JP2003536242A - エッチ液およびエッチング方法 - Google Patents
エッチ液およびエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
フッ化水素（ＨＦ）、カルボン酸、および水から成り、金属、ポリシリコンおよび窒化物に比べて酸化シリコンに高いエッチング選択性を有するエッチ液。該エッチ液は、正確に調節された最小量の水を有するカルボン酸に、無水ＨＦを注入することにより作製される。エッチ液は、マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）デバイスの製造や、同じチップ上で集積電子回路と組み合わせたＭＥＭＳデバイスの製造に有用である。
Description
【０００１】
（本発明の属する技術分野）
本発明は、一般に、エッチ液に関し、より詳細には、半導体およびマイクロエ
レクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスにエッチングするためのエッ
チ液に関する。
レクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスにエッチングするためのエッ
チ液に関する。
【０００２】
（発明の背景）
マイクロセンサ、マイクロアクチュエータおよびマイクロスイッチのようなＭ
ＥＮＳデバイスを形成するための誘電体および金属層の堆積およびエッチングは
、マイクロマシニングとして一般に知られている。二酸化ケイ素のような犠牲誘
電体層のエッチングは、ＭＥＭＳデバイスの形成にも半導体デバイスの形成にも
使用される重要なマイクロマシニング法である。
ＥＮＳデバイスを形成するための誘電体および金属層の堆積およびエッチングは
、マイクロマシニングとして一般に知られている。二酸化ケイ素のような犠牲誘
電体層のエッチングは、ＭＥＭＳデバイスの形成にも半導体デバイスの形成にも
使用される重要なマイクロマシニング法である。
【０００３】
犠牲酸化物は、通常、窒化シリコンとメタライゼーション（例えばアルミニウ
ムまたは銅）をさらに含み得るポリシリコン構造物として提供される。犠牲酸化
物にエッチングする時には、最終構造物の一部分を形成するポリシリコン、金属
および窒化物材料が犠牲酸化物のエッチ液によってエッチングされる範囲を最小
限にすることが望ましい。
ムまたは銅）をさらに含み得るポリシリコン構造物として提供される。犠牲酸化
物にエッチングする時には、最終構造物の一部分を形成するポリシリコン、金属
および窒化物材料が犠牲酸化物のエッチ液によってエッチングされる範囲を最小
限にすることが望ましい。
【０００４】
特定のエッチ液が非酸化物材料をエッチングする範囲は、溶液のエッチング選
択性によって特徴付けられる。ＭＥＮＳおよび他の半導体デバイスの場合、例え
ば金属に比べて酸化物のエッチング選択性が高いことが望ましい。従来のエッチ
液の１つは、フッ化アンモニウムによって緩衝されたＨＦを含むいわゆるバッフ
ァード酸化物エッチ（ＢＯＥ）液である。しかしながら、ＢＯＥ液は、犠牲酸化
物のエッチング中に露出した金属、ポリシリコンおよび／または窒化物表面を激
しくエッチングするという点で、エッチング選択性に乏しい。詳細には、犠牲酸
化物全体が除去される前に、アルミニウムメタライゼーションがしばしば完全に
エッチングされてしまう。
択性によって特徴付けられる。ＭＥＮＳおよび他の半導体デバイスの場合、例え
ば金属に比べて酸化物のエッチング選択性が高いことが望ましい。従来のエッチ
液の１つは、フッ化アンモニウムによって緩衝されたＨＦを含むいわゆるバッフ
ァード酸化物エッチ（ＢＯＥ）液である。しかしながら、ＢＯＥ液は、犠牲酸化
物のエッチング中に露出した金属、ポリシリコンおよび／または窒化物表面を激
しくエッチングするという点で、エッチング選択性に乏しい。詳細には、犠牲酸
化物全体が除去される前に、アルミニウムメタライゼーションがしばしば完全に
エッチングされてしまう。
【０００５】
上述のようなマイクロマシニングの一般的な使用法は、ＭＥＭＳセンサの製造
である。更に、ＭＥＭＳセンサを形成するために使用されるのと同じデバイス上
に、集積電子回路を形成することが望ましくなってきている。したがって、犠牲
酸化物のエッチングを必要とするＭＥＭＳセンサと集積回路との組み合わせを形
成する際に、チップのメタライゼーションと不動態化の特徴が、犠牲酸化物のエ
ッチ液によって不都合にエッチングされないことが重要である。
である。更に、ＭＥＭＳセンサを形成するために使用されるのと同じデバイス上
に、集積電子回路を形成することが望ましくなってきている。したがって、犠牲
酸化物のエッチングを必要とするＭＥＭＳセンサと集積回路との組み合わせを形
成する際に、チップのメタライゼーションと不動態化の特徴が、犠牲酸化物のエ
ッチ液によって不都合にエッチングされないことが重要である。
【０００６】
従って、金属、ポリシリコンおよび窒化物と比べて酸化シリコンに高いエッチ
ング選択性があり、かつ同じチップ上にＭＥＮＳデバイスと電子デバイスを製作
するのに適した、犠牲酸化物のエッチング用の化学溶液を提供することが望まし
い。
ング選択性があり、かつ同じチップ上にＭＥＮＳデバイスと電子デバイスを製作
するのに適した、犠牲酸化物のエッチング用の化学溶液を提供することが望まし
い。
【０００７】
（詳細な説明）
本発明は一般に、無水ＨＦ、カルボン酸および水の混合物であるエッチ液を提
供する。このエッチ液は、例えばマイクロセンサやマイクロマシンのようなＭＥ
ＭＳデバイスの製作に使用される酸化物のエッチングに有用である。本発明のエ
ッチ液の重要な利点は、該エッチ液が、ＭＥＭＳや電子デバイスの構成コンポー
ネントを形成する金属、窒化物およびポリシリコンを含めた他の材料と比べて、
酸化シリコンに対して高いエッチング選択性を有するということである。このエ
ッチング選択性の結果、本発明のエッチ液は、そのような酸化物でない材料を比
較的少量エッチングするだけで、犠牲酸化物を除去することができる。したがっ
て、本発明のエッチ液は、ＭＥＭＳと電子デバイスの製作プロセスを改良する。
供する。このエッチ液は、例えばマイクロセンサやマイクロマシンのようなＭＥ
ＭＳデバイスの製作に使用される酸化物のエッチングに有用である。本発明のエ
ッチ液の重要な利点は、該エッチ液が、ＭＥＭＳや電子デバイスの構成コンポー
ネントを形成する金属、窒化物およびポリシリコンを含めた他の材料と比べて、
酸化シリコンに対して高いエッチング選択性を有するということである。このエ
ッチング選択性の結果、本発明のエッチ液は、そのような酸化物でない材料を比
較的少量エッチングするだけで、犠牲酸化物を除去することができる。したがっ
て、本発明のエッチ液は、ＭＥＭＳと電子デバイスの製作プロセスを改良する。
【０００８】
エッチ液を、本発明の１実施形態では、化学蒸着法によって作成されたリン酸
シリカグラス（ＰＳＧ）の例に関して以下に説明する。熱成長ＳｉＯ２とＰＳＧ
は、マイクロマシニング構造物の形成において犠牲酸化物層として使用される酸
化膜の２つの例である。通常、犠牲酸化物層は、犠牲酸化物のエッチングの前に
、マイクロ構造の部分に接触している。しかしながら、当業者には、該エッチ液
が、マイクロ構造または電子コンポーネントを形成する金属、窒化物および／ま
たはポリシリコン材料が酸化物除去の間にエッチ液に露出され得る、ＭＥＭＳと
電子デバイスに使用可能な他のタイプの酸化物の除去も一般に適用できることが
理解されよう。
シリカグラス（ＰＳＧ）の例に関して以下に説明する。熱成長ＳｉＯ２とＰＳＧ
は、マイクロマシニング構造物の形成において犠牲酸化物層として使用される酸
化膜の２つの例である。通常、犠牲酸化物層は、犠牲酸化物のエッチングの前に
、マイクロ構造の部分に接触している。しかしながら、当業者には、該エッチ液
が、マイクロ構造または電子コンポーネントを形成する金属、窒化物および／ま
たはポリシリコン材料が酸化物除去の間にエッチ液に露出され得る、ＭＥＭＳと
電子デバイスに使用可能な他のタイプの酸化物の除去も一般に適用できることが
理解されよう。
【０００９】
本発明のエッチ液の高いエッチング選択性は、露出された金属、窒化物または
ポリシリコンの表面をほとんど除去することなく、犠牲酸化物を除去することを
可能にする。重要な１つの結果は、電子デバイス（例えば相補型金属酸化物半導
体（ＣＭＯＳ）デバイス）を、ＭＥＭＳデバイスを形成するために使用されるの
と同じチップ上に、実用的なプロセスフローにて組み込めることである。
ポリシリコンの表面をほとんど除去することなく、犠牲酸化物を除去することを
可能にする。重要な１つの結果は、電子デバイス（例えば相補型金属酸化物半導
体（ＣＭＯＳ）デバイス）を、ＭＥＭＳデバイスを形成するために使用されるの
と同じチップ上に、実用的なプロセスフローにて組み込めることである。
【００１０】
バッファードＨＦのような、犠牲酸化物層の除去用に使用される先行技術のエ
ッチ液は、アルミニウムや銅のような露出された金属表面の腐食という不都合な
効果があった。しかしながら、ＨＦの溶媒または希釈液として、調節量の水とカ
ルボン酸を組み合わせて使用すると、望ましくない金属腐食の問題が克服される
ことが分かった。エッチ液中の、調節量の水と組み合わせたカルボン酸は、アル
ミニウムの溶解速度を遅くすると考えられている。実験結果により、無水ＨＦ、
カルボン酸、および調節量の水から成るエッチ液が、アルミニウムや銅のような
金属の腐食を著しく減少すること、ならびにポリシリコンと窒化シリコンの腐食
速度を相対的に最小にすることが示された。
ッチ液は、アルミニウムや銅のような露出された金属表面の腐食という不都合な
効果があった。しかしながら、ＨＦの溶媒または希釈液として、調節量の水とカ
ルボン酸を組み合わせて使用すると、望ましくない金属腐食の問題が克服される
ことが分かった。エッチ液中の、調節量の水と組み合わせたカルボン酸は、アル
ミニウムの溶解速度を遅くすると考えられている。実験結果により、無水ＨＦ、
カルボン酸、および調節量の水から成るエッチ液が、アルミニウムや銅のような
金属の腐食を著しく減少すること、ならびにポリシリコンと窒化シリコンの腐食
速度を相対的に最小にすることが示された。
【００１１】
使用するカルボン酸は、例えば、一般的には１または複数のカルボキシル基を
有する任意の酸として、より詳しくは、例えばシュウ酸、ギ酸、乳酸、酒石酸、
リンゴ酸、コハク酸、クエン酸および酢酸を含めた任意の酸として、選択するこ
とができる。酢酸を、上記に識別した成分と組み合わせると、熱成長ＳｉＯ２お
よびＰＳＧを選択的にエッチングするのに特に有用であることが見出された。
有する任意の酸として、より詳しくは、例えばシュウ酸、ギ酸、乳酸、酒石酸、
リンゴ酸、コハク酸、クエン酸および酢酸を含めた任意の酸として、選択するこ
とができる。酢酸を、上記に識別した成分と組み合わせると、熱成長ＳｉＯ２お
よびＰＳＧを選択的にエッチングするのに特に有用であることが見出された。
【００１２】
カルボン酸への無水ＨＦの混合比は、決定的に重要であるとは考えられていな
いが、好ましい範囲は約０．１％無水ＨＰから特定のカルボン酸の溶解限界まで
であることがわかっている。優れた実験結果を示す好ましい１つの混合物は、カ
ルボン酸に対して約１０％の無水ＨＰである。ＨＦの量に関して溶液を希釈する
と、エッチング速度はより遅くなる。カルボン酸に対する無水ＨＦの混合比は、
本発明を制限するものではないことが理解される。
いが、好ましい範囲は約０．１％無水ＨＰから特定のカルボン酸の溶解限界まで
であることがわかっている。優れた実験結果を示す好ましい１つの混合物は、カ
ルボン酸に対して約１０％の無水ＨＰである。ＨＦの量に関して溶液を希釈する
と、エッチング速度はより遅くなる。カルボン酸に対する無水ＨＦの混合比は、
本発明を制限するものではないことが理解される。
【００１３】
より重要なのは、エッチ液中の水の量を調節しなければならないことである。
本発明のエッチ液の１実施形態に導入される水の好ましい範囲は、約０．５重量
％〜約５．０重量％の範囲にある。更に、無水カルボン酸（例えば氷酢酸）の使
用が、エッチ液中の水の量をより正確に調節するために好まれる。
本発明のエッチ液の１実施形態に導入される水の好ましい範囲は、約０．５重量
％〜約５．０重量％の範囲にある。更に、無水カルボン酸（例えば氷酢酸）の使
用が、エッチ液中の水の量をより正確に調節するために好まれる。
【００１４】
エッチ液は、正確に調節された最小量の水を有するカルボン酸（例えば氷酢酸
）の水溶液へ、無水ＨＦを注入することにより作製される。混合のために使用さ
れる化学物質の比は上述した通りである。
）の水溶液へ、無水ＨＦを注入することにより作製される。混合のために使用さ
れる化学物質の比は上述した通りである。
【００１５】
本発明のエッチ液を使用するために必要とされる温度は、決定的に重要である
とは考えられていない。通常、エッチングの間は、約３０℃未満（摂氏）、例え
ば約１５℃〜３０℃の範囲、のより冷たい温度を使用することが好まれる。その
ような冷たい温度の利点は、エッチ液の蒸発による損失が減少することである。
さらに、エッチ液はエッチングの間、液相にあることが望ましい。
とは考えられていない。通常、エッチングの間は、約３０℃未満（摂氏）、例え
ば約１５℃〜３０℃の範囲、のより冷たい温度を使用することが好まれる。その
ような冷たい温度の利点は、エッチ液の蒸発による損失が減少することである。
さらに、エッチ液はエッチングの間、液相にあることが望ましい。
【００１６】
更に、エッチ液と、エッチングされる犠牲酸化物を有するデバイスとは、エッ
チ溶液ではない水が本質的に存在しない密封環境に配置されることが好ましい。
例えば、窒素のような不活性ガスによって不要物質を除去した、閉じ蓋を備えた
密封容器やエッチング浴が使用され得る。エッチ液の調節した最小の水量を超え
る大気からの吸水は、金属エッチング速度を不都合に増加させることが発見され
た。
チ溶液ではない水が本質的に存在しない密封環境に配置されることが好ましい。
例えば、窒素のような不活性ガスによって不要物質を除去した、閉じ蓋を備えた
密封容器やエッチング浴が使用され得る。エッチ液の調節した最小の水量を超え
る大気からの吸水は、金属エッチング速度を不都合に増加させることが発見され
た。
【００１７】
無水ＨＦ、氷酢酸、および水を使用した作業例を、あくまでさらに詳しい説明
の目的で、以下に挙げるが、この例は、本発明の適用可能性の範囲を制限するこ
とを意図しない。以上に論じたように、本発明の好ましい実施形態は、広範な酸
化物犠牲層、マイクロ構造および電子コンポーネントに適用できると共に有用で
ある。
の目的で、以下に挙げるが、この例は、本発明の適用可能性の範囲を制限するこ
とを意図しない。以上に論じたように、本発明の好ましい実施形態は、広範な酸
化物犠牲層、マイクロ構造および電子コンポーネントに適用できると共に有用で
ある。
【００１８】例
無水ＨＦ（１０％）、氷酢酸（８９％）、および水（１％）の混合物（重量％
）を調製し、アルミニウム−ケイ素合金、ドープトポリシリコン、窒化シリコン
、熱成長ＳｉＯ２およびＰＳＧ表面を有するサンプルデバイスをエッチングする
ために使用した。エッチングは１８℃で行い、サンプルエッチング速度を以下の
ように測定した。
）を調製し、アルミニウム−ケイ素合金、ドープトポリシリコン、窒化シリコン
、熱成長ＳｉＯ２およびＰＳＧ表面を有するサンプルデバイスをエッチングする
ために使用した。エッチングは１８℃で行い、サンプルエッチング速度を以下の
ように測定した。
【００１９】
材料 エッチング速度（オングストローム／分）
Ａｌ：Ｓｉ ２−１５
ポリシリコン（ドープト） ０．５−２．０
窒化シリコン ４−１４
熱成長ＳｉＯ２ １３０−１６０
ＰＳＧ １０，０００−１００，０００
【００２０】
金属、ポリシリコン、および窒化物に対する犠牲酸化物のエッチング選択性は
、関連するエッチング速度に由来する。それぞれの比を約１０：８９：１とした
ＨＦ、カルボン酸、および最小の調節量の水から成るエッチ液を使用したとき、
アルミニウムまたは銅に対する熱成長したＳｉＯ２ のエッチング選択性は、約
９〜８０の範囲にある。他方、ポリシリコンに対する熱成長ＳｉＯ２ のエッチ
ング選択性は約６５〜３２０の範囲にある。窒化シリコンに対する熱成長ＳｉＯ２ のエッチング選択性は、約９〜４０の範囲にある。
、関連するエッチング速度に由来する。それぞれの比を約１０：８９：１とした
ＨＦ、カルボン酸、および最小の調節量の水から成るエッチ液を使用したとき、
アルミニウムまたは銅に対する熱成長したＳｉＯ２ のエッチング選択性は、約
９〜８０の範囲にある。他方、ポリシリコンに対する熱成長ＳｉＯ２ のエッチ
ング選択性は約６５〜３２０の範囲にある。窒化シリコンに対する熱成長ＳｉＯ２ のエッチング選択性は、約９〜４０の範囲にある。
【００２１】
ＰＳＧ犠牲層に同じエッチ液を使用する場合、アルミニウムまたは銅に対する
ＰＳＧのエッチング選択性は、約６６６〜５０，０００の範囲にある。ポリシリ
コンに対するＰＳＧのエッチング選択性は、約５，０００〜２００，０００の範
囲にある。窒化シリコンに対するＰＳＧのエッチング選択性は、約７１４〜２５
，０００の範囲にある。ＰＳＧの広範なエッチング選択性は、ＰＧＳ膜がアニー
ルされるかどうか、リンのドーピングレベル、ならびに堆積温度を含むがそれら
に限定されない特定のプロセスパラメータに基づいて決まる。
ＰＳＧのエッチング選択性は、約６６６〜５０，０００の範囲にある。ポリシリ
コンに対するＰＳＧのエッチング選択性は、約５，０００〜２００，０００の範
囲にある。窒化シリコンに対するＰＳＧのエッチング選択性は、約７１４〜２５
，０００の範囲にある。ＰＳＧの広範なエッチング選択性は、ＰＧＳ膜がアニー
ルされるかどうか、リンのドーピングレベル、ならびに堆積温度を含むがそれら
に限定されない特定のプロセスパラメータに基づいて決まる。
【００２２】
無水ＨＦとカルボン酸の使用によってエッチ液中の水の量を比較的少ないレベ
ルに調節すると、特にアルミニウムと銅に関するエッチング選択性がより劇的に
改良されることがわかった。エッチング選択性は、一般に、エッチ液の自由水の
含量が減少するにつれて増加する。調節された最小量の水の実施形態では、ポリ
シリコンと窒化物に対するエッチング選択性も高い。
ルに調節すると、特にアルミニウムと銅に関するエッチング選択性がより劇的に
改良されることがわかった。エッチング選択性は、一般に、エッチ液の自由水の
含量が減少するにつれて増加する。調節された最小量の水の実施形態では、ポリ
シリコンと窒化物に対するエッチング選択性も高い。
【００２３】
この時点で、無水ＨＦ、カルボン酸、およびＭＥＭＳデバイスの製作中の犠牲
酸化物のエッチングに有用な水から成る新規なエッチ液が提供されたことを理解
すべきである。ポリシリコン、窒化物および金属と比べた犠牲酸化物層の本発明
のエッチ液のエッチング選択性は、従来の犠牲酸化物エッチ液のエッチング選択
制よりも大いに高く、集積電子回路と同じチップ上にＭＥＭＳデバイスを実際に
組み込むことが許容される。
酸化物のエッチングに有用な水から成る新規なエッチ液が提供されたことを理解
すべきである。ポリシリコン、窒化物および金属と比べた犠牲酸化物層の本発明
のエッチ液のエッチング選択性は、従来の犠牲酸化物エッチ液のエッチング選択
制よりも大いに高く、集積電子回路と同じチップ上にＭＥＭＳデバイスを実際に
組み込むことが許容される。
【００２４】
本発明を、典型的で好ましい実施形態を参照しながら詳しく示すと共に説明し
たが、形状および詳細についての変更を、本発明の精神および範囲から逸脱せず
に行いうることが、当業者には理解されよう。例えば、銅とアルミニウム以外の
他の適切な金属には、アルミニウム合金および銅合金が含まれる。
たが、形状および詳細についての変更を、本発明の精神および範囲から逸脱せず
に行いうることが、当業者には理解されよう。例えば、銅とアルミニウム以外の
他の適切な金属には、アルミニウム合金および銅合金が含まれる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ
Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ
，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，
ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，
ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ
Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ
，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，
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Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ
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Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ
，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，
ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 デントン、ハイジ エル．
アメリカ合衆国 85259 アリゾナ州 ス
コッツデール イースト キャロル アベ
ニュー 11625
(72)発明者 デービソン、マイケル ジェイ．
アメリカ合衆国 85208 アリゾナ州 メ
ーサ サウス ナインティース ストリー
ト 752
(72)発明者 スミス、ジェフリー エイ．
アメリカ合衆国 85296 アリゾナ州 ギ
ルバート イースト エリー ストリート
1310
Ｆターム(参考） 5F043 AA31 BB22 EE27
Claims (5)
- 【請求項１】無水フッ化水素と、 カルボン酸と、 水と、を含むエッチ液。
- 【請求項２】誘電材料を含むコンポーネントを製造する方法であって、 水とカルボン酸の水性混合物と、フッ化水素とを含むエッチ液を提供する工程
と、 誘電材料にエッチングするためにエッチ液を使用する工程と、から成る方法。 - 【請求項３】エッチ液を製造する方法であって、 水とカルボン酸の水性混合物を形成する工程と、１５ 水とカルボン酸の水性混合物へ無水フッ化水素を注入して、エッチ液中の水の
量が約０．５重量％〜約５重量％の範囲にあるようにする工程と、から成る方法
。 - 【請求項４】半導体コンポーネントを製造する方法であって、 誘電材料が上に配置された基板を提供する工程と、 フッ化水素、カルボン酸、および水を含むエッチ液を使用して、誘電材料の一
部分にエッチングする工程と、から成る方法。 - 【請求項５】マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）コンポー
ネントを製造する方法であって、 誘電材料が上に配置された基板を提供する工程と、 フッ化水素、カルボン酸、および水を含むエッチ液を使用して、誘電材料の一
部分にエッチングする工程と、から成る方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US49786400A | 2000-02-04 | 2000-02-04 | |
| US09/497,864 | 2000-02-04 | ||
| PCT/US2001/002569 WO2001057921A1 (en) | 2000-02-04 | 2001-01-26 | Etching solution and method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003536242A true JP2003536242A (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=23978615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001557084A Pending JP2003536242A (ja) | 2000-02-04 | 2001-01-26 | エッチ液およびエッチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1256126A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003536242A (ja) |
| KR (1) | KR20020075907A (ja) |
| AU (1) | AU2001233002A1 (ja) |
| WO (1) | WO2001057921A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| TWI282814B (en) * | 2002-09-13 | 2007-06-21 | Daikin Ind Ltd | Etchant and etching method |
| KR100626382B1 (ko) | 2004-08-03 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 식각 용액 및 이를 이용한 자기 기억 소자의 형성 방법 |
| JP4828451B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| WO2007140193A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Honeywell International Inc. | Selective tantalum carbide etchant, methods of production and uses thereof |
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| US5824601A (en) * | 1997-06-30 | 1998-10-20 | Motorola, Inc. | Carboxylic acid etching solution and method |
-
2001
- 2001-01-26 KR KR1020027010076A patent/KR20020075907A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-01-26 AU AU2001233002A patent/AU2001233002A1/en not_active Abandoned
- 2001-01-26 WO PCT/US2001/002569 patent/WO2001057921A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-01-26 EP EP01905084A patent/EP1256126A1/en not_active Withdrawn
- 2001-01-26 JP JP2001557084A patent/JP2003536242A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1256126A1 (en) | 2002-11-13 |
| KR20020075907A (ko) | 2002-10-07 |
| WO2001057921A1 (en) | 2001-08-09 |
| AU2001233002A1 (en) | 2001-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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