HU214659B - Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére - Google Patents
Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére Download PDFInfo
- Publication number
- HU214659B HU214659B HU9302398A HU9302398A HU214659B HU 214659 B HU214659 B HU 214659B HU 9302398 A HU9302398 A HU 9302398A HU 9302398 A HU9302398 A HU 9302398A HU 214659 B HU214659 B HU 214659B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- function
- layer
- mirror
- dielectric
- dielectric mirror
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0883—Mirrors with a refractive index gradient
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/08—Generation of pulses with special temporal shape or frequency spectrum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
A találmány dielektrikűmtükör, amelynek az elektrőmágneses hűllámőkravőnatkőzó nagy visszaverőképességű hűllámhőssz-tartőmánya van, ésamely tükör egy hőrdőzó sík felületén egymásra rétegze t, a felületnőrmálisának irányában (x) váltőzó törésműtatójú (n) rétegrendszerttartalmaz. A találmány szerinti tükör rétegrendszerében a törésműtató(n) nőrmális irányú (x) váltőzása az n(x) = c exp[ exp {i(ř(k)–kx)} dk] függvény vagy az azt közelítő, rétegvastagságőnként kőnstans értékűlépcsős függvény szerint van kialakítva, ahől c egy valós kőnstans; ia képzetes egység; k a hűllámszám; r(k) a kőmplex am litúdóreflexiófüggvény; és ř(k) = arg r(k) a létrehőzandó fázis másődfőkú tagőt legalább tartalmazófüggvénye. A rétegrendszerben a t(k) csőpőrtkésl ltetés hűllámszámszerinti függvénye lineáris jellegű a tükör nagy visszaverőképességűtartőmányának legalább a felét meghaladó részén. A tükörtervezésieljárásban az első lépésben egy p számú különböző frekvenciánakmegfelelő pőntban adőtt t(ki) csőpőrtkésleltetés célfüggvénynekmegfelelő kiindűlási dielektrikűms erkezetet vesznek fel intűitívmódőn vagy a vékőnyréteg szerkezetek Főűrier-transzfőrmációstűlajdőnságán alapűló direkt módőn. A következő lépésben a kiindűlásidielektrikűmszerkezeten számítógépes ptimalizálást hajtanak végre at(ki) csőpőrtkésleltetés célfüggvény pőntőktól való eltérést jelentőhibafüggvény és a dielektrikűmtükör reflexiójának amplitúdójáravőnatkőzó hibaf ggvény együttes minimalizálásával. ŕ
Description
A találmány tárgya olyan dielektrikumtükör, amelynek az elektromágneses hullámokra vonatkozó nagy visszaverőképességű hullámhossztartománya van, és amely tükör egy hordozó sík felületén egymásra rétegzett, a felület normálisának irányában változó törésmutatójú rétegrendszert tartalmaz.
Mint ismeretes, a passzívan módusszinkronizált ultrarövid impulzusú, más szóval femtomásodperces lézerek működésénél meghatározó szerepet játszanak a lézerrezonátoron belül elhelyezett optikai elemek diszperziós tulajdonságai (R. L. Fork és társai, J. Quantum Electronics QE-19, 500. oldal, [1983]). A lézerrezonátoron belül elhelyezett, Brewster- szögnél alkalmazott prizmapárok negatív csoportkésleltetés diszperziója a pozitív anyagi (például üveg) diszperzióval kombinálva napjainkig megbízható, általános megoldást adott a lézerrezonátoron belüli diszperzió pontos beállítására (R.
L. Fork és társa, Optics Letters 9, 150. oldal, [1984]). A femtomásodperces szilárdtestlézerekben az impulzusok kialakulása lézeraktív közegben létrejövő önfázismoduláció miatt a rezonátoron belüli eredően negatív azaz anomális - csoportkésleltetés diszperzión alapul (szolitonszerű impulzusformálódás), ezért e lézerekben a prizmapárok alapvető fontosságú alkotóelemekké váltak.
A prizmapárt tartalmazó femtomásodperces szilárdtestlézerek hátrányos tulajdonsága, hogy a csoportkésleltetés diszperzió (GDD) erősen függ a hullámhossztól. E lézerekben ez az, alapvetően az alkalmazott prizmapároktól származó hullámhossz- (vagy frekvencia-) függés korlátozza az elérhető minimális impulzushosszat (F. Krausz és társai, J Quantum Elektromos QE-28, 2097. oldal, [1992]).
A lézerrezonátort alkotó dielektrikumtükrök diszperziós tulajdonságait nem sokkal az első femtomásodperces festéklézerek megjelenése után mind elméletileg (S. De Silvestri és társai, Optics Letters 9, 335. oldal, [1984]), mind kísérletileg (A. M. Weiner és társai, Optics Letters 10, 71. oldal, [1985]) vizsgálták. Felmerült annak gondolata is, hogy a dielektrikumtükrök diszperziós tulajdonságát mint impulzusformáló tényezőt alkalmazzák, és olyan rövidimpulzusú lézerrezonátort építsenek, amely állítható diszperzív elemként csak dielektrikumtükröket tartalmaz (J. Heppner és társa, Applied Physics Letters 47, 453 [1985/; M. Yamashita és társai, J. Quantum Electronics QE-23, 2005. oldal, [1987]). Ezeknél a megoldásoknál azonban a frekvenciától függő csoportkésleltetés a dielektrikumszerkezetekben kialakuló Fabry-Perot-szerű rezonanciákon alapult (dielektrikum Gires-Toumois interferométer, illetve két negyedhullámú tükörből megfelelően összerakott kombinált dielektrikumtükör), melynek következtében a csoportkésleltetés diszperziója még a prizmapámál is erősebben változott a hullámhossz függvényében, így ezek a megoldások el sem terjedtek a femtomásodperces lézertechnikában.
A találmánnyal célunk az volt, hogy az ultrarövid impulzusú szilárdtestlézerekben a csoportkésleltetés diszperzió hullámhosszfüggését lecsökkentsük, és a prizmapár elhagyásával a rezonátor konfigurációt egyszerűbbé, megbízhatóbbá tegyük.
Találmányunk célkitűzése közelebbről olyan diszperzív tulajdonságú dielektrikumtükör kialakítása volt, amely fény vagy egyéb elektromágneses impulzusokon visszaverődéskor a frekvenciától adott, praktikusan közel lineáris, monoton függvény szerint függő csoportkésleltetést hoz létre széles, a dielektrikumtükör nagy visszaverőképességű (R>99%) frekvenciatartományának jelentős, legalább a felét meghaladó részén. A találmány szerinti dielektrikumtükör így alkalmazható az ultrarövid impulzusú lézertechnikában és ennek alkalmazásaiban, tágabb értelemben az elektromágneses, a mikrohullámú és ennél nagyobb frekvenciájú impulzustechnikában.
A találmányhoz az a felismerés vezetett, hogy ennek megfelelően a lézerrezonátorok egyébként is szerves részét képező dielektrikumtükrök diszperziós tulajdonságait megfelelő tervezési eljárás segítségével úgy alakítsuk ki, hogy a hullámhossztól (frekvenciától) függő csoportkésleltetésük éppen a femtomásodperces szilárdtestlézerek működéséhez szükséges, a hullámhossztól csak kismértékben függő negatív csoportkésleltetés diszperziót vigye be a rendszerbe. Ezáltal az impulzusok időbeli szétcsúszása kompenzálható, elkerülhető. További felismerésünk volt, hogy milyen változó törésmutató-profilú dielektrikumtükör az, amely erre alkalmas. Végül felismertük, hogy ezen ideálisnak nevezhető profil lépcsős függvénnyel - homogén törésmutatójú rétegekkel - való közelítése is meglepően jó eredményt ad.
Ezen felismerés realitását megalapozza, hogy a dielektrikumtükrökben stacionárius körülmények között felépülő, adott frekvenciához tartozó állóhullámú elektromágneses tér integrális nagysága és az ugyanahhoz a frekvenciához, mint középfrekvenciához tartozó csoportkésleltetés között egyértelmű, arányos kapcsolat áll fenn (K. Ferencz, R. Szipőcs, Optical Engineering októberi száma [1993]). Megfelelő tervezési eljárással konstruálható olyan diszperzív dielektrikumtükör, melyben széles frekvenciatartományon az elektromágneses hullám behatolási mélysége, így az elektromágneses tér integrális nagysága, és így a csoportkésleltetés is a frekvencia monoton, közel lineáris függvénye.
Felismerésünkkel összhangban találmányunk általános megoldása a bevezetőben definiált tükrökre vonatkozóan az, hogy a rétegrendszerben a törésmutató normális irányú változása n(x) = c exp [pY^ exp {i(0(k)-kx)} dk] (I) —«Ο függvény szerinti vagy az azt közelítő, rétegvastagságonként konstans értékű lépcsős függvény szerinti. A képletben c egy valós konstans, i a képzetes egység, k a hullámszám, r(k) a komplex amplitúdó-reflexió függvény, és <j>(k)=arg r(k) a létrehozandó fázis másodfokú tagot legalább tartalmazó függvénye. Ekkor a rétegrendszerre a k hullámszám szerinti x(k) csoportkésleltetés függvény lineáris jellegű.
A tervezési eljárás két fő lépésből áll: az első lépésben egy p számú különböző frekvenciának megfe2
HU 214 659 Β lelő pontban adott τ(1ς) csoportkésleltetés célfüggvénynek megfelelő kiindulási dielektrikumszerkezetet veszünk fel intuitív módon vagy a vékonyréteg-szerkezetek Fourier-transzformációs tulajdonságán alapuló direkt módon. A következő lépésben találmányunk szerint a kiindulási dielektrikumszerkezeten számítógépes optimalizálást hajtunk végre a t(k;) csoportkésleltetés célfüggvény pontjaitól való eltérést jellemző hibafüggvény és a dielektrikumtükör reflexiójának amplitúdójára vonatkozó hibafüggvény együttes minimalizálásával.
A kiindulási dielektrikumtükör megkonstruálása történhet direkt módon a dielektrikum vékonyrétegrendszerek Fourier-transzformációs tulajdonságát alapul véve (L. Sossi, Easti NVS Tead. Akad. Tóim. fuss. Mát. 25, 171. oldal, [1976]) vagy intuitív módon, például a dielektrikumrétegek vastagságát algebrai vagy geometriai sor szerint megfelelően megválasztva. Az optimalizálási eljáráshoz különféle numerikus módszerek alkalmazhatóak (lásd például J. A. Dobrowolski és társa, Applied Optics 29, 2876. oldal, [1988]), egy fontos megkötéssel: a hibafuggvénynek tartalmaznia kell a négyzetes (vagy abszolút) eltérést mind a specifikált amplitúdótól, mind a specifikált fázistól, illetve így a csoportkésleltetésre jellemző függvénytől.
A találmányt egy kiviteli példa kapcsán, rajzok alapján ismertetjük közelebbről. A mellékelt rajzok a következők.
1. ábra: egy adott diszperzív dielektrikumtükör törésmutató-profilját mutatja.
2. ábra: az 1. ábrán szereplő törésmutató-profilra számolt, a rétegrendszerben kialakuló térerősség eloszlását szemlélteti a hullámhossz függvényében.
3. ábra: az 1. ábrának megfelelő, gyakorlatban megvalósított diszperzív dielektrikumtükör mért és számított csoportkésleltetési függvényét mutatja.
A következőkben a konkrét megvalósítást illusztráló, és technológiailag az egyik legegyszerűbben elkészíthető példa kedvéért bemutatjuk a találmányunk szerinti diszperzív dielektrikumtükör egy Ti:zafír lézerhez használatos kiviteli alakját.
Az adott dielektrikumtükör TiO2 és SiO2 egymással váltakozó rétegeiből áll, amelyeket vákuumpárologtatással egymás után vittünk fel egy üveg hordozó síkra polírozott felületére.
Az 1. ábra a vékonyréteg-struktúra lépcsős függvényként változó n törésmutatójának profilját mutatja az x optikai vastagság függvényében, mégpedig a hordozóra merőleges, azaz annak normálisa irányában mutatkozó változást.
A rétegszerkezet tervezése során a szakemberek körében jól ismert Fourier-transzformációs eljárás segítségével vettünk fel egy kiindulási rétegelrendezést. Esetünkben a SiO2 törésmutatója nL=l,45, a TiO2 törésmutatója nH=2,31 volt. Ezután a kiindulási dielektrikumszerkezeten számítógépes optimalizálást hajtottunk végre az elérendő T(k;) csoportkésleltetés célfüggvény pontjaitól való eltérést jelentő hibafuggvény és a dielektrikumtükör reflexiójának amplitúdójára vonatkozó hibafüggvény együttes minimalizálásával. A célfüggvényt itt az említett lézer mérhető csoportkésleltetés diszperziójából számítottuk, annak kompenzálása céljából.
A következő táblázat oszlopaiban a 42 rétegre numerikus eljárással kapott eredményeket, az egymás utáni rétegvastagság-adatokat mutatjuk be (pm egységekben), ahol a SiO2 negyedhullámú réteget L-lel, míg a TiO2 negyedhullámú réteget H-val jelöltük.
1. táblázat
Hordozó | ||
0,8746 L | 1,3090 L | 1,0344 L |
1,1360 H | 0,6899 H | 1,0867 H |
1,5804 L | 1.3003 L | 0,6247 L |
0,9773 H | 1,2912 H | 0,6587 H |
1,1753 L | 0,6874 L | 0,8736 L |
1,4465 H | 1,2995 H | 1,1185 H |
0,7483 L | 0,8073 L | 0,6232 L |
0,9600 H | 1,0661 H | 1,2079 H |
1,5724 L | 1,2475 L | 0,6283 L |
0,8492 H | 0,6651 H | 0,4309 H |
0,7299 L | 0,8142 L | 0,9267 L |
0,8378 H | 0,9649 H | 1,0710 H |
1,4494 L | 1,3478 L | 0,7758 L |
0,8468 H | 0,8796 H | 0,1600H |
Levegő |
A referencia-hullámhosszat a kérdéses lézernek megfelelően 790 nm-re választottuk. Az 1. ábrán látható tükröt alkotó rétegek vastagsága a hordozó, az optikai vastagság irányában átlagban fokozatosan nő.
A 2. ábra az E elektromos térerő E2 négyzetének eloszlását mutatja az x optikai vastagság és az L hullámhossz függvényében. Az ábrázolt eredményeket számítógépes modellezéssel kaptuk. Megfigyelhető, hogy az elektromágneses hullámok behatolási mélysége az L-es hullámhosszal közel lineárisan nő, ami széles, körülbelül 80 THz frekvenciatartományra lényegében állandó negatív csoportkésleltetés diszperziót biztosít. Szintén jól látható, hogy a tükörnek 700 és 900 nm között nagy visszaverő-képességű hullámhossz-tartománya van, mivel a térerő a hordozó felületénél, azaz az x=0 optikai vastagságnál lényegében nullává csökken.
A rétegrendszerben a törésmutató (n) normális irányú (x) változását találmányunk értelmében alapvetően itt is a következő jó közelítést adó egyenlet írja le:
n(x) = c exp exp {i(0(k)-kx)} dk] (I)
Mivel azonban az n(x) függvény folytonos, amit technológiailag nehéz megvalósítani, így közelítő, rétegvastagságonként konstans értékű lépcsős függvény szerint alakítottuk ki n(x) lehető legjobb közelítését. Megjegyezzük, hogy a folytonos profil esetén a réteg3
HU 214 659 Β rendszer egyetlen rétegből is állhat, azonban ez a technika jelenlegi állása szerint más, gyakorlati akadályokba ütközik. A fenti képletben c egy valós konstans; i a képzetes egység; k a hullámszám; r(k) a komplex amplitúdó-reflexió függvény. A 0(k)=arg (r(k)) fázis egy másodfokú tagot legalább tartalmazó függvény. A másodfokú tag előjele határozza meg, hogy a diszperzió negatív vagy pozitív.
A 3. ábrán a számított (folytonos vonallal ábrázolt) és a mért (kis négyzetekkel jelölt) τ csoportkésleltetés látható az L hullámhossz függvényében. Megállapíthatjuk, hogy a rétegrendszerben a t(k) csoportkésleltetés k hullámszám szerinti függvénye lényegét tekintve lineáris jellegű.
A találmányunk szerinti dielektrikumtükrök csoportkésleltetés diszperziójuk révén, amely a természetes eredetű csoportkésleltetés diszperzióval szemben lehet negatív előjelű is, jól alkalmazhatók femtomásodperces impulzushosszú szilárdtestlézerekben. Itt a rezonátorban régebben szokásosan alkalmazott prizmapárokat lehet általuk kiváltani, így a rezonátor felépítése a prizmapár elhagyásával egyszerűbbé tehető, mérete csökkenthető, működése megbízhatóbbá tehető.
A fenti tükröt az említett lézerbe építettük be, az a tükrökön kívül más szélessávú diszperzív elemet nem tartalmazott. Méréseink szerint a lézer 9 fs-os impulzusokat állított elő, amely jelenleg a világon előállított legrövidebb fényimpulzus. Az impulzusidőt a diszperziós tükör révén sikerült így leszorítani.
Igen jelentős lehet a találmányunk szerinti dielektrikumtükrök lézererősítő rendszerekben való használata, ahol kisugárzott impulzusokat szét kell húzni (stretching), majd ennek inverzeként össze kell nyomni (compressing). Erre megfelelő, egymáshoz képest inverz diszperziós karakterisztikájú tükörpárt lehet használni.
A találmányunk szerinti diszperzív dielektrikumtükrök a mikrohullámok alsó frekvenciatartományától egészen a röntgensugárzás felső végéig jól realizálható eszközt nyújtanak az elektromágneses impulzustechnikában.
Claims (4)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Dielektrikumtükör, amelynek az elektromágneses hullámokra vonatkozó nagy visszaverő-képességű hullámhossz-tartománya van, és amely tükör egy hordozó sík felületén egymásra rétegezett, a felület normálisának irányában változó törésmutatójú rétegrendszert tartalmaz, azzal jellemezve, hogy a rétegrendszerben a törésmutató (n) normális irányú (x) változása az függvény vagy az azt közelítő, rétegvastagságonként konstans értékű lépcsős függvény szerint van kialakítva, ahol c egy valós konstans; i a képzetes egység; k a hullámszám; r(k) a komplex amplitúdóreflexió függvény; és <{>(k)=arg r(k) a létrehozandó fázis másodfokú tagot legalább tartalmazó függvénye; továbbá a rétegrendszeiben a t(k) csoportkésleltetés hullámszám (k) szerinti függvénye lineáris jellegű a tükör nagy visszaverő-képességű hullámhossz-tartományának legalább a felét meghaladó részén.
- 2. Az 1. igénypont szerinti dielektrikumtükör, azzal jellemezve, hogy a törésmutató (n) normális irányú (x) változása kétértékű lépcsős függvény, ahol egy-egy lépcsőnek egy-egy adott homogén törésmutatójú (n) réteg felel meg.
- 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti dielektrikumtükör, azzal jellemezve, hogy a x(k) csoportkésleltetés hullámszám (k) szerinti függvénye monoton csökkenő lineáris függvény.
- 4. Eljárás az előző igénypontok bármelyike szerinti dielektrikumtükör tervezésére, amelyben az első lépésben egy p számú különböző frekvenciának megfelelő pontban adott x(kj) csoportkésleltetés célfüggvénynek megfelelő kiindulási dielektrikumszerkezetet veszünk fel intuitív módon vagy a vékonyréteg-szerkezetek Fourier-transzformációs tulajdonságán alapuló direkt módon, azzal jellemezve, hogy a következő lépésben a kiindulási dielektrikumszerkezeten számítógépes optimalizálást hajtunk végre a x(kj) csoportkésleltetés célfüggvény pontjaitól való eltérést jelentő hibafuggvény és a dielektrikumtükör reflexiójának amplitúdójára vonatkozó hibafüggvény együttes minimalizálásával.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
HU9302398A HU214659B (hu) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére |
US08/289,086 US5734503A (en) | 1993-08-23 | 1994-08-11 | Dispersive dielectric mirror |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
HU9302398A HU214659B (hu) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
HU9302398D0 HU9302398D0 (en) | 1993-12-28 |
HUT69814A HUT69814A (en) | 1995-09-28 |
HU214659B true HU214659B (hu) | 1998-04-28 |
Family
ID=10983909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
HU9302398A HU214659B (hu) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5734503A (hu) |
HU (1) | HU214659B (hu) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5912915A (en) * | 1997-05-19 | 1999-06-15 | Coherent, Inc. | Ultrafast laser with multiply-folded resonant cavity |
EP0966696B1 (en) * | 1998-01-15 | 2004-05-26 | Ciena Corporation | Optical interference filter |
US6301049B1 (en) | 1998-05-18 | 2001-10-09 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Double chirped mirror |
US6222673B1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-04-24 | Coherent, Inc. | Group-delay-dispersive multilayer-mirror structures and method for designing same |
US6081379A (en) * | 1998-10-28 | 2000-06-27 | Coherent, Inc. | Multiple coupled Gires-Tournois interferometers for group-delay-dispersion control |
AT410732B (de) * | 1999-07-07 | 2003-07-25 | Femtolasers Produktions Gmbh | Dispersiver mehrschichtiger spiegel |
US6256434B1 (en) * | 1999-07-13 | 2001-07-03 | Time-Bandwidth Products Ag | Method and dielectric and/or semiconductor device for influencing the dispersion of electromagnetic radiation |
AT409905B (de) * | 1999-12-09 | 2002-12-27 | Femtolasers Produktions Gmbh | Mehrschichtiger spiegel zur herbeiführung einer vorgegebenen gruppenverzögerungsdispersion |
FR2802352B1 (fr) * | 1999-12-10 | 2002-09-06 | Thomson Csf | Dispositif de compression pour impulsion lumineuse |
JP2005236336A (ja) * | 2000-10-13 | 2005-09-02 | Oyokoden Lab Co Ltd | 複合型の光分散補償素子および光分散補償方法 |
JP4824855B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2011-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調器および光パルス波形制御装置 |
US6643054B1 (en) | 2001-01-22 | 2003-11-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Beam deflector, switching system comprising beam deflectors as well as method for selectively coupling terminals for optical signals |
US8208505B2 (en) | 2001-01-30 | 2012-06-26 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser system employing harmonic generation |
US7567596B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-07-28 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Control system and apparatus for use with ultra-fast laser |
US7450618B2 (en) * | 2001-01-30 | 2008-11-11 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser system using ultrashort laser pulses |
US7583710B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-09-01 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser and environmental monitoring system |
AT410721B (de) * | 2001-02-26 | 2003-07-25 | Femtolasers Produktions Gmbh | Dispersiver mehrschicht-spiegel |
US6728038B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-04-27 | Jds Uniphase Corporation | Low chromatic dispersion filter for WDM |
US6865315B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-03-08 | Jds Uniphase Corporation | Dispersion compensating filters |
US6678082B2 (en) | 2001-09-12 | 2004-01-13 | Harris Corporation | Electro-optical component including a fluorinated poly(phenylene ether ketone) protective coating and related methods |
AT412829B (de) | 2003-11-13 | 2005-07-25 | Femtolasers Produktions Gmbh | Kurzpuls-laservorrichtung |
US7590156B1 (en) | 2004-05-17 | 2009-09-15 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | High intensity MHz mode-locked laser |
AT414285B (de) * | 2004-09-28 | 2006-11-15 | Femtolasers Produktions Gmbh | Mehrfachreflexions-verzögerungsstrecke für einen laserstrahl sowie resonator bzw. kurzpuls-laservorrichtung mit einer solchen verzögerungsstrecke |
US8633437B2 (en) * | 2005-02-14 | 2014-01-21 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Ultra-fast laser system |
US8618470B2 (en) * | 2005-11-30 | 2013-12-31 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser based identification of molecular characteristics |
JP2009088138A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujinon Corp | 負分散ミラーおよび負分散ミラーを備えたモード同期固体レーザ装置 |
EP2083319B1 (en) | 2008-01-25 | 2013-07-17 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Intra-cavity generation of pulsed coherent radiation in the UV or XUV wavelength range |
WO2010141128A2 (en) | 2009-03-05 | 2010-12-09 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser amplification system |
US20110206071A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Michael Karavitis | Compact High Power Femtosecond Laser with Adjustable Repetition Rate |
US8279901B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-10-02 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate and simplified structure |
US9054479B2 (en) * | 2010-02-24 | 2015-06-09 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate |
US8953651B2 (en) | 2010-02-24 | 2015-02-10 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with repetition rate adjustable according to scanning speed |
US8630322B2 (en) * | 2010-03-01 | 2014-01-14 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser system for output manipulation |
US8908739B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-12-09 | Alcon Lensx, Inc. | Transverse adjustable laser beam restrictor |
EP2812747B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-08 | WaveLight GmbH | System and method for scanning a beam of ultra-short pulse light |
US9548582B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-01-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Pulse width stretcher and chirped pulse amplifier including the same |
US11431377B1 (en) | 2019-09-10 | 2022-08-30 | The Board of Regents for the Oklahoma Agricultural and Mechanical Colleges | Methods and tunable apparatuses for dynamic dispersion compensation of wireless terahertz signals |
DE102020113631B3 (de) * | 2020-05-20 | 2021-10-21 | Helmut-Schmidt-Universität Universität der Bundeswehr Hamburg | Vorrichtung zur spektralen Verbreiterung eines Laserimpulses und Lasersystem |
US11695249B2 (en) | 2020-12-04 | 2023-07-04 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Femtosecond pulse laser apparatus |
CN112666641B (zh) * | 2021-01-18 | 2022-06-28 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 宽带低色散啁啾镜的设计方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE902191C (de) * | 1949-10-29 | 1954-03-15 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen | Interferenzfilter mit verminderter Bandenstruktur |
US3943457A (en) * | 1974-10-16 | 1976-03-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical pulse compression and shaping system |
JP2754214B2 (ja) * | 1988-07-12 | 1998-05-20 | 工業技術院長 | 光パルスの周波数チャープ補償が出来る誘電体多層膜 |
-
1993
- 1993-08-23 HU HU9302398A patent/HU214659B/hu unknown
-
1994
- 1994-08-11 US US08/289,086 patent/US5734503A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HUT69814A (en) | 1995-09-28 |
HU9302398D0 (en) | 1993-12-28 |
US5734503A (en) | 1998-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
HU214659B (hu) | Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére | |
Matuschek et al. | Analytical design of double-chirped mirrors with custom-tailored dispersion characteristics | |
US6028693A (en) | Microresonator and associated method for producing and controlling photonic signals with a photonic bandgap delay apparatus | |
Tempea et al. | Dispersion control over 150 THz with chirped dielectric mirrors | |
Craxton et al. | Basic properties of KDP related to the frequency conversion of 1 µm laser radiation | |
Brovelli et al. | Simple analytical expressions for the reflectivity and the penetration depth of a Bragg mirror between arbitrary media | |
US5033057A (en) | Pump steering mirror cavity | |
US3637294A (en) | Interference filter with alternately designed pairs of dielectric layers | |
JP2002528906A (ja) | 多層鏡分散制御 | |
US6256434B1 (en) | Method and dielectric and/or semiconductor device for influencing the dispersion of electromagnetic radiation | |
US4913934A (en) | Process for making laser Q-switch | |
Glass et al. | Laser induced damage in optical materials: 7th ASTM symposium | |
Mironov et al. | Highly efficient second-harmonic generation of intense femtosecond pulses with a significant effect of cubic nonlinearity | |
US6522471B2 (en) | System of beam narrowing for resolution enhancement and method therefor | |
EP0555489B1 (en) | Optical mirror and optical device using the same | |
AU6253100A (en) | Dispersive multi-layer mirror | |
Chen et al. | High-damage-threshold chirped mirrors for next-generation ultrafast, high-power laser systems | |
Pervak et al. | Synthesis and manufacturing the mirrors for ultrafast optics | |
Serenyi et al. | Directly controlled deposition of antireflection coatings for semiconductor lasers | |
Kitano et al. | Stable multipulse generation from a self-mode-locked Ti: sapphire laser | |
US10191352B2 (en) | Optical component for modulating a light field and applications thereof | |
EP0497268A2 (en) | Organic optical logic device | |
US5097357A (en) | Optical switching system and method | |
Edmonds et al. | Preparation and properties of SiO antireflection coatings for GaAs injection lasers with external resonators | |
Lababidi et al. | Implementation of output coupler mirrors for high damage threshold CO2 laser: new technical approach |