JP2008530488A - セラミックイグナイタ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の他の側面は、以下に開示される。
イグナイタ素子を形成する好ましい射出成形プロセスの例を以下に説明する。
さらに、図2A及び図2Bの断面図は、イグナイタの近位領域16における導体ゾーン14A及び14Bと、イグナイタの遠位ゾーン18において対応する抵抗ホットゾーン20を含むイグナイタ10を示す。
イグナイタの好ましいセラミック材料は、以下の例において開示される。
抵抗組成物(22vol%のMoSi2と78vol%のAl2O3)の粉末を、1〜2wt%のY2O3と、2〜3wt%のポリビニルアルコールと、0.3wt%のグリセロールと混合した。3000psiでドライプレスし、30000psiで冷間等方圧プレスすることにより、タイルを形成した。タイルを、SiCとAl2O3の粉体層とともに黒鉛坩堝に充填し、その後Ar雰囲気において1850℃で最大8時間、常圧(すなわち、1気圧よりも高くない)で焼結した。焼結後、測定された電気抵抗は、室温で〜0.1Ωcmであり、1400℃で〜0.4Ωcmに上昇した。
抵抗組成物(20vol%のMoSi2と78vol%のAl2O3)の粉末を、1〜2wt%のY2O3と、10-16wt%のバインダ(約6-8wt%の植物性ショートニング、2-4wt%のポリスチレン及び2-4wt%のポリエチレン)と混合した。ロッドを、175-200℃で射出成形することにより形成した。ロッドを、n-プロピルブロマイドで溶媒の脱バインダ処理を行い、SiCとAl2O3の粉体層とともに黒鉛坩堝に充填し、300-500℃で60時間、N2中で熱的に脱バインダ処理を行い、その後Ar雰囲気において1800℃で最大4時間、常圧(すなわち、1気圧よりも高くない)で焼結した。焼結後、測定された電気抵抗は、室温で〜0.1Ωcmであり、1400℃で〜0.4Ωcmに上昇した。
抵抗組成物(20vol%のMoSi2と、5vol%のSiCと、75vol%のAl2O3)の粉末を、2wt%のGd2O3と、2〜3wt%のポリビニルアルコールと、0.3wt%のグリセロールと混合した。3000psiでドライプレスし、30000psiで冷間等方圧プレスすることにより、タイルを形成した。タイルを、焼結層内の黒鉛坩堝に充填し、その後Ar雰囲気において1750℃で最大4時間、常圧(すなわち、約1気圧)で焼結した。焼結後、測定された電気抵抗は、室温で〜0.1Ωcmであり、1400℃で〜0.375Ωcmに上昇した。
Claims (16)
- 1以上の焼結助剤材料を有するセラミック組成物を有するセラミックイグナイタ素子を形成するステップと、
実質的に高圧でない中で1400℃を越える温度で前記素子を焼結するステップと、
を含むことを特徴とする抵抗イグナイタの製造方法。 - 前記セラミックイグナイタ素子は、射出成形によって形成される請求項1に記載の方法。
- 前記セラミックイグナイタ素子は、略1600℃を越える温度で焼結される請求項1に記載の方法。
- 前記セラミックイグナイタ素子は、不活性雰囲気下で焼結される請求項1に記載の方法。
- 前記焼結助剤材料は、1以上の希土類酸化物を有する請求項1に記載の方法。
- 前記焼結助剤材料は、イットリアを有する請求項5に記載の方法。
- 前記セラミックイグナイタ素子は、炭化ケイ素を有さない組成物で形成される請求項1に記載の方法。
- 前記セラミック素子は、異なる抵抗率を持つ2以上の領域を有する請求項1に記載の方法。
- 前記セラミック素子は、異なる抵抗率を持つ3以上の領域を有する請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法によって得られたことを特徴とするセラミックイグナイタ素子。
- 前記素子は、異なる抵抗率を持つ2以上の領域を有する請求項10に記載のセラミックイグナイタ素子。
- 前記イグナイタ素子は、前記イグナイタ長の少なくとも一部について略曲線断面形状を持つ請求項10に記載のイグナイタ素子。
- 前記イグナイタ素子は、非円形断面形状を持つ請求項10に記載のイグナイタ素子。
- 請求項10に記載のイグナイタに、イグナイタ全体にわたって電流を印加することを含むことを特徴とする気体燃料の点火方法。
- 前記電流は、6、8、10、12、24、120、220、230又は240ボルトの公称電圧を持つ請求項14に記載の方法。
- 請求項10に記載のイグナイタを有することを特徴とする加熱装置。
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