不揮発性メモリに記憶しておき、前記メイン電源の立ち上げ時に、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出し、これらの算出結果により前記所定回路の保持データの有効性を判断するように構成したことを特徴とする携帯端末装置を提供する。
【００１４】
この請求項１の発明によれば、前記メイン電源および前記バックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出して、前記所定回路の保持データの有効性を判断することができる。したがって、その判断結果が、前記所定回路の保持データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記所定回路を例えば初期化することにより、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入しシステムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【００１５】
請求項２の発明は、内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭと、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、少なくとも前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源が遮断していた日数を算出する遮断日数算出手段と、前記バックアップ電池によるバックアップ可能日数を算出するバックアップ可能日数算出手段と、前記遮断日数検出手段における電源遮断日数の算出に必要な情報および前記バックアップ可能日数算出手段におけるバックアップ可能日数の算出に必要な情報を記憶する不揮発性メモリと、前記メイン電源の立ち上げ時に前記電源遮断日数および前記バックアップ可能日数に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性を判断するデータ有効性判断手段とを備えたことを特徴とする携帯端末装置を提供する。
【００１６】
この請求項２の発明によれば、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には、前記不揮発性メモリの情報を用いて前記メイン電源の電源遮断日数が前記遮断日数算出手段により算出され、前記バックアップ電池のバックアップ可能日数はバックアップ可能日数算出手段により算出され、これらの算出結果に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性がデータ有効性判断手段により判断される。
【００１７】
したがって、その判断結果が、前記ＳＲＡＭの記憶データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記ＳＲＡＭを例えば初期化することにより、前記メイン電源および前記バックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【００１８】
請求項３の発明においては、前記ＳＲＡＭの記憶データは、プログラムあるいはデータ格納用の不揮発性メモリに記憶された情報に基づいて再構築が可能で、主に電源立ち上げの高速化を図るためのデータ（例えばキャッシュデータやファイルシステム管理データなど）であり、前記データ有効性判断手段により、無効と判断された場合は、前記ＳＲＡＭを初期化し、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データを再構築するので、ＳＲＡＭのデータ化けが起こった際にもシステムを元の状態に復旧することが可能となり、システムが暴走することを防ぐことができる。
【００１９】
請求項４の発明においては、前記遮断日数算出手段は、前記メイン電源が投入されている間は一定期間毎に定期的に前記不揮発性メモリに日付スタンプを書き込み、前記メイン電源が電源遮断した際には日付スタンプの更新は行わず、前記電源遮断時における日付スタンプと、前記バックアップ電池により動作し続ける前記リアルタイムクロック回路にて更新されている現在の日付データとによる日数差に基づいて、前記メイン電源の電源遮断日数を再度メイン電源が投入された際に算出するので、本処理のために特別なハードウェアを追加することなく、前記メイン電源の電源遮断日数を算出することが可能となり、さらに、大きな消費電流を必要とする不揮発性メモリへの読み書きを前記メイン電源が投入されている間だけで限定できるため、前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を減らさずにシステムを再構築できる。
【００２０】
請求項５の発明においては、前記メイン電源が電源遮断し、前記バックアップ電池による電源立ち上げ時に前記バックアップ電池の電池切れを検出する電池切れ検出手段を備え、前記電池切れ検出手段により電池切れを検出した場合には前記ＳＲＡＭの初期化を行うので、前記リアルタイムクロック回路自体が停止して電源遮断日数を算出できない場合でも、前記ＳＲＡＭを初期化でき、システムの暴走を防止できる。
【００２１】
請求項６の発明においては、前記バックアップ可能日数算出手段は、定期的に日付スタンプを前記不揮発性メモリに書き込む際に、前記バックアップ電池の電圧情報も前記不揮発性メモリに書き込み記憶し、前記バックアップ電池による電源立ち上げ時に、前記電圧情報に基づいてバックアップ可能日数を算出するので前記バックアップ電池が満充電状態では無い状態からの電源遮断に対しても、前記ＳＲＡＭのデータ化けを検出することが可能となる。
【００２２】
請求項７の発明においては、前記リアルタイムクロック回路に記憶される時計情報は、該リアルタイムクロック回路が初期化されたときの初期値を含まない範囲の有効な値に設定されているので、前記バックアップ電池も電源遮断し、前記リアルタイムクロック回路への電源供給が断たれることによって前記リアルタイムクロック回路が初期化され、再度電源立ち上げ時に時計情報が初期値を指していた場合には、初期化以外の通常の処理では設定されることのない値となるため、これを根拠にバックアップ電池切れを検出することができ、請求項５の発明で述べた前記ＳＲＡＭの初期化を行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係る端末装置の構成を示すブロック図である。図１において、この端末装置は、メイン電池１、レギュレータ２、ＦＥＴ（電解効果トランジスタ）３，４、ディテクタ５、インバータ６、ＣＰＵ７、ＡＤコンバータ（アナログ／デジタル変換回路）８、フラッシュメモリ９、ＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）１０、ＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）１１、およびＲＴＣ回路（リアルタイムクロック回路）１２を備えている。
【００２４】
メイン電源１は、レギュレータ２に接続され、ラインＬ１に例えば３．０Ｖの電源電圧を供給するものである。なお、メイン電源１としては、携帯電話機などでは充電可能な二次電池が用いられるのが一般的である。ディテクタ５は、入力側がラインＬ１に接続され、出力側がラインＬ２に接続され、ラインＬ１の電源電圧（レギュレータ２の出力電圧）の低下を検出し、ラインＬ２に制御信号を出力するものである。インバータ６は、ラインＬ２を介して入力された制御信号を反転させ、ラインＬ３に出力するものである。ＦＥＴ３は、ソースがラインＬ１に、ゲートがラインＬ３に、ドレインがラインＬ４にそれぞれ接続され、ラインＬ３を介してゲートに与えられた反転制御信号によりオン／オフ動作し、ラインＬ４の電流の逆流防止を行うものである。
【００２５】
バックアップ電池１３は、充電可能な二次電池からなり、メイン電源１の出力電圧が遮断されたとき電源をバックアップするものである。ＦＥＴ４は、ソースがラインＬ５を介してバックアップ電池１３の正極に接続され、ゲートがラインＬ６に接続され、ドレインがラインＬ４に接続され、ラインＬ６を介してゲートに与えられたＣＰＵ７からの制御信号によりオン／オフ動作し、バックアップ電池１３の電圧の低下を検出する際にラインＬ４から流れてくるバックアップ電池１３への充電電流を遮断するためのものである。ＡＤコンバータ８は、ラインＬ１を介してレギュレータ２からの電源電圧が与えられ、ラインＬ５を介して与えられたバックアップ電池１３の電圧（アナログ電圧）をデジタル信号に変換するものである。
【００２６】
フラッシュメモリ９は、ラインＬ１を介してレギュレータ２からの電源電圧が与えられ、制御や処理を行うためのプログラムおよびデータを記憶するものである。ＳＲＡＭ１０は、ラインＬ４を介して電源電圧が与えられ、制御や処理に必要なデータを記憶するもので、主にワークメモリとして用いられる。不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ１１は、ラインＬ１を介して電源電圧が与えられ、特定の小規模のプログラムやデータを記憶するものである。ＲＴＣ回路１２は、ラインＬ４を介して電源電圧が与えられ、リアルタイムクロック信号を発生するものである。
【００２７】
レギュレータ２の出力端子は、ラインＬ１を介してＣＰＵ７の電源端子７０に接続されている。ＡＤコンバータ８の出力端子は、シリアルインターフェイスＬ７にてＣＰＵ７の複数の入出力端子７１に接続されている。ＦＥＴ４のゲートは、ラインＬ６を介してＣＰＵ７の出力端子７２に接続されている。フラッシュメモリ９の複数の入出力端子は、バスＬ１０を介してＳＲＡＭ１０の複数の入出力端子およびＣＰＵ７の複数の入出力端子７５に接続されている。ＲＴＣ回路１２の出力端子はシリアルインターフェイスＬ８にてＣＰＵ７の複数の入出力端子７３に接続されている。ＥＥＰＲＯＭ１１の出力端子は、シリアルインターフェイスＬ９にてＣＰＵ７の複数の入出力端子７４に接続されている。
【００２８】
次に、この図１に示す携帯端末装置の動作について説明する。メイン電源１はレギュレータ２とによってラインＬ１に例えば３．０Ｖの電源電圧を供給する。ＦＥＴ３およびＦＥＴ４がオンのときは、ラインＬ１からの電源電圧によりバックアップ電池１３が充電される。ＦＥＴ３は逆流防止用であり、レギュレータ２の出力電圧が低下した際に、バックアップ電池１３からの電流がラインＬ１に逆流しないようにしている。
【００２９】
ＦＥＴ３はディテクタ５の制御によりオン／オフされる。即ち、ディテクタ５は、レギュレータ２の出力電圧を検知して、その出力電圧が例えば２．７Ｖ以下に低下したとき、ローレベルの制御信号をラインＬ２に出力する。そして、そのローレベルの制御信号はインバータ６により反転され、ハイレベルの制御信号となってＦＥＴ３のゲートに与えられる。これにより、ＦＥＴ３はオフし、バックアップ電池１３からの電流の逆流を防止する。
【００３０】
ＦＥＴ４は、バックアップ電池１３の電圧検出用であり、ＣＰＵ７の出力端子７２からの制御信号によりオン／オフ制御される。バックアップ電池１３の電圧検出時以外はＦＥＴ４を常時オンさせておくため、ＣＰＵ７は出力端子７２からローレベルの制御信号を出力している。
【００３１】
バックアップ電池１３の出力電圧を検出するとき、ＣＰＵ７の出力端子７２からはハイレベルの制御信号が出力され、ＦＥＴ４のゲートにはハイレベルの制御信号が与えられる。これにより、ＦＥＴ４はオフし、この後、ＡＤコンバータ８は、バックアップ電池１３の出力電圧値を読込み、デジタル信号としてシリアルインターフェイスＬ７を介してＣＰＵ７に与える。これにより、ＣＰＵ７は、そのデジタル信号に基づいて後述する所定の処理を行う。ＣＰＵ７は、上記所定処理の他、各種制御を行っており、バスＬ１０にて接続されたフラッシュメモリ９、ＳＲＡＭ１０、およびシリアルインターフェイスＬ９にて接続されたＥＥＰＲＯＭ１１の各種メモリを用いてソフトウェアによる処理を実行する。
【００３２】
ＣＰＵ７、ＡＤコンバータ８、フラッシュメモリ９、およびＥＥＰＲＯＭ１１は、レギュレータ２からの電源電圧がラインＬ１を介して供給されており、メイン電源１により動作する。ＳＲＡＭ１０とＲＴＣ回路１２は、メイン電源１が投入されているときはＦＥＴ３のオン動作によりラインＬ４を介して電源電圧が供給され、メイン電源１が電源遮断したときは、ＦＥＴ３がオフし、ＦＥＴ４のオン動作によりラインＬ４を介して電源電圧が供給される。
【００３３】
図２は、図１に示す携帯端末装置におけるＣＰＵ７の時計設定処理を示すフローチャートである。先ず、時計設定処理では最初にＳＲＡＭ１０上の時計データ（年・月・日・曜日・時刻）の値が有効な値かどうかが判断される（ステップＳ２０１）。ＲＴＣ回路１２の時計データは日付を１６ビットのシーケンシャルな数値で保持しているため、年・月・日・曜日・時刻を得るには時計データの数値を変換する処理が必要となる。このため、通常は変換後のデータをＳＲＡＭ１０に保持することで、変換処理の回数を軽減させている。
【００３４】
時計データが有効な値を示していた場合は、現在の設定内容としてＳＲＡＭ１０に保持されている時計データの内容を画面に表示する（ステップＳ２０２）。時計データが無効な値を示していた場合は、現在の設定内容の代わりに画面には現在の設定内容として年・月・日・曜日・時刻を例えば―――――と表示する（ステップＳ２０３）。
【００３５】
ステップＳ２０２またはステップＳ２０３の処理の後、時計設定処理入力受付処理を行う（ステップＳ２０４）。即ち、ステップＳ２０１でＳＲＡＭ１０上のデータが無効であると判断された場合には、ステップＳ２０４の時計設定入力受付処理において時計設定入力処理のキャンセルを行うことができないが、データが有効であった場合は、時計設定入力処理のキャンセルの受付も行うことができる。なお、時計設定入力処理がキャンセルの場合は時計設定処理を終了させる。
【００３６】
設定すべき時計情報の入力が終わると、設定年月日の日付演算処理を実行し、年月日の情報を日付（１６ビットのシーケンシャルな数値）に変換する（ステップＳ２０５）。なお、ＲＴＣ回路１２に備えられている日付レジスタは、初期値が０であるため、ここでは日付としては、０を用いず、１２８〜６５５３５の範囲にて年月日を割り当てる。その後、１６ビットの数値に変換された日付データおよび時分データをＲＴＣ回路１２に設定する（ステップＳ２０６）。
【００３７】
メイン電源１が電源遮断し、さらにバックアップ電池１３も電源遮断した時、ＲＴＣ回路１２が初期化されてしまうが、ＲＴＣ回路１２に記憶される時計情報を、ＲＴＣ回路１２が初期化されたときの初期値を含まない範囲（ここでは１２８〜６５５３５）の有効な値に設定することにより、ＲＴＣ回路１２が初期化された場合には有効範囲外の値が読み出されることでバックアップ電池１３が切れたことを検出できる。このような時計情報の設定は、例えば工場において出荷時に行われたりユーザーの操作にて行われる。
【００３８】
次にバックアップ電池１３の出力電圧を測定するために、ＦＥＴ４はＣＰＵ７によりオフされ、バックアップ電池１３の出力電圧はＡＤコンバータ８でデジタル信号（例えば８ビット）に変換され、ＣＰＵ７に与えられる。ＣＰＵ７は、与えられたデジタル信号によりバックアップ電池１３の出力電圧を測定し（ステップＳ２０７）、この測定値をＥＥＰＲＯＭ１１に書き込む（ステップＳ２０８）。
【００３９】
この後、ＲＴＣ回路１２にセットした日付データと同じ値（１６ビット）をＥＥＰＲＯＭ１１に日付スタンプとして書き込み（ステップＳ２０９）、最後に設定年月日などの時計データをＳＲＡＭ１０にキャッシュデータとして保存する（ステップＳ２１０）。以上で時計設定処理を終了し、着信待ち受け状態へ移行する（ステップＳ２１１）。
【００４０】
図３は、図１に示す携帯端末装置における１分タイマー割り込み処理を示すフローチャートである。ＲＴＣ回路１２は、時計の分表示の書き換え処理のために１分毎にＣＰＵ７に割り込みをかける。以下、この割り込み処理について説明する。
【００４１】
ＲＴＣ回路１２から１分タイマー割り込みが発生すると、先ず、ＳＲＡＭ１０に記憶されていた年月日、時刻データを更新し（ステップＳ３０１）、画面上の時計表示を更新する（ステップＳ３０２）。次に日付が更新されたかどうかを判断し（ステップＳ３０３）、更新されていなければ割り込み処理は終了し、日付が更新された場合には、バックアップ電池１３の電圧をＡＤコンバータ８でデジタル変換した８ビットのデジタル信号を測定し（ステップＳ３０４）、この測定値をＥＥＰＲＯＭ１１に書き込む（ステップＳ３０５）。
【００４２】
この後、ＲＴＣ回路１２の日付データと同じ値の１６ビットデータをＥＥＰＲＯＭ１１に日付スタンプとして書き込む（ステップＳ３０６）。なお、このときＥＥＰＲＯＭ１１に書き込む日付データは、実際にＲＴＣ回路１２の日付データを読み出してきた値を書き込むことも可能であるし、ＳＲＡＭ１０に記憶されている年月日データから変換して求めても良い。
【００４３】
以上説明した時計設定処理および１分タイマー割り込み処理により、工場出荷時に予め時計情報を設定しておくことで、メイン電源１が電源遮断しない限り、ＥＥＰＲＯＭ１１に記憶されている日付スタンプと、ＲＴＣ回路１２の日付データとを同じ値に保つことができる。
【００４４】
図４は、図１に示す携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。先ず、ＲＴＣ回路１２から日付レジスタの値を読み出し、ＳＲＡＭ１０に一時保存する（ステップＳ４０１）。そして、読み出した日付データが有効な範囲（１２８〜６５５３５）に入っているかどうかを判断し（ステップＳ４０２）、有効ではない場合にはバックアップ電池１３の電池切れのためにＲＴＣ回路１２の日付レジスタの内容が壊れていると判断し、また、これに伴ってＳＲＡＭ１０のデータも壊れている虞があるので、ＳＲＡＭ１０の初期化ルーチンを実行する（ステップＳ４０３）。この初期化ルーチンでは、各種キャッシュデータをフラッシュメモリ９のデータなどから再構築する。
【００４５】
ＳＲＡＭ１０の初期化完了後は、ＲＴＣ回路１２の時計が狂っているため、時計設定処理（図２のフローチャートの処理）へと移り（ステップＳ４０４）、時計設定完了後は着信の待ち受け処理に入る（ステップＳ４０５）。
【００４６】
ＲＴＣ回路１２の日付レジスタから読み出した日付データが有効な範囲に入っていれば、ＥＥＰＲＯＭ１１から８ビットのバックアップ電池電圧情報を読み込み（ステップＳ４０６）、このバックアップ電池電圧情報が有効な電圧範囲に入っており有効であるかどうかを判断し（ステップＳ４０７）、有効でなければ、ＳＲＡＭ１０の初期化ルーチンに移る（ステップＳ４０３）。
【００４７】
バックアップ電池電圧情報も有効な電圧範囲に入っており有効であれば、ＥＥＰＲＯＭ１１から１６ビットの日付スタンプを読み込み（ステップＳ４０８）、この日付スタンプが同様に有効な範囲（１２８〜６５５３５）に入っているかどうかを判断し（ステップＳ４０９）、入っていなければＳＲＡＭ１０の初期化ルーチンに移る（ステップＳ４０３）。
【００４８】
前記日付スタンプが有効な範囲に入っており、有効な値である場合は、ステップＳ４０６の処理で読み込んだバックアップ電池電圧情報からＳＲＡＭ１０のデータのバックアップ可能日数を算出する。即ち、読み込んだバックアップ電池電圧からＳＲＡＭデータの有効期間を計算する（ステップＳ４１０）。なお、予めバックアップ電池電圧からバックアップ可能日数を求めるための変換テーブルなどをフラッシュメモリ９に登録しておき、この変換テーブルを用いてＳＲＡＭデータのバックアップ可能日数を計算しても良い。このバックアップ可能日数はマージンを考慮してやや短めに設定することが好ましい。
【００４９】
次に、ステップＳ４０１の処理でＳＲＡＭ１０に一時保存したＲＴＣ回路１２の日付データと、ステップＳ４０８の処理でＥＥＰＲＯＭ１１から読み込んだ日付スタンプとの日数差を計算し、この日数差がステップＳ４１０で算出したバックアップ可能日数に含まれるかどうかを判断する。即ち、ＳＲＡＭ１０中の日付カウント値（前記日数差）が有効期間内にあるかどうかを判断する（ステップＳ４１１）。
【００５０】
前記日数差がバックアップ可能日数の範囲に入っていない場合はＳＲＡＭ初期化ルーチンに移り（ステップＳ４０３）、前記日数差がバックアップ可能日数の範囲に入っている場合は通常の電源起動処理にて着信待ち受け状態へと移る（ステップＳ４０５）。
【００５１】
以上説明した電源起動時処理によれば、メイン電源１が電源遮断した際に、ＥＥＰＲＯＭ１１中の日付スタンプの更新が停止し、ＲＴＣ回路１２はバックアップ電池１３により日付データの計時を続けることによって起こる両日付の日数差で以ってメイン電源１の電源遮断した日数を算出し、この日数をメイン電源１の電源遮断前のバックアップ電池１３の電圧（残電気量）から導かれるバックアップ可能日数と照らし合わせることで、ＳＲＡＭデータの有効性の判断を行うことが可能になる。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源を供給することによりデータを保持できる所定回路への電源を前記バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報を不揮発性メモリに記憶しておき、前記メイン電源の立ち上げ時に、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出し、これらの算出結果により前記所定回路の保持データの有効性を判断するように構成されている。
【００５３】
このような構成により、前記メイン電源および前記バックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出して、前記所定回路の保持データの有効性を判断することができる。
【００５４】
したがって、その判断結果が、前記所定回路の保持データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記所定回路を例えば初期化することにより、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【００５５】
また、本発明によれば、内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭと、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、少なくとも前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源が遮断していた日数を算出する遮断日数算出手段と、前記バックアップ電池によるバックアップ可能日数を算出するバックアップ可能日数算出手段と、前記遮断日数検出手段における電源遮断日数の算出に必要な情報および前記バックアップ可能日数算出手段におけるバックアップ可能日数の算出に必要な情報を記憶する不揮発性メモリと、前記メイン電源の立ち上げ時に前記電源遮断日数および前記バックアップ可能日数に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性を判断するデータ有効性判断手段とを備えている。
【００５６】
このような構成により、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には、前記不揮発性メモリの情報を用いて前記メイン電源の電源遮断日数が前記遮断日数算出手段により算出され、前記バックアップ電池のバックアップ可能日数はバックアップ可能日数算出手段により算出され、これらの算出結果に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性がデータ有効性判断手段により判断される。
【００５７】
したがって、その判断結果が、前記ＳＲＡＭの記憶データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記ＳＲＡＭを例えば初期化することにより、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置における時計設定処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置における１分タイマー割り込み処理を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。
【図５】従来の携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。
【図６】従来の携帯端末装置におけるＳＲＡＭのメモリ割り当て図である。
【符号の説明】
１・・・メイン電源、 ２・・・レギュレータ、 ３，４・・・ＦＥＴ、 ５・・・ディテクタ、 ６・・・インバータ、 ７・・・ＣＰＵ（遮断日数算出手段、バックアップ可能日数算出手段、データ有効性判断手段、電池切れ検出手段）、 ８・・・ＡＤコンバータ（電池切れ検出手段）、 ９・・・フラッシュメモリ、 １０・・・ＳＲＡＭ、 １１・・・ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）、
１２・・・ＲＴＣ回路、 １３・・・バックアップ電池。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源供給によりデータを保持できる所定回路への電源をバックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯電話機などの携帯端末装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から携帯電話機などの携帯端末装置は、内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）と、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭなどを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成されている。
【０００３】
ところで、メイン電源の電源遮断状態においてＳＲＡＭのデータを保持するにはバックアップ電池が必要となり、このバックアップ電池として充電可能な二次電池が用いられていることが多い。また、携帯電話機などでは、メイン電源としては、充電可能な二次電池が用いられるのが、一般的である。メイン電源が電源遮断した状態では、バックアップ電池のみでＳＲＡＭのデータ保持とＲＴＣ回路の駆動を行っているが、バックアップ電池さえも長時間充電せずに使用すると、バックアップ電池の蓄積電気量が少なくなり、バックアップ電源が遮断されてしまうことになる。
【０００４】
この状態で再度、メイン電源が投入され、携帯端末装置が起動した際に、バックアップ電池が電源遮断していたことを検出できなければ、ＳＲＡＭの記憶データが破壊されているにもかかわらず、ＳＲＡＭを初期化せずに通常の起動処理を行ってしまい、これによりシステムは誤動作を起こす虞がある。
【０００５】
そこで、従来の携帯端末装置では、図６に示すようにＳＲＡＭのメモリ領域６００の既定アドレスに、データ破壊検出用に既定のデータ（以後マジックナンバーと呼ぶ）６０１を予め書き込んでおき、システムの起動時には必ずマジックナンバーが全て規定値と等しいことを確認することでＳＲＡＭの記憶データの破壊を検出している。
【０００６】
図５は、従来の携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。先ずメイン電源が投入されると、ＳＲＡＭのメモリ領域６００内の全てのマジックナンバー６０１が既定の正常な値となっているかどうかを判断し（ステップＳ５０１）、正常な値であれば、通常の電源起動処理を行い（ステップＳ５０４）、マジックナンバー６０１が既定値と異なっている場合はＳＲＡＭのメモリ領域６００の初期化を行い、キャッシュデータなど処理に必要なデータを再構築する（ステップＳ５０２）。次に、ＳＲＡＭの既定のアドレスにマジックナンバーを書き込み（ステップＳ５０３）、この後、通常の電源起動処理を行う（ステップＳ５０４）。
【０００７】
以上説明したように、バックアップ電池が電源遮断し、ＳＲＡＭの記憶データが破壊された場合に、同時にマジックナンバーも破壊されるので、マジックナンバーを検出することで他のデータの有効性を判断することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の携帯端末装置では、バックアップ電池が完全に電源遮断してしまえば、ＳＲＡＭに記憶されているマジックナンバーが確実に破壊されるため、ＳＲＡＭの記憶データが全部無効であることを検出することができるが、完全には電源遮断していない状態でメイン電源が再投入されると、ＳＲＡＭの各セルにおけるデータ保持力のばらつきにより、データが破壊されるセルと破壊されないセルが出てくる。
【０００９】
この場合、ＳＲＡＭに記憶されているマジックナンバーは正常な値を示しているが、ＳＲＡＭ内の実際のデータは一部破壊されているといった現象が起こり得る。このような理由により、従来の携帯端末装置では、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した後、再度電源を投入し、システムを起動すると、誤動作を起こす可能性が残る。
【００１０】
なお、ＳＲＡＭに記憶させるマジックナンバーの個数を増やしていけば、そのような現象が起こる確率は次第に小さくなっていくが、完全に回避する事はできず、また、マジックナンバーの個数を増やす場合、ＳＲＡＭの全メモリ領域に均一にマジックナンバーを記憶させる方が効果的であるが、均一の記憶させると、ＳＲＡＭのメモリ領域がマジックナンバーによって細切れになってしまい、システムのデータ管理が複雑化し、かつ非効率になってしまうので実用的でない。
【００１１】
本件とは適用分野が異なるが、例えば、特開平２−１９２３５９号公報に示されるファクシミリ装置では、バックアップ用コンデンサの有効期間と電源遮断時間とを比較してバックアップ内容の有効性を判断するようになっているが、この場合、ＳＲＡＭへの電源が存在することが前提となっており、システム全体の電源が完全に遮断された場合には対処できない。
【００１２】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源が投入され、システムが起動しても誤動作を起こすことのない携帯端末装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
斯かる課題を解決するべく請求項１の発明は、電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源を供給することによりデータを保持できる所定回路への電源を前記バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報を不揮発性メモリに記憶しておき、前記メイン電源の立ち上げ時に、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出し、これらの算出結果により前記所定回路の保持データの有効性を判断するように構成したことを特徴とする携帯端末装置を提供する。
【００１４】
この請求項１の発明によれば、前記メイン電源および前記バックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出して、前記所定回路の保持データの有効性を判断することができる。したがって、その判断結果が、前記所定回路の保持データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記所定回路を例えば初期化することにより、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入しシステムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【００１５】
請求項２の発明は、内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭと、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、少なくとも前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源が遮断していた日数を算出する遮断日数算出手段と、前記バックアップ電池によるバックアップ可能日数を算出するバックアップ可能日数算出手段と、前記遮断日数検出手段における電源遮断日数の算出に必要な情報および前記バックアップ可能日数算出手段におけるバックアップ可能日数の算出に必要な情報を記憶する不揮発性メモリと、前記メイン電源の立ち上げ時に前記電源遮断日数および前記バックアップ可能日数に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性を判断するデータ有効性判断手段とを備えたことを特徴とする携帯端末装置を提供する。
【００１６】
この請求項２の発明によれば、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には、前記不揮発性メモリの情報を用いて前記メイン電源の電源遮断日数が前記遮断日数算出手段により算出され、前記バックアップ電池のバックアップ可能日数はバックアップ可能日数算出手段により算出され、これらの算出結果に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性がデータ有効性判断手段により判断される。
【００１７】
したがって、その判断結果が、前記ＳＲＡＭの記憶データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記ＳＲＡＭを例えば初期化することにより、前記メイン電源および前記バックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【００１８】
請求項３の発明においては、前記ＳＲＡＭの記憶データは、プログラムあるいはデータ格納用の不揮発性メモリに記憶された情報に基づいて再構築が可能で、主に電源立ち上げの高速化を図るためのデータ（例えばキャッシュデータやファイルシステム管理データなど）であり、前記データ有効性判断手段により、無効と判断された場合は、前記ＳＲＡＭを初期化し、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データを再構築するので、ＳＲＡＭのデータ化けが起こった際にもシステムを元の状態に復旧することが可能となり、システムが暴走することを防ぐことができる。
【００１９】
請求項４の発明においては、前記遮断日数算出手段は、前記メイン電源が投入されている間は一定期間毎に定期的に前記不揮発性メモリに日付スタンプを書き込み、前記メイン電源が電源遮断した際には日付スタンプの更新は行わず、前記電源遮断時における日付スタンプと、前記バックアップ電池により動作し続ける前記リアルタイムクロック回路にて更新されている現在の日付データとによる日数差に基づいて、前記メイン電源の電源遮断日数を再度メイン電源が投入された際に算出するので、本処理のために特別なハードウェアを追加することなく、前記メイン電源の電源遮断日数を算出することが可能となり、さらに、大きな消費電流を必要とする不揮発性メモリへの読み書きを前記メイン電源が投入されている間だけで限定できるため、前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を減らさずにシステムを再構築できる。
【００２０】
請求項５の発明においては、前記メイン電源が電源遮断し、前記バックアップ電池による電源立ち上げ時に前記バックアップ電池の電池切れを検出する電池切れ検出手段を備え、前記電池切れ検出手段により電池切れを検出した場合には前記ＳＲＡＭの初期化を行うので、前記リアルタイムクロック回路自体が停止して電源遮断日数を算出できない場合でも、前記ＳＲＡＭを初期化でき、システムの暴走を防止できる。
【００２１】
請求項６の発明においては、前記バックアップ可能日数算出手段は、定期的に日付スタンプを前記不揮発性メモリに書き込む際に、前記バックアップ電池の電圧情報も前記不揮発性メモリに書き込み記憶し、前記バックアップ電池による電源立ち上げ時に、前記電圧情報に基づいてバックアップ可能日数を算出するので前記バックアップ電池が満充電状態では無い状態からの電源遮断に対しても、前記ＳＲＡＭのデータ化けを検出することが可能となる。
【００２２】
請求項７の発明においては、前記リアルタイムクロック回路に記憶される時計情報は、該リアルタイムクロック回路が初期化されたときの初期値を含まない範囲の有効な値に設定されているので、前記バックアップ電池も電源遮断し、前記リアルタイムクロック回路への電源供給が断たれることによって前記リアルタイムクロック回路が初期化され、再度電源立ち上げ時に時計情報が初期値を指していた場合には、初期化以外の通常の処理では設定されることのない値となるため、これを根拠にバックアップ電池切れを検出することができ、請求項５の発明で述べた前記ＳＲＡＭの初期化を行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係る端末装置の構成を示すブロック図である。図１において、この端末装置は、メイン電池１、レギュレータ２、ＦＥＴ（電解効果トランジスタ）３，４、ディテクタ５、インバータ６、ＣＰＵ７、ＡＤコンバータ（アナログ／デジタル変換回路）８、フラッシュメモリ９、ＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）１０、ＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）１１、およびＲＴＣ回路（リアルタイムクロック回路）１２を備えている。
【００２４】
メイン電源１は、レギュレータ２に接続され、ラインＬ１に例えば３．０Ｖの電源電圧を供給するものである。なお、メイン電源１としては、携帯電話機などでは充電可能な二次電池が用いられるのが一般的である。ディテクタ５は、入力側がラインＬ１に接続され、出力側がラインＬ２に接続され、ラインＬ１の電源電圧（レギュレータ２の出力電圧）の低下を検出し、ラインＬ２に制御信号を出力するものである。インバータ６は、ラインＬ２を介して入力された制御信号を反転させ、ラインＬ３に出力するものである。ＦＥＴ３は、ソースがラインＬ１に、ゲートがラインＬ３に、ドレインがラインＬ４にそれぞれ接続され、ラインＬ３を介してゲートに与えられた反転制御信号によりオン／オフ動作し、ラインＬ４の電流の逆流防止を行うものである。
【００２５】
バックアップ電池１３は、充電可能な二次電池からなり、メイン電源１の出力電圧が遮断されたとき電源をバックアップするものである。ＦＥＴ４は、ソースがラインＬ５を介してバックアップ電池１３の正極に接続され、ゲートがラインＬ６に接続され、ドレインがラインＬ４に接続され、ラインＬ６を介してゲートに与えられたＣＰＵ７からの制御信号によりオン／オフ動作し、バックアップ電池１３の電圧の低下を検出する際にラインＬ４から流れてくるバックアップ電池１３への充電電流を遮断するためのものである。ＡＤコンバータ８は、ラインＬ１を介してレギュレータ２からの電源電圧が与えられ、ラインＬ５を介して与えられたバックアップ電池１３の電圧（アナログ電圧）をデジタル信号に変換するものである。
【００２６】
フラッシュメモリ９は、ラインＬ１を介してレギュレータ２からの電源電圧が与えられ、制御や処理を行うためのプログラムおよびデータを記憶するものである。ＳＲＡＭ１０は、ラインＬ４を介して電源電圧が与えられ、制御や処理に必要なデータを記憶するもので、主にワークメモリとして用いられる。不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ１１は、ラインＬ１を介して電源電圧が与えられ、特定の小規模のプログラムやデータを記憶するものである。ＲＴＣ回路１２は、ラインＬ４を介して電源電圧が与えられ、リアルタイムクロック信号を発生するものである。
【００２７】
レギュレータ２の出力端子は、ラインＬ１を介してＣＰＵ７の電源端子７０に接続されている。ＡＤコンバータ８の出力端子は、シリアルインターフェイスＬ７にてＣＰＵ７の複数の入出力端子７１に接続されている。ＦＥＴ４のゲートは、ラインＬ６を介してＣＰＵ７の出力端子７２に接続されている。フラッシュメモリ９の複数の入出力端子は、バスＬ１０を介してＳＲＡＭ１０の複数の入出力端子およびＣＰＵ７の複数の入出力端子７５に接続されている。ＲＴＣ回路１２の出力端子はシリアルインターフェイスＬ８にてＣＰＵ７の複数の入出力端子７３に接続されている。ＥＥＰＲＯＭ１１の出力端子は、シリアルインターフェイスＬ９にてＣＰＵ７の複数の入出力端子７４に接続されている。
【００２８】
次に、この図１に示す携帯端末装置の動作について説明する。メイン電源１はレギュレータ２とによってラインＬ１に例えば３．０Ｖの電源電圧を供給する。ＦＥＴ３およびＦＥＴ４がオンのときは、ラインＬ１からの電源電圧によりバックアップ電池１３が充電される。ＦＥＴ３は逆流防止用であり、レギュレータ２の出力電圧が低下した際に、バックアップ電池１３からの電流がラインＬ１に逆流しないようにしている。
【００２９】
ＦＥＴ３はディテクタ５の制御によりオン／オフされる。即ち、ディテクタ５は、レギュレータ２の出力電圧を検知して、その出力電圧が例えば２．７Ｖ以下に低下したとき、ローレベルの制御信号をラインＬ２に出力する。そして、そのローレベルの制御信号はインバータ６により反転され、ハイレベルの制御信号となってＦＥＴ３のゲートに与えられる。これにより、ＦＥＴ３はオフし、バックアップ電池１３からの電流の逆流を防止する。
【００３０】
ＦＥＴ４は、バックアップ電池１３の電圧検出用であり、ＣＰＵ７の出力端子７２からの制御信号によりオン／オフ制御される。バックアップ電池１３の電圧検出時以外はＦＥＴ４を常時オンさせておくため、ＣＰＵ７は出力端子７２からローレベルの制御信号を出力している。
【００３１】
バックアップ電池１３の出力電圧を検出するとき、ＣＰＵ７の出力端子７２からはハイレベルの制御信号が出力され、ＦＥＴ４のゲートにはハイレベルの制御信号が与えられる。これにより、ＦＥＴ４はオフし、この後、ＡＤコンバータ８は、バックアップ電池１３の出力電圧値を読込み、デジタル信号としてシリアルインターフェイスＬ７を介してＣＰＵ７に与える。これにより、ＣＰＵ７は、そのデジタル信号に基づいて後述する所定の処理を行う。ＣＰＵ７は、上記所定処理の他、各種制御を行っており、バスＬ１０にて接続されたフラッシュメモリ９、ＳＲＡＭ１０、およびシリアルインターフェイスＬ９にて接続されたＥＥＰＲＯＭ１１の各種メモリを用いてソフトウェアによる処理を実行する。
【００３２】
ＣＰＵ７、ＡＤコンバータ８、フラッシュメモリ９、およびＥＥＰＲＯＭ１１は、レギュレータ２からの電源電圧がラインＬ１を介して供給されており、メイン電源１により動作する。ＳＲＡＭ１０とＲＴＣ回路１２は、メイン電源１が投入されているときはＦＥＴ３のオン動作によりラインＬ４を介して電源電圧が供給され、メイン電源１が電源遮断したときは、ＦＥＴ３がオフし、ＦＥＴ４のオン動作によりラインＬ４を介して電源電圧が供給される。
【００３３】
図２は、図１に示す携帯端末装置におけるＣＰＵ７の時計設定処理を示すフローチャートである。先ず、時計設定処理では最初にＳＲＡＭ１０上の時計データ（年・月・日・曜日・時刻）の値が有効な値かどうかが判断される（ステップＳ２０１）。ＲＴＣ回路１２の時計データは日付を１６ビットのシーケンシャルな数値で保持しているため、年・月・日・曜日・時刻を得るには時計データの数値を変換する処理が必要となる。このため、通常は変換後のデータをＳＲＡＭ１０に保持することで、変換処理の回数を軽減させている。
【００３４】
時計データが有効な値を示していた場合は、現在の設定内容としてＳＲＡＭ１０に保持されている時計データの内容を画面に表示する（ステップＳ２０２）。時計データが無効な値を示していた場合は、現在の設定内容の代わりに画面には現在の設定内容として年・月・日・曜日・時刻を例えば―――――と表示する（ステップＳ２０３）。
【００３５】
ステップＳ２０２またはステップＳ２０３の処理の後、時計設定処理入力受付処理を行う（ステップＳ２０４）。即ち、ステップＳ２０１でＳＲＡＭ１０上のデータが無効であると判断された場合には、ステップＳ２０４の時計設定入力受付処理において時計設定入力処理のキャンセルを行うことができないが、データが有効であった場合は、時計設定入力処理のキャンセルの受付も行うことができる。なお、時計設定入力処理がキャンセルの場合は時計設定処理を終了させる。
【００３６】
設定すべき時計情報の入力が終わると、設定年月日の日付演算処理を実行し、年月日の情報を日付（１６ビットのシーケンシャルな数値）に変換する（ステップＳ２０５）。なお、ＲＴＣ回路１２に備えられている日付レジスタは、初期値が０であるため、ここでは日付としては、０を用いず、１２８〜６５５３５の範囲にて年月日を割り当てる。その後、１６ビットの数値に変換された日付データおよび時分データをＲＴＣ回路１２に設定する（ステップＳ２０６）。
【００３７】
メイン電源１が電源遮断し、さらにバックアップ電池１３も電源遮断した時、ＲＴＣ回路１２が初期化されてしまうが、ＲＴＣ回路１２に記憶される時計情報を、ＲＴＣ回路１２が初期化されたときの初期値を含まない範囲（ここでは１２８〜６５５３５）の有効な値に設定することにより、ＲＴＣ回路１２が初期化された場合には有効範囲外の値が読み出されることでバックアップ電池１３が切れたことを検出できる。このような時計情報の設定は、例えば工場において出荷時に行われたりユーザーの操作にて行われる。
【００３８】
次にバックアップ電池１３の出力電圧を測定するために、ＦＥＴ４はＣＰＵ７によりオフされ、バックアップ電池１３の出力電圧はＡＤコンバータ８でデジタル信号（例えば８ビット）に変換され、ＣＰＵ７に与えられる。ＣＰＵ７は、与えられたデジタル信号によりバックアップ電池１３の出力電圧を測定し（ステップＳ２０７）、この測定値をＥＥＰＲＯＭ１１に書き込む（ステップＳ２０８）。
【００３９】
この後、ＲＴＣ回路１２にセットした日付データと同じ値（１６ビット）をＥＥＰＲＯＭ１１に日付スタンプとして書き込み（ステップＳ２０９）、最後に設定年月日などの時計データをＳＲＡＭ１０にキャッシュデータとして保存する（ステップＳ２１０）。以上で時計設定処理を終了し、着信待ち受け状態へ移行する（ステップＳ２１１）。
【００４０】
図３は、図１に示す携帯端末装置における１分タイマー割り込み処理を示すフローチャートである。ＲＴＣ回路１２は、時計の分表示の書き換え処理のために１分毎にＣＰＵ７に割り込みをかける。以下、この割り込み処理について説明する。
【００４１】
ＲＴＣ回路１２から１分タイマー割り込みが発生すると、先ず、ＳＲＡＭ１０に記憶されていた年月日、時刻データを更新し（ステップＳ３０１）、画面上の時計表示を更新する（ステップＳ３０２）。次に日付が更新されたかどうかを判断し（ステップＳ３０３）、更新されていなければ割り込み処理は終了し、日付が更新された場合には、バックアップ電池１３の電圧をＡＤコンバータ８でデジタル変換した８ビットのデジタル信号を測定し（ステップＳ３０４）、この測定値をＥＥＰＲＯＭ１１に書き込む（ステップＳ３０５）。
【００４２】
この後、ＲＴＣ回路１２の日付データと同じ値の１６ビットデータをＥＥＰＲＯＭ１１に日付スタンプとして書き込む（ステップＳ３０６）。なお、このときＥＥＰＲＯＭ１１に書き込む日付データは、実際にＲＴＣ回路１２の日付データを読み出してきた値を書き込むことも可能であるし、ＳＲＡＭ１０に記憶されている年月日データから変換して求めても良い。
【００４３】
以上説明した時計設定処理および１分タイマー割り込み処理により、工場出荷時に予め時計情報を設定しておくことで、メイン電源１が電源遮断しない限り、ＥＥＰＲＯＭ１１に記憶されている日付スタンプと、ＲＴＣ回路１２の日付データとを同じ値に保つことができる。
【００４４】
図４は、図１に示す携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。先ず、ＲＴＣ回路１２から日付レジスタの値を読み出し、ＳＲＡＭ１０に一時保存する（ステップＳ４０１）。そして、読み出した日付データが有効な範囲（１２８〜６５５３５）に入っているかどうかを判断し（ステップＳ４０２）、有効ではない場合にはバックアップ電池１３の電池切れのためにＲＴＣ回路１２の日付レジスタの内容が壊れていると判断し、また、これに伴ってＳＲＡＭ１０のデータも壊れている虞があるので、ＳＲＡＭ１０の初期化ルーチンを実行する（ステップＳ４０３）。この初期化ルーチンでは、各種キャッシュデータをフラッシュメモリ９のデータなどから再構築する。
【００４５】
ＳＲＡＭ１０の初期化完了後は、ＲＴＣ回路１２の時計が狂っているため、時計設定処理（図２のフローチャートの処理）へと移り（ステップＳ４０４）、時計設定完了後は着信の待ち受け処理に入る（ステップＳ４０５）。
【００４６】
ＲＴＣ回路１２の日付レジスタから読み出した日付データが有効な範囲に入っていれば、ＥＥＰＲＯＭ１１から８ビットのバックアップ電池電圧情報を読み込み（ステップＳ４０６）、このバックアップ電池電圧情報が有効な電圧範囲に入っており有効であるかどうかを判断し（ステップＳ４０７）、有効でなければ、ＳＲＡＭ１０の初期化ルーチンに移る（ステップＳ４０３）。
【００４７】
バックアップ電池電圧情報も有効な電圧範囲に入っており有効であれば、ＥＥＰＲＯＭ１１から１６ビットの日付スタンプを読み込み（ステップＳ４０８）、この日付スタンプが同様に有効な範囲（１２８〜６５５３５）に入っているかどうかを判断し（ステップＳ４０９）、入っていなければＳＲＡＭ１０の初期化ルーチンに移る（ステップＳ４０３）。
【００４８】
前記日付スタンプが有効な範囲に入っており、有効な値である場合は、ステップＳ４０６の処理で読み込んだバックアップ電池電圧情報からＳＲＡＭ１０のデータのバックアップ可能日数を算出する。即ち、読み込んだバックアップ電池電圧からＳＲＡＭデータの有効期間を計算する（ステップＳ４１０）。なお、予めバックアップ電池電圧からバックアップ可能日数を求めるための変換テーブルなどをフラッシュメモリ９に登録しておき、この変換テーブルを用いてＳＲＡＭデータのバックアップ可能日数を計算しても良い。このバックアップ可能日数はマージンを考慮してやや短めに設定することが好ましい。
【００４９】
次に、ステップＳ４０１の処理でＳＲＡＭ１０に一時保存したＲＴＣ回路１２の日付データと、ステップＳ４０８の処理でＥＥＰＲＯＭ１１から読み込んだ日付スタンプとの日数差を計算し、この日数差がステップＳ４１０で算出したバックアップ可能日数に含まれるかどうかを判断する。即ち、ＳＲＡＭ１０中の日付カウント値（前記日数差）が有効期間内にあるかどうかを判断する（ステップＳ４１１）。
【００５０】
前記日数差がバックアップ可能日数の範囲に入っていない場合はＳＲＡＭ初期化ルーチンに移り（ステップＳ４０３）、前記日数差がバックアップ可能日数の範囲に入っている場合は通常の電源起動処理にて着信待ち受け状態へと移る（ステップＳ４０５）。
【００５１】
以上説明した電源起動時処理によれば、メイン電源１が電源遮断した際に、ＥＥＰＲＯＭ１１中の日付スタンプの更新が停止し、ＲＴＣ回路１２はバックアップ電池１３により日付データの計時を続けることによって起こる両日付の日数差で以ってメイン電源１の電源遮断した日数を算出し、この日数をメイン電源１の電源遮断前のバックアップ電池１３の電圧（残電気量）から導かれるバックアップ可能日数と照らし合わせることで、ＳＲＡＭデータの有効性の判断を行うことが可能になる。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源を供給することによりデータを保持できる所定回路への電源を前記バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報を不揮発性メモリに記憶しておき、前記メイン電源の立ち上げ時に、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出し、これらの算出結果により前記所定回路の保持データの有効性を判断するように構成されている。
【００５３】
このような構成により、前記メイン電源および前記バックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出して、前記所定回路の保持データの有効性を判断することができる。
【００５４】
したがって、その判断結果が、前記所定回路の保持データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記所定回路を例えば初期化することにより、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【００５５】
また、本発明によれば、内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭと、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、少なくとも前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源が遮断していた日数を算出する遮断日数算出手段と、前記バックアップ電池によるバックアップ可能日数を算出するバックアップ可能日数算出手段と、前記遮断日数検出手段における電源遮断日数の算出に必要な情報および前記バックアップ可能日数算出手段におけるバックアップ可能日数の算出に必要な情報を記憶する不揮発性メモリと、前記メイン電源の立ち上げ時に前記電源遮断日数および前記バックアップ可能日数に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性を判断するデータ有効性判断手段とを備えている。
【００５６】
このような構成により、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報が不揮発性メモリに記憶されているので、再度電源投入時には、前記不揮発性メモリの情報を用いて前記メイン電源の電源遮断日数が前記遮断日数算出手段により算出され、前記バックアップ電池のバックアップ可能日数はバックアップ可能日数算出手段により算出され、これらの算出結果に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性がデータ有効性判断手段により判断される。
【００５７】
したがって、その判断結果が、前記ＳＲＡＭの記憶データがそのまま有効であることを示す場合は問題がないが、有効ではないことを示す場合は前記ＳＲＡＭを例えば初期化することにより、メイン電源およびバックアップ電池が共に電源遮断した場合でも、再度電源を投入し、システムを起動しても、誤動作が起きることがないので、信頼性の高い携帯端末装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置における時計設定処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置における１分タイマー割り込み処理を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態に係る携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。
【図５】従来の携帯端末装置における電源起動時処理を示すフローチャートである。
【図６】従来の携帯端末装置におけるＳＲＡＭのメモリ割り当て図である。
【符号の説明】
１・・・メイン電源、 ２・・・レギュレータ、 ３，４・・・ＦＥＴ、 ５・・・ディテクタ、 ６・・・インバータ、 ７・・・ＣＰＵ（遮断日数算出手段、バックアップ可能日数算出手段、データ有効性判断手段、電池切れ検出手段）、 ８・・・ＡＤコンバータ（電池切れ検出手段）、 ９・・・フラッシュメモリ、 １０・・・ＳＲＡＭ、 １１・・・ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）、
１２・・・ＲＴＣ回路、 １３・・・バックアップ電池。
Claims (7)
- 電源としてはメイン電源とバックアップ電池を備え、前記メイン電源が遮断した場合は、電源を供給することによりデータを保持できる所定回路への電源を前記バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出するための必要な情報を不揮発性メモリに記憶しておき、前記メイン電源の立ち上げ時に、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記メイン電源の電源遮断日数および前記バックアップ電池のバックアップ可能日数を算出し、これらの算出結果により前記所定回路の保持データの有効性を判断するように構成したことを特徴とする携帯端末装置。
- 内部レジスタ中に記憶された時計情報をクロックをもとに自動的に更新するリアルタイムクロック回路と、処理に必要なデータを記憶するＳＲＡＭと、前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭを制御するＣＰＵとを備え、メイン電源が遮断した場合は、少なくとも前記リアルタイムクロック回路および前記ＳＲＡＭへの電源を、バックアップ電池によりバックアップするように構成された携帯端末装置において、前記メイン電源が遮断していた日数を算出する遮断日数算出手段と、前記バックアップ電池によるバックアップ可能日数を算出するバックアップ可能日数算出手段と、前記遮断日数検出手段における電源遮断日数の算出に必要な情報および前記バックアップ可能日数算出手段におけるバックアップ可能日数の算出に必要な情報を記憶する不揮発性メモリと、前記メイン電源の立ち上げ時に前記電源遮断日数および前記バックアップ可能日数に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データの有効性を判断するデータ有効性判断手段とを備えたことを特徴とする携帯端末装置。
- 前記ＳＲＡＭの記憶データは、プログラムあるいはデータ格納用の不揮発性メモリに記憶された情報に基づいて再構築が可能で、主に電源立ち上げの高速化を図るためのデータであり、前記データ有効性判断手段により、無効と判断された場合は、前記ＳＲＡＭを初期化し、前記不揮発性メモリの情報に基づいて前記ＳＲＡＭの記憶データを再構築することを特徴とする請求項２に記載の携帯端末装置。
- 前記遮断日数算出手段は、前記メイン電源が投入されている間は一定期間毎に定期的に前記不揮発性メモリに日付スタンプを書き込み、前記メイン電源が電源遮断した際には日付スタンプの更新は行わず、前記電源遮断時における日付スタンプと、前記バックアップ電池により動作し続ける前記リアルタイムクロック回路にて更新されている現在の日付データとによる日数差に基づいて、前記メイン電源の電源遮断日数を、再度メイン電源が投入された際に算出することを特徴とする請求項２に記載の携帯端末装置。
- 前記メイン電源が電源遮断し、前記バックアップ電池による電源立ち上げ時に前記バックアップ電池の電池切れを検出する電池切れ検出手段を備え、前記電池切れ検出手段により電池切れを検出した場合には無条件で前記ＳＲＡＭの初期化を行うことを特徴とする請求項２に記載の携帯端末装置。
- 前記バックアップ可能日数算出手段は、定期的に日付スタンプを前記不揮発性メモリに書き込む際に、前記バックアップ電池の電圧情報も前記不揮発性メモリに書き込み記憶し、前記バックアップ電池による電源立ち上げ時に、前記電圧情報に基づいてバックアップ可能日数を算出することを特徴とする請求項２に記載の携帯端末装置。
- 前記リアルタイムクロック回路に記憶される時計情報は、該リアルタイムクロック回路が初期化されたときの初期値を含まない範囲の有効な値に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の携帯端末装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002157955A JP2004005045A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 携帯端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2002157955A JP2004005045A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 携帯端末装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004005045A true JP2004005045A (ja) | 2004-01-08 |
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Family Applications (1)
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| JP2002157955A Pending JP2004005045A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 携帯端末装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006246689A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Nec Corp | 携帯機器の電源制御方法及び携帯機器の電源制御回路 |
| JP2013080283A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Casio Electronics Co Ltd | 印刷装置 |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002157955A patent/JP2004005045A/ja active Pending
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