KR20020075907A - 에칭 용액 및 방법 - Google Patents

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Abstract

불화수소(HF), 카르복실 산 및 물의 에칭 용액은 금속, 폴리실리콘 및 질화물에 관하여 산화규소를 위해 높은 에칭 선택도를 갖는다. 이 에칭 용액은 무수 HF를 정확하게 제어된 최소량의 물을 갖는 카르복실 산에 주입함으로써 생성된다. 이 에칭 용액은 같은 칩상에서 통합된 잔자들과 결합하여 MEMS 디바이스들의 제조뿐만 아니라, 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 디바이스들의 제조시 유용하다.

Description

에칭 용액 및 방법{Etching solution and method}
일반적으로, 마이크로-센서들, 마이크로-작동기들 및 마이크로-스위치들과 같은 MEMS 디바이스들을 형성하기 위해 유전층 및 금속층을 침착시키고 에칭하는 것이 마이크로-기계가공으로서 공지되어 있다. 이산화규소와 같은 희생 유전층(sacrificial dielectric layer)은 반도체 디바이스들의 형성에 뿐만 아니라 MEMS 디바이스들의 제작에 채용된다.
본 발명은 일반적으로 에칭 용액에 관한 것으로, 특히, 반도체 및 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 디바이스들을 에칭하는 에칭 용액에 관한 것이다.
통상적으로, 희생 산화물은 질화규소 및 금속화, 예컨대 알루미늄 또는 구리를 포함할 수도 있는 폴리실리콘 구조에 제공된다. 희생 산화물을 에칭할 때, 마지막 구조의 일부들을 형성하는 폴리실리콘, 금속 및 질화물 재료들이 희생 산화물 에칭 용액에 의해 에칭되는 넓이를 최소화하는 것이 바람직하다.
특정한 에칭 용액이 비산화물 재료들을 에칭하는 넓이는 용액의 에칭 선택도에 의해 특징 지워진다. MEMS 및 그 밖의 반도체 디바이스들에 있어서, 예를 들면, 금속에 관련된 산화물을 위해 에칭 선택도가 높은 것이 바람직하다. 하나의 종래에칭 용액은 불화암모늄에 의해 완충된 HF를 포함하는 소위 완충된 산화물 에칭(BOE) 용액으로 불린다. 그러나, BOE 용액은, 이 용액이 희생 산화물의 에칭동안 노출된 금속, 폴리실리콘 및/또는 질화물 표면들을 심하게 에칭하는 조악한 에칭 선택도를 나타낸다. 특히, 알루미뮴 금속화는, 희생 산화물이 완전히 제거되기 전에 흔히 완벽하게 제거된다.
상기 기술되는 것과 같은 마이크로 기계가공에 대한 통상적인 이용은 MEMS 센서의 형성에 있다. 게다가, MEMS 센서를 형성하는데 이용되는 동일한 디바이스 상에 통합 전자들을 형성하는 것이 바람직해진다. 따라서, 희생 산화물의 에칭을 필요로 하는 결합 MEMS 센서 및 집적 회로를 형성할 때, 칩의 금속화 및 패시베이션 특징들이 희생 산화물 에칭 용액에 의해 해롭게 에칭되지 않는다는 점이 중요하다.
따라서, 이것은 금속, 폴리실리콘 및 질화물에 관하여 산화규소에 고 에칭 선택도를 갖는 희생 산화물을 에칭하는 화학 용액을 제공하는 것이 바람직하고, 동일한 칩 상에서 MEMS 디바이스들 및 전자 디바이스를 제조하기에 적절하다.
통상적으로, 본 발명은 무수 HF(anhydrous hydrogen fluoride), 카르복실 산(carboxylic acid) 및 물의 혼합물인 에칭 용액을 제공한다. 이 용액은, 예컨대 마이크로 센서들 및 마이크로 기계들과 같은 MEMS 디바이스들의 제조시 이용되는 산화물들의 에칭에 유용하다. 본 발명의 에칭 용액에 있어서 중요한 장점은, MEMS 및 전자 디바이스들의 구조상의 구성 요소들을 형성하는 금속들, 질화물들 및 폴리실리콘을 포함하는 그 밖의 재료들에 관해서 산화규소를 위해 고 에칭 선택도를 갖는다는 것이다. 이 에칭 선택도의 결과로서, 본 발명의 에칭 용액은 그 밖의 다른 비 산화물 재료들의 상대적으로 작은 에칭만을 갖는 희생 산화물들을 제거할 수 있다. 따라서, 본 발명의 에칭 용액은 MEMS 및 전자 디바이스들의 제조 공정을 개선한다.
에칭 용액은 본 발명의 일 실시예에서 하기에 더 기술되는데, 이것의 한 예는 화학 증착법(chemical vapor deposition)에 의해 생성된 포스포실리게이트 글라스(PhosphoSilicate Glass)를 이용한다. 열적 성장된 SiO2및 PSG는 마이크로 기계가공된 구조의 형성에서 희생 산화층으로 이용되는 산화막들의 두 예들이다. 통상적으로, 희생 산화층은 희생 산화 에칭보다 전에 마이크로 구조의 일부들과 접촉한다. 그러나, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 있어서, 일반적으로 에칭 용액은, 마이크로 구조 또는 전자 구성 요소들을 형성하는 금속들, 질화물들 및/또는 폴리실리콘 재료들이 산화물 제거 동안에 에칭 용액에 노출될 수 있는 MEMS 및 전자 디바이스들에 이용될 수 있는 다른 종류의 산화물들의 제거에도 적용할 수 있다는 것을 알게 것이다.
본 발명의 에칭 용액의 고 에칭 선택도는 노출된 금속, 질화물 또는 폴리실리콘 표면들의 현저한 열화 없이 희생 산화물의 제거를 허용한다. 하나의 중요한 결과는, 전자 디바이스들 즉, 상보형 금속 산화 반도체(CMOS ; complementary Metal Oxide Semiconductor) 디바이스들이 MEMS 디바이스를 형성하는데 이용되는동일한 칩상의 실제 공정 흐름에서 통합될 수 있다는 것이다.
완충된 HF와 같은 희생 산화층을 제거하는데 이용되는 종래 기술의 에칭 용액들은 알루미늄 및 구리와 같은 노출된 금속 표면들을 에칭하는 있어 해롭게 작용하였다. 그러나, HF를 위한 용제 또는 희석제(dilutent)로서 제어된 양의 물과 결합된 카르복실 산의 이용은 바람직하지 않은 금속 에칭의 문제점을 극복하는 것으로 알려지고 있다. 에칭 용액에서 제어된 양의 물과 결합된 카르복실 산은 알루미늄의 용해 속도를 늦추는 것으로 여겨진다. 실험 결과들은, 무수 HF, 카르복실 산 및 제어된 양의 물의 에칭 용액이 폴리실리콘 및 질화규소의 상대적으로 작은 에칭 레이트를 나타낼 뿐만 아니라, 알루미늄 및 구리와 같은 금속들의 현저히 저하된 에칭을 나타낸다.
이용된 카르복실 산은 하나 또는 그 이상의 카르복실 그룹들을 갖고 특히, 예컨대 수산(oxalic acid), 포름산(formic acid) 젖산(lactic acid), 주석산(tartaric acid), 사과산(malic acid), 호박산(succinic acid), 구연산(citric acid) 및 초산(acetic acid)을 포함하는 어느 한 산(acid)으로 일반적으로 선택될 수 있다. 상기 동일한 성분들과 결합된 초산이 열적 성장된 SiO2및 PSG을 선택적으로 에칭하는데 특히 유용하다고 알려져 있다.
카르복실 산과 무수 HF의 혼합비는 중요한 것으로 여겨지지 않지만, 바람직한 범위는 약 0.1% 무수 HF이고, 특정한 카르복실 산의 용해도 제한까지이다. 뛰어한 실험 결과들을 보여주는 하나의 바람직한 혼합물은 카르복실 산에 대한 약 10%무수 HF이다. HF의 양에 대하여 용액의 희석은 보다 저속의 에칭 레이트들을 가져올 것이다. 카그복실 산과 무수 HF의 혼합비는 본 발명을 한정하지 않음을 이해하여야 한다.
더 중요한 것은 에칭 용액에서 물의 양을 제어할 필요가 있다는 것이다. 본 발명의 에칭 용액의 일 실시예에 도입된 바람직한 물의 범위는 중량으로 약 0.5% 내지 5.0%의 범위에 있다. 게다가, 무수 카르복실 산 예컨대, 빙초산(glacial acetic acid)의 사용은 에칭 용액에서 물의 양을 보다 정확하게 제어하는데 선호된다.
에칭 용액은 빙초산과 같은, 적확하게 제어된 최소량의 물을 갖는 카르복실 산의 수성 용액에 무수 HF를 주입함으로서 생성된다. 혼합하는데 이용되는 화학물들의 비율들은 상기 기술된 것과 같다.
본 발명에 따른 에칭 용액의 이용에 요구되는 온도는 중요한 것으로 여겨지지 않는다. 일반적으로, 에칭 동안, 예컨대 약 15℃ 내지 30℃ 의 범위에서 약 30℃ 미만의 냉각 온도를 이용하는 것이 선호된다. 이러한 냉각 온도의 장점은 에칭 용액의 증발 손실의 감소이다. 또한, 에칭 용액은 에칭 동안 액체상(liquid phase)내에 있는 것이 바람직하다.
더구나, 에칭될 희생 산화물을 갖는 디바이스 및 에칭 용액은 용액이 아닌 물의 실질적으로 자유로운 밀봉 환경에 놓이는 것이 바람직하다. 예를 들면, 질소와 같은 불활성 기체로 일소되는(purged) 닫는 두껑(LID)을 가진 밀봉된 용기 또는 에칭 용액기가 사용될 수 있다. 바람직하지 않은 에칭 용액의 제어된 최소량의 물레벨들 위에 있는 대기로부터의 물 흡수가 금속 에칭 레이트를 증가시킨다는 것을 알게되었다.
무수 HF, 빙초산 및 물을 이용하는 작용예는 아래에 또다른 실례를 위해서만 제공되며, 본 발명의 적응성의 범위를 한정하도록 의도되지 않는다. 상술된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예는 광범위한 종류의 희생 산화층들, 마이크로 구조들 및 전자 구성 요소들에 적용할 수 있고 유용하다.
예
중량으로 무수 HF(10%), 빙초산(89%) 및 물(1%) 혼합물은 규소 알루미늄 합금, 도핑된 폴리실리콘, 질화규소, 열적 성장된 SiO2및 PSG 표면들을 갖는 샘플 디바이스를 에칭하는데 마련되고 이용된다. 에칭은 18℃로 행해지고, 샘플 에칭 레이트들은 다음과 같이 측정된다.
재료 에칭 레이트(Å/min)
Al:Si 2 내지 15
폴리실리콘(도핑된) 0.5 내지 2.0
질화규소 4 내지 14
열적 성장된 SiO2130 내지 160
PSG 10,000 내지 100,000
금속들, 폴리실리콘들 및 질화물들에 관하여 희생 산화물들의 에칭 선택도들은 연관된 에칭 레이트들부터 유출된다. 약 10:89:1의 비율에서 HF, 카르복실 산및 제어된 최소량의 물의 에칭 용액을 이용할 때, 알루미늄 또는 구리에 관하여 열적 성장된 SiO2에 위한 에칭 선택도는 약 9 내지 80의 범위에 있는 반면, 폴리실리콘에 관하여 열적 성장된 SiO2을 위한 에칭 선택도는 약 65 내지 320의 범위내에 있다. 질화규소에 관하여 열적 성장된 SiO2에 위한 에칭 선택도는 약 9 내지 40의 범위내에 있다.
PSG 희생층을 위해 같은 에칭 용액을 이용할 때, 알루미늄 또는 구리에 관하여 PSG를 위한 에칭 선택도는 약 666 내지 50,000의 범위내에 있다. 폴리실리콘에 관하여 PSG에 대한 에칭 선택도는 약 5,000 내지 200,000의 범위내에 있다. 질화규소에 관하여 PSG에 대한 에칭 선택도는 약 714 내지 25,000의 범위내에 있다. PSG에 대한 에칭 선택도들의 넓은 범위는 인(phosphor)의 도핑 레벨 및 침착 온도를 포함하나 PSG 막이 어닐링되는지 여부에 한정되지 않는 어떤 처리 매개변수들에 좌우된다.
무수 HF 및 카르복실 산의 이용에 의한 상대적으로 작은 레벨들에 대한 에칭 용액에서 물의 양을 제어하는 것은, 에칭 선택도에서 특히 알루미늄 및 구리에 관하여 더욱 더 극적인 향상을 가져온다. 일반적으로, 에칭 선택도는 에칭 용액 감소들의 자유로운 물 함유량에 따라 증가한다. 제어된 최소량의 물 구현에서 폴리실리콘 및 질화물에 관하여 에칭 선택도들은 또한 높다.
MEMS 디바이스들의 제조 동안 희생 산화물들을 에칭하는데 이용되는 무수 HF, 카르복실 산 및 물의 새로운 에칭 용액을 제공하고 있다는 것을 이해하여야 한다. 폴리실리콘, 질화물 및 금속에 관하여 산화 희생층들을 위한 본 발명의 에칭 용액의 에칭 선택도는 종래의 희생 산화 에칭 용액들을 위해서보다 현저하게 높고, 집적 회로 전자들과 같은 칩상에서 MEMS 디바이스들의 실제 통합을 허용한다.
비록 본 발명이 특히 예시적이고 바람직한 실시예을 참조로 하여 보여지고 기술되고 있지만, 형태상 변하는 본 발명의 숙련된 자에 의해 이해될 것이고, 세부적인 것은 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어나지 않고 본원에서 이루어질 수 있다. 예를 들면, 구리 및 알루미늄 외에 그 밖의 적절한 금속들은 알루미늄의 합금들 및 구리의 합금들을 포함할 수 있다.

Claims (10)

  1. 무수 불화수소,
    카르복실 산, 및
    물을 포함하는 에칭 용액.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 카르복실 산은, 수산, 젖산, 주석산, 사과산(malic acid), 호박산(succinic acid), 구연산 및 초산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 요소를 포함하는, 에칭 용액.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 용액은, 약 2 내지 15 Å/min의 범위에서의 금속의 에칭 레이트에 의해 특징 지워지고, 상기 금속은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리 및 구리 합금으로 이루어진 금속들의 그룹으로부터 선택되는, 에칭 용액.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 용액은, 불화수소 대 카르복실 산 대 물을 중량으로 약 10:89:1 부분들의 비율로 상기 카르복실 산 및 물의 용액에 기체상의 상기 불화수소를 주입하여 이루어지는, 에칭 용액.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 용액은, 중량으로 약 0.5% 내지 5%의 범위에서의 상기 물의 양으로 구성되는, 에칭 용액.
  6. 유전체 재료를 갖는 구성 요소를 제조하는 방법에 있어서,
    물 및 카르복실 산의 수성 혼합물과 불화수소를 포함하는 에칭 용액을 제공하는 단계, 및
    상기 유전체 재료를 에칭하기 위해 상기 에칭 용액을 이용하는 단계를 포함하는, 구성 요소 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 에칭 용액을 제공하는 단계는,
    물 및 카르복실 산의 수성 혼합물을 형성하는 단계, 및
    물 및 카르복실 산의 상기 수성 혼합물에 무수 불화수소를 주입하는 단계를 포함하는, 구성 요소 제조 방법.
  8. 에칭 용액을 생산하는 방법에 있어서,
    물 및 카르복실 산의 수성 혼합물을 형성하는 단계, 및
    상기 에칭 용액에서 물의 양이 중량으로 약 0.5% 내지 5%의 범위에 있도록,상기 물 및 카르복실 산의 상기 수성 혼합물에 무수 불화수소를 주입하는 단계를 포함하는, 에칭 용액 생산 방법.
  9. 반도체 구성 요소를 제조하는 방법에 있어서,
    유전체 재료가 위에 배치된 기판을 제공하는 단계, 및
    불화수소, 카르복실 산 및 물을 포함하는 에칭 용액을 이용하여 상기 유전체 재료의 일부를 에칭하는 단계를 포함하는, 반도체 구성 요소 제조 방법.
  10. 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 구성 요소를 제조하는 방법에 있어서,
    유전체 재료가 위에 배치된 기판을 제공하는 단계, 및
    불화수소, 카르복실 산 및 물을 포함하는 에칭 용액을 이용하여 상기 유전체 재료의 일부를 에칭하는 단계를 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 구성 요소 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100847917B1 (ko) * 2006-03-27 2008-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 장치, 및 반도체 장치의 제조방법
US8092698B2 (en) 2004-08-03 2012-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor devices formed by processes including the use of specific etchant solutions

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI282814B (en) * 2002-09-13 2007-06-21 Daikin Ind Ltd Etchant and etching method
WO2007140193A1 (en) * 2006-05-25 2007-12-06 Honeywell International Inc. Selective tantalum carbide etchant, methods of production and uses thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4395304A (en) * 1982-05-11 1983-07-26 Rca Corporation Selective etching of phosphosilicate glass
US5824601A (en) * 1997-06-30 1998-10-20 Motorola, Inc. Carboxylic acid etching solution and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092698B2 (en) 2004-08-03 2012-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor devices formed by processes including the use of specific etchant solutions
KR100847917B1 (ko) * 2006-03-27 2008-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 장치, 및 반도체 장치의 제조방법

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