JP2003530665A - 有機発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
有機発光ダイオードの製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- H—ELECTRICITY
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
本発明は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（２，３，５）に関する。従来の製造方法では、色変換層（４）はインクジェット方式を用いて無接触にサブストレート（１）上に被着されていたが、本発明では、サブストレートに直接設ける印刷方法、すなわち版を利用する方法を用いる。前記技術に基づき、例えばフレクソ印刷およびオフセット印刷が用いられる。
Description
【０００１】
本発明は、例えばフラットディスプレイの製作に用いられる有機発光ダイオー
ド（ＯＬＥＤ）の製造方法に関する。
ド（ＯＬＥＤ）の製造方法に関する。
【０００２】
上記の形式のダイオードの発光は、電圧が印加すると光を放出するという所定
の有機材料の特性に基づくものである。使用される材料に応じて、非常に種々な
色効果が得られる。上記材料から成る発光層が色変換層と種々組合される。これ
らの層は次のような材料から成る、すなわち該材料は、発光材料から放出される
光の波長を吸収して、長い波長で再び放射する。色変換層は、大きな面積で又は
画素の形で与えられる。
の有機材料の特性に基づくものである。使用される材料に応じて、非常に種々な
色効果が得られる。上記材料から成る発光層が色変換層と種々組合される。これ
らの層は次のような材料から成る、すなわち該材料は、発光材料から放出される
光の波長を吸収して、長い波長で再び放射する。色変換層は、大きな面積で又は
画素の形で与えられる。
【０００３】
国際公開明細書９８／２８９４６号（ＷＯ９８／２８９４６）から、インクジ
ェットプリンタにより周知の方法を用いて色変換層を被着させる方法が公知であ
る。インクジェット方式とも称する印刷方法は、色変換材料が細いノズルから成
膜すべき表面に被着されることにより、無接触に動作する。色変換層は一般に、
障害、例えば変化する層厚又は平坦でない層表面に対して、非常に影響を受けや
すい。しかし、インクジェットプリンタ方式では、滑らかな表面を得るのは非常
に難しい。さらに、画素を相互に正確に画定することは困難である。
ェットプリンタにより周知の方法を用いて色変換層を被着させる方法が公知であ
る。インクジェット方式とも称する印刷方法は、色変換材料が細いノズルから成
膜すべき表面に被着されることにより、無接触に動作する。色変換層は一般に、
障害、例えば変化する層厚又は平坦でない層表面に対して、非常に影響を受けや
すい。しかし、インクジェットプリンタ方式では、滑らかな表面を得るのは非常
に難しい。さらに、画素を相互に正確に画定することは困難である。
【０００４】
本発明の課題は、色変換層が、均一な層厚と滑らかな表面を有するように、技
術的に容易で障害を受け難く信頼性の高い手法で被着される製造方法を提供する
ことである。
術的に容易で障害を受け難く信頼性の高い手法で被着される製造方法を提供する
ことである。
【０００５】
上記課題は請求項１に記載の構成により、色変換層が版を利用してサブストレ
ート上に被着されることによって解決される。
ート上に被着されることによって解決される。
【０００６】
版を用いる印刷方法は、平版印刷（例えばオフセット印刷）、凸版印刷（例え
ば書籍の印刷およびフレキソ印刷）、凹版印刷ならびにスクリーン印刷である。
平版印刷では、印刷領域および非印刷領域が１つの平面内にあり、一方凸版印刷
では、印刷部分が版平面から盛り上がって出っ張っている。凹版印刷では、印刷
部分が凹んでいる。スクリーン印刷の最も知られている代表的なものはシルクス
クリーン印刷であるが、スクリーン印刷では、版が非常に微細な網目構造を有し
ている。前述の印刷方法を用いて、大きな面積の変換層および画素状のパターン
を有する変換層が作成される。サブストレートとして有利には、ガラス基板又は
透明な可撓性のシートが用いられる。
ば書籍の印刷およびフレキソ印刷）、凹版印刷ならびにスクリーン印刷である。
平版印刷では、印刷領域および非印刷領域が１つの平面内にあり、一方凸版印刷
では、印刷部分が版平面から盛り上がって出っ張っている。凹版印刷では、印刷
部分が凹んでいる。スクリーン印刷の最も知られている代表的なものはシルクス
クリーン印刷であるが、スクリーン印刷では、版が非常に微細な網目構造を有し
ている。前述の印刷方法を用いて、大きな面積の変換層および画素状のパターン
を有する変換層が作成される。サブストレートとして有利には、ガラス基板又は
透明な可撓性のシートが用いられる。
【０００７】
次に本発明を実施の形態に基づき図を用いて詳細に説明する。
【０００８】
図１は、大面積の単色性のダイオードの横断面略図を示す、
図２〜４は、ダイオードの平面略図であり、種々な層が漸次被着されているこ
とを示す。
とを示す。
【０００９】
図１に、大きな面積で被着された機能層を有する単色性のダイオードが示され
ている。ガラス基板１の一方の側に、ＩＴＯから成る層２が被着されており、こ
れは陽極として作動する。サブストレートとして、透明な可撓性のシートを用い
てもよい。ＩＴＯ層２の上に、１つ又は複数の機能有機物層３が、例えば熱蒸発
により被着される。機能有機物層３は、青色光を放射するように、選択される。
有機物層３上に、陰極５としてカルシウムがデポジションされている。ガラス基
板１の他方の側には、オフセット印刷方法を用いて、大きな面積の色変換層４が
被着されている。
ている。ガラス基板１の一方の側に、ＩＴＯから成る層２が被着されており、こ
れは陽極として作動する。サブストレートとして、透明な可撓性のシートを用い
てもよい。ＩＴＯ層２の上に、１つ又は複数の機能有機物層３が、例えば熱蒸発
により被着される。機能有機物層３は、青色光を放射するように、選択される。
有機物層３上に、陰極５としてカルシウムがデポジションされている。ガラス基
板１の他方の側には、オフセット印刷方法を用いて、大きな面積の色変換層４が
被着されている。
【００１０】
図２〜４に示されているダイオードは、フルカラーのダイオードの拡大部分で
ある。ガラス基板上にまず、色変換層が上記の印刷方法を用いて、画素マトリッ
クスの形式で印刷される。この場合、赤色および緑色変換物質を有する画素６，
７が変換物質のないスペース８と交番して配置されている。画素６，７と変換物
質のないスペース８とが共に１つの上位の画素９を形成する。画素６，７及び変
換物質のない画素８の寸法は、約８０μｍ×２８０μｍである。画素間の間隔は
約２０μｍである。この場合、これらの画素マトリックス上に、大面積のＩＴＯ
がスパッタリングされる（図３の水平なハッチング線１０）。この層はフォトリ
ソグラフィにより同様に８０μｍの幅と２０μｍの間隔を有する平行なストライ
プに対して構造化される。次のステップとして、ＩＴＯストライプに対して直角
に、約３０μｍの幅を有するフォトレジストストライプ１１が被着される（図４
）。このとき、機能有機物層が、熱蒸発により又は溶液の付着により、デポジシ
ョンされる。次いで、さらに、大きな面積で陰極が蒸着される。
ある。ガラス基板上にまず、色変換層が上記の印刷方法を用いて、画素マトリッ
クスの形式で印刷される。この場合、赤色および緑色変換物質を有する画素６，
７が変換物質のないスペース８と交番して配置されている。画素６，７と変換物
質のないスペース８とが共に１つの上位の画素９を形成する。画素６，７及び変
換物質のない画素８の寸法は、約８０μｍ×２８０μｍである。画素間の間隔は
約２０μｍである。この場合、これらの画素マトリックス上に、大面積のＩＴＯ
がスパッタリングされる（図３の水平なハッチング線１０）。この層はフォトリ
ソグラフィにより同様に８０μｍの幅と２０μｍの間隔を有する平行なストライ
プに対して構造化される。次のステップとして、ＩＴＯストライプに対して直角
に、約３０μｍの幅を有するフォトレジストストライプ１１が被着される（図４
）。このとき、機能有機物層が、熱蒸発により又は溶液の付着により、デポジシ
ョンされる。次いで、さらに、大きな面積で陰極が蒸着される。
【図１】
大面積の単色性のダイオードの横断面略図を示す。
【図２】
図１のダイオードの平面略図である。
【図３】
ダイオードの製作工程の平面略図である。
【図４】
ダイオードの製作工程の平面略図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ゲオルク ヴィットマン
ドイツ連邦共和国 ヘルツォーゲンアウラ
ッハ エルレンシュトラーセ 10アー
(72)発明者 マティアス シュテッセル
ドイツ連邦共和国 エアランゲン オイセ
レ テネンローアー シュトラーセ 47
Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BB06 CA01 CA06
DB03
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも１つの色変換層が、版を利用してサブストレート
上に印刷される、有機発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 前記色変換層がガラス基板上に印刷されることを特徴とする
、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記色変換層が透明な可撓性のシート上に印刷されることを
特徴とする、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| DE10018168.6 | 2000-04-12 | ||
| DE10018168A DE10018168A1 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Dioden |
| PCT/DE2001/001444 WO2001078163A1 (de) | 2000-04-12 | 2001-04-12 | Verfahren zum herstellen von organischen, licht emittierenden dioden |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=7638496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001574918A Pending JP2003530665A (ja) | 2000-04-12 | 2001-04-12 | 有機発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030174551A1 (ja) |
| EP (1) | EP1273052A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003530665A (ja) |
| DE (1) | DE10018168A1 (ja) |
| TW (1) | TW569468B (ja) |
| WO (1) | WO2001078163A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623870B1 (en) | 1996-08-02 | 2003-09-23 | The Ohio State University | Electroluminescence in light emitting polymers featuring deaggregated polymers |
| WO2003012885A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | The Ohio State University | Methods for producing electroluminescent devices by screen printing |
| EP1423991A4 (en) | 2001-07-27 | 2009-06-17 | Univ Ohio State | METHOD FOR PRODUCING POLYMER LIGHT EMISSION ELEMENTS BY LAMINATION |
| DE102004041497B4 (de) * | 2004-08-27 | 2007-04-05 | Polyic Gmbh & Co. Kg | "Organisches Elektronik-Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen" |
| RU2528128C1 (ru) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | Способ изготовления органического светоизлучающего диода |
Citations (2)
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| WO1998034437A1 (fr) * | 1997-02-04 | 1998-08-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Afficheur a electroluminescence organique |
| JP2001093664A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Fuji Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614020A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Nissha Printing Co Ltd | マルチカラ−液晶表示装置 |
| US4869532A (en) * | 1986-10-07 | 1989-09-26 | Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. | Prints and production method thereof |
| US5294870A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
| DE19627071A1 (de) * | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
| JPH10338872A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Tdk Corp | 色変換材料およびこれを用いた有機ｅｌカラーディスプレイ |
| US5953587A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | The Trustees Of Princeton University | Method for deposition and patterning of organic thin film |
| US6013538A (en) * | 1997-11-24 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating and patterning OLEDs |
| JP3322204B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2002-09-09 | 富士電機株式会社 | 多色発光有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| EP1011154B1 (en) * | 1998-12-15 | 2010-04-21 | Sony Deutschland GmbH | Polyimide layer comprising functional material, device employing the same and method of manufacturing same device |
| TW556357B (en) * | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
-
2000
- 2000-04-12 DE DE10018168A patent/DE10018168A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-04-11 TW TW090108649A patent/TW569468B/zh active
- 2001-04-12 US US10/257,079 patent/US20030174551A1/en not_active Abandoned
- 2001-04-12 WO PCT/DE2001/001444 patent/WO2001078163A1/de active Application Filing
- 2001-04-12 JP JP2001574918A patent/JP2003530665A/ja active Pending
- 2001-04-12 EP EP01933604A patent/EP1273052A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034437A1 (fr) * | 1997-02-04 | 1998-08-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Afficheur a electroluminescence organique |
| JP2001093664A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Fuji Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030174551A1 (en) | 2003-09-18 |
| EP1273052A1 (de) | 2003-01-08 |
| WO2001078163A1 (de) | 2001-10-18 |
| DE10018168A1 (de) | 2001-10-25 |
| TW569468B (en) | 2004-01-01 |
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