JP2003529788A - 多層ミラー - Google Patents

多層ミラー

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、多層ミラー(1)、特に多層分散ミラーに関する。これは、基体(4;14)に堆積し且つ平行で平らな界面(6)を介して並んでいる異なる性質の複数の個々の層(2、3)を有する。このミラーは、個々の層(2、3)の間の界面(6)に対して傾斜しているビームが当たる側の平らな前面(5;5’)を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、多層ミラー、特に分散多層ミラーに関する。これは、基体に適用さ
れ且つ互いに平衡に配置された複数の異なる性質の個々の層、平らな界面、及び
ビームが当たる側の平らな前面を有する。
【0002】 レーザー技術では、ピコ秒及びフェムト秒単位(10フェムト秒未満まで)の
パルス期間の比較的短いレーザーパルスが使用されるようになってきている。ま
た科学分野以外でも、そのようなパルスレーザー装置は、例えば最高精度での材
料の加工のために、超高速分光器で、ブロードバンド(広域帯)通信で、及びフ
ェムト化学で使用されている。例えばPCT国際公開WO98/10494号明
細書で参照されるそのような短いパルスレーザー装置で使用するレーザー結晶は
、優れた熱的性能と幅広い蛍光帯を有し、それによって10フェムト秒未満、又
は5フェムト秒未満のパルス期間のレーザーパルスを発生させることができる。
ここでは特に、特にチタンサファイア(Ti:S)レーザー結晶のような遷移金
属でドープしたレーザー結晶を使用している。
【0003】 そのような超短レーザーパルスを発生させる場合の1つの問題は、それぞれの
レーザー系の光成分を残すことであり、ここでは特に、利用可能な広域分散成分
を得ることが重要である。
【0004】 例えば米国特許第5,734,503号明細書が参照される薄膜技術のレーザ
ー装置のための分散ミラーを提供することが既に提案されている。ここではミラ
ーは、異なる性質の複数の個々の層からなっており、すなわち屈折率が大きい及
び小さい交互の層を有する。これは、超短レーザーパルス、すなわち対応する大
きい周波数範囲を反射するときに、それらの機能を満たす。ここでは、レーザー
ビームの異なる波長成分は、反射の前にミラーの個々の層に異なる深さまで入る
。この様式では、周波数成分毎に、それぞれの浸入深さに応じて遅延時間が異な
る。負の群遅延分散を達成しなければならない場合、短波長波は、最も外側で反
射され、長波長成分は、反射の前にミラーに比較的深くまで浸入する。これは、
長波周波数成分が、短波成分に比べて時間的に遅れることを意味している。この
様式では、分散の補償は、レーザー装置の短パルスレーザービームに関して行う
ことができる。レーザービームの異なる周波数成分の特に短時間の範囲のパルス
は、広周波数スペクトルを有し、主に密な伝播媒体(例えばレーザー結晶中)又
はまた空気中で、異なる屈折率を「示す」(すなわち、電波媒体の光学厚さが、
レーザーパルスの異なる周波数成分に関して異なる)。従ってレーザーパルスの
異なる周波数成分は、電波媒体に通したときに遅延時間が異なる。この効果は、
負の群遅延分散(GDD)が作用する既知の分散薄膜レーザーミラーでの上述の
分散補償によって打ち消す。これらの既知のミラーは、「チャープミラー」(C
M)としても言及され、プリズムを含む従来の遅延要素を実質的に発展させたも
のである。第1に、10フェムト秒及びそれ未満のパルス期間を有するレーザー
パルスを、レーザー発振器から直接に得ることができ、またレーザー系をより小
型で信頼可能なようにすることができる。CMミラーは、多層構造への様々なス
ペクトル成分の浸入深さによって、上述のように群遅延の波長依存性を制御する
【0005】 これらのCMミラー及び非常に一般的な相当する多層ミラーでの1つの欠点は
、波長にほとんど依存しない反射(例えば3%程度)が、最も上側の層と周囲と
の間の界面、すなわち放射を受ける最も前面で起こることである。結果として、
この前面で反射されるビームと、ミラーの多層構造の比較的深いところで反射さ
れるビームとの間で干渉が起こるので、これらの干渉効果は反射性を歪めること
があり、また結局、ミラーの相特性を全く歪めてしまうことがある。この効果を
最少にするために、反射防止コーティング又は狭い帯域のバリアーフィルターを
前面、すなわち周囲(一般に空気)との界面に提供することが提案されている(
F.X.Kaerntner、N.Matuscheck、T.Tschibi
li、U.Keller、H.A.Haus、C.Heine、R.Morf、
V.Scheuer、M.Tilsch、T.Tschudiの「Design
and fabrication of double−chirped m
irrors」、1997年、Opt.Lett22、831;及びG.Tem
pea、F.Krausz、Ch.Spielmann、K.Ferenczの
「Dispersion Control over 150THz with
chirped dielectric mirrors」、1998年、I
EEE JSTQE 4、193をそれぞれ参照)。干渉共鳴を効果的に抑制す
るために、前面での反射はわずか10−4程度であるべきである。しかしながら
、反射防止層及びバリアーフィルターは、非常に限定された帯域でのみ、そのよ
うな値に近づくのみである。従ってかつては、800nmの照射では、分散ミラ
ーは150〜160THzの帯域でのみ操作することができた。更に、共鳴干渉
効果の完全な抑制は、そのような帯域でさえ可能ではなく、分散曲線が明らかな
変動を示すことが多かった。
【0006】 従って、本発明の目的は、この状況を改善すること、及びミラーの前面で反射
する放射によってもたらされる上述の干渉効果を単純な様式で避ける初めに示し
たタイプの多層ミラーを提供することである。
【0007】 初めに示した本発明の多層ミラーは、前面が、個々の層の間の界面に対して傾
斜していることを特徴とする。ミラーの多層構造の前面、例えば誘電体(ミラー
)と空気(周囲)との界面のようなミラーの最も前側の界面のこの傾斜配置によ
って、この前面で反射されるビームが、ミラー多層構造の他の界面で反射するビ
ーム成分と一直線にならず、すなわちその軸が、他のビーム成分の軸に対して対
応する角度で延びる。従って、ビームの重なり又は干渉がもはや起こらず(ミラ
ーからのそれぞれの距離で、ビーム直径に依存して)、それによって上述の好ま
しくない干渉効果が避けられ、例えば広帯域分散補償が可能である。
【0008】 ミラーの多層構造の他の界面に対して「傾斜」している前面の角度は、相対的
に広い範囲で選択することができるが、原則としてこれは可能な限り小さい角度
にする。例えばこれは1°又は数度のみである。一方でそのような小さい角度は
ミラーの製造の間に達成することが容易であり、他方で例えば2mmの入射ビー
ム直径では、多層構造の内側界面によって反射した有益な束ビームは、6cm近
い伝播長さの後で、傾斜した前面で斜めに反射したビームから完全に分離され、
すなわち相撹乱干渉効果は、この距離の初めからもはや起こらない(ここではこ
の角度での下限を示している)。更に、小さい角度(1°又は数度のみ)は、ミ
ラーの第1の層、すなわち最も外側の層(この層の外側面が傾斜前面を作ってい
る)の厚さを薄く維持することも可能にする。くさび形の第1の外側の層によっ
てもたらされる2次的な性の分散を最少化することができる(それによって随意
にミラー全体として負の分散を得ることができる)ので、これは有利である。
【0009】 しかしながら、外側の層で比較的大きい「くさび」角度を提供して、プリズム
対を有する配置と同様に、例えば追加的な負の分散を導入することが望ましい場
合がある。
【0010】 用途に応じて、多層ミラー構造は、特定の基体、及びここに堆積したそれぞれ
の材料の適当な数の個々の薄膜を具備することができる。これを行うために、傾
斜前面をくさび形の透明基体の外側面によって提供し、その後側に層を適用する
ことが、ミラーの最も外側の層のくさび形状を達成する単純な方法であり、可能
で有利な場合が多い。この態様では、予め製造した薄く透明なくさび形ガラス基
体を使用して、前面の反対側の後面に、それ自体は既知の様式で所望の薄層、例
えば相対的に屈折率が小さい層と屈折率が大きい層との交互の層を適用する。使
用においては、入射ビームが初めにくさび形のガラス基体に到達し、このガラス
基体の傾斜前面が特定の角度でビームを反射し、そしてビーム成分の波長に応じ
て所望の上述の反射がミラーの内部で起こる。ここで反射されたビーム成分は、
前面において傾斜外側面で斜めに反射されたビームと干渉しない。
【0011】 しかしながらこの態様では、薄いくさび形基体は、コーティング中でもたらさ
れる張力によって波形になっていることがある。これは、基体の表面の質を低下
させる。従って、多層ミラーの傾斜前面又は外側面を達成する他の特に有利な可
能性は、傾斜前面が、厚さが直線的に変化する外側層の外側面によって提供され
ることからなる。この外側層は、他の個々の層と共に、ビームが当たる面と反対
側の基体に適用する。従ってこのミラーの構造では、平らで厚くてよい基体は、
ミラーの後面を作り、この基体に、それ自体既知の様式によって個々の層を適用
する。くさび形の外側層を達成するために、すなわち層の厚さを直線的に変化さ
せるために、薄膜の形のこの層の製造の間に、基体をいくらか傾けてチャンバー
に配置すること、又は透過性が直線的に変化している適当なマスクを、最も外側
の層の材料を適用するときに使用することができる。いずれの場合にも、既に得
られている構造を、不均一な蒸気流れに露出させて外側層を作る。ここで、最も
外側の層(最も上側の層)の厚さは、蒸気源からの距離が増加するに従って単調
に減少する。
【0012】 単純に製造できる他の有利な態様は、外側層を、くさび形ガラスプレートによ
って作ることである。コーティング/ガラスプレート界面の反射を避けるために
、ガラスプレートは、屈折率を適応させた流体、光学接着剤又は光学セメントに
よってコーティングに適用することができる。
【0013】 上述のように、ミラーの多層構造の前面で斜めに反射されるビーム自身の強度
は比較的小さいが、これはミラー損失に影響する損失をもたらす。従って、ミラ
ー損失を最少化するために、傾斜前面に反射防止コーティングを適用することが
有利である。反射防止コーティング、特に多層コーティングはそれ自体既知であ
り、また反射防止コーティングは相にひずみをもたらさないことが知られている
。試験は、この様式で傾斜前面での反射率を、500〜1,000nmの波長に
ついて0.2%未満まで低下させられることを示している。完全にするためには
、この反射防止コーティングは、ミラーの前面の傾斜に対応して、ミラー多層構
造の内側の他の界面に対して傾斜して拡がっている層からなることに言及すべき
である。反射防止コーティングの層としては、例えばTiO層及びSiO
、又はTa及びSiO層をそれぞれ使用することができる。
【0014】 個々の層の厚さが基体からの距離と共に変化し、それによって所定の反射特性
及び/又は所定の群遅延分散特性を示す場合、これは適当であることが分かって
いる。層厚さを変化させることによって、反射率及び分散性(群遅延分散)に関
する特定の曲線を、ミラーの用途に応じて決定することができる。ここでは例え
ば負の群遅延分散の導入は、所定の正の群遅延分散の提供と同様に考慮すること
ができる。特に、前面からの距離と共に個々の層の厚さが徐々に大きくなり、そ
れによって負の、随意に一定の群遅延分散及び大きい反射率を予め決定されたス
ペクトル範囲で提供する場合、これは有利である。
【0015】 本発明の多層分散ミラーは、平均の層厚さが最も前側の層からの距離と共に増
加するチャープ構造を有することができ(米国特許第5,734,503号明細
書参照)、また例えば先に挙げていないオーストリア国特許出願公開A1160
/99号明細書で開示されているように共鳴構造を具備することができる。本発
明の多層構造の構成のためには、SiO層及びTiO層をそれ自体は既知の
様式で、個々の層として交互に提供することができる。低コストで信頼可能な製
造のためには、SiO層及びTa層を個々の層として交互に提供するこ
とも考慮される。Taの吸収限界が比較的短い波長であり、それによって
この材料の破壊しきい値が比較的大きいので、Ta層を有するそのような
層も有利である。
【0016】 本発明のミラーの他の有利な態様は、個々の層として、比較的低屈折率の半導
体層と比較的高屈折率の半導体層とを交互に提供する場合に得られる。そのよう
な半導体の態様の1つの利点は、それ自体は既知の飽和可能吸収材層を、ミラー
の多層構造に挿入することを可能にすることである。これは、レーザーデバイス
で使用する場合に特に有利である。
【0017】 本発明のミラーは、上述のように、レーザーデバイス、特に短パルスレーザー
デバイスで、特に分散制御のための要素として使用するのに特に有利である。
【0018】 以下では、添付の図を参照して、特に好ましい例示の態様を比較的詳細に説明
することによって本発明を説明する。しかしながら、これらは本発明を限定する
ものではない。
【0019】 図1では、多層分散ミラー1を概略で示している。これは、相対的に屈折率が
小さい個々の層2と相対的に屈折率が大きい個々の層3とを有する。これらの個
々の層2、3は交互に配置されており、例えば全部で30又はそれよりも多くの
個々の層2、3を提供することができる。これらの個々の層2、3は、くさび形
の薄い透明基体4、特にガラス基体の後側に、それ自体は既知の様式で、例えば
気相堆積によって適用する。図から理解できるように、基体4はくさび形であり
、すなわちその厚さは最少厚さの一方の側から最大厚さの他方の側へと直線的に
増加し、それによって前面5が、個々の層2、3の間の界面6に対して角度αで
傾斜して拡がっている。
【0020】 前面5に達するビーム7、特にレーザービームは、基体4を貫き、その個々の
周波数成分の波長に依存して、それぞれの界面6でミラー1の多層構造2、3の
異なる深さで反射され、それによって反射ビーム8の上述の分散制御を達成する
。原則として、負の群遅延分散GDDが提供され、比較的長い波長の波が、多層
構造2、3に比較的深くまで浸入し、ミラー1の比較的外側で反射される短波長
成分よりも比較的長く遅延する。
【0021】 示されているように、ミラー1の前面においては、傾斜前面がない場合には好
ましくない反射が通常起こる。この場合、ここで反射されるビームは、ミラー1
の多層構造2、3において反射されるビームと干渉する。この干渉は、反射性及
びミラーの相特性の明らかなひずみをもたらす。これらの干渉効果を避けるため
に、上述のように前面5を他の界面6に対して傾斜させて配置し、それによって
それぞれミラー1の前面5又は5’で反射されたビーム9が、それぞれ前面5又
は5’の傾斜αの2倍の角度で反射する。この様式では、この斜めに反射したビ
ーム9が、少なくとも比較的短い距離では全く干渉要素とはならない。これは、
それぞれ前面5又は5’の傾斜角、及び入射ビーム7の直径に依存して、ビーム
9が、数センチメートル程度の比較的短い距離の伝播で、有益なビーム7及び8
から完全に分離され、それによってこの距離から、相を乱す干渉効果がもはや起
こらないことによる。
【0022】 斜めに反射したビーム9は、ミラー1の損失に貢献するので、反射防止コーテ
ィング10を、好ましくは層2、3のための基体を作るくさび形の層4の前面5
に適用する。この反射防止層は、交互の比較的屈折率が小さい層11又は比較的
屈折率が大きい層12の複数の個々の層11、12を有する。この反射防止コー
ティングのために、例えばTiO及びSiO層、又はTa及びSiO 層を交互に、それ自体は既知の様式で使用することができる。ここでは原則と
して、15未満の層で十分であり、この反射防止コーティングによってはひずみ
がもたらされない。そのようは反射防止コーティング10では、500nm〜1
,000nmの関心のある波長範囲について、外側の前面5’(ミラー1と周囲
との界面)での反射を0.2%未満まで弱めることができる。
【0023】 完全にするために、図1では、表面法線13を示している。これは前面5’に
対して垂直で、且つ入射ビーム7と、前面5’で斜めに反射されるビーム9との
間の角度の2等分線となる。
【0024】 図1のミラー1を作るために、例えば以下の層構造を選択することができる:
【0025】 材料 層厚さ(nm) くさび形基体4 SiO 259.80 TiO 15.00 SiO 61.38 TiO 59.12 SiO 18.81 TiO 79.30 SiO 72.89 TiO 21.16 SiO 118.24 TiO 56.13 SiO 30.30 TiO 75.66 SiO 96.41 TiO 33.40 SiO 76.25 TiO 76.31 SiO 80.31 TiO 35.10 SiO 108.49 TiO 73.01 SiO 72.73 TiO 48.58 SiO 102.70 TiO 76.02 SiO 95.01 TiO 42.53 SiO 100.45 TiO 97.86 SiO 100.47 TiO 50.81 SiO 93.09 TiO 82.43 SiO 132.75 TiO 76.17 SiO 84.22 TiO 69.18 SiO 148.68 TiO 78.55 SiO 117.82 TiO 79.60 SiO 154.27 TiO 78.25 SiO 116.50 TiO 109.89 SiO 143.51 TiO 89.85 SiO 158.38 TiO 76.01 SiO 174.52 TiO 86.94 SiO 186.03 TiO 96.81 SiO 167.78 TiO 106.09 SiO 191.54 TiO 120.83 SiO 187.05 TiO 122.09 SiO 307.80
【0026】 このようなミラーに関して、波長λ(nm)での反射率R(%)及び群遅延分
散GDD(fs)はそれぞれ、図4及び5で示している。図4から理解できる
ように、反射率Rは500〜1,000nmの波長範囲で実際に一定であり、図
5で示される群遅延分散GDDはわずかに波形の変化を示す。
【0027】 図2では、多層分散ミラー1の他の態様が示されている。ここでは、それぞれ
屈折率が比較的大きい又は屈折率が比較的小さい交互の個々のミラー層2、3を
、従来の様式で基体14の後側に適用している。くさび形の外側層4’は、最も
前側のミラー層を作っており、その層厚さは、角度αに対応して直線的に増加し
、それによってその前面5が、他の個々のミラー層2、3の間の界面に対して角
度αで傾斜して拡がっている。ここでは、反射防止コーティング10も外側層4
’の前面5に適用しており、この反射防止コーティング10は、屈折理の大きい
又は小さい交互のそれぞれの層11及び12でできている。これによって、反射
防止コーティング10の前面5’で反射する望ましくないビーム9の強度は、非
常に弱く維持され、それによってミラー損失が最少になる。
【0028】 くさび形の外側層4’は例えば、既に適用されている個々の層2、3を有する
基体14を所望の傾斜位置でコーティングチャンバーに傾斜させて配置し、それ
によって実際に基体に不均一な蒸気の流れが提供されるようにして作ることがで
きる。層4’の厚さは、蒸気供給源からの距離が増加すると直線的に減少する。
他の可能な様式は、層4’のための材料の蒸気相からの堆積の間に、対応する不
均一なマスクを使用することからなる。これによって、層4’の直線的に変化す
る層厚さを得ることができる。
【0029】 図6及び7では、図2のミラー1に関して、波長λでの反射率R(図6)及び
波長λでの群遅延分散GDD(図7)を示している。ここでは、約580nm〜
950nmの波長範囲での反射率Rの一定性、600nm〜950nmの範囲で
の約−30fs〜−38fsの群遅延分散のわずかに波形の変化、及びポン
プビーム波長(520nm〜540nm)の付近の高い透過率が観察される。
【0030】 図8では、図2に関して変更された多層分散ミラーの態様を示している。ここ
ではまた、分散補償のための多層構造2、3が、厚く平行な後側光学基体14に
適用されている。この多層構造2、3の前面には、くさび形のガラスプレート4
”が、外側層として適用されている。これは、到達するビーム7に対する傾斜前
面5を作っている。また反射した有益なビームは、8で示しており、前面5で反
射した望ましくないビームは、9で示している。この望ましくないビーム9は、
斜めに進行して、上述の有益なビーム8との干渉を避ける。くさび形のガラスプ
レート4”は、上述の態様でのように、その前面5に反射防止コーティング10
を有することができる。
【0031】 多層構造2、3/くさび形ガラスプレート4”の界面での反射を避けるために
、屈折率を調節する層16を提供し、これを経由させてくさび形のガラスプレー
ト4”を、多層構造2、3、すなわちその最も前側の個々の層2又は3に接続す
ることができる。詳しくは、屈折率を調整する流体を使用することができ、又は
ガラスプレート4”を光学接着剤若しくは光学セメントによって固定することが
できる。材料の例としては、屈折率調整流体としての様々な濃度の脂肪族及び脂
環式炭化水素、又は光学セメント若しくは重合性モノマー光学接着剤としての透
明エポキシ樹脂を挙げることができる(米国特許第5,045,397号明細書
参照)。
【0032】 それぞれの用途に依存して、多層ミラー1の個々の層2、3は、外側層4’(
それぞれ図2又は8)又は基体4(図1)からの距離に応じた厚さ、特にこの距
離の平均と共に厚くなる厚さを有し、それによってそれぞれ特定の範囲で負の群
遅延分散GDD及び大きい反射率Rを得ることができる。
【0033】 ミラー1は、いわゆるチャープミラー(CM)でよく、またこれは共鳴層構造
でよい。更に個々の層2、3は、それ自体従来の半導体層であって、ミラー構造
に飽和可能吸収材料を導入することができる。
【0034】 それぞれ特定の(角度)分散を避ける又は補償するために、傾斜前面5又は5
’をここで示すようにそれぞれ有するミラー1を、図3で示すように対にして、
使用することが適当である。この様式では、ミラー1によって提供される特定の
角度分散は、他のミラー、例えば図3のミラー1aによって補償することができ
る。更にミラー対1、1aのそのような配置は、全体の分散の正確な調節を可能
にする。ここではこれらのミラーのうちの1つ、例えばミラー1aは、図3の矢
印15で示されるように、横方向に移動させることができる。
【0035】 本発明の多層ミラー1の前面5又は5’の上述の傾斜配置によって、最も外側
の界面(それぞれ前面5又は5’)でのインピーダンスの不十分な調整が避けら
れ、またミラーの高反射帯域未満での透過率が実質的に改良される。これは、比
較的大きい程度の干渉帯域が部分的に抑制されることによる。従って、それぞれ
傾斜前面5又は5’を有する本発明のミラー1は、図4〜7で示されるように、
600nm〜950nmの波長域での比較的大きい屈折率R及び一定の群遅延分
分散GDD、並びに一般的なポンプ波長(520nm〜540nm)の付近での
大きい透過率を有することができる。ポンプビーム波長でのブラッグミラーの透
過は、層構造の他の界面6に対して最も前側の界面6を傾斜させて配置すること
によって増加させることができる。層2、3、4、4’、4”、特に外側層4又
は4’又は4”の公称厚さからの偏差に関して、本発明のミラー1は、従来のチ
ャープミラーよりも感受性でない。従来のチャープミラーは、常に相対的にわず
かな製造誤差が、著しい変化、特にGDD曲線の変化をもたらすことがある。
【0036】 本発明のミラー1の比較的大きい安定性は、固有の多層構造と最も上側のくさ
び形層4又は4’又は4”の間のインピーダンスの調整を、層構造に依存しない
で達成するという事実によって得られる。統計的な試験は、300nm〜800
nmで−45fsの群遅延分散を示す従来のチャープミラーは、公称層厚さから
の平均偏差が0.5nmのときに、目的値(800nm)において100%の最
大強度で群遅延分散特性線が変動することを示した。等しい条件では、傾斜前面
5又は5’を有するミラーはそれぞれ、800nmでの群遅延分散変動の最大強
度はたったの30%であった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、くさび状前側ガラス基体を有する分散多層ミラーの構造を示す図であ
る。
【図2】 図2は、用途によって選択される後側基体を層構造のベースとして提供した他
の分散多層ミラーの構造を示す図である。
【図3】 図3は、特定の分散(角度分散)の補償のための、例えば図1(又は図2)の
2つの分散ミラーの配置を示す図である。
【図4】 図4は、波長λに依存する図1又は図2のミラーの反射率Rを示す図である。
【図5】 図5は、波長λに対する図1又は2のミラーの群遅延分散GDDを示す図であ
る。
【図6】 図6は、図1又は図2の他のミラーの波長λに対する反射率Rを示す図である
。ここでこのミラーは、ポンプ波長の範囲での大きい透過率によって、レーザー
共鳴子の組み合わせミラーとして使用することができる。
【図7】 図7は、図1又は図2の他のミラーの波長λに対する群遅延分散(GDD)を
示す図である。ここでこのミラーは、ポンプ波長の範囲での大きい透過率によっ
て、レーザー共鳴子の組み合わせミラーとして使用することができる。
【図8】 図8は、図2と同様に後側基体を有するように設計された分散ミラーの特に好
ましい態様を示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM ,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH, GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS ,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN, MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM ,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN, YU,ZA,ZW (72)発明者 テムペア,ガブリエル フロリン オーストリア国,アー−1150 ウィーン, フェンツルガッセ 20/21 Fターム(参考) 2H042 DA08 DA12 2K009 AA02 BB02 CC03

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体(4;14)に適用され且つ平行で平らな界面(6)を
    介して並んでいる異なる性質の複数の個々の層(2、3)、及びビームが当たる
    側の平らな前面を有する多層ミラー(1)であって、前記前面(5;5’)が、
    前記個々の層(2、3)の間の前記界面(6)に対して傾斜していることを特徴
    とする、多層ミラー(1)。
  2. 【請求項2】 前記傾斜前面(5;5’)が、直線的に厚さが変化する外側
    層(4’)の外側面によって提供されており、この外側層(4’)が、他の前記
    個々の層(2、3)と共に、ビームが当たる面の反対側の基体(14)に適用さ
    れていることを特徴とする、請求項1に記載のミラー。
  3. 【請求項3】 前記外側層が、くさび形ガラスプレート(4”)によって作
    られていることを特徴とする、請求項2に記載のミラー。
  4. 【請求項4】 前記くさび形ガラスプレート(4”)が、屈折率調整流体に
    よって最も前側の前記個々の層(2又は3)に適用されていることを特徴とする
    、請求項3に記載のミラー。
  5. 【請求項5】 前記くさび形ガラスプレート(4”)が、光学接着剤によっ
    て最も前側の前記個々の層(2又は3)に適用されていることを特徴とする、請
    求項3に記載のミラー。
  6. 【請求項6】 前記くさび形ガラスプレート(4”)が、光学セメントによ
    って最も前側の前記個々の層(2又は3)に適用されていることを特徴とする、
    請求項3に記載のミラー。
  7. 【請求項7】 前記傾斜前面(5;5’)が、くさび形透明基体(4)の外
    側面によって提供されており、このくさび形透明基体の後面に、前記層(2、3
    )が結合している(図1)、請求項1に記載のミラー。
  8. 【請求項8】 適当に傾斜した前面(5’)を有する反射防止コーティング
    (10)が、前記傾斜前面(5)に適用されていることを特徴とする、請求項1
    〜7のいずれかに記載のミラー。
  9. 【請求項9】 前記個々の層(2、3)の厚さが、前記基体(4;14)か
    らの距離と共に変化しており、それによって所定の反射特性及び/又は所定の群
    遅延分散特性を達成することを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載のミ
    ラー。
  10. 【請求項10】 前記個々の層(2、3)の厚さが前記前面(5;5’)か
    らの距離と共に一般に増加しており、それによって所定のスペクトル範囲での高
    反射率及び負の、随意に一定の群遅延分散を提供することを特徴とする、請求項
    1〜9のいずれかに記載のミラー。
  11. 【請求項11】 前記個々の層(2、3)として、SiO層及びTiO 層が交互に提供されていることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載
    のミラー。
  12. 【請求項12】 前記個々の層(2、3)として、SiO層及びTa 層が交互に提供されていることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記
    載のミラー。
  13. 【請求項13】 前記個々の層(2、3)として、比較的屈折率が小さい半
    導体層及び比較的屈折率が大きい半導体層が交互に提供されていることを特徴と
    する、請求項1〜10のいずれかに記載のミラー。
  14. 【請求項14】 分散ミラーであることを特徴とする、請求項1〜13のい
    ずれかに記載のミラー。
  15. 【請求項15】 レーザーデバイスでの請求項1〜13のいずれかに記載の
    ミラーの使用。
  16. 【請求項16】 短パルスレーザーデバイスでの請求項1〜13のいずれか
    に記載のミラーの使用。
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