JP2003510465A - Electrodeposition method of metal multilayer - Google Patents

Electrodeposition method of metal multilayer

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JP2003510465A
JP2003510465A JP2001527021A JP2001527021A JP2003510465A JP 2003510465 A JP2003510465 A JP 2003510465A JP 2001527021 A JP2001527021 A JP 2001527021A JP 2001527021 A JP2001527021 A JP 2001527021A JP 2003510465 A JP2003510465 A JP 2003510465A
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layer
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JP2001527021A
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バリサデー,シマ
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リサーチ インスティテュート アクレオ アクティエボラーグ
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Abstract

(57)【要約】 Co及びAuの薄膜の層を有する基体を含む多層構造を製造する電着方法とする。この方法は、1又は複数の基体が少なくとも部分的に入っている溶液に浸漬されている電位差を有する2つの電極間に電流を提供することによって行う。この溶液はCoイオン及びAuイオンを含有する。またこの方法は、溶液中において基体上に多層を成長させることを含む。ここでこの方法は、電流密度及び/又は適用される電位を変更することによって制御すること、及びAuイオンの濃度を、Coイオンの濃度よりもかなり低く維持することを特徴とする。   (57) [Summary] An electrodeposition method for producing a multilayer structure including a substrate having a thin film layer of Co and Au. The method is performed by providing a current between two electrodes having a potential difference that is immersed in a solution that at least partially contains one or more substrates. This solution contains Co ions and Au ions. The method also includes growing multiple layers on the substrate in the solution. Here, the method is characterized by controlling by changing the current density and / or the applied potential and keeping the concentration of Au ions much lower than the concentration of Co ions.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】 [発明の分野] 本発明は金属多層の電着方法、この方法によって作られる多層構造、及び薄膜
の電着のための電気メッキ浴に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for electrodepositing metal multilayers, a multilayer structure made by this method, and an electroplating bath for electrodeposition of thin films.

【0002】 [背景] 現在では、「巨大磁気抵抗」、GMRと呼ばれる現象の発見によって、磁性多
層が重要になっている。主な関心は、小さい磁場を検知できる能力であり、これ
には、磁気データストレージ及び磁気センサーのような多くの用途がある。しか
しながら通常使用されている堆積技術は、スパッタリング及び化学気相堆積(C
VD)であり、これらは電着と比較して費用がかかる。
[Background] With the discovery of a phenomenon called "giant magnetoresistance" or GMR, magnetic multilayers have become important nowadays. A major concern is the ability to detect small magnetic fields, which has many applications such as magnetic data storage and magnetic sensors. However, commonly used deposition techniques are sputtering and chemical vapor deposition (C
VD) and these are more expensive than electrodeposition.

【0003】 一般に、2つのタイプの磁性材料を、コンピューターメモリー産業では使用し
ている。第1のタイプは、保磁力が100Oeよりも大きい硬磁性材料であり、
第2のタイプは、保磁力が小さい材料又は軟磁性材料である。これらの2磁性材
料は通常、全遷移金属磁性多層系に基づいている。ここでは非強磁性層は3d、
4d、5d遷移金属、又は貴金属のうちの1つ、例えば磁化率が小さいCu及び
Agである。
Generally, two types of magnetic materials are used in the computer memory industry. The first type is a hard magnetic material having a coercive force greater than 100 Oe,
The second type is a material having a small coercive force or a soft magnetic material. These two magnetic materials are usually based on all-transition metal magnetic multilayer systems. Here, the non-ferromagnetic layer is 3d,
One of 4d and 5d transition metals or noble metals, such as Cu and Ag having low magnetic susceptibility.

【0004】 電着磁性多層は、Co、Fe、Ni等のような磁性薄膜と、Ag又はPt層の
ような磁化率が小さい非磁性又は貴金属層との交互の層を具備する基体として加
工することができる。
Electrodeposited magnetic multilayers are processed as a substrate having alternating layers of magnetic thin films such as Co, Fe, Ni, etc. and non-magnetic or noble metal layers of low magnetic susceptibility such as Ag or Pt layers. be able to.

【0005】 電着Au/Co多層は、薄膜磁性デバイス、磁気センサー、高密度磁性ストレ
ージ、及びコンピューターデバイス技術に関して、複数の利点、性質及び大きな
関係を有する。
Electrodeposited Au / Co multilayers have multiple advantages, properties and significant implications for thin film magnetic device, magnetic sensor, high density magnetic storage, and computer device technologies.

【0006】 Au/Co多層は、室温において酸化しない利点を有する温度センサーとして
使用することもできる。
The Au / Co multilayer can also be used as a temperature sensor, which has the advantage of not oxidizing at room temperature.

【0007】 電着プロセスは、金属イオンを含有する水溶液又は非水溶液を通して、アノー
ドとカソードとの間に電流を流す電気化学的なプロセスである。イオンは、還元
し、金属コーティングとしてカソードに堆積する。アノードが堆積させる金属で
できている場合、アノードが溶解して溶液中に金属イオンを補給する。不溶性の
アノードを使用する場合、溶液に定期的に金属塩を加えて、金属イオン含有率を
維持しなければならない。
The electrodeposition process is an electrochemical process in which a current is passed between an anode and a cathode through an aqueous or non-aqueous solution containing metal ions. The ions are reduced and deposited on the cathode as a metal coating. If the anode is made of the metal to be deposited, the anode will dissolve and replenish the solution with metal ions. If an insoluble anode is used, metal salts must be added to the solution periodically to maintain the metal ion content.

【0008】 堆積する金属の量は、ファラデーの法則に従い、従って堆積する金属の量は電
流、時間及び金属の相対原子量に比例し、且つ溶液中の金属の酸化状態に反比例
する。
The amount of metal deposited follows Faraday's law, so the amount of metal deposited is proportional to the current, time and relative atomic weight of the metal and inversely proportional to the oxidation state of the metal in solution.

【0009】 メッキのために使用する電流は、常に連続流れで提供しなければならないとい
うわけではない。例えばパルス様式のメッキでは、短時間に大きい電流を提供し
、その後で電流を提供しないことができる。サイクルは、電流を提供している時
間と供給していない時間との比、すなわち負荷サイクル及び頻度を示す。負荷サ
イクル及び頻度を変更することによって、堆積特性を所望のように変化させるこ
とができる。
The current used for plating does not always have to be provided in continuous flow. For example, in pulse mode plating, it is possible to provide a large amount of current for a short period of time and then no current. Cycle refers to the ratio of the time that is providing current to the time when it is not supplying current, ie the duty cycle and frequency. By varying the duty cycle and frequency, the deposition characteristics can be changed as desired.

【0010】 堆積プロセスは、単一浴及び二浴技術の2つに一般に分けることができる。[0010]   The deposition process can be generally divided into two, single bath and two bath techniques.

【0011】 単一浴技術では、磁性多層を、両方の構成要素のイオンを含有する電解質中で
成長させる。
In the single bath technique, magnetic multilayers are grown in an electrolyte containing ions of both components.

【0012】 二浴技術では、1つの金属について1つの電解質を使用する。メッキする部分
を活性させ、第1の溶液に入れ、メッキし、そしてすすいで再び活性化し、続い
て第2の溶液に入れる。従っての欠点は、費用のかかるすすぎ及び活性化である
The two-bath technique uses one electrolyte for one metal. The parts to be plated are activated, placed in a first solution, plated, rinsed and reactivated, and subsequently placed in a second solution. The disadvantage therefore is an expensive rinse and activation.

【0013】 単一浴技術は、基体を常に電解質中に維持し、汚染の危険性が限定される利点
を有する。しかしながら、この技術では、選択されたそれぞれの成分の還元電位
に十分な差があり、それぞれの成分を別々に堆積させることができなければなら
ない。
The single bath technique has the advantage that the substrate is always kept in the electrolyte and the risk of contamination is limited. However, this technique requires that the reduction potentials of each of the selected components be sufficiently different that each component can be deposited separately.

【0014】 堆積した金属の性質は、電解質組成、pH、温度、撹拌、電位及び電流密度の
ような要素によって決定される。従って電着プロセスは例えば、電位又はメッキ
電流密度を変更することによって調節できる。
The properties of the deposited metal are determined by such factors as electrolyte composition, pH, temperature, agitation, potential and current density. Thus, the electrodeposition process can be adjusted, for example, by changing the potential or plating current density.

【0015】 化学組成、個々の層の厚さ、界面の鋭さ(シャープネス)、界面での相互混合
/合金化のような要素は、磁性多層コーティングの磁気的性質に関して重要であ
る。電解質は層厚さの成長速度の制御を連続的に変化させるので、非磁性のスペ
ーサー層の所望の厚さを維持して、最大のGMR効果を得ることが重要である。
磁化率が小さい貴金属Ag及びCuのような標準のスペーサー層は、非常に小さ
い誘導磁気モーメントを有する。また界面特性は、磁性成分から非磁性成分への
鋭い界面を達成するために重要である。
Factors such as chemical composition, individual layer thickness, interface sharpness, intermixing / alloying at the interface are important with respect to the magnetic properties of the magnetic multilayer coating. Since the electrolyte continuously changes the control of layer thickness growth rate, it is important to maintain the desired thickness of the non-magnetic spacer layer for maximum GMR effect.
Standard spacer layers such as the noble metals Ag and Cu, which have low magnetic susceptibility, have very low induced magnetic moments. Interfacial properties are also important to achieve a sharp interface from the magnetic component to the non-magnetic component.

【0016】 最近では、多くの研究者がパルス定電位堆積を改良して、単層並びに多層ナノ
ワイヤーの製造のための鋳型として、「ナノ材料に基づく合成」と呼ばれる新し
い技術をもたらしている。しかしながら、マクロ電極の不確実な電気化学理論の
ために、ナノワイヤー列のための条件はまだ非常に困難なものである。更に、こ
こでは多くの欠点があり、例えば拡散の問題があり、またワイヤーの長さに依存
して堆積時間が24〜48時間といったように長い。これは、時間の経過と共に
、電解質の拡散が変化することによる。拡散、移動又は対流は、バルク溶液から
電極界面へのイオンの移動をもたらすことができる。限界電流では、表面の濃度
は実質的に零(0)である。
Recently, many researchers have improved pulsed potentiostatic deposition to introduce a new technique called “nanomaterial-based synthesis” as a template for the production of monolayer as well as multilayer nanowires. However, the conditions for nanowire arrays are still very difficult due to the uncertain electrochemical theory of macroelectrodes. Furthermore, there are many drawbacks here, for example diffusion problems, and long deposition times, such as 24-48 hours, depending on the length of the wire. This is because the diffusion of the electrolyte changes over time. Diffusion, migration or convection can result in migration of ions from the bulk solution to the electrode interface. At the limiting current, the surface concentration is essentially zero (0).

【0017】 得られる構造は、鋳型と呼ばれる絶縁マトリックスの孔の金属又は合金ワイヤ
ー堆積物を有する1次元構造又は組成が調製された合金(CMA)である。ナノ
ワイヤー列を加工して、軽い磁化方向をワイヤー軸に平行であってフィルム垂直
にすることができる。これらの低次元構造の電着は、磁性金属及び非磁性金属の
イオンを含有する単一の電解質から調製していた。
The resulting structure is a one-dimensional structure or composition prepared alloy (CMA) with metal or alloy wire deposits of holes in an insulating matrix called the mold. The nanowire array can be processed so that the light magnetization direction is parallel to the wire axis and perpendicular to the film. These low dimensional structure electrodepositions were prepared from a single electrolyte containing magnetic and non-magnetic metal ions.

【0018】 電着した磁性多層材料は、コンピューターメモリー要素の製造で使用されてい
る。例えば電着したAu−Coの列は耐摩耗性が大きいので重要な列である。こ
れは、プリント回路板のメッキ電気接触で幅広い用途が存在する。
Electrodeposited magnetic multilayer materials have been used in the manufacture of computer memory elements. For example, an electrodeposited Au-Co column is an important column because it has high wear resistance. It has a wide range of applications in plated electrical contact of printed circuit boards.

【0019】 最近では、金濃度が高い商業的な硬(hard)金メッキ浴で得られる電着し
たAu−AuCo多層が報告されている。
Recently, electrodeposited Au-AuCo multilayers obtained in commercial gold-rich commercial hard gold plating baths have been reported.

【0020】 しかしながら、経済的な様式でAu−Co多層フィルムを作ることがまだ望ま
れている。
However, it is still desirable to make Au—Co multilayer films in an economical manner.

【0021】 [発明の概略] 本発明では、Au−Co多層構造を得るための電着の重要なパラメータが交互
の電流密度であり、高Co濃度の層は、大きい電流密度及び少ない撹拌を必要と
し、Au濃度が大きい層は、小さい電流密度を必要とすることを見出した。更に
、本発明では、電解質中の比較的貴なイオンの濃度、すなわち比較的電気的に正
の金属の濃度が、比較的貴ではない金属の濃度よりも低いべきである。
SUMMARY OF THE INVENTION In the present invention, an important parameter of electrodeposition for obtaining an Au—Co multilayer structure is alternating current density, a layer with high Co concentration requires high current density and low agitation. It was found that a layer having a high Au concentration requires a low current density. Further, in the present invention, the concentration of relatively noble ions, or relatively electrically positive metal, in the electrolyte should be lower than the concentration of less noble metals.

【0022】 本発明の1つの態様では、貴金属/金属イオン、例えばAu及びCoイオンの
両方を含有する単一の浴を使用して、貴金属/金属の多層、例えばAu−Coの
多層を電着させることによって、これを得る。この浴では、電解質中の金、すな
わち貴金属の濃度が、コバルト、すなわち比較的貴ではない金属の濃度よりもか
なり低い。ここでは、比較的電気的に正の電位において、小さい電流密度で、金
のみが「純粋な層」として堆積する。
In one aspect of the invention, a single bath containing both noble metal / metal ions, eg, Au and Co ions, is used to electrodeposit a noble metal / metal multilayer, eg, Au—Co multilayer. You get this by letting. In this bath, the concentration of gold, a noble metal, in the electrolyte is significantly lower than the concentration of cobalt, a less noble metal. Here, only gold is deposited as a “pure layer” at relatively electrically positive potentials and with low current densities.

【0023】 ここで「純粋な層」とは、Co層中のAu含有率及びAu層中のCo含有率が
、好ましくはそれぞれ、約3重量%及び約1重量%であることを意味している。
上限は5重量%である。最も好ましいAu層中のCo含有率は、1〜0.1重量
%以下である。
By “pure layer” herein is meant that the Au content in the Co layer and the Co content in the Au layer are preferably about 3% and about 1% by weight, respectively. There is.
The upper limit is 5% by weight. The most preferable Co content in the Au layer is 1 to 0.1% by weight or less.

【0024】 好ましくは多層構造は、定電位又は定電流制御して作ることができる。[0024]   Preferably, the multi-layer structure can be manufactured by controlling the constant potential or the constant current.

【0025】 本発明の1つの好ましい態様では、Co及びAuの薄膜層を具備した基体を含
む多層構造を製造する電着方法を提供する。この方法は、1又は複数の基体が少
なくとも部分的に入っている電気メッキ浴に浸漬して電位を提供されている2つ
の電極の間に電流を提供して行う。ここでこの浴は、Coイオン及びAuイオン
を含有している。この方法は、浴中の基体上に複数の層を成長させることを含む
。この方法は、電流密度及び/又は提供する電圧を変更することによって制御し
、またAuイオンの濃度を、Coイオンの濃度よりもかなり低く維持する。
In one preferred aspect of the present invention, there is provided an electrodeposition method for producing a multi-layer structure including a substrate with Co and Au thin film layers. The method is performed by dipping in an electroplating bath containing at least partially one or more substrates to provide an electric current between two electrodes that are being provided with a potential. Here, the bath contains Co ions and Au ions. The method involves growing multiple layers on a substrate in a bath. This method is controlled by varying the current density and / or the applied voltage and also keeps the concentration of Au ions much lower than the concentration of Co ions.

【0026】 ここで、基体という用語は、プレート、箔等のような基体に言及しているが、
棒状体等のような任意の他のタイプの適当な表面であってもよい。
Here, the term substrate refers to substrates such as plates, foils, etc.
It may be any other type of suitable surface such as rods and the like.

【0027】 浴は、0.2〜0.7g/LのCoイオン、0.1〜0.5mg/LのAuイ
オン、有機酸を含有しており、浴のpHは2.5〜5.5であり、Coイオンの
濃度はAuイオンの濃度の約1,000倍大きい。Au含有量は好ましくは0.
2〜0.4mg/Lであり、最も好ましくは約0.3mg/Lである。有機酸は
好ましくは、10〜200g/LのCであるが、他の適当な有機酸を
等価量で使用することもできる。
The bath contains 0.2 to 0.7 g / L of Co ions, 0.1 to 0.5 mg / L of Au ions, and an organic acid, and the pH of the bath is 2.5 to 5. 5, the Co ion concentration is about 1,000 times higher than the Au ion concentration. The Au content is preferably 0.
2 to 0.4 mg / L, most preferably about 0.3 mg / L. The organic acid is preferably is a C 6 H 8 O 6 of 10 to 200 g / L, it is also possible to use other suitable organic acid in an equivalent amount.

【0028】 好ましくは電位は、開回路条件からCoイオンを堆積させるのに適当な電位、
その後で、Coイオンを堆積させずにAuイオンを堆積させるのに適当な他の電
位、その後で再び開回路条件に切り替え、そしてこの切替サイクルを必要に応じ
て多数回反復した。堆積の間に開回路を使用することによって、フィルム間の界
面を改良することができる。
[0028] Preferably the potential is a suitable potential for depositing Co ions from open circuit conditions,
Then, another potential suitable for depositing Au ions without depositing Co ions, and then switching back to open circuit conditions, and this switching cycle was repeated as many times as necessary. The use of open circuits during deposition can improve the interface between the films.

【0029】 本発明の他の好ましい態様では、切替サイクルを10〜5,000回、好まし
くは200回まで繰り返す。
In another preferred aspect of the invention, the switching cycle is repeated 10 to 5,000 times, preferably up to 200 times.

【0030】 成分の還元電位が互いに十分に異なっていて、それぞれの成分の別々の電着を
可能にすることが適当である。
Suitably, the reduction potentials of the components are sufficiently different from each other to allow separate electrodeposition of each component.

【0031】 Co層は、−1.0〜−1.3Vの電圧で初めに堆積させ、その後で−0.5
〜−0.8Vといった比較的高い電圧に切り替え、その後で電位を開回路に切り
替える。
The Co layer is first deposited at a voltage of -1.0 to -1.3 V and then -0.5.
The voltage is switched to a relatively high voltage such as ~ -0.8V, and then the potential is switched to an open circuit.

【0032】 本発明の新しい方法は、20℃〜30℃の温度での操作を可能にする。[0032]   The new process of the present invention allows operation at temperatures between 20 ° C and 30 ° C.

【0033】 本発明の他の目的は、Co及びAuの薄膜の層を具備した基体を含む多層構造
を提供することである。ここで、Co層のAu含有率は最大で5重量%、好まし
くは最大で3重量%であり、Au層のCo含有率は最大で5重量%、好ましくは
最大で1重量%である。この多層は、1又は複数の基体が少なくとも部分的に入
っている電気メッキ浴に浸漬されて電位を提供されている2つの電極の間に電流
を提供する手段によって、電着方法で作る。この浴は、Coイオン及びAuイオ
ンを含有している。この方法は、浴中の基体上に複数の層を成長させることを含
む。この方法は、電流密度及び/又は提供する電圧を変更することによって制御
し、またAuイオンの濃度を、Coイオンの濃度よりもかなり低く維持する。
Another object of the invention is to provide a multi-layer structure comprising a substrate with layers of thin films of Co and Au. Here, the Au content of the Co layer is at most 5% by weight, preferably at most 3% by weight, and the Co content of the Au layer is at most 5% by weight, preferably at most 1% by weight. This multilayer is made by the electrodeposition method by means of immersion in an electroplating bath at least partially containing one or more substrates to provide an electric current between two electrodes which are provided with a potential. This bath contains Co ions and Au ions. The method involves growing multiple layers on a substrate in a bath. This method is controlled by varying the current density and / or the applied voltage and also keeps the concentration of Au ions much lower than the concentration of Co ions.

【0034】 本発明による得られたままの状態で非常に純粋なCoフィルム及びAuフィル
ムの多層構造は、従来の単一浴電着方法によっては作ることができなかった。こ
の方法はスパッタリングのような方法と比較して費用がかからないので、非常に
有利である。短時間で厚い層を作ることも可能である。
The multilayer structure of as-obtained very pure Co and Au films according to the invention could not be produced by conventional single bath electrodeposition methods. This method is very advantageous as it is less expensive than methods such as sputtering. It is also possible to make thick layers in a short time.

【0035】 Co含有率が最大で約1.0〜0.1重量%であるAu層を得ることも可能で
ある。
It is also possible to obtain an Au layer with a maximum Co content of about 1.0 to 0.1% by weight.

【0036】 多層は、上述の本発明の方法によって作る。[0036]   The multilayer is made by the method of the invention described above.

【0037】 更に本発明の目的は、Co及びAuの薄膜の電着のための電気メッキ浴を提供
することである。この浴は、0.2〜0.7g/LのCoイオン、0.1〜0.
5mg/LのAuイオン、有機酸を含有しており、浴のpHは2.5〜5.5で
あり、且つCoイオンの濃度はAuイオンの濃度の約1,000倍の大きさであ
る。
A further object of the invention is to provide an electroplating bath for electrodeposition of Co and Au thin films. This bath contains 0.2-0.7 g / L of Co ions, 0.1-0.
It contains 5 mg / L of Au ions and organic acid, the pH of the bath is 2.5 to 5.5, and the concentration of Co ions is about 1,000 times the concentration of Au ions. .

【0038】 好ましくは有機酸はCである。Preferably the organic acid is C 6 H 8 O 6 .

【0039】 Auは好ましくは、KAu(CN)錯体として浴に存在し、この錯体の濃度
は約0.01〜0.5g/Lである。錯体形成の目的は、Auの溶解性を確実に
すること、及びCoとAuの電位の違いを減少させて、Auが電着するときに、
Coが制御されない様式で溶解しない程度にすることである。Coは塩として浴
に存在し、例えば浴中で溶解している硫酸塩、スルファミン酸塩、ピロリン酸、
又は塩化物の塩として存在する。Coは好ましくはCoSO・7HOとして
加え、濃度はCoSO・7HOが約4〜100g/Lである。酸はpH緩衝
剤として使用し、pHは水酸化物又は炭酸塩によって調整する。好ましいpHの
範囲は3.5〜4.5である。
Au is preferably present in the bath as a KAu (CN) 2 complex, the concentration of this complex being about 0.01-0.5 g / L. The purpose of complex formation is to ensure the solubility of Au and to reduce the potential difference between Co and Au so that when Au is electrodeposited,
It is to the extent that Co does not dissolve in an uncontrolled manner. Co is present in the bath as a salt, for example sulfate, sulfamate, pyrophosphate, dissolved in the bath,
Or it exists as a chloride salt. Co is preferably added as CoSO 4 .7H 2 O and the concentration is about 4 to 100 g / L of CoSO 4 .7H 2 O. The acid is used as a pH buffer and the pH is adjusted with hydroxide or carbonate. The preferred pH range is 3.5 to 4.5.

【0040】 好ましい電気メッキ浴は、Coイオンが0.2〜0.7g/L、Auイオンが
0.1〜0.5mg/L、Cが10〜200g/L、KOHが約12
0g/Lであり、浴のpHは3.5〜4.5である。
A preferred electroplating bath contains 0.2 to 0.7 g / L of Co ions, 0.1 to 0.5 mg / L of Au ions, 10 to 200 g / L of C 6 H 8 O 6 , and KOH. About 12
0 g / L and the pH of the bath is 3.5-4.5.

【0041】 本発明の方法及び本発明の電気メッキ浴ほど純粋なAu/Co多層を作るため
に利用可能な電解質は知られていない。電解質中において非常に少量のAuイオ
ン、KAu(CN)を使用することは有利である。これはこの成分が、電解質
の非常に高価な成分であることによる。
There are no known electrolytes available to make pure Au / Co multilayers as the method of the invention and the electroplating bath of the invention. It is advantageous to use a very small amount of Au ions, KAu (CN) 2 , in the electrolyte. This is because this component is a very expensive component of the electrolyte.

【0042】 この方法は、GMRの用途に関して記録デバイス及び磁気センサーの製造で使
用することができる。更にこの方法は、非常に短い時間で単一金属及び多層ナノ
ワイヤーを製造するために使用することができる。またこの方法は、ナノスケー
ルの様々な種類の生体複合材料及びガスセンサー、例えば電子舌及びマイクロ筋
肉の製造のために使用することができる。
This method can be used in the manufacture of recording devices and magnetic sensors for GMR applications. Furthermore, this method can be used to produce single metal and multilayer nanowires in a very short time. The method can also be used for the production of various types of nanoscale biocomposites and gas sensors such as electronic tongues and micromuscles.

【0043】 [好ましい態様の詳細な説明] 図1は、電着のめに筒状体を回転させる装置100を示している。アノード1
0及び回転カソード20を提供して、金属及び貴金属イオンを含有している溶液
30に電流を流す。基体40は溶液30中に浸漬する。
Detailed Description of the Preferred Embodiments FIG. 1 shows an apparatus 100 for rotating a tubular body for electrodeposition. Anode 1
Zero and rotating cathodes 20 are provided to pass an electric current through a solution 30 containing metal and noble metal ions. The substrate 40 is immersed in the solution 30.

【0044】 電着のための装置は既知であるので、この装置は比較的詳細には描かれていな
い。代わりに、例示によって本発明を比較的詳細に説明している。本発明は、例
に限定されず、例は単に本発明を説明することを意図している。
Since devices for electrodeposition are known, this device has not been depicted in relative detail. Instead, the invention is described in relative detail by way of example. The present invention is not limited to the examples, which are intended merely to illustrate the present invention.

【0045】 例えば電解質中の成分の濃度は、Co及びAuの濃度比を変更しなければ、本
発明の範囲内で変更することができる。
For example, the concentrations of the components in the electrolyte can be changed within the scope of the present invention without changing the concentration ratio of Co and Au.

【0046】 錯体の形成は当業者に明らかであると考えられるので、また本発明の範囲内で
、pHは浴の安定性に影響を与える。
The formation of the complex is considered to be apparent to the person skilled in the art, and within the scope of the present invention, the pH influences the stability of the bath.

【0047】 撹拌はなくてもよく又は1,000rpm(約100cms−1の表面速度に
対応)まででよい。
There may be no stirring or up to 1,000 rpm (corresponding to a surface speed of about 100 cms −1 ).

【0048】 例1(銅箔基体) 図1で示す筒状体電極を回転させる装置を電着のために使用した。銅箔(厚さ
35μm)を基体として使用した。箔は、4%のNeutracon溶液中で超
音波洗浄した。堆積の前に、775ml/Lのホスホン酸溶液及び225ml/
Lのプロピレングリコール中において、350mA/cmで15秒間にわたっ
て箔を電解研磨した。箔はその後、30秒間にわたって10%HSO中にお
いて活性化した。
Example 1 (Copper Foil Substrate) The apparatus for rotating the cylindrical electrode shown in FIG. 1 was used for electrodeposition. Copper foil (thickness 35 μm) was used as a substrate. The foil was ultrasonically cleaned in a 4% Neutracon solution. Prior to deposition, 775 ml / L phosphonic acid solution and 225 ml / L
The foil was electropolished in L propylene glycol at 350 mA / cm 2 for 15 seconds. Foil was then activated in 10% H 2 SO 4 for 30 seconds.

【0049】 使用した電荷質は、以下の組成であった: CoSO・7HO 80g/L C 140g/L KAu(CN) 0.08g/L KOH 120g/L pH 3.5〜4The charge electrolyte used was the following composition: CoSO 4 · 7H 2 O 80g / L C 6 H 8 O 6 140g / L KAu (CN) 2 0.08g / L KOH 120g / L pH 3 .5-4

【0050】 Coの濃度が変化しない場合、CoSO・7HO以外のいくらかの物質も
適当であれば使用することができる。従って本発明は、この物質に限定されない
。適当な物質としては例えば過硫酸塩を挙げることができる。例1のCoSO ・7HO濃度は、0.285g/LのCoイオンに対応する。この例のKAu
(CN)濃度は、0.3mg/LのAuイオン濃度に対応する。好ましくはこ
の濃度を使用する。しかしながら、0.01〜0.5g/LのKAu(CN) を使用することができる。
If the concentration of Co does not change, then some substance other than CoSO 4 .7H 2 O can also be used if appropriate. Therefore, the present invention is not limited to this material. Suitable substances include, for example, persulfates. The CoSO 4 .7H 2 O concentration of Example 1 corresponds to 0.285 g / L of Co ions. KAu in this example
The (CN) 2 concentration corresponds to an Au ion concentration of 0.3 mg / L. Preferably this concentration is used. However, 0.01-0.5 g / L KAu (CN) 2 can be used.

【0051】 また、同じ「特性」を有するC以外の他のいくらかの添加剤、例え
ばシュウ酸を使用することができる。
It is also possible to use some other additive other than C 6 H 8 O 6 having the same “properties”, for example oxalic acid.

【0052】 電流密度は所定の範囲内で変更することができ、好ましくはこれは0.1〜5
0mAcm−2である。
The current density can be varied within a given range, preferably it is between 0.1 and 5
It is 0 mAcm −2 .

【0053】 堆積は室温で行った。多層の堆積は、Axel Akerman A/Sの調
整装置を具備したコンピューター補助パルスメッキ(CAPP)装置を使用して
行った。
The deposition was performed at room temperature. Multilayer deposition was performed using a computer assisted pulse plating (CAPP) machine equipped with an Axel Akerman A / S conditioning system.

【0054】 堆積物の形態及び組成は、20kVのエネルギー分散型x線分光分析装置(E
DS)及び走査型電子顕微鏡(SEM)によって調べた。x線回折(XRD)解
析は、Cu管を具備したPhilipsの広範囲回折計によって大きい角度及び
小さい角度で行った。
The morphology and composition of the deposit were determined by measuring the energy dispersive x-ray spectrophotometer (E
DS) and scanning electron microscopy (SEM). X-ray diffraction (XRD) analysis was performed at large and small angles with a Philips wide range diffractometer equipped with a Cu tube.

【0055】 多層構造は、断面透過型電子顕微鏡(TEM)によって試験した。TEM解析
のための断面試料調製は、試料の支持体として機能するTi格子の向かい合った
多層コーティングを有する約0.5×1×2.5mmの2つのCu泊片を接着す
ることによって作った。イオンエッチング(ion-milling)処理の前に、薄片の
厚さを薄くして約50μmの厚さにした。最後に、電子透過試料を、10kVで
操作するBal−Tec装置によって低角度Arイオンビームを使用して得た。
The multilayer structure was examined by cross-section transmission electron microscopy (TEM). Cross-section sample preparation for TEM analysis was made by gluing two Cu strips of about 0.5 x 1 x 2.5 mm with facing multi-layer coatings of Ti lattice, which served as supports for the samples. Prior to the ion-milling process, the flakes were thinned to a thickness of about 50 μm. Finally, electron-transparent samples were obtained using a low-angle Ar ion beam on a Bal-Tec instrument operating at 10 kV.

【0056】 多層の質及びCo層とAu層との界面の粗さを調べるために、異なる厚さの3
層堆積物を作った。10nm、100nm、150nmの異なる多層を、x線回
折によって特徴付けた。10nmの多層は、6.1nmのAu層及び4.9nm
のCo層からなり、100nmの多層は、50nmのAu層及び50nmのCo
層からなり、並びに150nmの多層は、100nmのAu層及び50nmのC
o層からなる。
In order to investigate the quality of the multi-layer and the roughness of the interface between the Co layer and the Au layer, three layers with different thicknesses were used.
Made layer deposits. Different multilayers of 10 nm, 100 nm, 150 nm were characterized by x-ray diffraction. 10 nm multilayer is 6.1 nm Au layer and 4.9 nm
Co layer of 100 nm, a multilayer of 100 nm is a 50 nm Au layer and a 50 nm Co layer.
Layers, as well as a 150 nm multilayer, are 100 nm Au layer and 50 nm C
It consists of o layers.

【0057】 全てのピークは、Au、Co又はCuピークに帰することができる。Auの粒
度は、Co50nm/Au100nmの多層で7.3nm、Co50nm/Au
50nmの多層で5.8nmであると考えられる。低角度XRD測定は、化学組
成変更で予想されるような特定のx線回折を示さなかった。
All peaks can be attributed to Au, Co or Cu peaks. The grain size of Au is 7.3 nm in a multilayer of Co50 nm / Au100 nm, Co50 nm / Au
It is considered to be 5.8 nm for a 50 nm multilayer. Low angle XRD measurements did not show the specific x-ray diffraction as expected with altered chemistry.

【0058】 多層の表面形態は小さいことが観察されたが、よく画定された粒界を有する表
面が観察された。
Although the surface morphology of the multilayers was observed to be small, a surface with well-defined grain boundaries was observed.

【0059】 他のコバルト源も可能であるが、最も好ましい錯体はピロリン酸コバルトであ
る。
The most preferred complex is cobalt pyrophosphate, although other sources of cobalt are possible.

【0060】 例2(ナノワイヤーの製造) Au−Co多層堆積を、例1で説明したのと同様な様式で、Co及びAuイオ
ンの両方を含有している単一の浴から調製した。比較的貴な金属イオン(Au)
は、低い濃度に維持した。それによって、還元速度が物質移動によって制限され
るので、比較的貴ではない層中の比較的貴な金属の濃度を最少化することができ
る。結果として、96重量%のCoと99重量%のAuの層を有する多層をうま
く得ることができる。
Example 2 (Production of Nanowires) Au—Co multilayer deposits were prepared in a similar manner as described in Example 1 from a single bath containing both Co and Au ions. Relatively precious metal ion (Au)
Was maintained at a low concentration. Thereby, the reduction rate is limited by mass transfer, so that the concentration of the relatively noble metal in the less noble layer can be minimized. As a result, a multi-layer with a layer of 96 wt% Co and 99 wt% Au can be successfully obtained.

【0061】 高速定電圧堆積を、孔直径が150〜200nmで且つ孔密度が10〜10 孔/cmの厚さ20μmの膜への、ナノワイヤー多層の電着のために行った
。これは図2において説明されており、この図2では、Au及びCoの交互の層
を有する膜(棒状体)を示している。
[0061]   High-speed constant-voltage deposition with a pore diameter of 150 to 200 nm and a pore density of 106-10 8 Hole / cmTwoFor the electrodeposition of nanowire multilayers on 20 μm thick films of
. This is illustrated in FIG. 2, where alternating layers of Au and Co are used.
A film (rod-shaped body) having is shown.

【0062】 電着時間は2時間であった。得られたナノワイヤーはほぼ、膜に提供された交
互の約4nmの純粋なCo層と2nmの純粋なAu層を含んでいた(図2参照)
The electrodeposition time was 2 hours. The resulting nanowires nearly contained alternating about 4 nm pure Co layers and 2 nm pure Au layers provided on the film (see Figure 2).
.

【0063】 開回路では、自己触媒反応によってAuが堆積した。その後、電圧を−1.2
Vに切り替えて、8msにわたってCo層を堆積させ、その後で電位を、純粋な
Auが堆積する電位に対応する−0.8Vに切り替え、そして最後に再び開回路
にした。サイクル処理を200回まで反復した。開回路条件及び−0.800V
での堆積の間に低濃度の貴金属イオンがカソード表面で迅速に消費されるので、
この迅速なサイクルは非常に重要である。結果として、負電位から比較的正の電
位への変化の間の層の不動態化又は溶解に関する問題を解決することができる。
In the open circuit, Au was deposited by an autocatalytic reaction. After that, change the voltage to -1.2
V was switched to deposit a Co layer for 8 ms, after which the potential was switched to -0.8 V, corresponding to the potential of pure Au deposition, and finally open circuit again. The cycle process was repeated up to 200 times. Open circuit condition and -0.800V
Since a low concentration of precious metal ions is rapidly consumed at the cathode surface during deposition at
This rapid cycle is very important. As a result, problems with passivation or dissolution of the layer during the change from a negative potential to a relatively positive potential can be solved.

【0064】 本発明によって非常に純粋なAu/Co多層を得ることが可能である。そのよ
うな多層は特に良好なGMRを有するので、本発明は特に便利である。本発明の
方法では、これを安価な様式及び短時間で達成することができる。
It is possible according to the invention to obtain very pure Au / Co multilayers. The present invention is particularly convenient because such a multilayer has a particularly good GMR. With the method of the invention, this can be achieved in an inexpensive manner and in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1は、筒状体を回転させる装置を示している。[Figure 1]   FIG. 1 shows a device for rotating a tubular body.

【図2】 図2は、Au及びCoの交互の層を具備した棒状体を示している。[Fig. 2]   FIG. 2 shows a rod with alternating layers of Au and Co.

【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書[Procedure for Amendment] Submission for translation of Article 34 Amendment of Patent Cooperation Treaty

【提出日】平成13年10月16日(2001.10.16)[Submission date] October 16, 2001 (2001.10.16)

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【特許請求の範囲】[Claims]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 7/00 C25D 7/00 K (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM ,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH, GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS ,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN, MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM ,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN, YU,ZA,ZW─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C25D 7/00 C25D 7/00 K (81) Designated country EP (AT, BE, CH, CY, DE, DK) , ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE), OA (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR , NE, SN, TD, TG), AP (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, Z, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ , LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Co及びAuの薄膜の層を有する基体を含む多層構造であっ
て、前記Co層中のAu含有率が最大で5重量%、好ましくは最大で3重量%で
あり、前記Au層中のCo含有率が最大で5重量%、好ましくは最大で1重量%
であり、ここでこの多層は、1又は複数の基体が少なくとも部分的に入っている
電気メッキ浴に浸漬した電位差を有する2つの電極間に電流を提供する手段によ
る電着方法によって作り、ここで前記浴は、Coイオン及びAuイオンを含有し
、また前記方法は、前記浴において前記基体上に前記多層を成長させることを含
み、またここでこの方法は、電流密度及び/又は適用する電位を変更することに
よって制御し、且つAuイオンの濃度を、Coイオンの濃度よりもかなり低く維
持する、Co及びAuの薄膜の層を有する基体を含む多層構造。
1. A multilayer structure comprising a substrate having thin layers of Co and Au, wherein the content of Au in the Co layer is at most 5% by weight, preferably at most 3% by weight. Co content in the layer is at most 5% by weight, preferably at most 1% by weight
Wherein the multi-layer is made by an electrodeposition method by means of providing an electric current between two electrodes having a potential difference immersed in an electroplating bath at least partially containing one or more substrates, wherein The bath contains Co ions and Au ions, and the method comprises growing the multilayers on the substrate in the bath, wherein the method further comprises changing the current density and / or the applied potential. A multi-layer structure comprising a substrate having a thin layer of Co and Au, which is controlled by modification and keeps the concentration of Au ions well below the concentration of Co ions.
【請求項2】 前記浴が0.2〜0.7g/LのCoイオン、0.1〜0.
5mg/LのAuイオン、有機酸を含有しており、前記浴のpHが2.5〜5.
5であり、且つCoイオンの濃度はAuイオンの濃度の約1,000倍の大きさ
であることを特徴とする、請求項1に記載の多層。
2. The bath contains 0.2 to 0.7 g / L of Co ions, 0.1 to 0.
It contains 5 mg / L of Au ions and an organic acid, and the pH of the bath is 2.5-5.
The multi-layer according to claim 1, characterized in that the concentration of Co ions is 5 and the concentration of Co ions is about 1,000 times larger than the concentration of Au ions.
【請求項3】 特定の期間の電位を、開回路条件からCoイオンを堆積させ
る電位に切り替え、その後でCoイオンを堆積せずにAuイオンを堆積させるよ
うにした他の電位に切り替え、その後で再び開回路条件に切り替え、そしてこの
切り替えサイクルを必要に応じて多数回反復したことを特徴とする、請求項2に
記載の多層。
3. The potential for a specific period is switched from an open circuit condition to a potential for depositing Co ions, and then to another potential for depositing Au ions without depositing Co ions, and thereafter, Multilayer according to claim 2, characterized in that it is switched again to open circuit conditions and this switching cycle is repeated as many times as necessary.
【請求項4】 前記切り替えサイクルを、10〜5,000回、好ましくは
200回まで反復することを特徴とする、請求項3に記載の多層。
4. Multilayer according to claim 3, characterized in that the switching cycle is repeated up to 10-5,000 times, preferably up to 200 times.
【請求項5】 前記成分の還元電位が互いに十分に異なっており、それぞれ
の成分の別個の電着を可能にすることを特徴とする、請求項1〜4のずれかに記
載の多層。
5. Multilayer according to one of the claims 1 to 4, characterized in that the reduction potentials of the components are sufficiently different from each other to allow separate electrodeposition of each component.
【請求項6】 −1.0〜−1.3Vの電位で前記Co層を初めに堆積させ
、その後で電位を比較的高い電圧、例えば−0.5〜−0.8Vに切り替え、そ
の後で電位を開回路に切り替えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに
記載の多層。
6. The Co layer is first deposited at a potential of -1.0 to -1.3 V, after which the potential is switched to a relatively high voltage, for example -0.5 to -0.8 V, after which Multilayer according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the potential is switched to an open circuit.
【請求項7】 前記有機酸が、10〜200g/Lの量のCであ
ることを特徴とする、請求項2〜6のいずれかに記載の多層。
7. The multilayer according to claim 2, wherein the organic acid is C 6 H 8 O 6 in an amount of 10 to 200 g / L.
【請求項8】 前記Au層中のCoの含有率が最大で1〜0.1重量%であ
ることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の多層。
8. The multilayer according to claim 1, wherein the content of Co in the Au layer is at most 1 to 0.1% by weight.
【請求項9】 前記多層構造がナノワイヤーであることを特徴とする、請求
項1〜8のいずれかに記載の多層。
9. The multilayer according to claim 1, wherein the multilayer structure is a nanowire.
【請求項10】 1又は複数の基体が少なくとも部分的に入った電気メッキ
浴に浸漬されている電位差を有する2つの電極間に電流を提供する手段によって
Co及びAuの薄膜の層を有する基体を含む多層構造を製造する電着方法であっ
て、前記浴は、Coイオン及びAuイオンを含有し、またこの方法は、前記浴に
おいて前記基体上に前記多層を成長させることを含み、ここで、電流密度及び/
又は適用される電位を変更することによってこの方法を制御すること、及びAu
イオンの濃度を、Coイオンの濃度よりもかなり低く維持することを特徴とする
、Co及びAuの薄膜の層を有する基体を含む多層構造を製造する電着方法。
10. A substrate having a thin layer of Co and Au by means of providing an electric current between two electrodes having a potential difference, which is immersed in an electroplating bath at least partially containing one or more substrates. A method for producing an electrodeposited multilayer structure comprising the bath comprising Co ions and Au ions, the method comprising growing the multilayer on the substrate in the bath, wherein: Current density and /
Or controlling this method by changing the applied potential, and Au
An electrodeposition method for producing a multi-layer structure comprising a substrate having a thin film layer of Co and Au, characterized in that the concentration of ions is kept well below the concentration of Co ions.
【請求項11】 前記浴が0.2〜0.7g/LのCoイオン、0.1〜0
.5mg/LのAuイオン、有機酸を含有しており、前記浴のpHが2.5〜5
.5であり、且つCoイオンの濃度が、Auイオンの濃度の約1,000倍の大
きさであることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
11. The bath is 0.2 to 0.7 g / L of Co ions, 0.1 to 0.
. It contains 5 mg / L of Au ions and an organic acid, and the pH of the bath is 2.5 to 5
. The method according to claim 10, characterized in that it is 5 and the concentration of Co ions is about 1,000 times greater than the concentration of Au ions.
【請求項12】 前記有機酸が、10〜200g/Lの量のC
あることを特徴とする、請求項11に記載の電着方法。
12. The electrodeposition method according to claim 11, wherein the organic acid is C 6 H 8 O 6 in an amount of 10 to 200 g / L.
【請求項13】 特定の期間の電位を、開回路条件からCoイオンを堆積さ
せるようにした電位、その後でCoイオンを堆積させずにAuイオンを堆積させ
るようにした他の電位、その後で再び開回路条件に切り替え、そしてこの切り替
えサイクルを必要に応じて多数回反復することを特徴とする、請求項12に記載
の電着方法。
13. The potential for a specific period of time is set so that Co ions are deposited from an open circuit condition, another potential after which Co ions are deposited without depositing Co ions, and then again. 13. The electrodeposition method according to claim 12, wherein the electrodeposition method is switched to an open circuit condition, and this switching cycle is repeated as many times as necessary.
【請求項14】 前記切り替えサイクルを、10〜5,000回、好ましく
は200回まで反復することを特徴とする、請求項13に記載の電着方法。
14. The electrodeposition method according to claim 13, wherein the switching cycle is repeated 10 to 5,000 times, preferably 200 times.
【請求項15】 前記成分の還元電位が互いに十分に異なっており、それぞ
れの成分の別個の電着を可能にすることを特徴とする、請求項10〜14のずれ
かに記載の電着方法。
15. The electrodeposition method according to claim 10, wherein the reduction potentials of the components are sufficiently different from each other to allow separate electrodeposition of each component. .
【請求項16】 −1.0〜−1.3Vの電位で前記Co層を初めに堆積さ
せ、その後で電位を比較的高い電圧、例えば−0.5〜−0.8Vに切り替え、
その後で電位を開回路に切り替えることを特徴とする、請求項10〜15のいず
れかに記載の電着方法。
16. The Co layer is first deposited at a potential of -1.0 to -1.3 V, after which the potential is switched to a relatively high voltage, for example -0.5 to -0.8 V,
After that, the potential is switched to an open circuit, and the electrodeposition method according to any one of claims 10 to 15.
【請求項17】 操作温度が20〜30℃であることを特徴とする、請求項
10〜16のいずれかに記載の電着方法。
17. The electrodeposition method according to claim 10, wherein the operating temperature is 20 to 30 ° C.
【請求項18】 前記浴が0.2〜0.7g/LのCoイオン、0.1〜0
.5mg/LのAuイオン、及び有機酸を含有しており、前記浴のpHが2.5
〜5.5であり、且つCoイオンの濃度が、Auイオンの濃度の約1,000倍
の大きさであることを特徴とする、Co及びAuの薄膜の電着のための電気メッ
キ浴。
18. The bath contains 0.2 to 0.7 g / L of Co ions, 0.1 to 0.
. It contains 5 mg / L of Au ions and an organic acid, and the pH of the bath is 2.5.
An electroplating bath for electrodeposition of thin films of Co and Au, which is ˜5.5 and the concentration of Co ions is about 1,000 times larger than the concentration of Au ions.
【請求項19】 前記有機酸が、10〜200g/Lの量のC
あることを特徴とする、請求項18に記載の電気メッキ浴。
19. The electroplating bath according to claim 18, wherein the organic acid is C 6 H 8 O 6 in an amount of 10 to 200 g / L.
【請求項20】 前記Auが、KAu(CN)錯体として浴中に存在して
いることを特徴とする、請求項19に記載の電気メッキ浴。
20. Electroplating bath according to claim 19, characterized in that the Au is present in the bath as a KAu (CN) 2 complex.
【請求項21】 前記Coが塩、例えば硫酸塩、スルファミン酸塩、ピロリ
ン酸、又は塩化物として浴中に溶解して存在していることを特徴とする、請求項
19に記載の電気メッキ浴。
21. Electroplating bath according to claim 19, characterized in that the Co is present in the bath as a salt, for example as a sulfate, a sulfamate, a pyrophosphate or a chloride, dissolved in the bath. .
【請求項22】 前記Coが浴中にCoSO・7HOの形で存在してい
ることを特徴とする、請求項21に記載の電気メッキ浴。
22. Electroplating bath according to claim 21, characterized in that the Co is present in the bath in the form of CoSO 4 .7H 2 O.
【請求項23】 pHを水酸化物又は炭酸塩によって調節することを特徴と
する、請求項18〜22のいずれかに記載の電気メッキ浴。
23. The electroplating bath according to claim 18, wherein the pH is adjusted by hydroxide or carbonate.
【請求項24】 pHが3.5〜4.5であることを特徴とする、請求項1
8〜23のいずれかに記載の電気メッキ浴。
24. The method according to claim 1, wherein the pH is 3.5 to 4.5.
The electroplating bath according to any one of 8 to 23.
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