JP2003521963A - 基質の相対水分過剰を測定する装置 - Google Patents

基質の相対水分過剰を測定する装置

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Abstract

(57)【要約】 基質の電気特性の測定値と、測定最中に基質に付与された力およびその時の基質の温度とが、基質の相対的な水分過剰を判定するための入力として供与される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に、人間の皮膚または物理的基質材料の水分過剰のような、基質
（substrate）の相対的な水分過剰（relative hydration）を測定する装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基質の相対水分過剰の測定についての関心が高まっている。例えば、人体の皮
膚上でのかかる測定は傷の治癒についての情報を提供する。包帯やテープなどの
フィルムを通した水分過剰の測定値は、治癒の過程と関連した、かかる包帯また
はテープの或る組成の効率を示すことができる。 通例は皮膚のインピーダンスを測定することにより行われるのであるが、皮膚
の水含有量を測定することにより、人体の皮膚の相対水分過剰を測定するための
、多数の装置が存在している。例えば、1999年10月５日に発行されたスティーヴ
ン・Ｗ・ニックソン（Steven W. Nickson）による、生体物理学的な皮膚測定装
置用のプローブについての米国特許第5,961,471号は、これまで広く採択されて
いる、相対的な皮膚水分過剰を測定する装置の一例を開示している。
【０００３】 かかるプローブを皮膚にあてる力の変動は測定されるインピーダンスに影響を
及ぼし得ることが認識されている。例えば、スコット（Scott）らに付与された
米国特許第5,001,436号（1991年）は、作用させる圧力を制御する何らかの方法
が必要であることを認知する皮膚のインピーダンス測定装置を開示している。ス
コットらはプローブにより付与された力を監視し、容認できる力が存在している
時には測定を誘発している。カウル（Cowle）に付与された米国特許第5,588,440
号（1996年）は、皮膚の温度を測定するとともに力を測定するシステムを開示し
ている。しかし、力の測定は、測定が執り行われている際の力をユーザーが制御
するのを助ける誘導手段として、力の表示を提供するにすぎない。両方の開示内
容で、持続された測定を達成するために、手動で力を制御することがオペレータ
に義務付けられている。 皮膚の水分測定装置で温度と力を補償しようとの上記のような試みにもかかわ
らず、測定過程の最中に力と温度の変動の効果を自動的に補償する相対水分過剰
の測定システムの必要が存在している。
【０００４】 ［発明の開示］ それゆえに、本発明の目的は、測定プローブにより付与された力を補償し得る
、相対水分過剰の測定装置および測定方法を提供することである。 本発明の別な目的は、試験に付されている基質の温度を補償し得る相対水分過
剰の測定装置および測定方法を提供することである。 本発明のまた別な目的は、測定の最中にプローブの力と皮膚の温度について補
償され得る水分表示を自動的に生成する、人体の皮膚について相対水分過剰を測
定するシステムを提供することである。
【０００５】 本発明によれば、相対的な基質の水分過剰は、基質と接触している両電極間で
基質の電気特性を測定することにより、かつ、それと同時に環境要因を測定する
ことにより得られる。このような測定は、相対水分過剰を示す電極間の基質のイ
ンピーダンスの値を得るための基準を供与する。 本発明の別な局面によれば、基質の相対水分過剰を測定するためのシステムは
、基質に接触するように第１の電極と第２の電極を備えているプローブを有して
いる。電気インピーダンス測定回路は、第１の電極と第２の電極の間の基質のイ
ンピーダンスを表す値を周期的に発生する。環境要因測定回路は、インピーダン
ス測定と関連した環境要因を表す値を周期的に発生する。計算装置がインピーダ
ンス信号と環境要因信号とに反応して、相対水分過剰の表示を生成することもあ
り得る。
【０００６】 本発明の更に別な局面によれば、基質の相対水分過剰を測定するためのシステ
ムは測定プローブとデータ処理システムを備えている。測定プローブは、長手の
プローブハウジングと、プローブハウジングの一方端に搭載され、互いに同心の
第１電極および第２電極を備えて、相対水分過剰の測定が望まれる部位において
基質に接触するようにしたセンサー本体とを有している。プローブハウジング内
の電気インピーダンスの測定回路は、第１電極と第２電極の間の容量性リアクタ
ンスについての情報を含むインピーダンス信号を生成する。プローブハウジング
内の力センサーは、基質上の電極の一方によって及ぼされた力を表す信号を発生
する。プローブハウジング内の信号処理装置は電気インピーダンス測定回路およ
び力センサーにポーリングを行い、それにより、処理されたインピーダンス信号
と力測定信号とを生成する。プローブハウジングの他方端におけるコネクタは、
データ処理システムと信号処理装置の間の通信を可能にしている。
【０００７】 本発明のまた別な局面によれば、基質の相対水分過剰を測定するシステムは、
測定プローブとデータ処理システムとを備えている。測定プローブは、長手のプ
ローブハウジングと、プローブハウジングの一方端に搭載され、互いに同心の第
１電極および第２電極を備えて、相対水分過剰の測定が望まれる部位において基
質に接触するようにしたセンサー本体とを有している。プローブハウジング内の
電気インピーダンスの測定回路は、第１電極と第２電極の間の基質のインピーダ
ンスを表しているインピーダンス信号を生成する。プローブハウジング内の温度
センサーは、電極に接触している皮膚の温度をあらわしている信号を生成する。
プローブハウジング内の信号処理装置はインピーダンス測定回路と温度センサー
にポーリングを行い、それにより、処理されたインピーダンス信号と温度測定信
号とを生成する。プローブハウジングの他方端におけるコネクタはデータ処理シ
ステムと信号処理装置の間の通信を可能にしている。
【０００８】 添付の特許請求の範囲は本発明の主題を特に指摘するとともに、個別に特許請
求している。本発明の多様な目的、利点、および、新規な特性は、添付の図面と
関連づけて下記の詳細な説明を読むと、より十分に明瞭となるが、図面中では同
一参照番号が同一部分に言及している。
【０００９】
【発明の実施の形態】 図１は、ハンドル１２とプローブヘッド１３とを形成しているハウジング１１
を備えているプローブ１０の一実施形態を描いている。この特定の実施形態では
、ハンドル１２およびプローブヘッド１３は異なる平面に存在しており、人体の
皮膚上で、または、包帯およびテープのような他の基質上での測定においてオペ
レータが使用するのを容易にしている。以下の論述では、「基質」とは皮膚と上
述のような皮膚以外の基質の両方を網羅することを企図している。
【００１０】 プローブヘッド１３は、中央に配置された温度センサー１５と、互いに間隔を
設けた第１電極および第２電極とを有している多数の検知素子を備えたセンサー
ヘッド１４を有している。サーミスターまたは熱伝対センサーを基本とし得る温
度センサー１５は、電気的に隔絶した導電性ハウジング、または、温度センサー
１５の動作とは無関係に内側電極として作用し得る缶１５Aを備え得る。この電
極１５Aと、そこから間隔を設けた外側の同心電極１６とはインピーダンス水分
電極として作用する。センサーハウジング２０はこれらの素子を備えているとと
ともに、内側電極１５Aとして作用する温度センサーと外側電極１６との間に配
置された絶縁体２１、および、外側電極１６の周囲に配置された別な絶縁体２２
も備えている。従って、電極１５Aおよび電極１６は互いから絶縁されていると
同時に、温度センサー１５からも絶縁されている。ハンドル１２の端部に位置す
る接続部２３は、プローブ１０をデータ処理システムに装着するための界面を構
成しており、それにより、センサー１０から遠隔でデータを処理することを可能
にし、かつ、単一のデータ処理システムが様々なプローブを許容し得るようにす
る。プローブ１０がLCD、その他の表示装置２４、或いは、それ以外の電子駆動
式読み取り装置を備えている場合には、かかる表示装置２４についての信号はプ
ローブ１０の内部で生成することができるか、接続部２３を介してプローブ１０
に接続され得る。
【００１１】 図２および図３はセンサー１４と、それと関連する支持構造体の一実施形態を
かなり詳細に描いている。センサー１４は、概略的に例示されている端部支持体
２６に保持された平坦なシートの形態のセンサー支持体すなわちセンサー梁部２
５に搭載されている。支持体２５の剛性は、センサー１４が皮膚または他の基質
と接触状態にされると、支持体に付与される力が増大するにつれて、正常な力の
範囲を越えて支持体２５が一層偏向する。図面に例示されていないが、制止部材
を組み入れて、支持体２５とセンサー１４の総合的な偏向を制限することができ
る。 図３に一層明瞭に例示されているように、軸線２７に沿ってセンサー１４を偏
向させることにより、支持体２５に搭載された圧電変換器３０、３１が基盤の変
位の関数であり、よって、基盤に付与された力の関数である信号を生成すること
ができるようにする。２つのかかる変換器は、この特定の実施形態では、バイポ
ーラ出力信号を供与する。 これら変換器３０、３１からの導線は、図示しない回路基盤に搭載された雌コ
ネクタと組になるようにしたコネクタ部分３３を備えているバス構造体３２に接
続されている。接続バス３２に関連する他の導体は、熱伝対１５に接続され、更
に、図２にもっと明瞭に例示されているように、熱伝対の缶１５Aと、それと同
心の外側電極１６とにより形成された電極対に接続されることになる。従って、
バス３２は、瞬間的電気特性、温度、力のそれぞれの値を表している信号をコネ
クタ部分３３を介して装着された回路に伝送する。
【００１２】 図４はプローブ１０と、これに関連するデータ処理システムまたはシステム制
御装置３３を描画しており、これらは、電極１５A、電極１６、熱伝対１５、力
変換器３０、３１からの信号に応答して相対水分過剰の測定を施す。この特定の
実施形態では、プローブはシステム制御装置３３の指令の下で作動する。好まし
い実施形態では、システム制御装置３３は、RS232インターフェイスのような入
出力インターフェイスを備えた従来型のCPUを備え得る。 コネクタ２４に装着されるプローブ制御装置３４は信号を受信し、各コマンド
に従って反応する。特に、プローブ制御装置３４は従来型のマイクロプロセッサ
または他の中央処理システムを備えており、これは、中央処理装置（CP）３５、
入出力装置３６、メモリ３７、EPROMまたは他の形態のプログラミング可能なリ
ードオンリーメモリとして実装されるのが通例である第２メモリ４０を備えてい
る。プローブ制御装置３４は、システム制御装置３３からの特定のコマンドに応
じて、瞬間的な力、温度、基盤のそれぞれの特性を示すのに適切な信号を生成し
ている。メモリ３７はかかるコマンドに応答するためのモジュールすなわちプロ
グラム４１を備えており、また、後述する目的で、定数バッファ４２を備えてい
る。本発明の特定の関心のうちでも、EPROM４０は特定の定数を記憶するための
４つのレジスタを備えている。これらは、ΔTｍｉｎレジスタ４３、ΔＴｍａｘ
レジスタ４４、ΔＦｍｉｎレジスタ、ΔＦｍａｘレジスタ４６を備えている。
【００１３】 図４を引き続き参照すると、温度センサー１５は可変利得増幅器回路１５に接
続されて、ゲート制御アナログ／ディジタル変換装置（ＡＤＣ）５１の一入力端
に付与される所定の電圧範囲の出力信号を生成する。同様に、可変利得増幅器５
２は、ゲート制御ＡＤＣ５１の別な入力端に付与するための、力変換器３０、３
１からの信号を受信する。 水分含有量を示す信号を供与するための回路は幾つでも存在する。このプロー
ブはプローブ制御装置３４からの初期化信号に応答するＲＣ発生装置５３を利用
して、ゲート制御ＡＤＣ５１への別な入力として付与されるＲＣ時定数を含んだ
信号を生成する。図４に描かれたシステムでは、電圧パルスはＲＣ回路に印加さ
れるが、この場合、各電極はＲＣ回路と並列に存在している。パルスは一定値と
所定時間を超過する期間とを有している。初期化信号はＲＣ発生装置がゲート制
御ＡＤＣ５１に基準信号を付与することができるようにし、次いで、ゲート制御
ADに容量電圧を印加することができるようにする。ゲート制御ADC５１は高いサ
ンプリング周波数で作動し、コンデンサの電圧の立上がり時間にわたって電圧測
定値を得ることができる。この結果は、基質の水分を指示する容量性リアクタン
スの定量化による複素インピーダンスの測定値である。
【００１４】 先に示したように、プローブ１０はシステム制御装置３３に接続され得る。そ
の結果、それぞれ異なるプローブ１０からシステム制御装置３３に伝送された各
信号が同一温度読出しおよび同一力読出しを反映していることは重要となる。レ
ジスタ４３、４４、４５、４６を備えたプローブ制御装置３４は、プローブ１０
に較正情報を記憶させることにより、それぞれ異なるプローブからの高精度の一
貫した読出しを確保している。
【００１５】 図５は、この一貫性を達成するためにセンサー１０を較正する処置手順を描画
している。この処置手順は、製造工程の最中で、プローブ１０がオーブン内に設
置された場合に発生するが、ステップ６０では、可変利得回路５０の利得は作動
範囲に亘って調節され、所定範囲のアナログ出力信号すなわち電圧を可変利得増
幅器５０から供与する。この反復処理が完了すると、オーブンは最低温度に維持
される。次いで、ステップ６２では、ゲート制御ADC５１からの読出し値がΔＴm
inレジスタ４３に記憶される。温度が最大作動温度まで上昇させられた後で（ス
テップ６３）、ステップ６４では、ゲート制御ＡＤＣ５１からの読出し値がΔＴ
ｍａｘレジスタ４４に記憶される。 同様の処理が力変換器３０、３１に適用される。利得調節はステップ６５で行
われる。次いで、ステップ６６で最小の力がセンサーに付与され、同ステップ６
６で、これに対応する、ゲート制御ＡＤＣ５１からの読出し値が、ΔＦminレジ
スタ４５に記憶される。ステップ６７で得られた最大力においてゲート制御ADC
５１から得られた値が、次にステップ６８で、ΔＦmaxレジスタ４６に記憶され
る。 いずれの場合にせよ、温度と力の範囲は、ゲート制御ＡＤＣ５１からの可能な
値の一部（subset）に対応しているのが好ましい。例えば、利得とオフセットは
、８バイトのゲート制御ＡＤＣ出力に基づいて最低作動温度が計数５を生じ、最
高作動温度が計数２４６を生じるように選択することができる。ここで明瞭とな
るように、始動時点で、メモリ３７に格納されたプログラムによりＣＰは、定数
バッファ４２のようなバッファに記憶されている測定された計数値と実際の力定
数および温度定数、または、これらに対応する定数との間の対応係数を算出し、
記憶する。従って、システム制御装置３３の力と温度のそれぞれの値を表示する
出力信号は高精度であり、かつ、プローブごとに再現可能となる。
【００１６】 正規の動作期間中は、センサー１０は、中央処理装置７０、入出力装置７１、
入力キーボードまたはキーパッド７２、表示装置７３を備えたシステム制御装置
３３に接続されている。メモリ７４は、他のアイテムの中でもとりわけ、測定モ
ジュールすなわちプログラム７５と多様なドライバ７６を備えている。測定モジ
ュール５は力を読み出すためのコマンド、すなわち、READ FORCE コマンドと、
温度を読み出すためのコマンド、すなわち、READ TEMPERATURE コマンドと、RC
発生装置５３から情報を獲得するためのコマンド、すなわち、READ CURVE コマ
ンドとを生成する。これらのコマンドは、シリアル式RS２３２バス７７のような
バスとコネクタ２４を渡って通信されて、プローブ制御装置３４で受信される。 １つの特定の実施形態では、中央処理装置３５は制御プログラムに基づいて作
動し、入出力装置３６にポーリングを行い、コマンドが受信されたか否かを判定
する。これは図６中にステップ８０で例示されている。READ FORCE コマンドが
受信されている場合、ステップ８１は制御をステップ８２に分岐させ、同ステッ
プで、入出力装置３６に増幅器５２からの信号を選択させるとともにゲート制御
ADC５１に信号を付与させ、これにより、ステップ８３でプローブ制御装置が読
み取った数を生成する。次いで、制御装置３４はΔＦｍｉｎレジスタおよびΔＦ
ｍａｘレジスタに記憶された数を利用し、或いは、これらの数から得られて初期
化処理の間に容量性バッファ４２かどこか他所に記憶されていた情報を利用し、
ステップ８４で標準化された力読出し値を供与する。その後ステップ８５で、こ
れに対応するデータがシステム制御装置に伝送され、中央処理装置３５の制御は
別なコマンドを待つ状態に戻る。
【００１７】 READ TEMPERATURE コマンドを受信した場合は、制御はステップ８０とステッ
プ８１を経由してステップ８６に至り、同ステップでは、制御をステップ８７に
分岐して、この時点で、プローブ制御装置３４は温度プローブ１５をゲート制御
ＡＤＣ５１についての入力端として選択する。次いでステップ９０で、プローブ
制御装置３４はゲート制御ＡＤＣ５１からの出力を読出し、ステップ９１ではそ
の読出し値を補償して、ステップ８４の補償が発生した際の様式に類似する様式
にする。システムは、再度、制御をステップ８５に委ね、温度に対応する補償さ
れた出力がシステム制御装置３３に伝送される。
【００１８】 READ CURVE コマンドがプローブ制御装置３４によって受信された場合は、中
央処理装置３５はステップ８０、８１、８６を採用して制御をステップ９２に譲
るが、同ステップは制御をステップ９３へと分岐する。ステップ９３はRC発生装
置５３を選択する。ステップ９４では、ゲート制御ADC５１に基準値が伝送され
、その数がプローブ制御装置３４により受信され、一時記憶される。この処理は
RC発生装置５３内のコンデンサの充電も開始させる。充電速度は、或る程度、電
極１５Aから電極１６に亘る、基質によって生成されるシャントインピーダンス
で決まる。ステップ９５では、この充電電圧の迅速なサンプルを多数受け取り、
プローブ制御装置がこの情報を一時記憶する。処理が完了すると、ステップ９５
はステップ８５へと移行し、ここで、基準値と継時的な曲線データサンプルがシ
ステム制御装置３３に戻される。 従って、図４の測定モジュール７５は、READ FORCE コマンド、READ TEMPERAT
URE コマンド、READ CURVE コマンドのような一連のコマンドを発することによ
り、プローブ１０から多様な読み取り値を得ることができることは明らかである
。次いで、評価モジュール９６は多数の機能についての情報を利用し、視覚表示
装置７３、入出力装置７１に接続されたプリンタまたは同様の装置、或いは、図
１に例示されたプローブ１０のLCD表示装置２３に、発生している多様な読み取
り値の情報を表示することができる。適切なタイミングで、これらは評価のため
のデータセットとなり得る。 それゆえ、基質の水分過剰に関連するデータを協働して獲得するプローブ１０
およびシステム制御装置３３が開示されている。RC発生装置５３と電極１５Aお
よび電極１６とは協働作用して、相対的な基質の水分の測定を実施する。増幅器
５０および熱伝対１５はサンプリング時間に温度を供与し、増幅器５２および変
換器３０、３１は、測定最中にプローブを皮膚にあてた際に使用された力の表示
を供与する。次に、このデータは評価し、更に相対的な基質の水分過剰を測定す
るための分析のために表示される。
【００１９】 図７は、図１のプローブ１０の変形例であるプローブ１００の形態を呈した、
本発明の好ましい実施形態を描画している。プローブ１００は、第１端すなわち
遠位端１１２と第２端すなわち近位端１１３との間の軸線１１１に沿って存在し
ている円筒状ハウジング１１０を備えている。プローブ１００の場合、「遠位」
とは、患者に最も近い端部について言及していることを意味する。コネクタ１１
４はプローブハウジング１１０の近位端１１３を閉鎖している。プローブハウジ
ング１１０の遠位端１１２はセンサー本体１１５を保持している。この特定の実
施形態では、プローブハウジング１１０は、集積回路１１７を代表とする多数の
構成要素を備えたプリント回路基盤も保有している。プリント回路基盤上の各構
成要素は多様な機能を実施する。最低限でも、図４のプローブ制御装置３４の諸
機能は含まれる。他の実施形態では、各構成要素は図４に例示されたシステム制
御装置３３の諸機能を組み入れている。或る応用例では、プリント回路基盤１１
６に基づく全機能を含むのが望ましいこともあり、かつ、自己内蔵型のバッテリ
ー作動式の測定システムとしてプローブを作動させることが望ましいこともある
。ここでは、端部コネクタ１１４は、記憶および分析を目的とした従来型のコン
ピュータシステムにデータをダウンロードするための従来型の手段として使用す
ることができる。
【００２０】 図８および図９は、プローブハウジング１１０の遠位端１１２における１個の
センサー本体１１５の細部を描画している。センサー本体１１５は、軸線１１１
に沿って存在している中央導体１２０を備えている。これと同軸の内側絶縁体１
２１は中央導体１２０の中間部に存在し、これらと同軸の外側導体１２２は内側
絶縁体１２１を包囲している。この特定の実施形態では、中央導体１２は円筒状
であり、これと同軸の導体１２２は環状の形態を有している。外側絶縁本体部１
２３はこの構造体と同軸である。本発明によれば、導体１２０および導体１２２
と絶縁体１２１および絶縁体１２３とはハウジング１２４の内部に適合する小組
立体を構成しており、このハウジングが今度はプローブハウジング１１０の遠位
端１１２の中に適合している。 ハウジング１２４は、変位型の力センサー１２７のための剛性支持体１２６を
保有している碍子１２５を包囲している。支持体１２６は軸線１１１に対して横
断方向に延在している。変換器１２７は、中央導体１２０の近位端１３１に接触
し、かつ、荷重が加わると偏向する変換器１２７の内部の内部測定要素に何らか
の力を伝達するプランジャー１３０を備えている。センサー本体１１５が組立て
られると、導体１２０、１２２および絶縁体１２１、１２３を備えている小組立
体はハウジング１２４の内部へ滑り嵌合し、この小組立体が軸線１１１に沿って
増分的に変位され得るようにしている。製造途中で、外側絶縁体１２３の一部の
上に形成されたフランジ１３３が、図９に例示されているように、小組立体の最
遠位位置を規定している碍子１２５の上の突起部１３４と係合するまで、小組立
体は十分に左方向へ移動させられる。次に、プランジャー１３０が中央導体１２
０の端部１３１に丁度嵌合するまで、碍子１２５の支持体１２６の位置が調節さ
れる。次いで、はんだ付けなどによって、支持体１２６は碍子１２５に固定され
る。
【００２１】 使用中は、図７のプローブが基質にあたると、センサー本体１１５の遠位端１
３５が基質に接触する。プローブハウジング１１０を遠位方向に、図７では左方
向に付勢することにより力が付与されると、導体１２０、１２２と絶縁体１２１
、１２３を備えた小組立体が近位方向に移動する傾向があり、それにより、プラ
ンジャー１３０に及ぼされる力を増大させるが、この時に、変換器１２７は付与
された力とともに変動する力信号を生成する。プローブ１００が基質から除去さ
れると、公知のように、変換器の内部構成要素は弛緩し、小組立体をその元の位
置まで戻す。 電極１２０および電極１２２がプリント回路基盤１１６上の回路に接続され、
或いは、力信号を搬送するための伝達経路が同プリント基盤上の回路に接続され
ているのを図８は描いていない。このような接続状態は当業者が思い及ぶ範疇に
十分に入っている。
【００２２】 この力測定機能を供与するために、それぞれ異なる機械的構成体が幾つでも案
出され得る。図８および図９の構造は、図１および図２に関して説明されたもの
と同一態様で温度センサーに順応するように構成することも可能である。 導体１２０、１２２が高度に導電性に富んだ材料から形成されている場合は、
これら導体は、基質の見掛け温度を人工的に低下させ、かつ、誤差を温度読出し
値に導入するヒートシンクとして作用し得る。図１０は温度誤差を最小限に抑え
る代替構造を描いている。センサー本体１１５Aは、図８および図９のセンサー
本体１１５と同一の全般的構成を備えている。しかしながら、中央導体１４０お
よび環状導体１４２は、環状導体１４１の遠位端のみに存在している導体パッド
と導体リングによって、それぞれに構成されている。これらは全て、互いに同軸
に位置決めされた２つの切れ目のない部分１４３A、１４３Bを備えている外側絶
縁体の内部に存在している。遠位部１４３Aは、内側絶縁体１４１を支持してい
る、内向きに延在している角度間隔を設けた輻射方向スポークまたはアーム１４
３Cを備えている。
【００２３】 図９のセンサー本体１１５Aはまた、プランジャー１５０を備えた変位型の力
変換器１４７のための横断方向支持体１４６を保有している碍子１４５も有して
いる。しかし、この特定の具体例では、環状の絶縁体部分１４３Bは、閉鎖端１
５２によりプランジャー１５０と接触するための表面１５１を設けている。閉鎖
端１５２は、図９のショルダー部１３３のように、外側絶縁体部１４３Bの外周
部と部分的に共通拡張部を成す、ショルダー１５３のような、半径方向に延在し
、互いに角度間隔を設けたショルダーをも形成している。従って、センサーの小
組立体の端部１５５に力が付与されると、導体１４０、１４２および絶縁体１４
１、１４３A、１４３Bを備えている小組立体は近位方向に移動する傾向を有し、
それにより、プランジャー１５０を介して変換器１４７に力を伝達し、力信号を
生成する。
【００２４】 図１０は、中央導体１４０および環状導体１４２にそれぞれに導体１５６、１
５７が装着され、サーミスター１６１に導体１６０が装着されているのを描いて
いる。導体１５６、１５７、１６０は、当業者に入手できる多様な手段から作成
されて、対応する信号を図７および図８に例示されたプリント回路基盤１１５の
上の回路に供与する接続部を表しているように図示されているにすぎない。 この構造を利用すると、中央導体１４０と外側導体１４２は、基質のインピー
ダンス測定値を獲得するための電極として継続的に機能する。しかし、各導体の
低減した軸線方向長さは、どのようなヒートシンク効果も最小限に抑える。その
結果、サーミスター１６１は、監視下にある部位における基質温度に関連する一
層正確な温度読出しを実施することができる。
【００２５】 従って、本発明に従って、多数の互いに異なる応用例について基質の水分含有
量の表示を生成し得る、相対的な基質の水分過剰についての測定システムの互い
に異なる実施形態を開示してきた。その実施形態の各々は、第１電極および第２
電極を備えて、相対水分過剰の測定が望まれる部位において基質と接触するため
の遠位端にセンサー本体が搭載された、長手のプローブハウジングを有している
ことを特徴としている。各々の実施形態は、電気インピーダンスの測定回路への
入力端として作用する。各々の実施形態において、信号処理装置はポーリング、
その他の技術を利用して、前述の信号を獲得することができる。図３および図４
は、多様な値を得るために、プローブハウジングの内部に全体または一部のいず
れかを包含し得る、特定の回路を更に描いている。
【００２６】 本発明の真の精神および範囲から逸脱せずに、特に開示された実施形態に多数
の変更を施すことが可能であることは明白である。例えば、特定の詳細なセンサ
ー本体の構造が例示されてきた。これら以外の構造も、異なる力変換器や温度セ
ンサーを利用することで、代用とすることができる。図７に例示されたプリント
回路基盤１１６のようなプリント回路基盤上の回路は、図３および図４に例示さ
れた電極の幾つかまたは全部を包含する場合もあれば、患者を同定するのに必要
となったり、外部のデータ処理システムに後でダウンロードするために情報を記
憶しておくのに必要となる回路全部を包含することさえある。 それゆえ、添付の特許請求の範囲の企図は、本発明の真の精神および範囲に入
るような変形例や修正例を全てカバーすることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に従って構成された測定センサーを描いた図である。
【図２】 図１に例示されたセンサーの一部の図である。
【図３】 図２に例示された構成の代替の図である。
【図４】 正規化されたインピーダンス測定を得るための回路の概略図である。
【図５】 図１のセンサーを較正するための段階を表したフロー図である。
【図６】 インピーダンス測定を実施するための段階を例示しているフロー図である。
【図７】 本発明に従って構成されたセンサーの代替の好ましい実施形態の図である。
【図８】 図７の線８−８に沿って破断されたセンサーの一部の部分断面図である。
【図９】 図７の線９−９に沿って破断されたセンサーの一部の部分断面図である。
【図１０】 図８および図９に例示されたセンサーについての代替構造を示す部分断面図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ガラント マイケル エル アメリカ合衆国 ニューハンプシャー州 03246 ギルフォード オールド レイク ショア ロード 373 (72)発明者 ギギュール デニス ディー アメリカ合衆国 ニューハンプシャー州 03304 ボウ クリアヴュー ドライヴ 23 (72)発明者 ホーガン トーマス ビー アメリカ合衆国 ニューハンプシャー州 03038 デリー ブランディワイン コモ ン 26 (72)発明者 ニクソン スティーヴン ダブリュー アメリカ合衆国 ニューハンプシャー州 03038 デリー パーリー ロード 12 ナンバー 44 (72)発明者 シェップ リチャード ダブリュー ジュ ニア アメリカ合衆国 バーモント州 05058 ポスト ミルズ エアポート ロード ピ ーオー ボックス 81 Ｆターム(参考） 2G060 AA20 AC01 AF06 HC01 HC02 HC13 4C027 AA07 BB00 CC00 EE01 GG15 HH18 KK03

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基質（substrate）の相対水分過剰（relative hydration）
    を測定する方法であって、 A） 基質に接触している両電極間の基質の電気特性を測定する工程と、 B） 電気特性の測定と同時に、基質の環境要因を測定する工程と、 C） 電気特性についての測定と環境要因の測定とを利用して、基質の相対水
    分過剰を表す基質のインピーダンス値を獲得する工程とを含む、方法。
  2. 【請求項２】 前記環境要因は基質の温度であり、前記環境要因の測定は前
    記電気特性の測定の部位における基質の温度を測定することを含んでいる、請求
    項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記基質のインピーダンス測定は、基質にインピーダンスセ
    ンサーを適用することを含み、前記環境要因は、プローブを基質にあてる力であ
    り、前記環境要因の測定は、電気インピーダンスの測定の部位においてセンサー
    で力を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 基質の温度を測定する工程を更に含み、前記環境要因の測定
    は、前記電気インピーダンス特性の測定の部位において基質の温度を測定するこ
    とを含む、請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記電気特性を測定する工程は、 ｉ） 第１電極および第２電極を備えたプローブを前記基質に適用する工程と
    、 ｉｉ） 両電極間の基質のインピーダンスを繰り返し測定する工程とを含む、
    請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記環境要因は基質の温度であり、前記環境要因の測定は、
    前記繰り返されるインピーダンス測定と同時に、電気インピーダンス測定の部位
    における基質の温度を繰り返し測定することを含む、請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記環境要因は、プローブを基質にあてる力であり、前記環
    境要因の測定は、前記電気インピーダンスの測定の部位においてプローブの力を
    繰り返し測定することを含む、請求項５に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記電気インピーダンスの測定の部位において基質の温度を
    繰り返し測定する工程を更に含む、請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 基質の相対水分過剰を測定するためのシステムであって、 Ａ） 第１電極および第２電極を有し、測定が望まれる部位において基質と接
    触するプローブと、 Ｂ） 第１電極と第２電極の間の基質のインピーダンスを表している値を周期
    的に生成する電気インピーダンス測定回路と、 Ｃ） インピーダンス測定と関連する基質の環境要因を表す値を周期的に生成
    する環境要因測定回路と、 Ｄ） インピーダンスの信号および環境要因の信号を受信する基質の水分過剰
    の算出装置とを備えている、システム。
  10. 【請求項１０】 前記環境要因は基質の温度であり、前記環境要因の測定回
    路は、前記プローブ内に位置し、前記部位における基質の温度を表している信号
    を生成する温度センサーを有している、請求項９に記載のシステム。
  11. 【請求項１１】 前記環境要因は、プローブを基質にあてる力であり、前記
    環境要因の測定回路は、前記両電極のうちの一方に付与された力を測定する力セ
    ンサーを有している、請求項９に記載のシステム。
  12. 【請求項１２】 前記プローブ内に位置し、前記部位における基質の温度を
    表している信号を生成する温度センサーを更に備えている、請求項１１に記載の
    システム。
  13. 【請求項１３】 測定プローブとデータ処理システムとを備えている、基質
    の相対水分過剰を測定するシステムであって、測定プローブは、 Ａ） 長手のプローブハウジングと、 Ｂ） プローブハウジングの一方端に搭載され、互いに同心の第１電極と第２
    電極を備え、測定が望まれる部位において基質と接触するセンサー本体と、 Ｃ） プローブハウジング内に位置し、第１電極と第２電極の間の基質のイン
    ピーダンスを表しているインピーダンス信号を生成する電気インピーダンス測定
    回路と、 Ｄ） プローブハウジング内に位置し、基質上の両電極のうちの一方により及
    ぼされる力を表している信号を生成する力センサーと、 Ｅ） プローブハウジング内に位置し、電気インピーダンス測定回路および力
    センサーにポーリングを行い、それにより、処理されたインピーダンス測定信号
    および力測定信号を生成する信号処理装置と、 Ｅ） プローブハウジングの他方端に位置し、処理されたインピーダンス測定
    信号および力測定信号を信号処理装置からデータ処理システムに通信することを
    可能にするコネクタとを備えている、システム。
  14. 【請求項１４】 前記プローブハウジングは軸線に沿って存在し、前記第１
    電極は軸線上に存在している中央導体を備え、前記第２電極は中央導体と同軸で
    、かつ、中央導体から間隔を設けた導体を備え、前記プローブは、中央導体と、
    中央導体と同軸の導体との間に絶縁体を更に備えている、請求項１３に記載のシ
    ステム。
  15. 【請求項１５】 前記センサー本体は基質と接触している第１端とプローブ
    ハウジングの近位にある第２端との間に延在しており、前記力センサーは、 ｉ） センサー本体の第２端で前記軸線に対して横断方向に装着された支持体
    と、 ｉｉ） 支持体上に位置し、センサー本体に接触する変位力変換器とを備え、
    それにより、センサー本体の第１端に付与される力が円筒状導体を介して力変換
    器に伝達されるようにした、システム。
  16. 【請求項１６】 前記プローブは特定範囲の力を受けるようにされ、前記信
    号処理装置は、前記円筒状導体に付与された力が力の範囲の第１極点と第２極点
    のそれぞれにある場合の前記力変換器からの信号値を記憶するための第１レジス
    ターおよび第２レジスターを有している、請求項１５に記載のシステム。
  17. 【請求項１７】 前記センサー本体内に位置し、前記両電極が基質に接触し
    ている部位の近位の基質の温度を検知する温度センサーを更に備え、前記信号処
    理装置は、処理された温度信号を生成し、データ処理システムに伝送する回路を
    更に有している、請求項１５に記載のシステム。
  18. 【請求項１８】 前記プローブは特定範囲の基質の温度より低い温度で作動
    するようにされ、前記信号処理装置は、前記温度センサーに付与された温度が温
    度範囲の第１極点と第２極点のそれぞれにある場合の温度センサーからの信号値
    を記憶するための第３レジスターおよび第４レジスターを有している、請求項１
    ７に記載のシステム。
  19. 【請求項１９】 前記信号処理装置は、インピーダンス、力、温度をそれぞ
    れ読み出すたびに出力を供与し、前記データ処理システムは読出し値の各々を伝
    送することを要求する手段を有している、請求項１７に記載のシステム。
  20. 【請求項２０】 前記信号処理装置は、インピーダンス、力、温度をそれぞ
    れ読み出すたびに出力を供与し、前記データ処理システムは読出し値の各々を繰
    り返し伝送することを要求する手段を有している、請求項１７に記載のシステム
    。
  21. 【請求項２１】 測定プローブおよびデータ処理システムを備えている、基
    質の相対水分過剰を測定するためのシステムであって、測定プローブは、 Ａ） 長手のプローブハウジングと、 Ｂ） プローブハウジングの一方端に搭載されており、互いに同心の第１電極
    および第２電極を有し、水分測定が望まれる部位において基質に背職するセンサ
    ー本体と、 Ｃ） プローブハウジング内に位置し、第１電極と第２電極の間の基質のイン
    ピーダンスを表しているインピーダンス信号を生成する電気インピーダンス測定
    回路と、 Ｄ） プローブハウジング内に位置し、両電極に接触している基質の温度を表
    している信号を生成する温度センサーと、 Ｅ） プローブハウジング内に位置し、電気インピーダンス測定回路および温
    度センサーにポーリングを行い、それにより、処理されたインピーダンス測定信
    号と温度測定信号を生成する信号処理装置と、 Ｆ） プローブハウジングの他方端に位置し、データ処理システムと信号処理装
    置の間の通信を可能にするコネクタとを備えている、システム。
  22. 【請求項２２】 前記プローブハウジングは前記軸線に沿って延在し、前記
    第１電極は軸線上に存在する中央導体を備え、前記第２電極は、中央導体と同軸
    で、かつ、中央導体から間隔を設けた導体を備えており、前記プローブは、中央
    導体と、中央導体と同軸の導体との間に絶縁体を更に有している、請求項２１に
    記載のシステム。
  23. 【請求項２３】 前記プローブは特定範囲の基質の温度より低い温度で作動
    するようにされ、前記信号処理装置は、前記温度センサーに付与された温度が温
    度範囲の第１極点と第２極点のそれぞれにある場合の温度センサーからの信号値
    を記憶するための第１レジスターおよび第２レジスターを有している、請求項２
    ２に記載のシステム。
  24. 【請求項２４】 前記信号処理装置はインピーダンスと温度をそれぞれに読
    み出すたびに出力を供与し、前記データ処理システムは読み出し値の各々を伝送
    するように要求する手段を有している、請求項２３に記載のシステム。
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