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JP4347110B2
(ja)
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2003-10-22 |
2009-10-21 |
東京応化工業株式会社 |
電子線又はｅｕｖ用ポジ型レジスト組成物
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JP4491335B2
(ja)
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2004-02-16 |
2010-06-30 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
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US7449573B2
(en)
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2004-02-16 |
2008-11-11 |
Fujifilm Corporation |
Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition
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JP2005275072A
(ja)
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2004-03-25 |
2005-10-06 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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JP4439409B2
(ja)
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2005-02-02 |
2010-03-24 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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US7541131B2
(en)
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2005-02-18 |
2009-06-02 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
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JP4505357B2
(ja)
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2005-03-16 |
2010-07-21 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
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JP4568667B2
(ja)
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2005-09-22 |
2010-10-27 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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JP4617252B2
(ja)
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2005-12-22 |
2011-01-19 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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JP4958584B2
(ja)
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2006-02-28 |
2012-06-20 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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JP2008037857A
(ja)
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2006-07-14 |
2008-02-21 |
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd |
化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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JP4840076B2
(ja)
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2006-10-20 |
2011-12-21 |
Ｊｓｒ株式会社 |
パターン形成方法
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JP2008127300A
(ja)
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2006-11-17 |
2008-06-05 |
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd |
化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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JP5277203B2
(ja)
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2006-12-25 |
2013-08-28 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
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US8530148B2
(en)
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2006-12-25 |
2013-09-10 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
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US8637229B2
(en)
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2006-12-25 |
2014-01-28 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
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JP4554665B2
(ja)
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2006-12-25 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
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JP2009053665A
(ja)
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2007-08-02 |
2009-03-12 |
Fujifilm Corp |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
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JP2010134126A
(ja)
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2008-12-03 |
2010-06-17 |
Jsr Corp |
感放射線性組樹脂組成物
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JP5439124B2
(ja)
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2009-11-11 |
2014-03-12 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物、レジストパターン形成方法
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JP5611652B2
(ja)
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2010-05-06 |
2014-10-22 |
信越化学工業株式会社 |
ネガ型レジスト材料、パターン形成方法及びフォトマスクブランク
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JP5856991B2
(ja)
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2012-05-21 |
2016-02-10 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法
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US10168616B2
(en)
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2014-04-02 |
2019-01-01 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Photoresist composition and process of producing photoresist pattern
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