JP2003531023A - 再水和させた乾燥粒子状研磨組成物を使用する研磨方法 - Google Patents
再水和させた乾燥粒子状研磨組成物を使用する研磨方法Info
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 5
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 potassium ferricyanide Chemical compound 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical class N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000220010 Rhode Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000013011 aqueous formulation Substances 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N gallotannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N 0.000 description 1
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229950006191 gluconic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940099690 malic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 229960001367 tartaric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
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Abstract
(57)【要約】
研磨方法は、研磨装置に供給するための水性組成物に再構成される乾燥粒子状固体組成物を使用する。本発明の態様の1つにおいて、乾燥粒子状固体組成物が、所定の数の工作物の研磨を完了するための再構成スラリーを得るために実質的に十分なだけの包装寸法で提供される。再構成装置に供給される乾燥粒子状固体の量は、1つの工作物または少数の工作物の研磨に適切な量であってもよいし、あるいはシステムは、より大型のバッチまたは連続流動方式で稼働させてもよい。再構成した水性研磨溶液は、研磨装置で使用する前に、物理的または化学的性質のモニター、濾過、他の化学混合物との混合、またはその他の方法による改質を実施することができる。
Description
【0001】
発明の分野
本発明は、一般に、研磨スラリーおよび研磨システムにおけるそれらの使用に
関し、より詳細には、再構成された乾燥粒子状研磨組成物を使用する工作物の研
磨方法に関する。
関し、より詳細には、再構成された乾燥粒子状研磨組成物を使用する工作物の研
磨方法に関する。
【0002】
背景
集積回路ウエハの化学機械研磨(CMP)用研磨配合物、ならびに先端技術光
学部品またはその他の超精密表面仕上げ用途の研磨組成物は通常、種々の化学成
分と組み合わせた固体(研磨剤)の水性分散液からなる。このような市販材料は
、固体単独の混合物として、あるいは濃縮形態の研磨成分を含有する成分と濃縮
形態の化学成分を含有する別の成分との数種類の成分として、販売されることが
できる。
学部品またはその他の超精密表面仕上げ用途の研磨組成物は通常、種々の化学成
分と組み合わせた固体(研磨剤)の水性分散液からなる。このような市販材料は
、固体単独の混合物として、あるいは濃縮形態の研磨成分を含有する成分と濃縮
形態の化学成分を含有する別の成分との数種類の成分として、販売されることが
できる。
【0003】
CMP研磨技術がより重要になってくるにつれて、化学物質および研磨剤の複
合系が開発されている。これらの水性配合物は、貯蔵中に材料が変化しないよう
に、長い保存寿命と優れた安定性を示す必要がある。貯蔵中における、制御でき
ないか、または過剰の物理的変化は、これらの配合物を意図する用途で使用でき
なくさせてしまう。例えば、固体混合物が貯蔵され、貯蔵容器内で固体が沈降し
て硬質の沈殿物が形成されると、その混合物はもはや顧客が容易に使用できない
。また、化学系が反応種の濃度について有意な変化をうけると、意図する用途で
そのスラリーを使用できなくさせてしまう。
合系が開発されている。これらの水性配合物は、貯蔵中に材料が変化しないよう
に、長い保存寿命と優れた安定性を示す必要がある。貯蔵中における、制御でき
ないか、または過剰の物理的変化は、これらの配合物を意図する用途で使用でき
なくさせてしまう。例えば、固体混合物が貯蔵され、貯蔵容器内で固体が沈降し
て硬質の沈殿物が形成されると、その混合物はもはや顧客が容易に使用できない
。また、化学系が反応種の濃度について有意な変化をうけると、意図する用途で
そのスラリーを使用できなくさせてしまう。
【0004】
物理的および化学的な不安定性を主たる理由として、一般的に、スラリーは水
性分散液として包装されて販売されることが多い。より最近では、研磨パッド中
に研磨剤を含有し、研磨界面に供給される液体研磨組成物は、研磨剤を含有しな
いCMP研磨システムが開発されている。しかしながら、これらの種類の研磨パ
ッドに使用される液体研磨組成物は、従来の水性分散スラリーにみられるのと同
様の化学的不安定性を示すことが多い。
性分散液として包装されて販売されることが多い。より最近では、研磨パッド中
に研磨剤を含有し、研磨界面に供給される液体研磨組成物は、研磨剤を含有しな
いCMP研磨システムが開発されている。しかしながら、これらの種類の研磨パ
ッドに使用される液体研磨組成物は、従来の水性分散スラリーにみられるのと同
様の化学的不安定性を示すことが多い。
【0005】
固体粒子状スラリー組成物を調製しその組成物を乾燥させると、液体に分散し
た研磨スラリーの不安定性への対処が可能となる。系の「水性」成分を除くこと
によって、化学成分と研磨成分との両方の安定性の問題を最小にすることができ
る。したがって、最終使用者が使用する組成と全く同じ組成を有する乾燥粒子状
スラリーが調製される。このような乾燥スラリー組成物を調製することによって
、最初に乾燥スラリー組成物が調製されてから6か月又はそれより長期間でも、
まさに最終使用者が望むように、スラリーは効果的に「時間が凍結」される。こ
のようなスラリー組成物は、同時係属中で本願と同一の譲受人に譲渡された19
99年10月6日出願の特許出願第09/413,083号に開示されている。
この開示された方法によると、乾燥粒子状スラリー組成物は使用前に簡単に再構
成される。乾燥スラリーの調製方法の開発によってスラリー組成物の長期間にわ
たる貯蔵能力が大きく向上したが、再構成スラリーの使用方法のさらなる開発は
、より改良された研磨方法を提供することが可能である。
た研磨スラリーの不安定性への対処が可能となる。系の「水性」成分を除くこと
によって、化学成分と研磨成分との両方の安定性の問題を最小にすることができ
る。したがって、最終使用者が使用する組成と全く同じ組成を有する乾燥粒子状
スラリーが調製される。このような乾燥スラリー組成物を調製することによって
、最初に乾燥スラリー組成物が調製されてから6か月又はそれより長期間でも、
まさに最終使用者が望むように、スラリーは効果的に「時間が凍結」される。こ
のようなスラリー組成物は、同時係属中で本願と同一の譲受人に譲渡された19
99年10月6日出願の特許出願第09/413,083号に開示されている。
この開示された方法によると、乾燥粒子状スラリー組成物は使用前に簡単に再構
成される。乾燥スラリーの調製方法の開発によってスラリー組成物の長期間にわ
たる貯蔵能力が大きく向上したが、再構成スラリーの使用方法のさらなる開発は
、より改良された研磨方法を提供することが可能である。
【0006】
要約
本発明は、CMPに有用な化学物質を含む化学機械研磨組成物を含む乾燥粒子
状固体組成物を使用する研磨方法を提供し、この固体組成物は実質的にすべての
水が除去されており、すぐに使用できる化学機械研磨組成物に再構成することが
できる。この組成物は、種々の方法の中の1つによって、水性研磨溶液に再構成
するための装置に供給される。乾燥粒子状固体組成物は、研磨粒子、酸化剤、錯
化剤、表面不動態化剤、界面活性剤、分散剤、あるいは化学機械研磨用のスラリ
ーに使用されるその他の種類のいずれかの化合物を含むことができる。
状固体組成物を使用する研磨方法を提供し、この固体組成物は実質的にすべての
水が除去されており、すぐに使用できる化学機械研磨組成物に再構成することが
できる。この組成物は、種々の方法の中の1つによって、水性研磨溶液に再構成
するための装置に供給される。乾燥粒子状固体組成物は、研磨粒子、酸化剤、錯
化剤、表面不動態化剤、界面活性剤、分散剤、あるいは化学機械研磨用のスラリ
ーに使用されるその他の種類のいずれかの化合物を含むことができる。
【0007】
再構成装置に供給される乾燥粒子状固体の量は、1つの工作物または少数の工
作物の研磨に適切な量であってよく、あるいはシステムはより大型のバッチまた
は連続フロー方式で稼働させてもよい。再構成された水性研磨溶液は、次いで物
理的性質または化学的性質についてモニターされ、濾過され、その他の化学混合
物と混合されるか、あるいは研磨作業に使用される前にその他の方法で改質して
もよい。
作物の研磨に適切な量であってよく、あるいはシステムはより大型のバッチまた
は連続フロー方式で稼働させてもよい。再構成された水性研磨溶液は、次いで物
理的性質または化学的性質についてモニターされ、濾過され、その他の化学混合
物と混合されるか、あるいは研磨作業に使用される前にその他の方法で改質して
もよい。
【0008】
一つの実施態様においては、本発明の方法は、乾燥粒子状固体組成物を提供す
る工程と、ある量の乾燥粒子状固体組成物を再構成してある量の水性組成物を形
成する工程とを含む。この水性組成物の量は、所定数の工作物の研磨を完了する
のに実質的に十分なだけの量である。
る工程と、ある量の乾燥粒子状固体組成物を再構成してある量の水性組成物を形
成する工程とを含む。この水性組成物の量は、所定数の工作物の研磨を完了する
のに実質的に十分なだけの量である。
【0009】
別の実施態様では、本発明の方法は、研磨する工作物の固定した数を決定する
工程と、その固定した数の工作物の研磨を完了するための量の再構成スラリーを
形成するために実質的に十分なだけの量の乾燥粒子状固体組成物を調製する工程
とを含む。
工程と、その固定した数の工作物の研磨を完了するための量の再構成スラリーを
形成するために実質的に十分なだけの量の乾燥粒子状固体組成物を調製する工程
とを含む。
【0010】
好ましい実施態様の詳細な説明
本発明は、水性分散液を不安定化やエージングの影響なしで、研磨組成物の研
磨剤と化学物質の比率を維持する手段を提供する。研磨剤と化学物質は、あたか
も最終使用者がすぐに使用できるように調製されるように互いに混合されるか、
あるいはすべての成分の比率が公倍数で関連づけられる濃縮物として調製される
。研磨スラリーが製造されるとすぐに、噴霧乾燥、凍結乾燥、またはいずれかの
既存の乾燥または脱水方法によって脱水される。得られる乾燥粒子状固体組成物
は、通常は流動性粉末の形態であり、従来の袋またはその他の非反応性容器で包
装して、実質的な劣化なしに無期限に保管することができる。
磨剤と化学物質の比率を維持する手段を提供する。研磨剤と化学物質は、あたか
も最終使用者がすぐに使用できるように調製されるように互いに混合されるか、
あるいはすべての成分の比率が公倍数で関連づけられる濃縮物として調製される
。研磨スラリーが製造されるとすぐに、噴霧乾燥、凍結乾燥、またはいずれかの
既存の乾燥または脱水方法によって脱水される。得られる乾燥粒子状固体組成物
は、通常は流動性粉末の形態であり、従来の袋またはその他の非反応性容器で包
装して、実質的な劣化なしに無期限に保管することができる。
【0011】
本発明によってもたらされるさらなる利点は、製品の重量が約70%〜約80
%も減少することであり、このことは液体水性スラリーを世界中に輸送すること
を考慮すると相当なコスト削減となる。
%も減少することであり、このことは液体水性スラリーを世界中に輸送すること
を考慮すると相当なコスト削減となる。
【0012】
スラリーがすぐに使用できるとき、最終使用者は必要量の水を加え、高剪断分
散装置を使用して分散させることによって、乾燥粒子状固体組成物を再構成する
ことができる。所望により、本発明の有用性を損なわないその他の化学物質を加
えることもできる。得られたスラリーは濾過し、CMP研磨作業にすぐに使用で
きる。スラリーは、使用前にpHおよびその他の性質についてモニターすること
もでき、これらを適切に調整することができる。
散装置を使用して分散させることによって、乾燥粒子状固体組成物を再構成する
ことができる。所望により、本発明の有用性を損なわないその他の化学物質を加
えることもできる。得られたスラリーは濾過し、CMP研磨作業にすぐに使用で
きる。スラリーは、使用前にpHおよびその他の性質についてモニターすること
もでき、これらを適切に調整することができる。
【0013】
スラリーを1回で供給する場合(所定の数の工作物の研磨または1回の研磨サ
イクルにおいて)、現在のバッチのスラリーを研磨に使用しながら、次のバッチ
のスラリーを混合することができる。連続するスラリーのバッチが異なる組成を
有することがあるので、バッチ間で混合装置が自己洗浄されることが好ましい。
好ましくは、スラリーを汚染しない材料で混合装置が構成される。
イクルにおいて)、現在のバッチのスラリーを研磨に使用しながら、次のバッチ
のスラリーを混合することができる。連続するスラリーのバッチが異なる組成を
有することがあるので、バッチ間で混合装置が自己洗浄されることが好ましい。
好ましくは、スラリーを汚染しない材料で混合装置が構成される。
【0014】
得られる研磨スラリーは、好ましくない凝集物が予想されるほどは形成されな
い。これは、乾燥直前にもたらされるスラリーが完全で完璧な分散状態にあるた
めであると考えられる。コロイド状に分散した成分の混合物を乾燥させると、砥
粒は均一に存在する溶解した塩の乾燥したもので取り囲まれ、研磨粒子が互いに
凝集することが実質的に防止される。再構成工程中に塩が溶媒和すると、乾燥前
に存在するのと実質的に同じ状態で研磨粒子が放出される。
い。これは、乾燥直前にもたらされるスラリーが完全で完璧な分散状態にあるた
めであると考えられる。コロイド状に分散した成分の混合物を乾燥させると、砥
粒は均一に存在する溶解した塩の乾燥したもので取り囲まれ、研磨粒子が互いに
凝集することが実質的に防止される。再構成工程中に塩が溶媒和すると、乾燥前
に存在するのと実質的に同じ状態で研磨粒子が放出される。
【0015】
化学機械研磨スラリーに使用される代表的なサブミクロン研磨剤は、アルミナ
、シリカ、セリア、チタニア、ゲルマニア、ジルコニアなどの酸化物である。一
般に、研磨粒子は、約1重量%〜約30重量%でCMP用スラリーに使用される
。好ましくは、約3重量%〜約15重量%のアルミナ、シリカ、セリア、チタニ
ア、またはそれらの混合物である。
、シリカ、セリア、チタニア、ゲルマニア、ジルコニアなどの酸化物である。一
般に、研磨粒子は、約1重量%〜約30重量%でCMP用スラリーに使用される
。好ましくは、約3重量%〜約15重量%のアルミナ、シリカ、セリア、チタニ
ア、またはそれらの混合物である。
【0016】
CMP作業に有用な化学物質の種類は、酸化剤、化学エッチング剤、分散剤、
界面活性剤、錯化剤、シリカ比率抑制剤、不動態化剤、シリカ保護剤、緩衝剤、
および抑制剤であり、これらのすべてが本発明の乾燥スラリー中に存在してもよ
い。
界面活性剤、錯化剤、シリカ比率抑制剤、不動態化剤、シリカ保護剤、緩衝剤、
および抑制剤であり、これらのすべてが本発明の乾燥スラリー中に存在してもよ
い。
【0017】
水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、および水酸化ナトリウムなどの一般的
な水酸化物、ならびに種々のアミン類が、CMPスラリー研磨剤用の分散剤とし
て使用されてきた。アミノアルコールとして知られる種類の化合物も有用となり
うることが分かった。
な水酸化物、ならびに種々のアミン類が、CMPスラリー研磨剤用の分散剤とし
て使用されてきた。アミノアルコールとして知られる種類の化合物も有用となり
うることが分かった。
【0018】
通常、酸化剤は、金属層を対応する酸化物に酸化する、例えば、タングステン
を酸化タングステンに酸化するための化学機械研磨スラリーの成分である。この
層は機械的に研磨されて、層から酸化タングステンが除去される。広範囲の酸化
性成分を使用することができるが、好ましい成分は、酸化性金属塩、酸化性金属
錯体、例えば、硝酸塩、硫酸塩、EDTA、クエン酸塩、フェリシアン化カリウ
ムなどの鉄塩、アルミニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、
第4級アンモニウム塩、ホスホニウム塩、過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、過
マンガン酸塩、過硫酸塩、ヨウ素酸塩、ならびにそれらの混合物を含む。通常、
酸化性成分は、スラリーの機械的および化学的な研磨成分をバランスさせながら
、金属層を迅速に酸化するのに十分な量でスラリー中に存在する。酸化剤は、化
学機械研磨スラリー中に通常約0.5重量%〜約15重量%で、好ましくは約1
重量%〜約7重量%の範囲で存在する。
を酸化タングステンに酸化するための化学機械研磨スラリーの成分である。この
層は機械的に研磨されて、層から酸化タングステンが除去される。広範囲の酸化
性成分を使用することができるが、好ましい成分は、酸化性金属塩、酸化性金属
錯体、例えば、硝酸塩、硫酸塩、EDTA、クエン酸塩、フェリシアン化カリウ
ムなどの鉄塩、アルミニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、
第4級アンモニウム塩、ホスホニウム塩、過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、過
マンガン酸塩、過硫酸塩、ヨウ素酸塩、ならびにそれらの混合物を含む。通常、
酸化性成分は、スラリーの機械的および化学的な研磨成分をバランスさせながら
、金属層を迅速に酸化するのに十分な量でスラリー中に存在する。酸化剤は、化
学機械研磨スラリー中に通常約0.5重量%〜約15重量%で、好ましくは約1
重量%〜約7重量%の範囲で存在する。
【0019】
本発明の乾燥粒子状固体組成物は、場合によってはSiO2の錯化剤またはキ
レート剤として作用する化合物をさらに含んでもよい。このような錯化剤および
キレート剤は、引用例として本明細書に含める米国特許第5,391,258号
および米国特許第5,476,606号に記載されている。これらの化合物は、
シリカに錯体形成の影響を及ぼす構造中に存在する少なくとも2つの酸基を有す
る必要がある。酸種は、解離可能なプロトンを有する官能基として定義される。
これらは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、スルホ基、およびホスホ基を含む
が、これらに限定されるものではない。カルボキシル基およびヒドロキシル基は
、効果的な化学種に最も広範囲に存在するので好ましい。特に効果的なものは、
α位にヒドロキシル基を有する2つ以上のカルボキシル基を所有する構造であり
、例えば直鎖のモノカルボン酸およびジカルボン酸ならびに塩、例えば、リンゴ
酸とリンゴ酸塩、酒石酸と酒石酸塩、ならびにグルコン酸とグルコン酸塩を含む
。また効果的なものは、カルボキシル基に対してα位に第2級または第3級のヒ
ドロキシル基を有するトリカルボン酸およびポリカルボン酸ならびに塩、例えば
クエン酸およびクエン酸塩である。また効果的なものは、ベンゼン環を含む化合
物、例えば、オルトジ−およびポリヒドロキシ安息香酸ならびに酸塩、フタル酸
およびフタル酸塩、ピロカテコール、ピロガロール、没食子酸および没食子酸塩
、ならびにタンニン酸およびタンニン酸塩である。これらの錯化剤は、CMP用
スラリー中に約0.1重量%〜約7重量%で使用することができる。好ましくは
、これらは約2重量%〜約4重量%の範囲で存在する。
レート剤として作用する化合物をさらに含んでもよい。このような錯化剤および
キレート剤は、引用例として本明細書に含める米国特許第5,391,258号
および米国特許第5,476,606号に記載されている。これらの化合物は、
シリカに錯体形成の影響を及ぼす構造中に存在する少なくとも2つの酸基を有す
る必要がある。酸種は、解離可能なプロトンを有する官能基として定義される。
これらは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、スルホ基、およびホスホ基を含む
が、これらに限定されるものではない。カルボキシル基およびヒドロキシル基は
、効果的な化学種に最も広範囲に存在するので好ましい。特に効果的なものは、
α位にヒドロキシル基を有する2つ以上のカルボキシル基を所有する構造であり
、例えば直鎖のモノカルボン酸およびジカルボン酸ならびに塩、例えば、リンゴ
酸とリンゴ酸塩、酒石酸と酒石酸塩、ならびにグルコン酸とグルコン酸塩を含む
。また効果的なものは、カルボキシル基に対してα位に第2級または第3級のヒ
ドロキシル基を有するトリカルボン酸およびポリカルボン酸ならびに塩、例えば
クエン酸およびクエン酸塩である。また効果的なものは、ベンゼン環を含む化合
物、例えば、オルトジ−およびポリヒドロキシ安息香酸ならびに酸塩、フタル酸
およびフタル酸塩、ピロカテコール、ピロガロール、没食子酸および没食子酸塩
、ならびにタンニン酸およびタンニン酸塩である。これらの錯化剤は、CMP用
スラリー中に約0.1重量%〜約7重量%で使用することができる。好ましくは
、これらは約2重量%〜約4重量%の範囲で存在する。
【0020】
スラリー組成物はさらに、金属イオンが実質的に存在しない化学エッチング剤
を含んでもよい。代表的なエッチング剤は、過硫酸塩、硝酸塩、硫酸塩、リン酸
塩、クエン酸塩、シュウ酸塩、それらの混合物などが挙げられる。好ましくは、
エッチング剤は過硫酸アンモニウムなどの非金属性過硫酸塩である。エッチング
剤は、化学機械研磨が行われるときに金属の可溶化を促進し、それによって水性
分散液中に金属を溶解させることができる。一般にこれらの化学物質は、CMP
スラリー中に約1重量%〜約10重量%の範囲で存在する。好ましくは、これら
は約2重量%〜約7重量%の範囲で存在する。
を含んでもよい。代表的なエッチング剤は、過硫酸塩、硝酸塩、硫酸塩、リン酸
塩、クエン酸塩、シュウ酸塩、それらの混合物などが挙げられる。好ましくは、
エッチング剤は過硫酸アンモニウムなどの非金属性過硫酸塩である。エッチング
剤は、化学機械研磨が行われるときに金属の可溶化を促進し、それによって水性
分散液中に金属を溶解させることができる。一般にこれらの化学物質は、CMP
スラリー中に約1重量%〜約10重量%の範囲で存在する。好ましくは、これら
は約2重量%〜約7重量%の範囲で存在する。
【0021】
化学機械研磨スラリーは、金属イオンを実質的に含有しない防食剤を含有する
ことが多い。好適な防食剤は、ベンゾトリアゾール(BTA)、メルカプトベン
ゾチアゾール(MBT)、ならびに研磨作業中および作業後に露出した金属表面
の腐食による悪影響を軽減するために、銅などの金属に通常使用されるその他の
防食剤を含む。通常、防食剤は化学機械研磨スラリー中に約1重量%未満で存在
する。好ましくは、これらは約0.05重量%〜約0.6重量%の範囲で存在す
る。
ことが多い。好適な防食剤は、ベンゾトリアゾール(BTA)、メルカプトベン
ゾチアゾール(MBT)、ならびに研磨作業中および作業後に露出した金属表面
の腐食による悪影響を軽減するために、銅などの金属に通常使用されるその他の
防食剤を含む。通常、防食剤は化学機械研磨スラリー中に約1重量%未満で存在
する。好ましくは、これらは約0.05重量%〜約0.6重量%の範囲で存在す
る。
【0022】
乾燥粒子状固体組成物を調製する第1段階は、研磨スラリーのすべての成分が
使用時に存在するときの正確な比率を決定することである。例えば、約5%の固
体研磨剤と約7%の化学成分を含み、2種類の化学成分が存在するスラリーの場
合、すぐに使用できる配合物の全重量組成は以下の組成であってもよい。 固体研磨剤 5% 化学物質A 3% 化学物質B 4% 水 88%
使用時に存在するときの正確な比率を決定することである。例えば、約5%の固
体研磨剤と約7%の化学成分を含み、2種類の化学成分が存在するスラリーの場
合、すぐに使用できる配合物の全重量組成は以下の組成であってもよい。 固体研磨剤 5% 化学物質A 3% 化学物質B 4% 水 88%
【0023】
水が除去された後は、固体と溶解した固形分は、5/3/4の比率で残留する
。噴霧乾燥の場合、蒸発させるべき水分量を減少させ、それによってコストを削
減し処理量を増加させるために、可能な最大固形含有率の予備乾燥したスラリー
濃縮物を含むことが一般に望ましい。したがって、乾燥用の濃縮物を製造する場
合、5/3/4の比にある倍数をかけた成分を使用するべきである。通常この倍
数は、成分の中の1種類の溶解性の制限、または固形分の最大充填量の制限によ
って決定される。例えば、化学物質Aが大きなまたは無制限の溶解性を有し、化
学物質Bが最大濃度約10%までの溶解性しかない場合は、すべての化学成分が
溶解する場合に完全に均一な分散液を得るためには、最大濃度の率は0.10/
0.04すなわち2.5となる。したがって、予備乾燥したスラリーの成分の濃
度は、水を除いた各成分に倍数2.5をかけることによって求められる。乾燥ス
ラリーの最終濃度は、以下の通りである。 固体研磨剤 2.5×5=12.5% 化学物質A 2.5×3=7.5% 化学物質B 2.5×4=10.0% 水 残分 70.0%
。噴霧乾燥の場合、蒸発させるべき水分量を減少させ、それによってコストを削
減し処理量を増加させるために、可能な最大固形含有率の予備乾燥したスラリー
濃縮物を含むことが一般に望ましい。したがって、乾燥用の濃縮物を製造する場
合、5/3/4の比にある倍数をかけた成分を使用するべきである。通常この倍
数は、成分の中の1種類の溶解性の制限、または固形分の最大充填量の制限によ
って決定される。例えば、化学物質Aが大きなまたは無制限の溶解性を有し、化
学物質Bが最大濃度約10%までの溶解性しかない場合は、すべての化学成分が
溶解する場合に完全に均一な分散液を得るためには、最大濃度の率は0.10/
0.04すなわち2.5となる。したがって、予備乾燥したスラリーの成分の濃
度は、水を除いた各成分に倍数2.5をかけることによって求められる。乾燥ス
ラリーの最終濃度は、以下の通りである。 固体研磨剤 2.5×5=12.5% 化学物質A 2.5×3=7.5% 化学物質B 2.5×4=10.0% 水 残分 70.0%
【0024】
乾燥させると、この配合物はすぐに使用できるスラリー中での比率が5/3/
4である3種類の有効成分を有する乾燥粒子状固体組成物が得られるが、噴霧乾
燥機の出発材料を濃縮することによって、噴霧乾燥作業がより効率的となる。乾
燥技術は、噴霧乾燥、凍結乾燥、フラッシュ乾燥、減圧乾燥、加熱パンまたはコ
ンベヤ乾燥などを含む多くの1つであることができる。好ましい技術では、粒径
、含水パーセント、および製品の再生産性に関して最終製品を容易に制御できる
ため、噴霧乾燥が使用される。
4である3種類の有効成分を有する乾燥粒子状固体組成物が得られるが、噴霧乾
燥機の出発材料を濃縮することによって、噴霧乾燥作業がより効率的となる。乾
燥技術は、噴霧乾燥、凍結乾燥、フラッシュ乾燥、減圧乾燥、加熱パンまたはコ
ンベヤ乾燥などを含む多くの1つであることができる。好ましい技術では、粒径
、含水パーセント、および製品の再生産性に関して最終製品を容易に制御できる
ため、噴霧乾燥が使用される。
【0025】
代表的な噴霧乾燥機の概略を図1に示す。噴霧乾燥機10は、大型タンク14
内で循環する熱風12の組合せを利用しており、タンク14内では、回転噴霧1
8または高圧吸引のいずれかによって、加熱空気中に固体/液体スラリー16が
噴霧され、ここで含有する水は、ほぼ直ちに除去され、水を含有しない固体粒子
20が形成される。気流中を粒子がさらに進行すると、タンク14の出口部分2
2に到達するまでに粒子がさらに乾燥され、一般に要素24で示されるサイクロ
ンまたは捕集容器で捕集される。多くの乾燥機では、より粗い材料は製品捕集容
器で捕集され、より小さいまたは微細な材料(微粒)はサイクロンセパレーター
に捕集される。本発明では、乾燥粒子の粒径は問題とならないので、両方の捕集
方法で十分である。
内で循環する熱風12の組合せを利用しており、タンク14内では、回転噴霧1
8または高圧吸引のいずれかによって、加熱空気中に固体/液体スラリー16が
噴霧され、ここで含有する水は、ほぼ直ちに除去され、水を含有しない固体粒子
20が形成される。気流中を粒子がさらに進行すると、タンク14の出口部分2
2に到達するまでに粒子がさらに乾燥され、一般に要素24で示されるサイクロ
ンまたは捕集容器で捕集される。多くの乾燥機では、より粗い材料は製品捕集容
器で捕集され、より小さいまたは微細な材料(微粒)はサイクロンセパレーター
に捕集される。本発明では、乾燥粒子の粒径は問題とならないので、両方の捕集
方法で十分である。
【0026】
本発明により実施される後乾燥工程の概略を図2に示す。捕集後に、乾燥粉末
は貯蔵ホッパー25に移送され、ここで乾燥粉末が捕集されて大型バッチまたは
ロットが作製される。次に乾燥粉末は大型ダブルコーンブレンダー26または同
種の装置中で乾式混合され、それによって乾燥粉末ロットは完全に均一になる。
大型の乾燥ロットが混合されることによって、濃縮物から水の重量および体積が
取り除かれるため、混合された個々のロットサイズを液体の同等物よりもはるか
に大きくすることができる。大型で均一なロットサイズは、材料の新しいロット
ごとに使用前の検査または検定が必要となる半導体産業では特に重要である。
は貯蔵ホッパー25に移送され、ここで乾燥粉末が捕集されて大型バッチまたは
ロットが作製される。次に乾燥粉末は大型ダブルコーンブレンダー26または同
種の装置中で乾式混合され、それによって乾燥粉末ロットは完全に均一になる。
大型の乾燥ロットが混合されることによって、濃縮物から水の重量および体積が
取り除かれるため、混合された個々のロットサイズを液体の同等物よりもはるか
に大きくすることができる。大型で均一なロットサイズは、材料の新しいロット
ごとに使用前の検査または検定が必要となる半導体産業では特に重要である。
【0027】
混合後、乾燥粒子状固体組成物の調製が完了する。乾燥粒子状固体組成物は、
プラスチックがライニングされたファイバードラムまたはプラスチックがライニ
ングされた紙袋などのいずれかの好適な種類の容器に入れて包装される。容器寸
法は、再構成後の各研磨作業に使用される可能性がある乾燥粒子状固体組成物の
量に相当することが望ましい。本発明によると、乾燥粒子状固体組成物は種々の
寸法の包装容器の1つで包装することができる。具体的な包装容器の寸法は、乾
燥粒子状固体組成物の意図される最終用途によって決まる。例えば、1つの工作
物または少数の工作物の研磨に使用されるスラリーを1回で供給する場合では、
乾燥粒子状固体組成物は1つの供給用包装容器27に包装される。より大きなバ
ッチの工作物の研磨の場合は、バッチ包装容器28を使用して乾燥粒子状固体組
成物を保管することができ、数回のバッチの場合は複数のバッチ包装容器29に
乾燥粒子状固体組成物を充填することができる。特定の数の工作物の研磨用に合
わせた寸法の包装容器に乾燥粒子状固体組成物を包装することによって、最適な
量のスラリーで研磨工程を実施することができる。したがって、研磨工程の品質
を向上させ、研磨工程全体のコストを削減することができる。
プラスチックがライニングされたファイバードラムまたはプラスチックがライニ
ングされた紙袋などのいずれかの好適な種類の容器に入れて包装される。容器寸
法は、再構成後の各研磨作業に使用される可能性がある乾燥粒子状固体組成物の
量に相当することが望ましい。本発明によると、乾燥粒子状固体組成物は種々の
寸法の包装容器の1つで包装することができる。具体的な包装容器の寸法は、乾
燥粒子状固体組成物の意図される最終用途によって決まる。例えば、1つの工作
物または少数の工作物の研磨に使用されるスラリーを1回で供給する場合では、
乾燥粒子状固体組成物は1つの供給用包装容器27に包装される。より大きなバ
ッチの工作物の研磨の場合は、バッチ包装容器28を使用して乾燥粒子状固体組
成物を保管することができ、数回のバッチの場合は複数のバッチ包装容器29に
乾燥粒子状固体組成物を充填することができる。特定の数の工作物の研磨用に合
わせた寸法の包装容器に乾燥粒子状固体組成物を包装することによって、最適な
量のスラリーで研磨工程を実施することができる。したがって、研磨工程の品質
を向上させ、研磨工程全体のコストを削減することができる。
【0028】
乾燥粒子状固体組成物の再構成は、図3の概略図に示されるような代表的な混
合装置30で実施することができる。この装置は、測定した量の脱イオン水32
と粉末スラリー34とを混合タンク36に導入するための好適な手段を有する。
混合装置30は、混合タンク36の垂直方向に取り付けられた高速ローターステ
ーター38を有する。高速ローターステーター38は非常に高い剪断力を与える
ことができる。再構成スラリーが十分に(一般に製品1ガロン当たりで消費され
たエネルギー量で決定される)混合されたのち、再構成されたスラリーは、再構
成装置からサブミクロンフィルターシステム40を経由して研磨システムまたは
デイタンク(図示していない)まで圧送される。デイタンクから、再構成スラリ
ーを再循環させて、これを最終使用者は研磨工程で使用することができる。
合装置30で実施することができる。この装置は、測定した量の脱イオン水32
と粉末スラリー34とを混合タンク36に導入するための好適な手段を有する。
混合装置30は、混合タンク36の垂直方向に取り付けられた高速ローターステ
ーター38を有する。高速ローターステーター38は非常に高い剪断力を与える
ことができる。再構成スラリーが十分に(一般に製品1ガロン当たりで消費され
たエネルギー量で決定される)混合されたのち、再構成されたスラリーは、再構
成装置からサブミクロンフィルターシステム40を経由して研磨システムまたは
デイタンク(図示していない)まで圧送される。デイタンクから、再構成スラリ
ーを再循環させて、これを最終使用者は研磨工程で使用することができる。
【0029】
当業者であれば、スラリー再構成システムについて多数の変更が実施可能であ
ることが分かるであろう。例えば、混合タンク36の容量は約1リットル〜約1
0リットルで変動させることができる。さらに、混合装置30は単独システムで
あってもよいし、研磨装置システムの構成要素であってもよい。さらに別の方法
では、例えば工作物1つ当たり約0.5リットル〜約1.5リットルのスラリー
消費速度を有する付随する研磨装置の消費速度と、実質的に同じ速度で安定した
量の再構成スラリーを供給するように混合装置30が構成されてもよい。さらに
別の方法では、乾燥粒子状固体組成物はペレットまたはタブレットの形態で直接
混合タンク36に供給されても良いし、あるいはペレットを粉砕して粉末スラリ
ー34として使用してもよい。したがって混合装置30は、本発明による乾燥粒
子状固体組成物の再構成のために可能な種々の装置構成の単なる一例である。
ることが分かるであろう。例えば、混合タンク36の容量は約1リットル〜約1
0リットルで変動させることができる。さらに、混合装置30は単独システムで
あってもよいし、研磨装置システムの構成要素であってもよい。さらに別の方法
では、例えば工作物1つ当たり約0.5リットル〜約1.5リットルのスラリー
消費速度を有する付随する研磨装置の消費速度と、実質的に同じ速度で安定した
量の再構成スラリーを供給するように混合装置30が構成されてもよい。さらに
別の方法では、乾燥粒子状固体組成物はペレットまたはタブレットの形態で直接
混合タンク36に供給されても良いし、あるいはペレットを粉砕して粉末スラリ
ー34として使用してもよい。したがって混合装置30は、本発明による乾燥粒
子状固体組成物の再構成のために可能な種々の装置構成の単なる一例である。
【0030】
本発明の一実施態様により実施される再構成工程では、混合タンク36に脱イ
オン水32が入れられ、バルブ42が閉じられ、バルブ44が開放される。混合
タンク36には1回の充填に使用される水の全量を入れてもよいし、再構成工程
が実施される時間にわたって少しずつ水を加えてもよい。少なくとも一部の水が
混合タンク36に導入されてから、再循環ポンプ46を作動させて再循環ライン
47に水を入れ、ローターステーター38が作動される。粉末供給装置48によ
って制御された速度で、ある量の乾燥粒子状固体組成物34が再循環ライン47
に導入される。再循環ライン47を通るスラリーの再循環は、所望のスラリー濃
度および粘度が得られるまで続けられる。モニターシステム50はスラリーの物
理的性質および化学的性質、例えば固形分含有率、pHなどを連続的に分析する
。モニターシステム50は混合タンク36に接続されているように図示されてい
るが、再循環ライン47に沿った数箇所で監視機能を実施することもできる。
オン水32が入れられ、バルブ42が閉じられ、バルブ44が開放される。混合
タンク36には1回の充填に使用される水の全量を入れてもよいし、再構成工程
が実施される時間にわたって少しずつ水を加えてもよい。少なくとも一部の水が
混合タンク36に導入されてから、再循環ポンプ46を作動させて再循環ライン
47に水を入れ、ローターステーター38が作動される。粉末供給装置48によ
って制御された速度で、ある量の乾燥粒子状固体組成物34が再循環ライン47
に導入される。再循環ライン47を通るスラリーの再循環は、所望のスラリー濃
度および粘度が得られるまで続けられる。モニターシステム50はスラリーの物
理的性質および化学的性質、例えば固形分含有率、pHなどを連続的に分析する
。モニターシステム50は混合タンク36に接続されているように図示されてい
るが、再循環ライン47に沿った数箇所で監視機能を実施することもできる。
【0031】
所望のスラリーが得られると、ローターステーター38を停止させ、バルブ4
2を開放して所定量の再構成スラリーがフィルターシステム40を経由して供給
される。具体的な用途によるが、再構成スラリーはデイタンクに供給されるか、
あるいは直接研磨装置のプラテンに供給される。さらに別の実施態様では、デイ
タンクは混合および分配容器として使用することもできる。スラリーの供給中は
、混合タンク36内での固形分の沈降を防止することによってスラリーの粘稠性
を維持するため、再循環ポンプ46を作動させたままにしてもよい。スラリーの
供給後、バルブ42を閉じ、混合タンク36と再循環ライン47に水を流す。次
に、ドレインバルブ52を開放して、混合タンク36と再循環ライン47の内容
物をドレインに流し出す。
2を開放して所定量の再構成スラリーがフィルターシステム40を経由して供給
される。具体的な用途によるが、再構成スラリーはデイタンクに供給されるか、
あるいは直接研磨装置のプラテンに供給される。さらに別の実施態様では、デイ
タンクは混合および分配容器として使用することもできる。スラリーの供給中は
、混合タンク36内での固形分の沈降を防止することによってスラリーの粘稠性
を維持するため、再循環ポンプ46を作動させたままにしてもよい。スラリーの
供給後、バルブ42を閉じ、混合タンク36と再循環ライン47に水を流す。次
に、ドレインバルブ52を開放して、混合タンク36と再循環ライン47の内容
物をドレインに流し出す。
【0032】
水性スラリーに関して現在実施されている方法を使用すると、スラリーが2成
分系である場合には、デイタンクに供給する前に容器内の固形分を再分散させる
ために、固形分を含有する成分を予備混合する必要があることが一般的である。
これを実施しないと、最終混合物中の固形分の重量パーセントが不正確になる。
同様に、第2の成分は、デイタンクまたは研磨システムに供給する前に溶液を均
質化するために予備混合するべきである。一部の濃縮系で水を計量するのに加え
て、一般にこれらの成分はどちらも重量または体積のいずれかである種の計量が
必要である。次にこの混合物は、作業にとっての汚染物質を除去するために濾過
する必要がある。
分系である場合には、デイタンクに供給する前に容器内の固形分を再分散させる
ために、固形分を含有する成分を予備混合する必要があることが一般的である。
これを実施しないと、最終混合物中の固形分の重量パーセントが不正確になる。
同様に、第2の成分は、デイタンクまたは研磨システムに供給する前に溶液を均
質化するために予備混合するべきである。一部の濃縮系で水を計量するのに加え
て、一般にこれらの成分はどちらも重量または体積のいずれかである種の計量が
必要である。次にこの混合物は、作業にとっての汚染物質を除去するために濾過
する必要がある。
【0033】
本発明では、沈降および安定性の問題がないため、予備混合を必要としないこ
とが好ましい。好ましくは、前述のように予備包装した乾燥粒子状固体組成物が
粉末供給装置48を通して導入される。あるいは、乾燥粒子状固体組成物は単に
秤量(または各サイズのデイタンク用に予備秤量)してもよいし、あるいは正確
な体積の水を含有する混合タンク36に投入または引き込んで混合しても良い。
さらに、過酸化水素や有機化合物などの別の化学物質を混合工程中に加えること
ができる。この有機化合物は、界面活性剤、キレート剤、弱酸、殺生剤などを含
むことができる。
とが好ましい。好ましくは、前述のように予備包装した乾燥粒子状固体組成物が
粉末供給装置48を通して導入される。あるいは、乾燥粒子状固体組成物は単に
秤量(または各サイズのデイタンク用に予備秤量)してもよいし、あるいは正確
な体積の水を含有する混合タンク36に投入または引き込んで混合しても良い。
さらに、過酸化水素や有機化合物などの別の化学物質を混合工程中に加えること
ができる。この有機化合物は、界面活性剤、キレート剤、弱酸、殺生剤などを含
むことができる。
【0034】
さらなる詳細は説明しないが、当業者であれば以上の説明から本発明を最大限
に実施可能であると思われる。したがって、以下の具体的な実施例は、単に実例
として構成されたものであり、本発明の開示内容を制限することを意図したもの
ではない。
に実施可能であると思われる。したがって、以下の具体的な実施例は、単に実例
として構成されたものであり、本発明の開示内容を制限することを意図したもの
ではない。
【0035】
実施例1
集積回路に使用される銅を研磨するために配合されたスラリーを調製した。通
常このスラリーは、いくつかの成分が互いに反応するため、1成分スラリーでは
非常に保存寿命が短く、2成分スラリーでも保存寿命が短い(数週間)。別の成
分は液体形態で感光性である。このスラリーを乾燥することは、数種類の塩がア
ンモニア塩であり熱により容易に分解するためにさらに複雑になる。
常このスラリーは、いくつかの成分が互いに反応するため、1成分スラリーでは
非常に保存寿命が短く、2成分スラリーでも保存寿命が短い(数週間)。別の成
分は液体形態で感光性である。このスラリーを乾燥することは、数種類の塩がア
ンモニア塩であり熱により容易に分解するためにさらに複雑になる。
【0036】
噴霧乾燥作業を促進するために「2×濃縮物」としてスラリーを調製した。「
2×濃縮物」は、研磨に通常使用されるスラリーの固形分と溶解固形分のそれぞ
れが2倍に濃縮されたスラリーである。予備乾燥スラリーの組成は以下の通りで
あった。 リン酸 11.2% リン酸アンモニウム 8.5% 過硫酸アンモニウム 8.5% 有機防食剤 0.3% 二酸化チタン 9.9% 脱イオン水 残分
2×濃縮物」は、研磨に通常使用されるスラリーの固形分と溶解固形分のそれぞ
れが2倍に濃縮されたスラリーである。予備乾燥スラリーの組成は以下の通りで
あった。 リン酸 11.2% リン酸アンモニウム 8.5% 過硫酸アンモニウム 8.5% 有機防食剤 0.3% 二酸化チタン 9.9% 脱イオン水 残分
【0037】
成分を、タンク内の温度上昇が約10℃に達するまでHillローターステー
ターミキサーを使用して互いに混合し分散させた。約3日以内に混合物の一部を
、電気式空気加熱装置、回転噴霧器、および可変速度モータを備えた蠕動供給ポ
ンプを有するAPV Laboratory Spray Dryer(APV実験室用噴霧乾燥機)で噴霧
乾燥させた。乾燥機底部およびサイクロンセパレーターから乾燥粉末を回収した
。噴霧器は、乾燥機壁面への生成物の固着が防止されるように調整し、入口空気
温度および供給速度は、出口空気温度が約80℃〜約85℃となるように調整し
た。粉末は、さらなる処理に備えてプラスチック袋内に密封した。残りのスラリ
ーは、さらなる処理に備えて液体状態で密閉容器中で保管した。
ターミキサーを使用して互いに混合し分散させた。約3日以内に混合物の一部を
、電気式空気加熱装置、回転噴霧器、および可変速度モータを備えた蠕動供給ポ
ンプを有するAPV Laboratory Spray Dryer(APV実験室用噴霧乾燥機)で噴霧
乾燥させた。乾燥機底部およびサイクロンセパレーターから乾燥粉末を回収した
。噴霧器は、乾燥機壁面への生成物の固着が防止されるように調整し、入口空気
温度および供給速度は、出口空気温度が約80℃〜約85℃となるように調整し
た。粉末は、さらなる処理に備えてプラスチック袋内に密封した。残りのスラリ
ーは、さらなる処理に備えて液体状態で密閉容器中で保管した。
【0038】
噴霧乾燥試験の詳細を以下の表1にまとめる。異なる乾燥機条件を使用してこ
の試験を実施した。
の試験を実施した。
【0039】
【表1】
【0040】
これら2つの試験は、2つの異なる入口温度を示し、そこでは、揮発性または
感熱性成分の分解に入口温度が影響するかどうかを調べるために乾燥機を稼働さ
せた。粉末の物理的性質または再構成スラリーの研磨性能のいずれに関しても、
2つの入口温度の間に統計的に有意差は認められなかった。スラリーの物理的性
質に関するこの結果を以下の表2にも示す。再構成試験Iおよび試験IIの粉末
を使用した研磨試験を以下の実施例に記載する。
感熱性成分の分解に入口温度が影響するかどうかを調べるために乾燥機を稼働さ
せた。粉末の物理的性質または再構成スラリーの研磨性能のいずれに関しても、
2つの入口温度の間に統計的に有意差は認められなかった。スラリーの物理的性
質に関するこの結果を以下の表2にも示す。再構成試験Iおよび試験IIの粉末
を使用した研磨試験を以下の実施例に記載する。
【0041】
本発明の有用性を調べるためのもう1つの方法は、スラリー中の主要な有効成
分、過硫酸アンモニウムの分析測定である。この成分は、水性状態で熱と光の両
方に敏感である。2種類の乾燥スラリーとこれらから得られた濃縮物とを、噴霧
乾燥を実施してから1週間後に分析した。結果を以下の表2に示す。すべての濃
度は、すぐに使用できる濃度とした。
分、過硫酸アンモニウムの分析測定である。この成分は、水性状態で熱と光の両
方に敏感である。2種類の乾燥スラリーとこれらから得られた濃縮物とを、噴霧
乾燥を実施してから1週間後に分析した。結果を以下の表2に示す。すべての濃
度は、すぐに使用できる濃度とした。
【0042】
【表2】
【0043】
表2に示されるデータは、噴霧乾燥が最も安定性の低い化学成分の有効性を保
存することを示している。製造後10日以内でさえも、単一部分のスラリー濃縮
物中の酸化性成分、過硫酸アンモニウムの強度は低下した。
存することを示している。製造後10日以内でさえも、単一部分のスラリー濃縮
物中の酸化性成分、過硫酸アンモニウムの強度は低下した。
【0044】
表2のデータから分かるように、入口温度を上昇させても過硫酸塩の濃度は変
化せず、意図した元の組成のままに維持された。2種類の乾燥材料の粒径は、乾
燥作業前とまさに同じ粒径に回復した。
化せず、意図した元の組成のままに維持された。2種類の乾燥材料の粒径は、乾
燥作業前とまさに同じ粒径に回復した。
【0045】
予備乾燥濃縮物と2種類の再構成試験スラリーの粒径分布の比較を図4のグラ
フに示す。3種類の材料は非常に類似しており、3つの分布が1つのように見え
る。
フに示す。3種類の材料は非常に類似しており、3つの分布が1つのように見え
る。
【0046】
噴霧乾燥から6週間後、銅研磨スラリーの予備乾燥スラリー濃縮物と試験Iの
乾燥スラリー試料について研磨試験を実施した。これらのスラリーの最終濃度は
以下のレベルに調整した。 リン酸 5.6% リン酸アンモニウム 4.3% 過硫酸アンモニウム 4.3% 有機防食剤 0.15% 二酸化チタン 4.9% 脱イオン水 残分
乾燥スラリー試料について研磨試験を実施した。これらのスラリーの最終濃度は
以下のレベルに調整した。 リン酸 5.6% リン酸アンモニウム 4.3% 過硫酸アンモニウム 4.3% 有機防食剤 0.15% 二酸化チタン 4.9% 脱イオン水 残分
【0047】
上記濃度が得られるように噴霧乾燥スラリーを計量し、Hillローターステ
ーターミキサー中でΔT10℃で分散させた。残りの6週間経過後の濃縮スラリ
ーは、上記の正確な濃度を得るために濃縮物約1部を水1部で希釈し、プロペラ
ミキサーで混合した。すべてのスラリーを1μmのバッグフィルターで濾過した
。
ーターミキサー中でΔT10℃で分散させた。残りの6週間経過後の濃縮スラリ
ーは、上記の正確な濃度を得るために濃縮物約1部を水1部で希釈し、プロペラ
ミキサーで混合した。すべてのスラリーを1μmのバッグフィルターで濾過した
。
【0048】
直径6インチの銅薄膜ウエハを、Strasbaugh 6EC Wafer Polisher(Strasbaug
h カリフォルニア州(San Luis Obispo))を使用し、同一の研磨パラメーター
で3種類のスラリーのそれぞれを用いて研磨した。酸化物選択性として知られる
銅と二酸化ケイ素との間の相対的研磨速度を確証するために、二酸化ケイ素薄膜
ウエハの研磨も実施した。これらの試験結果を表3に示す。研磨速度はオングス
トローム/分(Å/分)で示している。
h カリフォルニア州(San Luis Obispo))を使用し、同一の研磨パラメーター
で3種類のスラリーのそれぞれを用いて研磨した。酸化物選択性として知られる
銅と二酸化ケイ素との間の相対的研磨速度を確証するために、二酸化ケイ素薄膜
ウエハの研磨も実施した。これらの試験結果を表3に示す。研磨速度はオングス
トローム/分(Å/分)で示している。
【0049】
【表3】
【0050】
銅研磨スラリーの標準的な除去速度は6000〜7000Å/分である。6週
間経過した濃縮物は、1成分混合物としての期間中に大きく劣化した。噴霧乾燥
材料は市販の2パートスラリーの特性を維持した。
間経過した濃縮物は、1成分混合物としての期間中に大きく劣化した。噴霧乾燥
材料は市販の2パートスラリーの特性を維持した。
【0051】
実施例2
試験IIとして前述した第2の噴霧乾燥材料を、銅ウエハ研磨について乾燥後
9週間のものと比較して試験した。この試験は、再構成試験IIの材料と新しく
混合した銅研磨スラリーとの比較として実施した。研磨は前述の条件と本質的に
同じ条件で実施した。2種類のスラリーの濃度は、前述の最終使用濃度に調整し
た。研磨試験の結果を以下の表4に示す。
9週間のものと比較して試験した。この試験は、再構成試験IIの材料と新しく
混合した銅研磨スラリーとの比較として実施した。研磨は前述の条件と本質的に
同じ条件で実施した。2種類のスラリーの濃度は、前述の最終使用濃度に調整し
た。研磨試験の結果を以下の表4に示す。
【0052】
【表4】
【0053】
これらのウエハの表面仕上げについても調べた。2種類のスラリーの間で表面
疵に顕著な差異は見られなかった。
疵に顕著な差異は見られなかった。
【0054】
実施例3
この試験では、Niro Mobile Minor Type H 噴霧乾燥機を使用した。この乾燥
機は、前出の実施例と同様にして稼働させた。この試験の研磨スラリーは、タン
グステンの研磨に使用した。この試験で使用したスラリーは以下の成分を有する
すぐに使用できる配合物であった。 カルボン酸 3% カルボン酸塩 0.3% 酸化性成分 6% 研磨剤 9% 脱イオン水 残分
機は、前出の実施例と同様にして稼働させた。この試験の研磨スラリーは、タン
グステンの研磨に使用した。この試験で使用したスラリーは以下の成分を有する
すぐに使用できる配合物であった。 カルボン酸 3% カルボン酸塩 0.3% 酸化性成分 6% 研磨剤 9% 脱イオン水 残分
【0055】
このスラリーの濃縮物は、化学物質成分と研磨剤成分の濃度を2倍にすること
によって噴霧乾燥用に調製した。次にこの濃縮物を、カルボン酸成分の分解が起
こるかどうかを調べるために数種類の出口温度値で噴霧乾燥した。濃縮物の供給
速度を変化させることによって出口温度を変動させ、その他のすべてのパラメー
ターは一定のままにした。
によって噴霧乾燥用に調製した。次にこの濃縮物を、カルボン酸成分の分解が起
こるかどうかを調べるために数種類の出口温度値で噴霧乾燥した。濃縮物の供給
速度を変化させることによって出口温度を変動させ、その他のすべてのパラメー
ターは一定のままにした。
【0056】
乾燥した流動性粉末を、前述のようにすぐに使用できる状態のスラリー組成物
に再構成させ、タングステン薄膜ウエハと熱酸化物薄膜ウエハの研磨に使用した
。粉末の製造に使用した元の濃縮物の一部もすぐに使用できる濃度に希釈し、ベ
ースラインとして使用した。以下の表6は、噴霧乾燥および研磨試験の結果を示
す。
に再構成させ、タングステン薄膜ウエハと熱酸化物薄膜ウエハの研磨に使用した
。粉末の製造に使用した元の濃縮物の一部もすぐに使用できる濃度に希釈し、ベ
ースラインとして使用した。以下の表6は、噴霧乾燥および研磨試験の結果を示
す。
【0057】
【表5】
【0058】
研磨後の酸化物薄膜ウエハ表面の顕微鏡観察によると、いずれの試験ウエハの
間にも疵の相違は見られなかった。
間にも疵の相違は見られなかった。
【0059】
実施例4
標準的な混合方法を使用して従来方法で調製したタングステン研磨組成物(「
MSW 2000」という)と、本発明により調製した同じ研磨組成物との研磨
性能(activity)を比較するために、数種類の試験を実施した。研磨したウエハ
について、薄膜除去速度、選択性、表面粗さ、および欠陥形成を測定した。
MSW 2000」という)と、本発明により調製した同じ研磨組成物との研磨
性能(activity)を比較するために、数種類の試験を実施した。研磨したウエハ
について、薄膜除去速度、選択性、表面粗さ、および欠陥形成を測定した。
【0060】
一群の200mmの試験ウエハを入手した。それぞれはウエハ表面に5000オ
ングストロームの熱酸化物基層が重ねられ、8000オングストロームのタング
ステン層は、500オングストロームの窒化チタン層で熱酸化物から分離された
ものであった。
ングストロームの熱酸化物基層が重ねられ、8000オングストロームのタング
ステン層は、500オングストロームの窒化チタン層で熱酸化物から分離された
ものであった。
【0061】
この群の試験ウエハを研磨するための準備として、Rare Earth Sciences, Inc
.(以前はデラウェア州Newark)の4インチのコンディショニンググリッドを取
り付けたStrasbaugh 6DS−SP研磨システムのプラテン上に、Rodel,Inc.(
デラウェア州 Newark)の研磨パッドIC−1400 Kを搭載した。パッドを
コンディショニングするため、脱イオン水を使用して20回の予備コンディショ
ニング洗浄を行い、5つのダミーの酸化物ウエハを加工し、続いて2つのダミー
のタングステンウエハを加工した。
.(以前はデラウェア州Newark)の4インチのコンディショニンググリッドを取
り付けたStrasbaugh 6DS−SP研磨システムのプラテン上に、Rodel,Inc.(
デラウェア州 Newark)の研磨パッドIC−1400 Kを搭載した。パッドを
コンディショニングするため、脱イオン水を使用して20回の予備コンディショ
ニング洗浄を行い、5つのダミーの酸化物ウエハを加工し、続いて2つのダミー
のタングステンウエハを加工した。
【0062】
パッドの最初のコンディショニングが終了した後、一群の13個の200mm試
験ウエハの研磨を行った。従来法で調製したスラリーを使用して4つの対照試験
ウエハの群を最初に研磨し、続いて本発明により再構成させたスラリーを使用し
て5つの試験ウエハの群を研磨して試験を実施した。最後に、4つの対照試験ウ
エハの第2の群を従来法で調製したスラリーで研磨した。ある群から次の群に移
るときに、パッド表面上のスラリーを移動させないようにするため、2つのダミ
ーの酸化物の加工を連続する群の間に実施した。
験ウエハの研磨を行った。従来法で調製したスラリーを使用して4つの対照試験
ウエハの群を最初に研磨し、続いて本発明により再構成させたスラリーを使用し
て5つの試験ウエハの群を研磨して試験を実施した。最後に、4つの対照試験ウ
エハの第2の群を従来法で調製したスラリーで研磨した。ある群から次の群に移
るときに、パッド表面上のスラリーを移動させないようにするため、2つのダミ
ーの酸化物の加工を連続する群の間に実施した。
【0063】
各回の試験で、以下のパッドコンディショニング条件および研磨条件を使用し
た。研磨 パッドコンディショニング 下向きの力:7psi 下向きの力:14lbs 背圧:0psi 洗浄:2(使用後脱イオン水で) プラテン速度:60rpm プラテン速度:70rpm キャリア速度:60rpm ディスク速度:75rpm 温度:100°F
た。研磨 パッドコンディショニング 下向きの力:7psi 下向きの力:14lbs 背圧:0psi 洗浄:2(使用後脱イオン水で) プラテン速度:60rpm プラテン速度:70rpm キャリア速度:60rpm ディスク速度:75rpm 温度:100°F
【0064】
試験結果を以下の表6に示す。用語「RR」は、タングステン(W)薄膜、チ
タン(Ti)薄膜、および酸化物(Tox)薄膜のオングストローム/分による
除去速度である。薄膜層の除去速度は、SM−300薄膜測定機(KLA-Tencor(
カリフォルニア州 Fremont)を使用して測定した。試験ウエハの第1、第2、
および第3の群の平均除去速度は、Avg. W、Avg Ti、およびAvg Toxの欄に示し
てある。「-Recon」と表示される試験ウエハは、本発明により調製した再構成研
磨スラリーを使用して研磨し、残りの試験ウエハは従来のスラリーを使用して研
磨した。
タン(Ti)薄膜、および酸化物(Tox)薄膜のオングストローム/分による
除去速度である。薄膜層の除去速度は、SM−300薄膜測定機(KLA-Tencor(
カリフォルニア州 Fremont)を使用して測定した。試験ウエハの第1、第2、
および第3の群の平均除去速度は、Avg. W、Avg Ti、およびAvg Toxの欄に示し
てある。「-Recon」と表示される試験ウエハは、本発明により調製した再構成研
磨スラリーを使用して研磨し、残りの試験ウエハは従来のスラリーを使用して研
磨した。
【0065】
【表6】
【0066】
従来の研磨スラリーと再構成研磨スラリーとの間の表面粗さ特性の差異を測定
するために、6つの試験ウエハにテトラエチルオルトシラン(TEOS)を使用
して蒸着させた酸化ケイ素でコーティングし、続いて研磨を行った。試験手順は
前述のものと同様であった。各試験の後に、原子間力顕微鏡(Model 5000、Digi
tal Instruments, Inc.(カリフォルニア州 Santa Barbara))を使用して表面
粗さ試験を実施した。以下の表7は粗さ値のまとめを含み、表中「Rms」は、ナ
ノメートルの表面粗さ値の二乗平均値である。
するために、6つの試験ウエハにテトラエチルオルトシラン(TEOS)を使用
して蒸着させた酸化ケイ素でコーティングし、続いて研磨を行った。試験手順は
前述のものと同様であった。各試験の後に、原子間力顕微鏡(Model 5000、Digi
tal Instruments, Inc.(カリフォルニア州 Santa Barbara))を使用して表面
粗さ試験を実施した。以下の表7は粗さ値のまとめを含み、表中「Rms」は、ナ
ノメートルの表面粗さ値の二乗平均値である。
【0067】
【表7】
【0068】
表6に示される除去速度データおよび表7に示される表面粗さデータは、再構
成スラリーと従来のスラリーとの間で、研磨性能に測定可能な差がないことを示
している。
成スラリーと従来のスラリーとの間で、研磨性能に測定可能な差がないことを示
している。
【0069】
したがって、前述の利点が十分に得られる再構成乾燥粒子状研磨組成物を使用
した研磨方法が開示されたことは明らかである。以上の実施例は集積回路用途の
化学機械研磨スラリーを用いて本発明の使用を説明するが、本発明は、その他の
種類の研磨配合物の用途にも使用できる。例えば、向上した除去速度および特殊
な表面条件を得るために加えられる研磨剤および化学物質を含有する多くの種類
の研磨組成物は、同様に乾燥して使用時に再構成させることができる。このよう
な研磨スラリーは、特殊光学部品の研磨、シリコンやガリウムヒ素などの半導体
基板を含む研磨、プラスチック眼鏡レンズおよびコンタクトレンズ、ならびにそ
の他の同様の技術に使用される。したがって、このようなすべての変形および修
正は添付した特許請求の範囲およびそれら均等の範囲内である。
した研磨方法が開示されたことは明らかである。以上の実施例は集積回路用途の
化学機械研磨スラリーを用いて本発明の使用を説明するが、本発明は、その他の
種類の研磨配合物の用途にも使用できる。例えば、向上した除去速度および特殊
な表面条件を得るために加えられる研磨剤および化学物質を含有する多くの種類
の研磨組成物は、同様に乾燥して使用時に再構成させることができる。このよう
な研磨スラリーは、特殊光学部品の研磨、シリコンやガリウムヒ素などの半導体
基板を含む研磨、プラスチック眼鏡レンズおよびコンタクトレンズ、ならびにそ
の他の同様の技術に使用される。したがって、このようなすべての変形および修
正は添付した特許請求の範囲およびそれら均等の範囲内である。
【図1】
本発明による方法の実施に有用である代表的な噴霧乾燥機の概略図である。
【図2】
本発明による後乾燥方法を示す概略図である。
【図3】
本発明による方法の実施に有用である代表的なスラリー再構成装置の概略図で
ある。
ある。
【図4】
実施例1の3種類のスラリーの粒径分布のヒストグラムである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),JP,K
R
(72)発明者 ローデス,ロバート・エル
アメリカ合衆国、アリゾナ 85048、フェ
ニックス、イースト・グラナット・ビュ
ー・ドライブ 2205
Fターム(参考) 3C047 FF08 GG15
3C058 AA07 AC04 CB01 CB03 DA17
Claims (20)
- 【請求項1】 所定の数の工作物を提供する工程と、 乾燥粒子状固体組成物を提供する工程と、 ある量の前記乾燥粒子状固体組成物を再構成させて、前記所定の数の工作物の
研磨を完了するのに実質的に十分なだけの量の水性組成物を形成する工程と、 を含む研磨方法。 - 【請求項2】 前記水性組成物の物理的性質および化学的性質の少なくとも
1つについて前記水性組成物を分析する工程をさらに含む、請求項1に記載の研
磨方法。 - 【請求項3】 乾燥研磨組成物を提供する工程が、前記所定の数の工作物の
研磨を完了するのに実質的に十分なだけの量の乾燥粒子状固体組成物を有する乾
燥粒子状固体組成物の包装品を提供することを含む、請求項1に記載の研磨方法
。 - 【請求項4】 所定の数の工作物を提供する工程が、1つの工作物を提供す
ることを含む、請求項1に記載の研磨方法。 - 【請求項5】 前記水性組成物を使用して前記所定の数の工作物を研磨する
工程をさらに含む、請求項1に記載の研磨方法。 - 【請求項6】 前記所定の数の工作物を研磨する工程の前に、貯蔵装置中で
前記水性組成物を貯蔵する工程をさらに含む、請求項5に記載の研磨方法。 - 【請求項7】 前記所定の数の工作物を研磨する工程が、バッチ研磨装置を
提供し、1バッチの工作物を前記研磨装置内に装填することをさらに含む、請求
項5に記載の研磨方法。 - 【請求項8】 所定の数の工作物を提供する工程が、1バッチの工作物を提
供することを含む、請求項7に記載の研磨方法。 - 【請求項9】 有限の量の前記乾燥粒子状固体組成物を再構成する工程が、
1バッチの工作物の研磨に十分な量の前記乾燥粒子状固体組成物を再構成するこ
とを含む、請求項8に記載の研磨方法。 - 【請求項10】 所定の数の工作物を研磨する工程が、所定の数の半導体基
板を提供することを含む、請求項1に記載の研磨方法。 - 【請求項11】 工作物1つ当たりのあるスラリー消費速度を有する研磨装
置を提供する工程をさらに含み、ここである量の前記乾燥粒子状固体組成物を、
前記所定の数の工作物の研磨を完了するのに実質的に十分なだけの水性組成物に
再構成する工程が、ある量の乾燥粒子状固体組成物を、工作物1つ当たりの前記
スラリーの消費速度と実質的に等しい速度で、水性組成物に再構成することを含
む、請求項1に記載の研磨方法。 - 【請求項12】 研磨工程に使用する乾燥粒子状固体組成物を提供する工程
と、 研磨する固定した数の工作物を決定する工程と、 実質的に十分なだけの量の前記乾燥粒子状固体組成物を調製して、前記固定し
た数の工作物の研磨を完了するためのある量の再構成スラリーを形成する工程と
、 を含む研磨方法。 - 【請求項13】 前記乾燥粒子状固体組成物の量を調製する前記工程が、1
つの工作物を研磨するのに十分な乾燥粒子状固体組成物を収容するために十分な
体積を有する包装容器を提供することと、前記包装容器に前記乾燥粒子状固体組
成物を充填することとを含む、請求項12に記載の研磨方法。 - 【請求項14】 研磨装置のワークステーションで、ある数の位置を有する
研磨装置を提供する工程をさらに含み、ここである量の前記乾燥粒子状固体組成
物を提供する前記工程が、1バッチの工作物を研磨するのに十分な乾燥粒子状固
体組成物を収容するために十分な体積を有する包装容器を提供することと、前記
包装容器に前記乾燥粒子状固体組成物を充填することとを含む、請求項12に記
載の研磨方法。 - 【請求項15】 前記乾燥粒子状固体組成物を再構成して水性組成物を得る
工程と、前記水性組成物を使用して前記固定した数の工作物を研磨する工程とを
さらに含む、請求項12に記載の研磨方法。 - 【請求項16】 前記固定した数の工作物を研磨する工程の前に前記水性組
成物を濾過する工程をさらに含む、請求項15に記載の研磨方法。 - 【請求項17】 乾燥粒子状固体組成物を提供する工程と、 ある量の乾燥粒子状固体組成物を再構成してある量の水性組成物を形成する工
程と、 過酸化水素および揮発性有機酸からなる群より選択される化学物質を前記水性
組成物に添加する工程と、 研磨装置のワークステーションに前記水性組成物を供給する工程と、 を含む研磨方法。 - 【請求項18】 乾燥粒子状固体組成物を提供する前記工程が、 前記粒子状固体組成物の乾燥粉末を形成する工程と、 貯蔵ホッパーに前記乾燥粉末を捕集して大型バッチを作製する工程と、 前記乾燥粉末を混合して前記粉末を均質化する工程と、 前記乾燥粉末を包装する工程と、 を含む、請求項17に記載の研磨方法。
- 【請求項19】 前記乾燥粉末を包装する前記工程が、所定の数の工作物の
研磨に実質的に十分なだけの体積を有する包装容器を提供することと、前記包装
容器に前記乾燥粉末を充填することとを含む、請求項18に記載の研磨方法。 - 【請求項20】 研磨装置のワークステーションに前記水性組成物を供給す
る前記工程が、工作物1つ当たりのあるスラリー消費速度を有する研磨装置を提
供することと、工作物1つ当たりの前記スラリーの消費速度と実質的に等しい速
度で前記研磨装置のワークステーションに前記水性組成物を供給することとを含
む、請求項17に記載の研磨方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19835400P | 2000-04-19 | 2000-04-19 | |
US60/198,354 | 2000-04-19 | ||
US09/837,506 US6447375B2 (en) | 2000-04-19 | 2001-04-18 | Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition |
US09/837,506 | 2001-04-18 | ||
PCT/US2001/012754 WO2001081042A1 (en) | 2000-04-19 | 2001-04-19 | Polishing method using a rehydrated dry particulate polishing composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003531023A true JP2003531023A (ja) | 2003-10-21 |
Family
ID=26893701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001578126A Pending JP2003531023A (ja) | 2000-04-19 | 2001-04-19 | 再水和させた乾燥粒子状研磨組成物を使用する研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6447375B2 (ja) |
EP (1) | EP1274540A1 (ja) |
JP (1) | JP2003531023A (ja) |
KR (1) | KR20020092436A (ja) |
WO (1) | WO2001081042A1 (ja) |
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-
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- 2001-04-19 JP JP2001578126A patent/JP2003531023A/ja active Pending
- 2001-04-19 EP EP01928659A patent/EP1274540A1/en not_active Withdrawn
- 2001-04-19 WO PCT/US2001/012754 patent/WO2001081042A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-04-19 KR KR1020027013889A patent/KR20020092436A/ko not_active Application Discontinuation
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US6447375B2 (en) | 2002-09-10 |
WO2001081042A1 (en) | 2001-11-01 |
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EP1274540A1 (en) | 2003-01-15 |
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