JP2004002081A - パターニングサファイヤ基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイヤ基板2の表面が所定パターンのマスク3で覆われているパターニングサファイヤ基板1において、前記マスク3がドット状に配置されていることを特徴とするパターンニングサファイヤ基板1である。このように、マスク3をドット状にパターニングすることによって、GaN膜4の成長による結晶欠陥4bの存在する割合を減少させることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子用のサファイヤ基板及び半導体発光素子用基板に関し、特に、結晶欠陥の少ない半導体発光素子用基板を形成できるサファイヤ基板及び半導体発光素子用基板に関する。
【0002】
【従来技術】
従来から図12に示すように、サファイヤ基板表面にストライプ状のマスクを施し、転移によるGaN膜の結晶欠陥の発生を抑える方法が知られている(特開2000−349338)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開2000−349338号公報に開示されているようにストライプ状のマスクを施した場合でも、依然としてGaN膜の結晶欠陥の発生を十分に抑えることができないという問題点がある。即ち、GaN膜がマスクに向かってサファイヤ基板表面の水平方向に成長する際、成長したGaN膜は、マスク上で互いに衝突し、成長による結晶欠陥がストライプ状のマスクに沿って一直線上に発生する。このため、サファイヤ基板上のGaN層の広い範囲にわたって結晶欠陥が発生するという問題点がある。
【0004】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、結晶欠陥の少ない半導体発光素子用基板を形成できるサファイヤ基板及び半導体発光素子用基板を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、以下の発明を完成した。
【0006】
請求項1記載の発明は、サファイヤ基板表面が所定パターンのマスクで覆われているパターニングサファイヤ基板において、前記マスクがドット状に配置されていることを特徴とするパターンニングサファイヤ基板である。
【0007】
マスクがドット状に配置されているため、サファイヤ基板表面において、マスクで覆われていない部分は、編み目状に形成されている。このため、GaN膜は、マスクで覆われていない編み目状の部分から成長し、ドット状のマスクの中心方向に向かって成長する。このように、GaN膜がマスクの中心方向に向かって成長するため、マスクをドット状に配置することによって、マスクをストライプ状に配置した場合や編み目状に配置した場合に比べて、マスクの被覆率が同じ場合であっても、GaN膜の成長による結晶欠陥の存在する割合を減少させることができる。
【0008】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に加えて、前記マスクで覆われた部分が、前記サファイヤ基板表面の50%以上95%以下であることを特徴とするパターンニングサファイヤ基板である。
【0009】
マスクで覆われた部分が、サファイヤ基板表面の50%以上であると、マスクによる被覆率が高くなるため、貫通転移による結晶欠陥がより少なくなる。なお、マスクで覆われた部分のサファイヤ基板表面に対する比率が高いほど、貫通転移による結晶欠陥が少なくなる傾向にあるが、マスクで覆われた部分の比率が95%を越えると、GaN膜でマスク部分を覆い尽くすまでの時間が長く、GaN膜の平坦さが失われやすくなるからである。
【0010】
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2記載の発明の構成に加えて、前記マスクのドット形状が正三角形、正方形、正六角形のいずれかであることを特徴とするパターニングサファイヤ基板である。
【0011】
マスクのドット形状を正三角形、正方形、正六角形のいずれかにすると、マスクによる被覆率を高くした場合でもマスクを均等に配置することができるため、貫通転移による結晶欠陥が発生する部分を均等に分散させることができる。
【0012】
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明の構成に加えて、前記サファイヤ基板表面がC面であり、前記三角形、正方形、正六角形のいずれか一辺が該サファイヤ基板のa軸又はm軸方向に平行になるように、前記マスクが配置されていることを特徴とするパターニングサファイヤ基板である。
【0013】
マスクの正三角形、正方形、正六角形のいずれか一辺がC面サファイヤ基板のa軸又はm軸方向に平行になるように、前記マスクを配置することにより、GaN結晶のファセット面方位と成長方向が一致するため、GaNの成長による結晶欠陥が減少する。
【0014】
請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記マスクが高融点金属、高融点窒化物、高融点炭化物、高融点炭窒化物のいずれからから選択される物質であることを特徴とするパターニングサファイヤ基板である。
【0015】
高融点金属としては、例えば、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステンであり、高融点窒化物としては、例えば、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ニオブ、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンであり、高融点炭化物としては、例えば、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化タンタル、炭化モリブデン、炭化タングステンであり、高融点炭窒化物は、例えば、炭窒化ジルコニウム、炭窒化ハフニウム、炭窒化ニオブ、炭窒化タンタル、炭窒化モリブデン、炭窒化タングステンである。
【0016】
請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記マスクがタングステンであることを特徴とするパターニングサファイヤ基板である。
【0017】
請求項7記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のパターニングサファイヤ基板上にGaN層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子用基板である。
【0018】
【発明の実施の形態】
パターニングサファイヤ基板1は、図1に示すように、その基板表面上が所定パターンのマスク3で覆われている。このマスク3は、GaN膜4がサファイヤ基板2の表面から直接、成長するのを阻止するためのものである。これにより、マスク3で被覆した部分上のGaN膜4には、貫通転移による結晶欠陥4aが生じない。
【0019】
マスク3のパターンは、図2乃至図4に示すように、正三角形、正方形、正六角形のいずれかの形状で構成されている。図2(a)、図3(a)、図4(a)は、マスク3で覆われた部分がサファイヤ基板2の表面全体の25%の場合である。図2(b)、図3(b)、図4(b)は、マスク3で覆われた部分がサファイヤ基板2の表面全体の50%の場合である。図2(c)、図3(c)、図4(c)は、マスク3で覆われた部分がサファイヤ基板2の表面全体の約75%の場合である。ここで、マスク3で覆われた部分がサファイヤ基板2の表面全体の50%以上であると、マスク3の被覆率が高くなるため、貫通転移による結晶欠陥4aが少なくなる。なお、マスク3で覆われた部分のサファイヤ基板2の表面全体に対する比率が高いほど、貫通転移による結晶欠陥4aが少なくなる傾向にあるが、マスク3で覆われた部分の比率が95%を越えると、GaN膜でマスク部分を覆い尽くすまでの時間が長く、膜の平坦さが失われやすくなるので、マスク3で覆われた部分の比率は95%以下が好ましい。なお、マスク3で覆われた部分の比率は、より好ましくは、80%以下である。
【0020】
このように、正三角形、正方形、正六角形のパターンのマスク3を施すと、マスクの被覆率を高くした場合でもマスクを均等に配置することができるため、貫通転移による結晶欠陥4aが発生する部分を均等に分散させることができる。
【0021】
図2乃至図4に示すように、マスク3は、ドット状に配置されているため、マスクが配置されていない部分は、編み目状に形成されている。このため、図1に示すように、GaN膜4は、マスク3が配置されていない編み目状の部分から成長し、矢印に示すように、ドット状のマスク3の中心方向に向かって成長する。このように、GaN膜4がマスク3の中心方向に向かって成長するため、GaN膜の成長による結晶欠陥4bをマスク3の中心部分の上部に集中させることができる。
【0022】
これに対して、図9乃至図11に示すように、マスクを編み目状に配置した場合、GaN膜は、マスクが配置されていないドット状の部分から成長し、編み目状のマスクに向かって放射状に成長する。このように、GaN膜4がマスクに向かって放射状に成長するため、GaN膜の成長による結晶欠陥が編み目状に形成される。
【0023】
次に、図2乃至図4に示すドット状にマスク3を配置した場合と、図9乃至図11に示す編み目状にマスクを配置した場合について、GaN膜の成長による結晶欠陥の存在する割合を比較する。
【0024】
図5(a)は、ドット状にマスク3を配置した場合の結晶欠陥4bの存在する様子を表しており、図5(b)は、編み目状にマスクを配置した場合の結晶欠陥4bの存在する様子を表している。鎖線で示した正六角形で囲まれた部分を比較すると、図5(a)に示す結晶欠陥4bの方が少ないのがわかる。このように、マスクの被覆率が同じ場合であっても、ドット状にマスクを配置することにより、GaN膜の成長による結晶欠陥4bの存在する割合を減少させることができる。なお、両者のマスクによる被覆率は、ほぼ同じであるため、貫通転移による結晶欠陥4aが生じる割合は、同じである。
【0025】
次に、マスクとサファイヤ基板の結晶方位との関係について説明する。マスクは、図6乃至図8に示すように、正三角形、正方形、正六角形のいずれかのマスクの一辺が、サファイヤ基板表面のm軸又はa軸と平行になるように配置されている。例えば、図6(a)の場合、正三角形の底辺がa軸と平行に配置されている。また、図8(c)の場合、正六角形の2辺がm軸と平行に配置されている。このように、マスクの一辺と結晶方位が平行になるようにマスクを配置することによって、GaN結晶のファセット面方位と成長方向が一致するため、より一層GaN膜の成長による結晶欠陥を減少させることができる。
【0026】
なお、本実施形態では、C面基板の場合を説明したが、これに限らず、例えば、サファイヤ基板表面がa面である場合、正三角形、正方形、正六角形のいずれかのマスクの一辺が、サファイヤ基板表面のC軸又はm軸と平行になるように配置すればよい。また、マスクの一辺の長さは、0.01μmから100μmに形成するのが好ましい。
【0027】
また、マスク材としては、例えば、タングステンを用いるのが好適であるが、これに限らず、高融点金属、高融点窒化物、高融点炭化物、高融点炭窒化物のいずれからから選択される物質でもよい。
【0028】
また、マスク3のパターンは、フォトリソグラフィー法とエッチングにより形成する。即ち、サファイヤ基板の表面にタングステンを蒸着し、レジストを塗布した後、パターニングする。次に、エッチングし、レジストを除去して、サファイヤ基板表面を洗浄する。このようにしてドット状のパターニングサファイヤ基板を得る。
【0029】
【発明の効果】
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の発明は、GaN膜の成長による結晶欠陥の存在する割合を減少させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】パターニングサファイヤ基板の断面図である。
【図2】正三角形のドット状パターンを説明する図である。
【図3】正方形のドット状パターンを説明する図である。
【図4】正六角形のドット状パターンを説明する図である。
【図5】GaN膜の成長による結晶欠陥の存在割合を比較する図である。図5(a)は、マスクをドット状に配置した場合のパターニングサファイヤ基板表面であり、図5(b)は、マスクを編み目状に配置した場合のパターニングサファイヤ基板表面である。
【図6】正三角形のマスクとサファイヤ基板表面の結晶軸との関係を説明する図である。
【図7】四角形のマスクとサファイヤ基板表面の結晶軸との関係を説明する図である。
【図8】正六角形のマスクとサファイヤ基板表面の結晶軸との関係を説明する図である。
【図9】編み目状のマスクを説明する図である。
【図10】編み目状のマスクを説明する図である。
【図11】編み目状のマスクを説明する図である。
【図12】ストライプ状のマスクで覆われたサファイヤ基板を説明する図である。
【符号の説明】
1 パターニングサファイヤ基板
2 サファイヤ基板
3 マスク
4 GaN膜
4a 貫通転移による結晶欠陥
4b GaN膜の成長による結晶欠陥
Claims (7)
- サファイヤ基板表面が所定パターンのマスクで覆われているパターニングサファイヤ基板において、
前記マスクがドット状に配置されていることを特徴とするパターンニングサファイヤ基板。 - 前記マスクで覆われた部分が、前記サファイヤ基板表面の50%以上95%以下であることを特徴とする請求項1記載のパターンニングサファイヤ基板。
- 前記マスクのドット形状が正三角形、正方形、正六角形のいずれかであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のパターニングサファイヤ基板。
- 前記サファイヤ基板表面がC面であり、前記三角形、正方形、正六角形のいずれか一辺が該サファイヤ基板のa軸又はm軸方向に平行になるように、前記マスクが配置されていることを特徴とする請求項3記載のパターニングサファイヤ基板。
- 前記マスクが高融点金属、高融点窒化物、高融点炭化物、高融点炭窒化物のいずれからから選択される物質であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のパターニングサファイヤ基板。
- 前記マスクがタングステンであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のパターニングサファイヤ基板。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のパターニングサファイヤ基板上にGaN層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子用基板。
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-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002157113A patent/JP2004002081A/ja active Pending
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