JP2003521663A - セラミック点火器及びその使用方法及びその製造方法 - Google Patents
セラミック点火器及びその使用方法及びその製造方法Info
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Abstract
Description
を必要とする他の装置の点火器として非常に多く使用されている。セラミック点
火器の製造は、セラミック部品を通る電気回路を作ることを必要とする。このセ
ラミック部品の一部は抵抗が大きく、導線によって電圧を与えたときに温度が上
昇する。
、米国ニューハンプシャー州、ミルフォードから入手可能なMini−Igni
ter(商標)は、12V〜120Vの電圧を適用するように設計されており、
窒化アルミニウム(「AlN」)、二ケイ素化モリブデン(「MoSi2」)、
及び炭化ケイ素(「SiC」)を含む組成を有する。
565号特許明細書」とする)は、高度に有益なセラミック点火器を開示してい
る。これは、(a)それぞれが第1の端部を有する1対の導電性の部分、(b)
前記導電性の部分の第1の端部のそれぞれの間に配置されており、且つこれらの
端部と電気的に接続されている抵抗性高温領域であって、0.5cm未満の長さ
の電気的な経路を有する抵抗性高温領域、及び(c)前記高温領域に接触してい
る非導電性のヒートシンクを有する。
であること(室温から所望の温度まで加熱するのに必要な時間が短いこと)、及
び十分に耐久性があって交換なしで長期間にわたって操作できることを挙げるこ
とができる。しかしながら多くの従来の点火器は、このような要求を満たしてい
ない。従って、新しいセラミック点火器系を得ることが望ましい。
寿命を含む非常に優れた特性を示すことができる。
、点火器の高温領域の「燃焼」によって破損する可能性があることが見出された
。上述のように、’565号特許明細書は、高温領域電気経路長さが0.5cm
未満と比較的短い点火器を開示している。理論に限定されることは望まないが、
このような点火器の操作の間に、高電源電圧でもたらされる電力密度が、大きい
温度勾配をもたらすと考えられる。この大きい温度勾配は、点火器高温領域の局
所的な領域の酸化を促進し、これが結果として早期にデバイスを破壊することが
あると考えられる。
供することができ、それによって先端の加熱を提供しながら、独立した加熱領域
での望ましくない温度勾配を避けることができる。
る1対の導電性部分、及び(b)前記導電性の部分の第1の端部のそれぞれの間
に配置されており、且つこれらの端部と電気的に接続されている抵抗性高温領域
であって、0.51cm〜2の長さの電気的な経路を有する高温領域を有するセ
ラミック点火器を提供する。
1.5cm、より好ましくは0.6cm〜約1.2cm、更により好ましくは約
0.7〜0.9cmである。本明細書の記載において使用する場合、「電気的な
経路の長さ」とは、点火器の導電性端部に電圧を印可したときに、電流が点火器
高温領域を通る最短経路の長さに言及している。
る隔離された温度勾配なしに、高温領域全体に電力密度を効果的に分散させるこ
とができる。更に、電気的な経路長さ(約2cmまで)は結果として、系への過
剰な電力の供給を必要とせずに、効果的な加熱及び短時間で点火温度に達するこ
とを可能にする。
有し、それによって高温領域が、上部点火器幅に制限されずに、点火器長さのそ
れぞれの側の一部に沿って拡がっていることも見出した。そのような非直線状デ
ザインは、直線状の高温領域を有する相当する系と比較して、電力密度を高温領
域により効果的に拡散させ又は減少させると考えられる。
ク)も有する。特にこの非導電性部分は好ましくは、導電性部分の間に配置され
又は挿入されており、且つ高温領域と接触している。
点火器の高温領域の幅)は、好ましくは少なくとも約0.05cm、より好まし
くは少なくとも約0.06cmであることも見出した。0.05cm〜0.4c
mの高温領域ブリッジ高さが一般に好ましく、また0.06cm〜約0.3cm
の高温領域ブリッジ高さがより好ましい。
する焼結組成物を含み、典型的に半導体材料を更に含む。本発明の点火器の伝導
性又は低温領域部分は、同様な成分の焼結組成物を含むが、伝導性材料の濃度が
比較的高い。
電圧範囲で適当に操作することができる。
のビレット材料から複数の点火器を作ることを含む。これは、有意に比較的効率
的な点火器の製造を可能にする。セラミック点火器を作る本発明の好ましい方法
は、(a)複数の結合点火器要素を含む導電性セラミック体を提供すること、(
b)それぞれの要素に、非導電性の材料を挿入すること、及び(c)複数の点火
器要素を密にすることを含む。
ミック点火器要素を提供する。ここでこの高温領域の電気的経路長さは、0.5
1cm〜約2cmである。より典型的には、この電気的経路長さは0.51cm
よりもいくらか長く、例えば約0.6cm、0.7cm又は0.8cmである。
14a及び14bの間に配置され、これらと接触している高温領域部分12を有
する。ヒートシンク16は、これらの低温領域14a及び14bの間に配置され
ており、且つ高温領域12と接触している。高温領域12の反対側の低温領域の
端部14a’及び14b’は、典型的にある種のリードフレームタイプの取り付
け部によって、電源に電気的に接続されている。
経路長さ「e」(点線で示して最短経路を強調している)を有する。これは、点
火器のそれぞれの側面の長さ方向端部まで達している。上述のように、このよう
な非直線状の高温領域形状は、高温領域全体に電力密度を比較的効果的に分散さ
せ、点火器の操作寿命を促進すると考えられる。
れば、適当に変更させることができる。図1で示されている一般に長方形の点火
器のデザインでは、低温領域間の高温領域幅(図1では「a」として示されてい
る)は好ましくは、電気的な短絡又は他の欠陥を避けるのに十分なものである。
1つの好ましい系では、この距離は0.5cmである。
に点火器の劣化及び破損をもたらすことがある過剰な局所的な加熱のような点火
器の欠陥を避けるのに十分な大きさであるべきである。上述のように好ましくは
、高温領域ブリッジ高さは少なくとも約0.05cm、より好ましくは少なくと
も約0.06cmである。0.05cm〜0.4cmの高温領域ブリッジ高さが
一般に好ましく、0.06cm〜約0.3cmの高温領域ブリッジ高さがより好
ましく、0.06〜0.035cmから0.040cmの高温領域ブリッジ高さ
が特に好ましい。0.035cm〜0.040cmの高温領域ブリッジ高さが特
に適当であることが分かっている。本明細書の記載において使用する場合、「高
温領域ブリッジ高さ」という用語は、図1において大きさbで例示されているよ
うに、一般に長方形の点火器の長手方向又は長い方向に対して平行に延びた高温
領域の寸法を意味していることを理解すべきである。
さを約2cm以内に維持する大きさに限定される。
16の組成物成分は、適当に変更することができる。これらの領域のために適当
な組成物は、Willkens等の米国特許第5,786,565号明細書、及
びAxelson等の米国特許第5,191,508号明細書で開示されている
。これら特許明細書の記載は、ここで参照して本明細書の記載に含める。
cm〜約3.0Ω・cmであり、室温抵抗率が約0.01Ω・cm〜約3Ω・c
mである。好ましい高温領域組成物は、電気的に絶縁性の材料及び金属導電体の
焼結組成物を含み、好ましくは更に半導体材料を含む。本明細書の記載において
使用する場合、電気的に絶縁性の材料とは、室温抵抗率が少なくとも約1010 Ω・cmの材料に言及している。本明細書の記載において使用する場合、金属導
電体又は導電性材料とは、室温抵抗率が約10−2Ω・cm未満の材料に言及し
ている。本明細書の記載において使用する場合、半導体性セラミック(又は「半
導体」)という用語は、室温抵抗率が約10〜108Ω・cmのセラミックに言
及している。
又はv/o)の、抵抗率が少なくとも約1010Ω・cmの電気的に絶縁性の材
料;(b)約5〜約45v/oの、抵抗率が約10〜約108Ω・cmの半導体
材料;並びに(c)約5〜約25v/oの、抵抗率が約10−2Ω・cm未満の
金属導電体を含む。好ましくは高温領域は、50〜70v/oの電気的に絶縁性
のセラミック、10〜45v/oの半導体性セラミック、及び6〜16v/oの
導電性材料を含む。ある種の好ましい態様では、導電性材料は、MoSi2であ
り、これは好ましくは高温領域組成物の全成分に基づいて約9〜15vol%の
量で存在し、より好ましくは高温領域組成物の全成分に基づいて約9〜13vo
l%の量で存在する。24Vの点火器では、特に好ましい二ケイ素化モリブデン
含有率は、高温領域組成物の全成分に基づいて、約9.2〜9.5vol%であ
る。
ムのような1又は複数の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素又は窒化ホ
ウ素のような窒化物、希土類酸化物(例えばイットリア)、又は希土類酸窒化物
を挙げることができる。窒化アルミニウム(AlN)及び酸化アルミニウム(A
l2O3)は一般に好ましい。
及び窒素化チタンのような窒化物、並びに炭化チタンのような炭化物からなる群
より選択される。二ケイ素化モリブデンは一般に好ましい。
の又はドープしていないもの)、炭化ホウ素を挙げることができる。炭化ケイ素
は一般に好ましい。
ルミニウム、二ケイ素化モリブデン、並びに炭化ケイ素を含有する。上述のよう
に、少なくともいくらかの態様では、二ケイ素化モリブデンは9〜12vol%
の量で存在する。24Vの点火器のためには、特に好ましい二ケイ素化モリブデ
ン濃度は、高温領域組成物の全成分に基づいて、約9.2〜9.5vol%であ
る。
くの低抵抗低温領域も有する。これは、高温領域と電気的に接続されていて、導
線を点火器に接続することを可能にする。典型的に、高温領域組成物は、2つの
低温領域の間に配置されている。好ましくはそのような低温領域は、例えばAl
N及び/又はAl2O3又は他の絶縁性材料;SiC又は他の半導体材料;並び
にMoSi2又は他の導電性材料からなっている。しかしながら低温領域は、高
温領域と比較したときに、導電性及び半導体性材料(例えばSiC及びMoSi 2 )の割合が有意に多い。従って、低温領域の抵抗率は典型的に、高温領域の抵
抗率の約1/5〜1/1,000のみであり、高温領域ほどには温度が上昇しな
い。より好ましくは、低温領域の室温抵抗率は、高温領域の室温抵抗率の5〜2
0パーセントである。
/oの酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は他の絶縁性材料;及び約20〜
70v/oのMoSi2及びSiC又は他の導電性及び半導体性材料を約1:1
〜約1:3の体積比で含有する。より好ましくは、低温領域は、約15〜50v
/oのAlN及び/又はAl2O3、15〜30v/oのSiC、及び30〜7
0v/0のMoSi2を含有する。製造を容易にするために、低温領域組成物は
、高温領域組成物と同じ材料で、半導体性及び導電性材料の量を比較的多くして
製造する。
分な熱量量を提供する組成物からできているべきである。更に、図1で示されて
いる系によって例示されるような2つの導電性の脚の間のインサートとして挿入
する場合、インサート16は、長い低温領域の部分14a及び14bのための機
械的な支持体となり、点火器をより丈夫にする。いくらかの態様では、インサー
ト16は、系の質量を減少させるためにスロットを有することができる。好まし
くは、電気的に絶縁性のヒートシンクは、室温抵抗率が少なくとも約104Ω・
cmであり、強度が少なくとも約150MPaである。より好ましくは、ヒート
シンク材料の熱伝導率は、ヒートシンク全体を加熱し、導線に熱を伝導させる程
は大きくなく、且つ有益なヒートシンク機能をしない程は小さくない。ヒートシ
ンクのための適当なセラミック組成物としては、少なくとも約90vol%の、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、アルミナ及びそれらの混合のうち
の少なくとも1つを含有する組成物を挙げることができる。ここで、AlN−M
oSi2−SiCの高温領域組成物を使用する場合、少なくとも90vol%の
窒化アルミニウム及び10vol%までのアルミナを含有するヒートシンク材料
が、相当する熱膨張率及び圧縮特性のために好ましいことがある。好ましいヒー
トシンク組成物は、米国特許出願第09/217,793号明細書で開示されて
いる。この特許出願明細書の記載は、ここで参照して本明細書の記載に含める。
、12、24及び120Vの公称電圧で使用することができる。本発明の点火器
は、室温から例えば約1,350℃の操作温度まで、約4秒又はそれ未満、更に
3秒又はそれ未満、また更に2.75若しくは2.5秒又はそれ未満で、迅速に
加熱することができる。
度(表面負荷)で、適当な点火温度を提供することができる。好ましい電力密度
としては、70〜180ワット/cm2、より好ましくは約75〜150ワット
/cm2を挙げることができる。
たセラミックからの点火器の調製は、従来の方法で行うことができる。典型的に
、そのような方法は、実質的にWillkens等の米国特許第5,786,5
65号明細書及びAxelson等の同第5,191,508号明細書の記載に
従って行うことができる。
、複数の点火器、例えば少なくとも5個の点火器、より典型的に少なくとも10
個又は20個の点火器、更により典型的には少なくとも約50、60、70、8
0、90又は100個の点火器を、単一のシート材料(ビレット)から同時に作
ることを含む。より典型的に、約100又は200個までの点火器を適当に実質
的に同時に作る。
理的に付着した「潜在的な」点火器要素を有するビレットシートを提供する。ビ
レットシートは、未焼成の状態の(理論密度の96%又は98%超まで高密化さ
れていない)高温領域及び低温領域を有するが、これらは好ましくは理論密度の
約40%又は50%超で、理論密度の90又は95%まで適当に焼結されており
、より好ましくは約60〜70%まで焼結されている。そのような部分的な高密
化は、例えば1,300℃のように1,500℃未満で、約1時間にわたって、
3,000psiのような圧力下で、アルゴン雰囲気における熱間圧縮処理をお
こなうことによって適当に達成される。ビレットが高温領域及び低温領域を有す
る場合、組成物を理論密度の75又は80%超まで高密化すると、ビレットを続
く処理工程で切断することが困難であることが分かっている。更に、高温領域及
び低温領域組成物を約50%未満に高密化する場合、続く処理の間に組成物が劣
化することが多い。高温領域部分は、ビレットの厚さ部分にわたって拡がってお
り、残部は低温領域である。
トは適当に実質的に正方形、例えば9インチ×9インチの正方形、又は他の適当
な大きさ又は形状、例えば長方形等であってよい。その後、ビレットを好ましく
は、例えばダイヤモンド切断工具によって、部分に切断する。好ましくはこれら
の部分は実質的に同じ大きさを有する。例えば9インチ×9インチのビレットで
は、好ましくはビレットを3つに切り分け、得られるそれぞれの部分が9インチ
×3インチになるようにする。
、個々の点火器を提供する。第1の切断は、ビレットにわたって行って、1つの
点火器要素を隣接する要素から物理的に分離する。続く切断では、ビレットの長
さ全体にわたっては行わずに、絶縁領域(ヒートシンク)をそれぞれの点火器に
挿入することを可能にする。それぞれの切断(全体にわたって行う切断及び全体
にわたっては行わない切断)は、例えば約0.2インチの間隔を開けて行うこと
ができる。
論密度の99%超まで高密化することができる。そのような更なる焼結は、好ま
しくは高温、例えば1,800℃又はそれをわずかに超える温度で、高温静水圧
圧縮によって行う。
。ここでは、例えばコンピューター制御の自動機構によって、ビレットを配置し
且つ切断工具で切断する。
ているように、ビレット10は、高温組成物領域12と低温組成物領域14とを
有し、また高温組成物領域と低温組成物領域の界面16を有する。好ましくは図
2で示されている製造段階において、高温及び低温領域組成物は未焼成の段階で
あるが、好ましくは理論密度の約40%〜約95%、より好ましくは理論密度の
約50%〜約70%まで高密化されている。
しくは図2で示される寸法g及びhはほぼ等しく、例えば上述のように9インチ
×9インチである。
分に切断する。好ましくはこれらの部分は実質的に同じ寸法を有する。例えば、
図2で示されているように、好ましくはビレット10は、線18a及び18bに
沿って3つに切断する。
22のような、個々の結合されていない点火器要素を提供する。1回の切断は、
ビレットの長さ全体にわたって行い(例えば切断24)、それぞれの交互の切断
(例えば切断26)は、ビレット材料の長さ全体にわたっては行わずに、電気的
に絶縁性の領域(ヒートシンク)のぞれぞれの点火器への挿入、例えば開口28
を通る挿入を可能にする。それぞれの切断24及び26は、例えば0.2インチ
の間隔であることが適当である。
のように、好ましくは約1,815℃の温度で、高温静水圧圧縮によって、点火
器を更に高密化することができる。
及びストーブのような気相燃料点火の用途で使用することができる。
献は、参照してその全てを本明細書の記載に含める。
めに調製した。高温領域組成物は70.8体積%(全高温領域組成物に基づく)
のAlN、20体積%(全高温領域組成物に基づく)のSiC、及び9.2体積
%(全高温領域組成物に基づく)のMoSi2を含有していた。低温領域組成物
は、20体積%(全低温領域組成物に基づく)のAlN、20体積%(全低温領
域組成物に基づく)のSiC、及び60体積%(全低温領域組成物に基づく)の
MoSi2を含有していた。低温領域組成物は、高温ダイ圧縮ダイに装填し、高
温領域組成物は、このダイの低温領域組成物の上に装填した。これらの組成物の
組み合わせを、共に熱及び圧力によって高密化して、点火器Aを提供した。
のために調製した。点火器Bは、点火器Aと同じ形状及び高温領域組成を有する
。点火器Bの低温領域組成物の成分は、点火器Aの成分と同じ(AlN、SiC
及びMoSi2)であるが、点火器Bの低温領域は、点火器Bの高温領域の抵抗
とほぼ等しい抵抗率を有する。点火器Aでのように、点火器Bの低温領域組成物
は、高温ダイ圧縮ダイに装填し、高温領域組成物は、このダイの低温領域組成物
の上に装填した。これらの組成物の組み合わせを、共に熱及び圧力によって高密
化して、点火器Bを提供した。
、図3に示すように、点火器の高温領域に集中していた。点火器Bでは、図4に
示すように、点火器の低温領域と高温領域の両方が熱くなった。
1の点火器Aで説明したのと同じ高温領域及び低温領域組成物で調製した。試料
1〜7のそれぞれの高温領域は様々であり、cm2で表されるこれらの高温領域
は、下記の表で示されている。全体の抵抗(下記の「全抵抗」、Ωで表す)、高
温領域の抵抗(下記の「高温領域抵抗」、Ωで表す)、低温領域の抵抗(下記の
「低温領域抵抗」、Ωで表す)をそれぞれ測定して、下記の表に示している。
成するのに最適であることを示した。
は、本明細書の記載を考慮して、本発明の本質及び範囲内で変更及び改良を行う
ことができる。
は、本明細書の記載を考慮して、本発明の本質及び範囲内で変更及び改良を行う
ことができる。 また、本発明の態様としては以下のものを挙げることができる。 (態様1) (a)それぞれが第1の端部を有する一対の導電性部分、及び (b)前記導電性部分の第1の端部のそれぞれの間に配置され、且つこれらの
端部のそれぞれと電気的に接続された抵抗性高温領域、 を有し、ここで前記高温領域の電気的経路長さが0.51cm〜2cmである、
セラミック点火器要素。 (態様2) 非導電性のヒートシンク材料が前記高温領域に接触している、態
様1に記載の点火器要素。 (態様3) 前記ヒートシンクが、前記導電性部分の間に配置されている、態
様2に記載の点火器要素。 (態様4) 前記導電性の部分のそれぞれが、前記高温領域から同じ方向に延
びて一対の脚を形成しており、且つ前記非導電性のヒートシンク材料が、これら
の脚の間に配置されている、態様2に記載の点火器要素。 (態様5) 前記高温領域の電気的経路長さが少なくとも0.6cmである、
態様1に記載の点火器要素。 (態様6) 前記高温領域の電気的経路長さが0.6〜1.5cmである、態
様1に記載の点火器要素。 (態様7) 前記高温領域の電気的経路長さが0.7〜0.9cmである、態
様1に記載の点火器要素。 (態様8) 前記高温領域が非直線状である、態様1に記載の点火器要素。 (態様9) 前記高温領域が実質的にU字型である、態様1に記載の点火器要
素。 (態様10) 前記高温領域が、電気的に絶縁性の材料と金属導電性材料を含
有する組成物を含む、態様1に記載の点火器要素。 (態様11) 半導体材料を更に含む、態様10に記載の点火器要素。 (態様12) 前記高温領域組成物が、 (a)25〜80vol%の電気的に絶縁性の材料、 (b)3〜45vol%の半導体材料、 (c)5〜25vol%の金属導電体、 を含有する、態様10に記載の点火器要素。 (態様13) 前記高温領域組成物が、約9.2〜9.5vol%の量のMo
Si2を含有する、態様12に記載の点火器要素。 (態様14) 前記導電性部分の室温抵抗率が、前記高温領域の室温抵抗率の
約5〜20%である、態様1に記載の点火器要素。 (態様15) 前記高温領域の室温抵抗率が、前記低温領域部分の室温抵抗率
の少なくとも約1.5倍である、態様1に記載の点火器要素。 (態様16) 態様1に記載の点火器要素に電流を流すことを含む、気体燃料
の点火方法。 (態様17) 前記電流の公称電圧が6、8、12、24又は120Vである
、態様16に記載の方法。 (態様18) (a)それぞれが第1の端部を有する一対の導電性部分、及び (b)前記導電性部分の第1の端部のそれぞれの間に配置され、且つこれらの
端部のそれぞれと電気的に接続された抵抗性高温領域、 を有し、ここで前記高温領域が60〜200W/cm2の表面負荷で安定な点火
器温度を与える、セラミック点火器要素。 (態様19) 前記高温領域の電気的経路長さが、0.51〜2cmである、
態様18に記載の点火器要素。 (態様20) 態様18に記載の点火器要素に電流を流すことを含む、気体燃
料の点火方法。 (態様21) 前記高温領域における電力密度が、60〜200W/cm2で
ある、態様20に記載の方法。 (態様22) 前記電流の公称電圧が6、8、12、24又は120Vである
、態様20に記載の方法。 (態様23) (a)複数の結合点火器要素を含む導電性セラミック体を提供
すること、 (b)それぞれの要素に、非導電性材料を挿入すること、 (c)前記複数の点火器要素を高密化すること、 を含む、セラミック点火器の製造方法。 (態様24) 高密化の前に、前記点火器要素を、隣接する点火器要素から物
理的に分離する、態様23に記載の方法。 (態様25) それぞれの点火器要素にスロットを作ること、及び電気的に絶
縁性の材料をこのスロットに挿入することを更に含む、態様24に記載の方法。 (態様26) 前記スロットが、前記点火器要素の長さ全体にわたっては延び
ていない、態様24に記載の方法。 (態様27) 前記点火器要素を、前記スロットの形成の間に、隣接する要素
から物理的に分離することを含む、態様25に記載の方法。 (態様28) 前記セラミック体が、少なくとも約20個の結合した点火器要
素を有する、態様23に記載の方法。 (態様29) 前記セラミック体が、少なくとも約50個の結合した点火器要
素を有する、態様23に記載の方法。 (態様30) 前記セラミック体が、少なくとも約100個の結合した点火器
要素を有する、態様23に記載の方法。 (態様31) 工程(a)において、導電性のセラミック体が未焼成の状態で
ある、態様23に記載の方法。 (態様32) 未焼成の前記導電性セラミック体が、理論密度の約50%〜約
70%に高密化されている、態様31に記載の方法。
Claims (32)
- 【請求項1】 (a)それぞれが第1の端部を有する一対の導電性部分、及
び (b)前記導電性部分の第1の端部のそれぞれの間に配置され、且つこれらの
端部のそれぞれと電気的に接続された抵抗性高温領域、 を有し、ここで前記高温領域の電気的経路長さが0.51cm〜2cmである、
セラミック点火器要素。 - 【請求項2】 非導電性のヒートシンク材料が前記高温領域に接触している
、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項3】 前記ヒートシンクが、前記導電性部分の間に配置されている
、請求項2に記載の点火器。 - 【請求項4】 前記導電性の部分のそれぞれが、前記高温領域から同じ方向
に延びて一対の脚を形成しており、且つ前記非導電性のヒートシンク材料が、こ
れらの脚の間に配置されている、請求項2に記載の点火器。 - 【請求項5】 前記高温領域の電気的経路長さが少なくとも0.6cmであ
る、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項6】 前記高温領域の電気的経路長さが0.6〜1.5cmである
、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項7】 前記高温領域の電気的経路長さが0.7〜0.9cmである
、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項8】 前記高温領域が非直線状である、請求項1に記載の点火器。
- 【請求項9】 前記高温領域が実質的にU字型である、請求項1に記載の点
火器。 - 【請求項10】 前記高温領域が、電気的に絶縁性の材料と金属導電性材料
を含有する組成物を含む、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項11】 半導体材料を更に含む、請求項10に記載の点火器。
- 【請求項12】 前記高温領域組成物が、 (a)25〜80vol%の電気的に絶縁性の材料、 (b)3〜45vol%の半導体材料、 (c)5〜25vol%の金属導電体、 を含有する、請求項10に記載の点火器。
- 【請求項13】 前記高温領域組成物が、約9.2〜9.5vol%の量の
MoSi2を含有する、請求項12に記載の点火器。 - 【請求項14】 前記導電性部分の室温抵抗率が、前記高温領域の室温抵抗
率の約5〜20%である、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項15】 前記高温領域の室温抵抗率が、前記低温領域部分の室温抵
抗率の少なくとも約1.5倍である、請求項1に記載の点火器。 - 【請求項16】 請求項1に記載の点火器に電流を流すことを含む、気体燃
料の点火方法。 - 【請求項17】 前記電流の公称電圧が6、8、12、24又は120Vで
ある、請求項16に記載の方法。 - 【請求項18】 (a)それぞれが第1の端部を有する一対の導電性部分、
及び (b)前記導電性部分の第1の端部のそれぞれの間に配置され、且つこれらの
端部のそれぞれと電気的に接続された抵抗性高温領域、 を有し、ここで前記高温領域が60〜200W/cm2の表面負荷で安定な点火
器温度を与える、セラミック点火器要素。 - 【請求項19】 前記高温領域の電気的経路長さが、0.51〜2cmであ
る、請求項18に記載の点火器。 - 【請求項20】 請求項18に記載の点火器に電流を流すことを含む、気体
燃料の点火方法。 - 【請求項21】 前記高温領域における電力密度が、60〜200W/cm 2 である、請求項20に記載の方法。
- 【請求項22】 前記電流の公称電圧が6、8、12、24又は120Vで
ある、請求項20に記載の方法。 - 【請求項23】 (a)複数の結合点火器要素を含む導電性セラミック体を
提供すること、 (b)それぞれの要素に、非導電性材料を挿入すること、 (c)前記複数の点火器要素を高密化すること、 を含む、セラミック点火器の製造方法。 - 【請求項24】 高密化の前に、前記点火器要素を、隣接する点火器要素か
ら物理的に分離する、請求項23に記載の方法。 - 【請求項25】 それぞれの点火器要素にスロットを作ること、及び電気的
に絶縁性の材料をこのスロットに挿入することを更に含む、請求項24に記載の
方法。 - 【請求項26】 前記スロットが、前記点火器要素の長さ全体にわたっては
延びていない、請求項24に記載の方法。 - 【請求項27】 前記点火器要素を、前記スロットの形成の間に、隣接する
要素から物理的に分離することを含む、請求項25に記載の方法。 - 【請求項28】 前記セラミック体が、少なくとも約20個の結合した点火
器要素を有する、請求項23に記載の方法。 - 【請求項29】 前記セラミック体が、少なくとも約50個の結合した点火
器要素を有する、請求項23に記載の方法。 - 【請求項30】 前記セラミック体が、少なくとも約100個の結合した点
火器要素を有する、請求項23に記載の方法。 - 【請求項31】 工程(a)において、導電性のセラミック体が未焼成の状
態である、請求項23に記載の方法。 - 【請求項32】 未焼成の前記導電性セラミック体が、理論密度の約50%
〜約70%に高密化されている、請求項31に記載の方法。
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