JP2003511427A - ジカチオン性非メタロセン第四族金属錯体 - Google Patents

ジカチオン性非メタロセン第四族金属錯体

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JP2003511427A JP2001529859A JP2001529859A JP2003511427A JP 2003511427 A JP2003511427 A JP 2003511427A JP 2001529859 A JP2001529859 A JP 2001529859A JP 2001529859 A JP2001529859 A JP 2001529859A JP 2003511427 A JP2003511427 A JP 2003511427A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 触媒用途、特に付加重合条件下で1個以上のエチレン性不飽和モノマーの重合において有用な金属錯体を提供する。 【解決手段】 付加重合触媒およびその他の用途をもつジカチオン性または部分的にジカチオン性の第四族金属錯体およびその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は触媒または触媒成分として有用な化合物に関する。さらに詳しくは、
本発明は特に不飽和化合物の配位重合の用途に適用される第四族原子(Ti、Z
r、Hf)からなるジカチオン性化合物に関する。そのような化合物は特に少な
くとも1個の重合可能なモノマーが触媒または触媒組成物の存在する重合条件下
で結合して重合体生成物を生成する重合プロセスでの使用に有用である。
【0002】
【従来の技術】
チーグラー−ナッタ重合触媒、特に非局在化π−結合配位子を含む3−10族
の金属錯体からなる触媒で、ルイス酸を用いてそのような3−10族金属錯体の
活性化誘導体を接触的に生成するように触媒を活性化することは当業界では公知
である。好適なルイス酸の例はトリス(パーフルオロフェニル)ボランおよびト
リス(パーフルオロビフェニル)ボランを含む。そのようなプロセスの例は米国
特許5,721,185号およびJ.Am.Chem.Soc.,118,12
451−12452(1996)、およびその他に開示されている。
【0003】 J.Am.Chem.Column.,1999,115−116によれば、
或る特定のビス−Cpジルコノセンジメチル錯体はトリスペンタフルオロフェニ
ルボランの多当量を使用して−60℃でジカチオンに転換される。結果として生
ずるメタロセンはシクロペンタジエニル環系にペンダントりん部分かまたはベン
ジル基のどちらかの存在と電荷バランスのためにメチルトリス(ペンタフルオロ
フェニル)ボレートアニオンの2当量を必要とした。たとえ−40℃までの加熱
でも生成物は分解して対応するモノカチオン錯体と遊離のトリス(ペンタフルオ
ロフェニル)ボランを生成しそのことは錯体が重合触媒成分としての使用に適さ
ないことを示す。 米国特許5,318,935号には、橋架け基の手段によって必要に応じ結合
した2個のアミド基を含む金属錯体が開示されている。
【0004】 最後に、Organometallics,1998,17,5908−59
12には、強いルイス酸化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)アルミニウ
ムとビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチルの反応はメサイド引き
抜きによって不安定な(μ−メチル)誘導体を生成し、且つその誘導体は0℃以
上の温度で逆交換反応の過程で分解しビス(シクロペンタジエニル)メチルペン
タフルオロ−フェニルジルコニウムを生成することが示されている。これらの化
合物はまた温度安定性が不足するため付加重合のための触媒成分としては有用性
が低いことがわかる。 従来技術での全ての試みは触媒用途、特に付加重合条件下で1個以上のエチレ
ン性不飽和モノマーの重合において有用な金属錯体を製造することに失敗してき
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、これらの従来技術の問題点を解決し、触媒用途、特
に付加重合条件下で1個以上のエチレン性不飽和モノマーの重合において有用な
金属錯体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に従えば、次式:
【0007】
【化4】
【0008】 (ここで、YおよびYはそれぞれの場合独立に酸素、りんまたは窒素原子を
介してシグマ結合によってMに共有結合しているアニオン性配位子であって、水
素を計算に入れないで50個以下の原子をもつものであり、該YおよびY
必要に応じ橋架け基、Jを介して結合しており、そしてさらに必要に応じ、Y およびYはまたMに結合した配位結合/共有結合をもっていてもよい;Jは水
素を計算に入れないで20個以下の原子をもつ任意の二価橋架け基であり;jは
0または1;Mは第四族金属;Xはそれぞれの場合独立にルイス塩基であり;
は0、1または2;そしてAはそれぞれの場合独立にルイス酸から導かれ
たものかまたは導くことができる水素を計算に入れないで50個以下の原子をも
つアニオンであり、該Aは必要に応じμ−橋架け基によって金属錯体との付加
物を生成し、そしてさらに必要に応じ二個のA基はお互いに結合して単一のジ
アニオンを形成していてもよく、また必要に応じ一個以上のμ−橋架け基を含ん
でいてもよい)で示されるジカチオン性第四族金属化合物が提供される。
【0009】 本発明の化合物は2個の一価アニオン性配位子、X(または必要に応じ単一の
二価アニオン性配位子を共に生成する2個のX基)をもつ中性電荷第四族金属配
位錯体、またはその(触媒)の前駆体を少なくとも2モル当量の中性電荷のルイ
ス酸化合物、A、またはそれらの混合物と接触させ、第四族金属配位錯体のX基
を引き抜くかまたは部分的に引き抜き、それによって電荷の分かれたカチオン/
アニオン対、双性イオン金属錯体、またはカチオン/アニオンと双性イオンの両
方の官能基をもつ錯体を生成させる。好ましくは、前述のプロセスの触媒:活性
化剤のモル比は1:2から1:10、より好ましくは1:2から1:3、そして
最も好ましくは1:2から1:2.5が採用される。 前述のプロセスは以下の図式:
【0010】
【化5】
【0011】 (ここで、J、j、Y、Y、M、X、Xおよびxは請求項1で定義され
ているものである)によって例示される。 本発明の化合物は少なくとも0℃、好ましくは少なくとも20℃から150℃
またはより高温の高められた温度で安定であり、そして通常溶液、スラリー、高
圧、または気相重合条件下でエチレン性不飽和モノマーを重合するプロセスに用
いられる。比較的高分子量の重合体が前述の重合プロセスにおいて本発明の金属
錯体の使用によって容易に得ることができる。さらに、前述の金属錯体は、スチ
レンまたはイソブチレンの陽イオン重合のような陽イオン重合、オキシランまた
はエポキシド、特にプロピレンオキサイドの重合のような開環重合、およびオレ
フィン、特にエチレンと開環可能なモノマーとの共重合のための開始剤または触
媒として好適に用いられる。
【0012】 従って、本発明はさらに、上記の金属錯体、またはそれに代わるものとして、
1個以上のエチレン性不飽和、重合可能な化合物を含む反応混合物の存在または
追加に先立ってインシツで上記金属錯体を生成する重合条件下で、1個以上のエ
チレン性不飽和、付加重合可能なモノマーを、必要に応じ不活性脂肪族、脂環族
または芳香族炭化水素の存在下で重合するプロセスを提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】
或る族に属する元素に対する全ての参照は全てCRC Press、Inc.
、1995から刊行され出版された元素の周期律表による。また族に関する如何
なる参照も族番号に関してはIUPACシステムを使用した元素の周期律表に準
拠した族である。刊行物、特許出願または予備特許出願に対してここでなされる
参照においては、その内容はここではその全体を参照して取り込まれている。こ
こでは活性化化合物に関する用語“ルイス酸”によって、十分に求電子的であり
、完全に電荷が分かれたカチオン/アニオン対、μ−橋架け錯体、双性イオン錯
体がそれぞれの触媒と活性化剤の組み合わせにおいて生成する化合物を意味する
。好ましいアニオン性配位子、Xは水素を計算に入れないで20原子以下のハイ
ドロカルビル、シリル、N,N−ジアルキルアミノおよびアルカンジル基、また
は2個のそのようなX基はともにMと結合してメタロシクロアルカンまたはメタ
ロシクロアルケンを形成するアルカンジルまたはアルケンジル基である。用語“
部分的にジカチオン性”によって、少なくとも1個のA基(または2個のA 基を集めて生成するもの)が金属中心、Mから電荷が完全には分かれないか、ま
たは少なくとも1個のA基(または2個のA基を集めて生成するもの)が双
性イオン錯体を生成することを意味する。
【0014】 好ましい活性化剤、Aは、少なくとも1個のハロハイドロカルビル配位子、好
ましくはフルオロアリール配位子を含むアルミニウム化合物である。より好まし
いものは水素以外の50以下の原子をもつトリ(ハロハイドロカルビル)アルミ
ニウム化合物、特にトリ(フルオロアリール)アルミニウム化合物であり、最も
好ましいものはトリス(パーフルオロアリール)アルミニウム化合物であり、さ
らに最も好ましいものはトリス(ペンタフルオロフェニル)アルミニウムである
。活性化化合物は純粋な形でまたはエーテルのようなルイス塩基との付加物の形
で使用される。
【0015】 好ましいルイス酸活性化剤はトリス(ペンタフルオロフェニル)ボロンとアル
モキサンまたはジイソブチル(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシ
)アルミニウムのようなアルキルアルミニウム−またはアルキルアルミニウムオ
キシ−化合物との交換反応によって調製され、Biaginiらによる米国特許
5,602,269号、および出願番号USSN09/330673(WO00
/09515)に開示されている。アルミニウムを含むルイス酸は予め調製され
てから比較的純粋状態で使用されるかまたは前述の技術のいずれかによって金属
錯体の存在下でインシツ法で生み出される。トリス(パーフルオロアリール)ア
ルミニウムおよびトリス(パーフルオロアリール)ボラン化合物、特にトリス(
ペンタフルオロフェニル)ボロンとメチルアルモキサン(MAO)またはトリア
ルキルアルミニウム−、特にトリイソブチルアルミニウム−変性したメチルアル
モキサン(MMAO)との交換反応生成物が特に好ましい。トリス(パーフルオ
ロアリール)ボロンとアルモキサンとの反応生成物は高ルイス酸性のトリス(フ
ルオロアリール)アルミニウム成分とアルモキサン形状からなり、交換反応でト
リメチルアルミニウム(TMA)の固有除去によってルイス酸性がより強くなり
トリメチルボランを生成する。これらの反応の最適反応生成物は次の経験式:
【0016】
【化6】
【0017】 で示される。 ここでArは6から30の炭素原子をもつフッソ化芳香族ハイドロカルビル部
分;好ましくはフルオロアリール、より好ましくはパーフルオロアリール、そし
て最も好ましくはペンタフルオロフェニル;QはC1−20のアルキル、好ま
しくはメチル;QはC1−20のハイドロカルビル、必要に応じ水素以外の1
から20の原子をもつ独立にそれぞれの場合ハイドロカルボキシ、ハイドロカル
ビルシロキシ、ハイドロカルビルシリルアミノ、ジ(ハイドロカルビルシリル)
アミノ、ハイドロカルビルアミノ、ジ(ハイドロカルビル)アミノ、ジ(ハイド
ロカルビル)フォスフィノ、またはハイドロカルビルスルフィド基である1個以
上の基で置換されていてもよい、または必要に応じ、2個以上のQ基がお互い
に共有結合して1個以上の縮合環または環系を形成していてもよいハイドロカル
ビル;w’は0から3の数値;wは0から1.0;好ましくは0.5から1.0
、より好ましくは0.8から1.0の数値;x’は0から3の数値;xは1.0
から0;好ましくは0.5から0、より好ましくは0.2から0の数値;y’は
0から3の数値;yは1.0から0;好ましくは0.5から0、より好ましくは
0.2から0の数値;z’は0から30の数値;そしてzは0から20、好まし
くは0から5、より好ましくは0から0.5の数値である。 部分、(AlAr 3−w w’)、(AlAr 3−x’(OQx’
、(AlQ 3−y’(OQy’)、および[(−AlQ−O−)z’
、は別個の存在または動的交換反応生成物として存在する。即ち、前述の式は組
成物の表現を理想化したものであり、実際には付加交換生成物と平衡状態で存在
する。
【0018】 付加的な好ましいルイス酸活性化剤はインシツで余分なまたは過剰なルイス酸
活性化剤、好ましくは、トリス(ペンタフルオロフェニル)アルミニウムと金属
錯体からX基の最初の引き抜きから生ずるアニオンとの反応によって生成する。
即ち、前述の反応から生ずるそのようなアニオンは式:[A−μX−A]、こ
こで、A−はAの一価の配位子誘導体であり、好ましくは−Al(C 、そしてμXはXのμ−橋架け誘導体であり、好ましくはμ−メチル基である。
そのようなアニオンの例は[(CAl−μ−CHAl(C である。しかしながら、第四族金属錯体と初めに生成したアニオンは標準
反応条件においてより安定な配位子対を生成するために、前記のμ−メチル橋架
けアニオンの生成は前に開示した配位子対の最安定化を容易にする反応条件下で
のみ観察される傾向がある。
【0019】 アニオンAの他の例は次式の配位子である:[M、ここでM
第13族金属またはメタロイド、好ましくはAl、そしてQは独立にそれぞれの
場合アニオン配位子、好ましくはアルキル、アリール、アラルキル、またはフッ
ソ化芳香族配位子であって、必要に応じ金属、Mとμ−橋架けを形成してもよい
。この種のAアニオンの最も好ましい例は[CHAl(C
よび[μ−CHAl(Cである。
【0020】 例示的なJ基はOを含み、且つ次式で示す基を含む:(ER 、(BN
、またはPR BR 、ここで、Eはそれぞれの場合独立にC、
Si、Sn、またはGe;e=1、2、3、または4;Rはそれぞれの場合独
立にC1−10のハイドロカルビルであり、または必要に応じ2個のR基はお
互いに結合していてもよい;そしてRはそれぞれの場合独立にハライド、また
はC1−12のハイドロカルビルである。
【0021】 好ましくは、YおよびYはMにシグマ結合している式=NR、またはP
のアミド基またはフォスフィド基であり、ここでRは、水素を計算に入れ
ないで20個以下の原子をもつ、ハイドロカルビル、ジハイドロカルビルアミノ
ハイドロカルビル、シリル、シリルハイドロカルビル、ハイドロカルビルシリル
、または環状または多環式の窒素含有環系であり、そして必要に応じRはJま
たはMに共有結合または配位結合していてもよい。式=NR、またはPR
好ましいシグマ結合配位子はRが10以下の炭素数のアルキルまたはシクロア
ルキルである配位子である。そのような錯体はJと共に金属Mに結合した二価の
橋架け構造を形成する。
【0022】 本発明の好ましい化合物は次式の構造を含む:
【0023】
【化7】
【0024】 ここでM、R、およびAは前に定義されているものであり、そしてRはそ
れぞれの場合独立にHまたはハイドロカルビル、シリル、またはトリハイドロカ
ルビルシリル−置換されたハイドロカルビル基であり、該ハイドロカルビル基は
水素を計算に入れないで20個以下の原子をもつ。 本発明の化合物において、M、YおよびY間の結合のいくつかまたは全て
は部分結合特性をもっていてもよい。さらに、YまたはYが窒素含有のシグ
マ結合基、特に式、=NRでRが第一アルキル基のときは、窒素とアニオン
部分、Aの片方かまたは両方の間の電子的相互作用が起こる。
【0025】 本発明のジカチオン性錯体の製造プロセスは−80から220℃、好ましくは
25から50℃の温度で、そして好ましくは炭化水素希釈剤または溶媒中、特に
4−12脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素またはそれらの混合物中で実施
される。
【0026】 前述の新規な触媒と一緒に使用する好適な付加重合モノマーはエチレン性不飽
和モノマー、アセチレン化合物、共役または非−共役ジエン類、およびポリエン
を含む。好ましいモノマーはオレフィン、例えば2から20,000、好ましく
は2から20、より好ましくは2から8個の炭素原子をもつα−オレフィンおよ
びそのようなα−オレフィンの2個以上の組み合わせを含む。特に好ましいα−
オレフィンは、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブチレン、1
−ペンテン、4−メチルペンテン−1、1−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オク
テン、1−ノネン、1−デセン、1−ウンデセン、1−ドデセン、1−トリデセ
ン、1−テトラデセン、1−ペタデセン、またはそれらの組み合わせを含み、同
様に重合過程で生成する長鎖のビニルで停止したオリゴマー状または重合反応生
成物、および結果として生ずる重合体の長鎖分岐を製造するために反応混合物に
特に加えられるC10−30のα−オレフィンを含む。好ましくは、α−オレフ
ィンは、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、4−メチルペンテ
ン−1、1−ヘキセン、1−オクテン、およびエチレンおよび/またはプロペン
と1個以上のα−オレフィンとの組み合わせである。その他の好ましいモノマー
はスチレン、ハロ−またはアルキル置換されたスチレン、ビニルベンゾシクロブ
テン、1,4−ヘキサジエン、ジシクロペンタジエン、エチリデンノルボルネン
、および1,7−オクタジエンを含む。上述のモノマーの混合物もまた使用でき
る。
【0027】 一般に、重合はチーグラー−ナッタまたはカミンスキー−シン系の重合反応に
おいて従来技術で公知の条件下で実施される。もし望むなら、バッチまたは連続
形態の採用に拘わらず、懸濁、溶液、スラリー、気相または高圧、または他のプ
ロセス条件が採用できる。そのような公知の重合プロセスの例は米国特許5,0
84,534号、5,405,922号、4,588,790号、5,032,
652号、4,543,399号、4,564,647号、4,522,987
号、その他に著述されている。好ましい重合温度は0−250℃である。好まし
い重合圧力は大気圧から3000気圧(100kPaから300mPa)である
【0028】 好ましいプロセス条件は脂肪族または脂環族液体希釈剤の存在下で実施される
溶液重合、より好ましくは連続溶液重合プロセスを含む。用語“連続重合”によ
って、少なくとも重合生成物は反応混合物から連続的に取り出されることを意味
する。好ましくは1個以上の反応物が重合過程で重合混合物に連続的に加えられ
る。好ましい脂肪族または脂環族液体希釈剤の例は直鎖及び分岐のC4−12
化水素およびそれらの混合物;シクロヘキサン、シクロヘプタン、メチルシクロ
ヘキサン、メチルシクロヘプタンのような脂環族炭化水素、およびそれらの混合
物;およびパーフルオロC4−10アルカンのようなパーフルオロ炭化水素、お
よびその類似物を含む。好ましい希釈剤はまたトルエン、エチルベンゼンまたは
キシレンのような芳香族炭化水素(特にスチレンまたは環状アルキル置換された
スチレンのような芳香族α−オレフィンと合わせての使用)を含み、同様にエチ
レン、プロピレン、1−ブテン、イソブチレン、ブタジエン、1−ペンテン、シ
クロペンテン、1−ヘキセン、シクロヘキセン、3−メチル−1−ペンテン、4
−メチル−1−ペンテン、、1、4−ヘキサジエン、1−オクテン、1−デセン
、スチレン、ジビニルベンゼン、アリルベンゼン、ビニルトルエン(全ての異性
体を単独または混合物で含む)を含む液体オレフィン(モノマーまたはコモノマ
ーとして作用する)、およびその類似物を含む。前述の混合物もまた好適である
。前述の希釈剤はまた本発明の金属錯体および触媒活性化剤の合成過程で有利に
使用することができる。多くの重合反応において、触媒:使用される重合可能な
化合物のモル比は10−12:1から10−1:1、より好ましくは10−12 :1から10−5:1である。
【0029】 分子量調節剤を本発明の触媒と組み合わせて使用してもよい。そのような分子
量調節剤の例は水素、トリアルキルアルミニウム化合物またはその他の公知の連
鎖移動剤を含む。助触媒の使用の特別の利点は大きく改善された触媒効率で狭い
分子量分布のα−オレフィンホモ重合体および共重合体を製造する能力(反応条
件による)である。好ましい重合体は2.5以下、より好ましくは2.3以下の
Mw/Mnをもつ。そのような狭い分子量分布の重合体製品は改善された引っ張
り強度特性のためにとても望ましい。
【0030】 本発明の触媒組成物はまたオレフィンの気相重合および共重合で有利に採用さ
れ、好ましくは適当な技術で触媒組成物を担持することによって調製することが
できる。オレフィンの重合、特にエチレンおよびプロピレンのホモ重合および共
重合、およびエチレンと高α−オレフィン、例えば、1−ブテン、1−ヘキセン
、4−メチル−1−ペンテンとの共重合のための気相プロセスは当業者に公知で
ある。そのようなプロセスは高密度ポリエチレン(HDPE),中密度ポリエチ
レン(MDPE)、線状低密度ポリエチレン(LLDPE)およびポリプロピレ
ンの製造のために大型装置で商業的に使用される。 採用される気相プロセスは、例えば、機械攪拌槽または気相流動層を重合反応
域として採用する形式であることができる。好ましいのは重合反応が重合体粒子
を流動ガス流れによって多孔版、流動グリッド上に保持する垂直円筒状重合反応
器で行われるプロセスである。
【0031】 流動層に採用されるガスはモノマーまたは重合されるモノマーを含み、そして
また流動層から反応熱を取り除く熱交換媒体としても機能する。高温のガスは、
通常流動層より幅広の径をもつ速度減少領域として知られている沈静領域(ここ
で、ガス流れ中の微粒子は流動層内に重力落下する機会を得る)を経て排出され
る。ガス流れから微粒子を回収するためにサイクロンを使用することもまた有益
である。ガスはそれから通常ブロアーまたはコンプレッサーとガスから反応熱を
取り除くための1個以上の熱交換器によって流動層に循環される。
【0032】 流動層を冷却する好ましい方法は、冷却された循環ガスによる冷却に加え、蒸
発冷却効果を与えるために揮発性液体を供給することである。このケースで採用
される揮発性液体は、例えば、揮発性不活性液体、例えば、3から8、好ましく
は4から6の炭素原子をもつ飽和炭化水素である。モノマーまたはコモノマーが
それ自身揮発性液体であるかまたはそのような液体を与えるために凝縮できる場
合には、蒸発冷却効果を与えるためにこれを流動層に供給することが好ましい。
この方法に採用できるオレフィンモノマーの例は3から8、好ましくは3から6
の炭素原子をもつオレフィンである。揮発性液体は高温の流動層内で流動ガスと
混合するガスを生成する。もし揮発性液体がモノマーまたはコモノマーなら、流
動層内でかなりの重合が起こる。揮発性液体はそれから高温循環ガスの一部とし
て反応器から排出され、そして循環系の圧縮機/熱交換器部に流入する。循環ガ
スは熱交換器で冷却されそして、もしガスが冷却される温度が露点より低ければ
液体はガスから凝縮する。この液体は連続的に流動層に循環することが望ましい
。循環ガス流れ中で起こる液滴として流動層に凝縮液を循環することは可能であ
り、例えば、欧州特許89691号、米国特許4,543,399号、WO94
/25495号および米国特許5,352、749号に記載されている。液体を
流動層に循環する特に好ましい方法は液体を循環ガスから分離しそしてこの液体
を直接流動層に再注入することであり、好ましくは流動層内で微粒液滴を生成さ
せる方法を使用することである。この種のプロセスはWO94/28032号に
記載されている。
【0033】 ガス流動層内で起こる重合反応は触媒の連続または半連続添加によって接触触
媒反応が起こる。そのような触媒は、所望により無機または有機担体上に担持す
ることもできる。触媒は、例えば、液体不活性希釈剤中でオレフィンモノマーは
、少量重合することによってオレフィン重合体粒子中に埋め込まれた触媒粒子か
らなる触媒複合物を与えるために予備重合段階で使用することもできる。
【0034】 重合体は触媒、担持触媒または流動層内の予備重合体上でモノマーの接触(共
)重合によって流動層内で直接製造される。重合反応の開始は、好ましくは目的
のオレフィンと同様な予備形成された重合体粒子の流動層を使用して実施され、
そして触媒、モノマーおよび希釈ガス、水素連鎖移動剤、または気相コンデンス
モードで操作するときの不活性な凝縮可能なガスのような循環ガス流れ中に存在
することが望まれる他のいくつかのガスの導入に先立って流動層を窒素のような
乾燥不活性ガスで調整する。生成重合体は所望に応じ流動層から連続的または不
連続的に排出され、必要に応じ触媒能を除去しそして必要に応じペレット化され
る。
【0035】
【実施例】
本発明は特に開示されていない如何なる成分の存在無しに実施することができ
る。以下の実施例は本発明をさらに明瞭にするためになされたものであり本発明
を何ら限定する意図でなされたものではない。断りのない限り、全ての部および
パーセントは重量基準で示される。用語“一昼夜”が使われる場合は約16−1
8時間を意味し、“室温”が使われる場合は20−25℃を意味し、そして“混
合アルカン”は水素添加プロピレンオリゴマー、多くはエクソンケミカル社から
商標名イソパールEで市販されているC6−12のイソアルカンの混合物を意味
する。H(300MHz)および13C NMRスペクトルは残留溶媒のピー
クに対応し、テトラメチルシランとの比較でppmで示される。全てのJ値はH
zで与えられる。テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、トルエン
、およびヘキサンが活性アルミナおよび商標名Q−5触媒(エンゲルハルトケミ
カル社製)の充填された二重カラムを通して用いられた。化合物BCl−SM
、B(NMe、n−BuLi、ビス(カテコラート)ジボロン、Li
NMeおよび2,6−ジイソプロピルアニリンは全てアルドリッチ社から購入
したものを使用した。全ての合成はグローブボックスおよび高真空技術を使用し
て乾燥窒素またはアルゴン雰囲気下で行った。
【0036】実施例1−2 金属錯体の調製 A.(N,N’−ジ(2,6−ジイソプロピルフェニル)−1,3−プロパンジ
アミド)チタニウムジメチル(DIP、実施例1および比較例A)
【0037】
【化8】
【0038】 この化合物は実質上米国特許5,318,935号の技術に従って調製された
【0039】 B.ビス(N,N’−ジ(2,6−ジイソプロピルフェニル)アミド)(ジメチ
ルアミノ)ボロン)チタニウムジメチル(BAB、実施例2)
【0040】
【化9】
【0041】 クロロビス(ジメチルアミド)ボランの調製 BCl−SMe(62.000g、345.78mmol)およびB(NM
、(98.21g、691.56mmol)を室温で一昼夜、窒素を吹
き込みながら攪拌した。この混合物を加熱し、未反応のSMeを除去するため
1時間リフラックスした。薄黄色の液体を室温になるまで攪拌し次いでろ過して
所望の生成物を分離した(139.436g、93.3%収率)。 H NMR(C):δ2.49(s、12H)。 13C NMR(C):δ39.86。
【0042】 ClB(NMe) 経由のテトラキス(ジメチルアミド)ジボランの調製 クロロビス(ジメチルアミド)ボラン(30.000g、233.19mmol
)をヘキサン中で、Na/K合金[Na(1.539g、66.96mmol)
/8.726gK(8.726g、223.19mmol)]を溶液に滴下しな
がら、リフラックスした。突然のリフラックスの増大で証拠付けられるように最
初の数滴で反応が開始した。それから加熱を止めそして合金をリフラックスが維
持されるようにゆっくり滴下した。滴下が完了後、反応混合物を加熱しさらに1
時間リフラックスした後、室温で3時間攪拌した。混合物を珪藻土フィルターパ
ッドでろ過しそして揮発成分を除き、黄色の液体を分離した。分別真空蒸留によ
り所望の化合物を薄黄色の液体として単離した(7.756g、35.1%収率
)。 H NMR(C):δ2.73(s、24H)。 13C NMR(C):δ41.37。
【0043】 ビス(カテコラート)−ジボロン経由のテトラキス(ジメチルアミド)ジボラ
ンの調製 リチウムジメチルアミド(10.70g、210.0mmol)を固体で−20
℃で、ビス(カテコラート)−ジボロン(10.00g、42.00mmol)
ジエチルエーテル(200ml)溶液中にゆっくり加えた。この混合物を室温で
さらに40時間攪拌した。反応終了後、エーテルを真空下で除去し、未反応物を
ヘキサンを用いて抽出しそしてろ過した。ヘキサンを除去すると黄色の油状物が
分離された。分別真空蒸留により所望の化合物を薄黄色の液体として単離した(
5.493g、66.0%収率)。
【0044】 ビス(ジメチルアミド)ジボロンジクロリドの調製 テトラキス(ジメチルアミド)ジボラン(7.756g、39.19mol)を
ジエチルエーテル(100ml)中で、−78℃でHCl(156.75mmo
l、ジエチルエーテル1モル溶液の156.75ml)を滴下しながら攪拌した
。この混合物を室温でさらに6時間攪拌した。反応終了後、揮発物を真空下で除
去し、未反応物をヘキサンを用いて抽出しそしてろ過した。ヘキサンを除去する
と黄色の油状物が分離された。分別真空蒸留により所望の化合物を薄黄色の液体
として単離した(4.722g、66.7%収率)。 H NMR(C):δ2.40(s、6H)、2.50(s、6H)
13C NMR(C):δ37.62、41.78。
【0045】 2,6−ジイソプロピルアニリン、リチウム塩の調製 n−BuLi(56.40mmol、ヘキサンの1.6モル溶液の35.25m
l)を2,6−ジイソプロピルアニリン(10.00g、56.40mmol)
ヘキサン(100ml)溶液に滴下した。この混合物を3時間攪拌すると白い沈
殿が生成した。反応終了後混合物をろ過し白い塩をヘキサンで洗浄しそして真空
下で乾燥しさらに精製または分析することなしで使用した(9.988g、96
.7%収率)。
【0046】 1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1、2−ビス(ジメチル
アミド)ジボランの調製 ビス(ジメチルアミド)ジボロンジクロライド(2.350g、13.00mm
ol)のジエチルエーテル(10ml)溶液を2,6−ジイソプロピルアニリン
、リチウム塩(4.765g、26.01mmol)のジエチルエーテル(50
ml)溶液中に0℃で滴下した。この混合物を室温で一昼夜攪拌した。反応終了
後、揮発物を除去し、未反応物をヘキサンを用いて抽出しそしてろ過した。ヘキ
サンを除去すると所望の生成物が白色の固体として単離された(5.322g、
88.9%収率)。 H NMR(トルエン−d):δ0.9−1.4(br m、24H)、2
.3(s、6H)、2.8(s、6H)、3.7(s、2H)、7.0(br s
、6H)。 13C NMR(トルエン−d):δ22.51、24.03(br)、2
8.17、36.82、42.67、123.19、124.78、140.7
1、145.02(br)。 MS(EI):m/z460.4025(M−H)、計算値の(M−H) 、460.4026。
【0047】 1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1、2−ビス(ジメチル
アミド)ジボラン、ジリチウム塩の調製 1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1、2−ビス(ジメチルア
ミド)ジボラン(1.820g、3.950mmol)をヘキサン(75ml)
中で、n−BuLi(7.91mmol、ヘキサンの1.6モル溶液の4.94
ml)を滴下しながら攪拌した。この混合物を一昼夜攪拌した。反応終了後混合
物をろ過し塩をヘキサンでよく洗浄しそして真空下で乾燥すると所望の生成物が
白色の粉末として単離された(1.687g、90.4%収率)。 H NMR(THF−d):δ1.04(d、6H)、1.18(d、6
H)、2.45(s、12H)、3.66(septet、4H)、6.29(
t、2H)、6.73(d、4H)。 13C NMR(THF−d):δ24.88、25.34、28.00、
40.91、114.40、121.95、137.21、158.76。 C2846Liの分析計算値:C、70.92;H、9.78;
N、11.81。実験値:C、70.90;H、11.12;N、9.66。
【0048】 ジクロロ−[1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1,2−ビ
ス(ジメチルアミド)ジボラン]チタニウムの調製 1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1,2−ビス(ジメチルア
ミド)ジボラン、ジリチウム塩(0.600g、1.27mmol)のTHF(
20ml)溶液をTiCl(THF)(0.471g、1.27mmol)
THF(50ml)溶液に0℃で滴下した。この混合物を室温で45分間攪拌し
た。PbCl(0.177g、0.640mmol)を固体で加えそして混合
物をさらに30分攪拌した。反応終了後、揮発物を除去し、未反応物をヘキサン
を用いて抽出しそしてろ過した。ヘキサンを濃縮しそして−10℃まで一昼夜冷
却することによってオレンジ色のX線定量結晶を生成した(0.156g、21
.3%収率)。 H NMR(トルエン−d):δ1.23(d、6H)、1.45(d、
6H)、2.17(s、6H)、2.76(s、6H)、3.53(septe
t、4H)、7.11(s、6H)。 13C NMR(トルエン−d):δ24.94、24.67、29.48
、39.33、42.93、124.08(br)、17.23、150.63
。 MS(EI):m/z578.2789(M)、計算値の(M)、578
.2781。 C2846TiClの分析計算値:C、58.07;H、8.0
1;N、9.67。実験値:C、58.28;H、8.20;N、9.42。
【0049】 ジメチル−[1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1,2−ビ
ス(ジメチルアミド)ジボラン]チタニウムの調製 ジクロロ−[1,2−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリド)−1,2−ビス
(ジメチルアミド)ジボラン]チタニウム(0.272g、0.470mmol
)をジエチルエーテル(40ml)中で、MeMgBr(0.940mmol、
ジエチルエーテルの3モル溶液の0.313ml)を滴下しながら攪拌した。こ
の混合物を1時間攪拌した。反応終了後、揮発物を除去し、未反応物をヘキサン
を用いて抽出しそしてろ過した。 ヘキサンを除去すると所望の生成物が暗黄色
の油状物として単離された(0.209g、82.5%収率)。 H NMR(C):δ1.05(s、6H)、1.21(d、 =6.9Hz、16H)、1.32(d、HH=6.3Hz、16H)、
2.19(s、6H)、2.69(s、6H)、3.58(br、2H)、7.
0−7.2(m、6H)。 13C NMR(C):δ24.06、24.83、29.31、39
.58、42.93、57.38、123.97、125.18、139.5(
br)、149.45。 MS(EI):m/z538.3858(M)、計算値の(M)、538
.3793。
【0050】ポリエチレンの溶液重合 ヘキサンと1−オクテンの混合物を精製窒素を吹き込んで精製し、次いでアル
ミナ(LaRche Inc.から市販されているA−2)とエンゲルハルドケ
ミカル社製Q5反応物を含むカラムに精製窒素を使用して50psig(340
kPa)で送り込んだ。以下に述べる溶媒および溶液の全ての移送は乾燥し精製
した窒素またはアルゴンガスを使用して実施された。反応器への供給ガスはLa
Rche Inc.製A−205アルミナおよびQ5反応物のカラムを通して精
製した。アルミナは予め窒素で375℃処理して活性化しそしてQ5反応物は窒
素中5%の水素で200℃処理して活性化した。
【0051】 バッチ反応器重合は電気加熱ジャケット、冷却のための内部蛇管、そして底部
抜き出し弁を装備した2リッター反応器で行った。圧力、温度および停止弁はコ
ンピュータで監視し調節した。混合アルカン溶媒(約740g)と1−オクテン
(118g)は差分圧力伝送機または測量セルを備えた溶媒貯槽で計量した。こ
れらの液体はつぎに溶媒貯槽から反応器に移送した。反応器の内容物は1200
回転で攪拌された。水素を最初300psig(2.1MPa)の75ml貯槽
から加え増分△25psi、170kPaとした。反応器の内容物はそれからエ
チレン圧力500psig(3.4MPa)下で所望の実施温度まで加熱された
。触媒組成物(トルエンの0.0050モル溶液として)と助触媒(トリス(ペ
ンタフルオロフェニル)アルミニウム、FAAL)はグローブボックス内で所望
の割合で組み合わされそしてグローブボックスから移送を容易にするためにトル
エンを使用し1/16in(0.16cm)の管を通して触媒貯槽に移送された
。触媒貯槽はそれから窒素で700psig(4.8MPa)に加圧された。反
応器内容物が140℃の所望温度で安定した後に、触媒を浸漬管により反応器に
注入した。温度は冷エチレングリコールを内部冷却コイルに循環させることで維
持した。反応は必要量のエチレンを供給して15分間行った。反応器の内容物は
4リッターの窒素パージした貯槽に排出されイソプロピルアルコールで急冷され
た。約67mgのヒンダードフェノール抗酸化剤(チバガイギー社の商標名イル
ガノックス1010)と133mgのリン系安定剤(チバガイギー社の商標名イ
ルガフォス168)を含む約10mlのトルエン溶液が加えられた。揮発性物質
は真空乾燥器中で140℃で一昼夜重合体を徐々に加熱して重合体から除去しそ
して乾燥器から取り出す前に少なくとも50℃まで冷却した。重合反応の終了後
、反応器は再使用の前に1200mlの混合ヘキサン溶媒で150℃で洗浄した
。結果を表1に示す。
【0052】
【表1】
【0053】 表1から明らかなように、少なくとも2当量の助触媒の使用により精製する錯
体は触媒と助触媒のモル比が1:1の使用で生成する触媒種より実質上高い触媒
効率をもつ触媒種を与えることがわかる。
【0054】
【発明の効果】
本発明は特に不飽和化合物の配位重合の用途、特に少なくとも1個の重合可能
なモノマーが触媒または触媒組成物の存在する重合条件下で結合して重合体生成
物を生成する重合プロセスでの使用に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成14年5月8日(2002.5.8)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【化1】 (ここで、YおよびYはそれぞれの場合独立に窒素原子を介してシグマ結合
によってMに共有結合しているアニオン性配位子基であって、水素を計算に入れ
ないで50個以下の原子をもつものであり、該YおよびYは必要に応じ橋架
け基、J、を介して結合しており、そしてさらに必要に応じ、YおよびY
またMに結合した配位結合/共有結合をもっていてもよい;Jは水素を計算に入
れないで20個以下の原子をもつ二価橋架け基であり;jは1であり;Mは第四
族金属であり;Xはそれぞれの場合独立にルイス塩基であり;xは0、1ま
たは2であり;そしてAはそれぞれの場合独立にルイス酸から導かれたものか
または導くことができる水素を計算に入れないで50個以下の原子をもつアニオ
ンであり、該Aは必要に応じμ−橋架け基によって金属錯体との付加物を生成
し、そしてさらに必要に応じ二個のA基はお互いに結合して単一のジアニオン
を形成していてもよく、また必要に応じ一個以上のμ−橋架け基を含んでいても
よい)で示されるジカチオン性第四族金属化合物。
【化2】 (ここで、Mおよびは請求項1で既に定義されているものであり、はハ イドロカルビル、ジハイドロカルビルアミノハイドロカルビル、シリル、シリル ハイドロカルビル、ハイドロカルビルシリルまたは環状もしくは多環状の窒素含 有環系であって、水素を計算に入れないで20個以下の原子をもつものであり、 そして必要に応じ、RはJまたはMに配位結合もしくは共有結合していてもよ く、 そしてRはそれぞれの場合独立にHまたはハイドロカルビル、シリル、ま
たはトリハイドロカルビルシリル−置換されたハイドロカルビル基であり、該ハ
イドロカルビル基は水素を計算に入れないで20個以下の原子をもつ)で示され
る請求項1記載の化合物。
【化3】 (ここで、J、j、Y、Y、M、X、Xおよびxは請求項1で定義され ているものである)で示される2個のルイス塩基アニオン性配位子基、X、をも つ電荷中性の第四族金属配位錯体またはその前駆体を少なくとも2モル当量の電 荷中性のルイス酸化合物、A、と接触させ、第四族金属配位錯体の少なくとも2 個のルイス塩基基を引き抜くかまたは部分的に引き抜き、それによって電荷の分 かれたカチオン/アニオン対、双性イオン金属錯体、またはカチオン/アニオン と双性イオンの両方の官能基をもつ錯体を生成させることを特徴とする請求項1 記載のジカチオン性第四族金属化合物の製造方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C A,CH,CN,CR,CZ,DE,DK,DM,DZ ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM, HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,K G,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU ,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW,MX, MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,S E,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT ,TZ,UA,UG,US,UZ,YU,ZA,ZW (72)発明者 クラッパー,ウィリアム ジェイ ジュニ ア アメリカ合衆国ミシガン州 48657 サン フォード バーデン ロード 230 Fターム(参考) 4H006 AA01 AA02 AB40 AC90 BC31 4H048 AA01 AA02 AB40 AC90 BC31 VA30 VA75 VB10 4H049 VN05 VP01 VQ39 VR22 VR52 VU14 VW02 4J128 AA01 AB01 AC01 AC09 AC27 AE02 AE06 BA00A BA01B BB00A BB01B BC12B BC15B EA01 EB01 EB02 EB03 EB04 EB05 EB06 EB07 EB08 EB09 EB10 EB15 EB21 EC01 EC02 EC03 FA02 FA03 FA04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次式: 【化1】 (ここで、YおよびYはそれぞれの場合独立に酸素、りんまたは窒素原子を
    介してシグマ結合によってMに共有結合しているアニオン性配位子であって、水
    素を計算に入れないで50個以下の原子をもつものであり、該YおよびY
    必要に応じ橋架け基、Jを介して結合しており、そしてさらに必要に応じ、Y およびYはまたMに結合した配位結合/共有結合をもっていてもよい;Jは水
    素を計算に入れないで20個以下の原子をもつ任意の二価橋架け基であり;jは
    0または1;Mは第四族金属;Xはそれぞれの場合独立にルイス塩基であり;
    は0、1または2;そしてAはそれぞれの場合独立にルイス酸から導かれ
    たものかまたは導くことができる水素を計算に入れないで50個以下の原子をも
    つアニオンであり、該Aは必要に応じμ−橋架け基によって金属錯体との付加
    物を生成し、そしてさらに必要に応じ二個のA基はお互いに結合して単一のジ
    アニオンを形成していてもよく、また必要に応じ一個以上のμ−橋架け基を含ん
    でいてもよい)で示されるジカチオン性第四族金属化合物。
  2. 【請求項2】 次式 【化2】 (ここで、M、R、およびAは請求項1で既に定義されているものであり、
    そしてRはそれぞれの場合独立にHまたはハイドロカルビル、シリル、または
    トリハイドロカルビルシリル−置換されたハイドロカルビル基であり、該ハイド
    ロカルビル基は水素を計算に入れないで20個以下の原子をもつ)で示される請
    求項1記載の化合物。
  3. 【請求項3】 Aが[CHAl(Cまたは[μ−CH Al(Cである請求項1記載の化合物。
  4. 【請求項4】 次式: 【化3】 (ここで、J、j、Y、Y、M、X、Xおよびxは請求項1で定義され
    ているものである)で示される2個のルイス塩基アニオン性配位子、X、中性電
    荷第四族金属配位錯体またはその前駆体を少なくとも2モル当量の中性電荷のル
    イス酸化合物、Aと接触させ、第四族金属配位錯体の少なくとも2個のルイス塩
    基基を引き抜くかまたは部分的に引き抜き、それによって電荷の分かれたカチオ
    ン/アニオン対、双性イオン金属錯体、またはカチオン/アニオンと双性イオン
    の両方の官能基をもつ錯体を生成させることを特徴とする請求項1記載のジカチ
    オン性第四族金属化合物の製造方法。
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